Download or read book M thode d encapsulation optimale d une technologie HEMT GaN pour la conception d amplificateurs large bande forte puissance et haut rendement destin s aux applications radars en bande S written by Jérôme Chéron and published by . This book was released on 2011 with total page 191 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les applications radars requièrent aujourd’hui des performances très importantes en termes de puissance émise, de rendement et de bande passante, afin de réduire les coûts et l’encombrement des systèmes radars. Le transistor HEMT GaN est la technologie de puissance qui répond le plus favorablement aux applications radars en bande S. Des amplificateurs de puissance peuvent être désormais réalisés en technologie HEMT GaN de forts développements. Au cours de ces travaux de thèse, une nouvelle méthodologie d’encapsulation des barrettes de puissance GaN a été mise en œuvre afin de passer outre les techniques de conception actuelles limitant l’obtention des performances haut rendement sur de larges bandes passantes. Ainsi, une technique de synthèse de boîtier a permis d’assurer un fonctionnement optimal en rendement de la barrette de puissance GaN sur une large bande passante. Des démonstrateurs ont été réalisés et ont démontré des PAE de l’ordre 60%, associées à des puissances de sortie de 50 W sur une bande passante de 25% (autour de 3.2 GHz) en bande S. Ces démonstrateurs proposent également une très bonne robustesse à de fortes variations de TOS aux fréquences harmoniques et présentent une surface d’adaptation sur 50 ? inférieure à 0.7 cm2.

Download or read book Etude et Conception d amplificateurs DOHERTY GaN en technologie Quasi MMIC en bande C written by Mohammed Ayad and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail répond à un besoin industriel accru en termes d'amplification des signaux sur porteuses à enveloppes variables utilisés par les systèmes de télécommunications actuels. Ces signaux disposent d'un fort PAPR et d'une distribution statistique d'enveloppe centrée en-deçà de la valeur crête d'enveloppe. La raison pour laquelle les industriels télécoms requièrent alors des amplificateurs de très fortes puissances de sortie, robustes, fiables et ayant une dépense énergétique optimale le long de la dynamique d'enveloppe associée à un niveau de linéarité acceptable. Ce document expose les résultats d'étude et de réalisation de deux Amplificateurs de Puissance Doherty (APD) à haut rendement encapsulés en boîtiers plastiques QFN. Le premier est un amplificateur Doherty symétrique classique (APD-SE) et le second est un amplificateur à deux entrées RF (APD-DE). Ces démonstrateurs fonctionnant en bande C sont fondés sur l'utilisation de la technologie Quasi-MMIC associant des barrettes de puissance à base des transistors HEMTs AlGaN/GaN sur SiC à des circuits d'adaptation en technologie ULRC. L'approche Quasi-MMIC associée à la solution d'encapsulation plastique QFN permettant une meilleure gestion des comportements thermiques offre des performances électriques similaires à celles de la technologie MMIC avec des coûts et des cycles de fabrication très attractifs. Durant ces travaux, une nouvelle méthode d'évaluation des transistors dédiés à la conception d'amplificateurs Doherty a été développée et mise en oeuvre. L'utilisation intensive des simulations électromagnétiques 2.5D et 3D a permis de bien prendre en compte les effets de couplages entre les différents circuits dans l'environnement du boîtier QFN. Les résultats des tests des amplificateurs réalisés fonctionnant sur une bande de 1GHz ont permis de valider la méthode de conception et ont montré que les concepts avancés associés à l'approche Quasi-MMIC ainsi qu'à des technologies d'encapsulation plastique, peuvent générer des fonctions micro-ondes innovantes. Les caractérisations de l'APD-DE ont relevé l'intérêt inhérent à la préformation des signaux d'excitation et des points de polarisation de chaque étage de l'amplificateur.

Download or read book Conception d amplificateurs de puissance large bande fonctionnant dans la nouvelle bande n78 pour le standard 5G written by Djitiningo Thierry Joel Diatta and published by . This book was released on 2020 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: « L’évolution rapide des systèmes de télécommunications notamment les systèmes de communications sans fil constaté fait appel à la fabrication de nouveaux dispositifs permettant d’améliorer la qualité des services. Pour standardiser cette évolution dans les systèmes de télécommunication sans fil et répondre à diverses applications de communication, des normes sont mises en place comme la norme GSM (the Global Systems for Mobile communication systems), la norme WCDMA (Wideband Code Division Multiple Access), la norme UMTS (Universal Mobile Telecommunications System), la norme LTE (Long-Term Evolution) et la norme WiMAX (Worldwide interoperability for Microwave Access). Toutes ces normes précédemment citées ont pour but de diminuer la latence dans la communication, d’augmenter le débit, de rendre meilleur le paramètre QoS (Quality of Service). C’est dans ce but de rendre toujours plus performant les systèmes de télécommunication sans fil que la technologie 5G (réseaux mobiles de cinquième génération) a été définie avec une bande passante de 500 MHz pour la plage de fréquence appelée NR n78 ou 3.5 GHz allant de 3.3 GHz à 3.8 GHz. Dans le chapitre 2, une méthodologie de caractérisation pour les applications large bande avec une bande de fréquence fondamentale (3.3-3.8 GHz) et ses 2e et 3e bandes d’harmoniques est présentée. La caractérisation du transistor CGH40010 capable de fournir 10 W en puissance de sortie avec une puissance d’entrée de 26.5 dBm a été faite en simulation sur le logiciel ADS 2019 avec le modèle à large bande du transistor nommé CGH40010F_r6_CGH40_r6 fournit par Wolfspeed. La méthodologie utilisée consiste à faire des simulations de type Loadpull /Sourcepull avec les fréquences fondamentales 3.3 GHz, 3.425 GHz, 3.55 GHz, 3.675 GHz, 3.8 GHz afin de couvrir la bande 3.3-3.8 GHz (Notons que dans la simulation les deuxième et troisième harmoniques sont prises en compte en entrée et en sortie pour l’amplificateur de puissance large bande NR n78) ensuite en faisant l’analyse des données découlant de cette simulation, nous avons déterminé les impédances optimales des bandes fondamentales, deuxième et troisième harmoniques nous permettant ainsi de rechercher un paramètre PAE maximum dans toute la bande NR n78. D’après notre caractérisation, la puissance de sortie obtenue dans la bande NR n78 est d’au moins 41.37 dBm et le paramètre PAE est d’au moins 75.96 %. Dans le chapitre 3, en se basant sur les points d’impédances optimales du chapitre 2, un amplificateur de puissance large bande fonctionnant sur toute la bande NR n78 est présenté pour atteindre les contraintes de large bande, de puissance de sortie et d’efficacité imposées par la technologie 5G. Pour améliorer le paramètre PAE, nous avons utilisé un filtre passe bas adaptateur d’impédance afin de supprimer les bandes des 2e et 3e harmoniques. Les paramètres PAE maximums mesurés dans toute la bande NR n78 varient entre 60.17-70.87 % et la puissance de sortie et le gain qui leurs sont associés varient respectivement entre 39.73-40.97 dBm et 11.50-13.97 dB. Enfin, dans le chapitre 4, en se basant aussi sur les points d’impédances optimales du chapitre 2, un amplificateur de puissance à haute efficacité utilisant un filtre coupe bande SIW asymétrique large bande fonctionnant dans la nouvelle bande n78 est présenté. Pour améliorer le paramètre PAE, le filtre de type SIW coupe bande qu’on propose permet de doubler voire tripler la bande de réjection proposée par la littérature en utilisant des tronçons asymétriques sur les transitions micro ruban-SIW afin d'avoir une suppression large bande de la 2e harmonique (6.6-7.6 GHz) d’au moins 24 dBc tout en minimisant les pertes dans la bande fondamentale NR n78. En effet, ce filtre SIW utilisé pour concevoir les réseaux d’adaptation en entrée et en sortie de l’amplificateur à la caractéristique de ne pas utiliser la zone SIW est qui sera utilisée pour faire l'adaptation d'impédance avec un trou inductif métallisé. Les résultats simulés à la fréquence 3.55 GHz nous donnent un paramètre PAE maximum de 63.09 % avec 40.78 dBm de puissance de sortie et un gain de 11.78 dB. Pour les résultats mesurés à la fréquence 3.55 GHz nous avons obtenu un paramètre PAE maximum de 52.20 % avec 40.47 dBm de puissance de sortie et un gain de 11.47 dB. La perte au paramètre PAE maximum entre la simulation et la mesure est de l’ordre de 10.89 %. Aux fréquences 3.3 GHz et 3.8 GHz l’amplificateur ne marche pas tant dans les simulations que dans la mesure. Pour régler les problèmes liés au fonctionnement large bande de l’AP, nous avons proposé une méthodologie pour l’adaptation d’impédance large bande sur le filtre SIW. Malheureusement cette méthode proposée à son tour ne règle pas nos problèmes d’adaptation d’impédance large bande, néanmoins elle nous a permis de connaitre l’effet de la taille du trou métallisé inductif sur les impédances. Pour finir, nous avons défini un travail futur à effectuer pour trouver une méthode d’adaptation d’impédance permettant de concevoir un filtre SIW AP large bande capable d’opérer sur toute la bande NR n78 de la technologie 5G. Dans le futur, un travail à effectuer pour trouver une méthode d’adaptation d’impédance permettant de concevoir un filtre SIW AP large bande capable d’opérer sur toute la bande NR n78 de la technologie 5G a été proposé. Aussi la caractérisation du chapitre 2 pourrait être faite avec un signal avancé comme un signal 5G. De même, les mesures effectuées dans le chapitre 3 pourraient être faites avec un signal 5G. En outre, la possibilité d’implémenter les méthodes de conception décrites dans les chapitres 3 et 4 pour concevoir des structures comme des amplificateurs Doherty de puissance large bande pour la technologie 5G est envisageable. -- Mot(s) clé(s) en français : Caractérisation, amplificateur de puissance, large bande, Loadpull / Sourcepull, réseau d'adaptation avec filtre passe-bas, guide d'onde intégré au substrat, suppression d'harmoniques, réseau d'adaptation, rendement en puissance ajoutée, 5G. »--

Download or read book Conception et r alisation d amplificateurs de puissance micro ondes l tat solide et fort rendement pour des applications spatiales bande S et bande X written by Marc Zoyo and published by . This book was released on 1996 with total page 233 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL A ETE DE DETERMINER UNE METHODOLOGIE DE CONCEPTION ORIGINALE ET SYSTEMATIQUE D'AMPLIFICATEURS HYPERFREQUENCES DE PUISSANCE A TRES HAUT RENDEMENT, EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET CE POUR DES APPLICATIONS SPATIALES. LA PREMIERE PARTIE CONSTITUE UNE INTRODUCTION DETAILLANT LES DIVERS PHENOMENES RELATIFS A L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE DANS LE DOMAINE DES HYPERFREQUENCES. UN EXEMPLE PARTICULIER DU FONCTIONNEMENT A FORT RENDEMENT, APPELE LA CLASSE F, EST EXPLICITE. LA DEUXIEME PARTIE TRAITE DE LA CARACTERISATION ET DE LA MODELISATION DE DIFFERENTS TYPES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE. IL EST AINSI PROPOSE UNE NOUVELLE APPROCHE DE LA CARACTERISATION, BASEE SUR DES TRANSFORMATIONS LARGE BANDE D'IMPEDANCES, AFIN D'EXTRAIRE DES MODELES ELECTRIQUES EQUIVALENTS EN REGIMES LINEAIRE ET NON-LINEAIRE. LA TROISIEME PARTIE CONCERNE LA CONCEPTION ET LA REALISATION D'AMPLIFICATEURS HYBRIDES DE PUISSANCE A FORT RENDEMENT FONCTIONNANT EN BANDE X (8,2GHZ) ET CONSTITUES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROSTRUCTURE (HFET). DES CORRELATIONS ENTRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET CEUX PREDITS PAR LES SIMULATIONS ONT PERMIS DE MONTRER UNE BONNE ADEQUATION. L'INFLUENCE DES CHARGES PRESENTEES AUX DEUX PREMIERS HARMONIQUES DU SIGNAL APPLIQUE SUR LE COMPORTEMENT DU HFET DE PUISSANCE EST ETUDIEE ET DISCUTEE. DANS LA DERNIERE PARTIE, LA PROCEDURE DE CONCEPTION DE CE TYPE D'AMPLIFICATEUR EST VALIDEE A L'AIDE DE DIVERSES APPLICATIONS TELS QUE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE FONCTIONNANT EN BANDE X OU EN BANDE S, A BASE DE TRANSISTORS PSEUDOMORPHIQUES A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE (PHEMT)

Download or read book Conception et r alisation d amplificateur de puissance MMIC large bande haut rendement en technologie GaN written by Victor Dupuy and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ces travaux de thèse se concentrent sur la conception d'amplificateur de puissance MMIC large-bande haut rendement en technologie GaN pour des applications militaires de type radar et guerre électronique. Les objectifs principaux sont de proposer des structures innovantes de combinaison de puissance notamment pour réduire la taille des amplificateurs actuels tout en essayant d'améliorer leur rendement dans le même temps. Pour cela, une partie importante de ces travaux consiste au développement de combineurs de puissance ultra compactes et faibles pertes. Une fois ces combineurs réalisés et mesurés, ils sont intégrés dans des amplificateurs de puissance afin de prouver leur fonctionnalité et les avantages qu'ils apportent. Différents types d'amplificateur tant au niveau de l'architecture que desperformances sont réalisés au cours de ces travaux.

Download or read book Architecture et conception d un amplificateur de puissance large bande pour des applications 4G 5G written by Mohammed Saad Boutayeb and published by . This book was released on 2020 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Avec l'arrivée de la 5G NR, les architectures des émetteurs-récepteurs des terminaux mobiles doivent intégrer plus de composants (filtres, amplificateurs de puissance...) afin d'adresser des bandes plus nombreuses et plus larges (notamment les bandes « sub-6 GHz ») en plus de traiter des signaux plus complexes. Ces nouvelles contraintes d'encombrement et de performances auxquelles doivent répondre les émetteurs-récepteurs ont un impact direct sur les spécifications techniques des amplificateurs de puissance (PA). D'une part il est nécessaire d'avoir des PA qui adressent des bandes plus larges afin de réduire le nombre de composants dans la chaîne d'émission ; d'autre part, ces PA doivent répondre aux critères de linéarité des nouveaux standards (LTE-A et 5G NR) tout en assurant une bonne efficacité énergétique de fonctionnement. Les travaux de cette thèse portent sur l'investigation d'architectures avancées de PA alliant largeur de bande, linéarité et efficacité énergétique.Le contexte et les motivations de la thèse énoncés, le choix de la technologie RF SOI 130nm et les contraintes auxquels doit répondre le PA sont justifiés. Une étude de l'état de l'art des architectures avancées (à efficacité améliorée) de PA permet de retenir l'architecture Doherty comme solution intéressante. Une étude théorique de l'architecture Doherty est effectuée afin de modéliser son fonctionnement, d'identifier l'impact des paramètres de dimensionnement et des capacités parasites du transistor sur les performances de celle-ci avant d'explorer les perspectives qu'elle présente en termes de largeur de bande. Un premier circuit démonstrateur a été implémenté en RF SOI 130nm. Il s'agit d'un étage amplificateur Doherty couvrant la bande 3,2-3,6 GHz. Pour un signal LTE 10MHz 50RB à une puissance de sortie de 27dBm, un ACLR maximal de -30,5 dBc et une PAE minimale de 36% a été mesurée sur toute la bande. Un deuxième circuit Doherty intégrant un étage de pré-amplification (driver) a été implémenté dans la même technologie. Les mesures pour un signal LTE 10MHz 12RB à 28 dBm de puissance de sortie donnent un ACLR maximal de -35 dBc et une PAE minimale de 32% sur toute la bande 3,2-3,8 GHz ce qui permet de couvrir les bandes B42, B43 et B49.

Download or read book tude des classes de fonctionnement haut rendement pour l amplification de puissance en hyperfr quence en utilisant la technologie HEMT base de nitrure de gallium written by Jérémy Dufraisse and published by . This book was released on 2012 with total page 219 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce rapport traite de l'étude de classes de fonctionnement pour améliorer le ren-dement en puissance d'amplificateurs à base de HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN fonctionnant autour de 2 GHz. L'analyse des caractéristiques électriques des HEMT à base de GaN présente l'impact de plaques de champ et de la distance grille-drain sur les performances du composant. Ensuite, la description des amé-liorations de chaque classe conduit à la conception de circuits fonctionnant en classe F inverse avec un rendement en puissance ajoutée mesuré de 58 % et une puissance de sortie de 42 W pour une fréquence de 2 GHz

Download or read book Amplification de puissance haut rendement en bande L et en technologie GaN int grant une pr formation de la tension de commande d entr e written by Alaaeddine Ramadan and published by . This book was released on 2010 with total page 197 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La technologie de semi-conducteurs de puissance GAN est en pleine phase de développement à l'heure actuelle et offre de réelles potentialités pour la génération de fortes puissances à l'état solide en hyperfréquence. Le sujet de thèse concerne donc l'étude de l'amplification de puissance en commutation en technologie GaN avec la réalisation d'un démonstrateur à 2 GHz sur la base d'une puissance de sortie de 15Watts. L'étude aboutit à un contrôle et une préformation adéquats des harmoniques de courants et de tensions en entrée et en sortie de l'étage de puissance. Un point innovant et central de ce travail de thèse a été l'analyse multi-harmonique conjointe entre l'étage 'driver' et l'étage de puissance pour préformer le signal de commande de l'étage de puissance et aboutir à un fonctionnement optimisé en rendement sur une large bande passante. Les travaux de thèse se sont concrétisés par la réalisation d'un amplificateur démonstrateur à deux étages comprenant un premier étage fonctionnant en classe F inverse et un second étage fonctionnant en classe F. Cette réalisation est par nature adressable à l'amplification de signaux à enveloppe constante ne nécessitant pas de spécifications contraignantes en terme de linéarité.

Download or read book M thode de conception des amplificateurs distribu s de puissance TECs en montage source commune et cascode dans le domaine des fr quences millim triques written by Rachid Hilal and published by . This book was released on 1996 with total page 201 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A PARTIR D'ANALYSES LINEAIRES ET NON LINEAIRES DES AMPLIFICATEURS DISTRIBUES DE PUISSANCE A TECS EN MONTAGE SOURCE COMMUNE ET EN MONTAGE CASCODE, NOUS PRESENTONS, DANS CE MEMOIRE, UNE METHODE DE CONCEPTION OPTIMALE DE LEURS RESEAUX D'ADAPTATION EN PUISSANCE. EN PARTICULIER, CETTE METHODE EST GENERALISEE AU CAS DES MONTAGES CASCODES DANS LE DOMAINE DES FREQUENCES MILLIMETRIQUES. UNE ETUDE ANALYTIQUE DES DEUX TYPES D'AMPLIFICATEURS DISTRIBUES A TECS EN MONTAGE SOURCE COMMUNE ET EN MONTAGE CASCODE PERMET DE METTRE EN EVIDENCE LES LIMITATIONS DE FONCTIONNEMENT ET LES PARAMETRES CRITIQUES QUI DEGRADENT LES PERFORMANCES EN PUISSANCE DE TELS AMPLIFICATEURS IMPOSANT AINSI DES CRITERES DE CHOIX DU COMPOSANT ACTIF ET DE LA STRUCTURE DE L'AMPLIFICATEUR DISTRIBUE PERMETTANT D'OPTIMISER LA PUISSANCE SUR UNE TRES LARGE BANDE DE FREQUENCE. DANS LE CADRE D'UNE ETUDE DES CONDITIONS D'ADAPTATION FORT SIGNAL DU TRANSISTOR, NOUS PRESENTONS UNE METHODE GRAPHIQUE DE CONCEPTION FONDEE SUR L'ANALYSE DU CYCLE DE CHARGE. CETTE METHODE EST UTILISEE POUR ESTIMER LES CONDITIONS D'ADAPTATION OPTIMALE SUR UNE LARGE BANDE DE FREQUENCE DU MONTAGE SOURCE COMMUNE ET CASCODE SELON LES PERFORMANCES RECHERCHEES. UNE METHODE DE CONCEPTION OPTIMALE DES RESEAUX D'ADAPTATION DE L'AMPLIFICATEUR POUR DES PERFORMANCES EN PUISSANCE EST DEVELOPPEE A PARTIR DU MODELE EQUIVALENT FORT-SIGNAL DU COMPOSANT. LES RESULTATS OBTENUS AU COURS DE LA REALISATION EN TECHNOLOGIE MONOLITHIQUE DE DEUX AMPLIFICATEURS DISTRIBUES DE PUISSANCE A TRANSISTORS MESFET ET HBT DEMONTRENT TOUT L'INTERET DE LA METHODE DE CONCEPTION PRESENTEE PERMETTANT UNE FORTE AMELIORATION DE LA PUISSANCE DE SORTIE SUR UNE TRES LARGE BANDE DE FREQUENCE

Download or read book Etude et conception d un amplificateur de puissance en technologie GaN MMIC fonctionnant en bande K adapt aux syst mes de suivi d enveloppe written by Mohamed Aziz Rifi and published by . This book was released on 2021 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ces travaux de thèse s'intègrent dans le cadre du processus d'amélioration continue de l'efficacité et de la linéarité des amplificateurs de puissance en présence des signaux sur porteuses modulées utilisés par les systèmes de télécommunications modernes.Ces signaux présentent un PAPR élevé et une distribution statistique d'enveloppe centrée en-deçà de la valeur crête d'enveloppe. De ce fait, les amplificateurs de puissance conventionnel (classe AB à polarisation fixe) sont souvent surdimensionnés pour répondre aux besoins des industriels télécoms. La technique de suivi d'enveloppe a été utilisée pour augmenter la PAE le long de l'OBO (10 dB pour LTE) tout en gardant un gain en puissance constant associé à une bonne linéarité en termes de conversion d'AM/AM. Une méthode de conception d'amplificateur de puissance en technologie MMIC fondé sur l'utilisation des HEMTs GaN a été développée et utilisée pour concevoir un AP délivrant une puissance de sortie de 4W et fonctionnant en bande K [17-20GHz]. L'AP réalisé a été ensuite couplé à un modulateur numérique de polarisation de drain. L'ensemble AP et modulateur de polarisation constituant un système de suivi d'enveloppe appelé APSE a été caractérisé en termes d'efficacité et de linéarité en présence de signaux modulés. L'APSE montre des performances très intéressantes comparées à celles obtenue avec un AP à polarisation fixe. En effet à un OBO de l'ordre de 7dB, dans la bande [17-20GHz], la PAE est améliorée de [10-7.5 points]. La PAE moyenne le long de l'OBO varie entre 32 et 36% sur la bande considérée et elle est associée à une EVM variant entre 5 à 1.6% avec une DPD quasi-statique appliquée au signal en bande de base. Les caractérisations de l'APSE ont démontré l'intérêt de l'utilisation des amplificateurs de puissance à suivi d'enveloppe dans les systèmes de télécommunications modernes.

Download or read book Lin arisation des amplificateurs de puissance large bande pour des applications de communications tactiques et de diffusion audio ou vid o num rique written by Amadou Mbaye and published by . This book was released on 2015 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'amplificateur de puissance est le module le plus critique dans les équipements de communication radio. Il détermine la qualité de la liaison par sa linéarité et a une contribution conséquente dans la consommation de l'émetteur ; environ 60% de l'énergie consommée est consacré à l'amplification. Il est donc crucial de le faire fonctionner avec un rendement énergétique élevé. Cependant, ces deux spécifications principales de l'amplificateur que sont la linéarité et le rendement énergétique sont antagoniques. Par conséquent, la conception d'un module d'amplification de puissance suppose de trouver un compromis entre la linéarité et le rendement. L'optimisation de ce compromis est la raison d'être des techniques de linéarisation d'amplificateurs et d'amélioration du rendement, parmi lesquelles la prédistorsion numérique (DPD) et les techniques de réduction du PAPR du signal (CFR).Le cœur de cette thèse est la linéarisation d'amplificateurs RF haute-puissance et large-bande par prédistorsion numérique (DPD). Dans ces travaux, nous abordons trois problématiques liées à la prédistorsion et qui constituent des verrous technologiques importants. Le premier aspect concerne l'implémentation de la prédistorsion numérique dans un contexte multi-bande où le signal à linéariser comporte plusieurs formes d'ondes, situées à des fréquences différentes. La seconde problématique est l'utilisation conjointe de la prédistorsion avec une technique de CFR. Dans la majorité des applications haute-puissance, les techniques de DPD et de CFR sont présentes de manière complémentaire, cependant elles sont utilisées de façon autonome et disjointe. Celles-ci gagneraient en performances de linéarisation en étant implémentées de manière plus concertée. . Le dernier thème abordé par cette thèse est l'effet des désadaptations d'impédance de l'antenne sur le mode de fonctionnement de l'amplificateur. La variation de l'impédance d'antenne entraine des réflexions de signal vers l'amplificateur qui modifient ses spécifications de linéarité et de rendement. Nous améliorons la linéarité du système DPD + AP, lorsque l'amplificateur est soumis à des variations de l'impédance à sa charge, grâce à une correction adaptative de gain.

Download or read book Circuit d amplification Doherty int gr large bande pour applications radio cellulaires de puissance written by Hao Zhang and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ces travaux de recherche concernent la conception, la réalisation et la mesure des circuits d'amplification Doherty LDMOS intégrés large-bande pour stations de base, nécessaires au développement de la 5G. Suite à la recherche des techniques pour l'amélioration du rendement électrique pour des signaux à forte dynamique d'amplitude et les possibilités d'intégration, la technique Doherty a été choisie. Des études sur les structures Doherty à deux puis trois voies montrent que l'amélioration de rendement pourra être renforcée et étendue par l'ajout d'un troisième étage avec des tailles de transistors calculées en prenant en compte un fonctionnement en classe C des étages auxiliaires. Des limitations d'utilisation de la technique Doherty sont montrées par la prise en compte des différentes non-linéarités des transistors LDMOS. La recherche des architectures large-bandes montre que la technique d'absorption du CdS et l'utilisation de circuits de répartition de type mixte en entrée présentent des avantages pour l'intégration. A partir des différentes études, des amplificateurs de puissance Doherty MMIC à trois voies ont été réalisés avec un ratio d'asymétrie de 1 :3 :3 dans la bande de 1805 MHz à 2170 MHz. Les performances expérimentales montrent les potentialités du Doherty et notamment une nette amélioration du rendement sur toute la bande de fréquence. Des considérations spécifiques d'adaptation sont présentées dans le but de réduire les produits de distorsions d'ordre 3, 10 et 12 (IMD 10 /12). Les mesures de linéarité à différentes largeurs de bande instantanées sont très encourageantes et valident la nouvelle architecture du Doherty à trois voies asymétriques.

Download or read book CONCEPTION EN TECHNOLOGIE MONOLITHIQUE SUR GAAS DE STRUCTURES PSEUDO AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ET AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL TRANSCONDUCTANCE APPLICATION AU FILTRAGE ACTIF EN MICRO ONDES written by ABDENOUR.. CHELOUAH and published by . This book was released on 1997 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT ACTUEL DES RESEAUX DE RADIOCOMMUNICATIONS IMPOSE UNE MINIATURISATION DES DISPOSITIFS MICRO-ONDES DE PLUS EN PLUS IMPORTANTE. DANS LES SYSTEMES D'EMISSION ET DE RECEPTION EN HAUTES FREQUENCES, LE FILTRAGE CONSTITUE L'UNE DES FONCTIONS ELECTRONIQUES DE BASE ; IL EST DONC ESSENTIEL DE DEVELOPPER DES STRUCTURES ACTIVES INTEGREES FONCTIONNANT A CES FREQUENCES. LE MEMOIRE PRESENTE LA CONCEPTION EN TECHNOLOGIE MONOLITHIQUE MICRO-ONDES DE DEUX CIRCUITS LINEAIRES ASSURANT LA FONCTION D'AMPLIFICATION LARGE BANDE QUI EST A LA BASE DU PRINCIPE DES FILTRES ACTIFS DE TYPE R-C ET GM-C. LE PREMIER CIRCUIT DONT LES PERFORMANCES ONT ETE OPTIMISEES EST UN PSEUDO-AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL REALISE EN TECHNOLOGIE MESFET 0.5 M DE GEC-MARCONI. L'OBJECTIF ETANT D'OBTENIR UN PRODUIT GAIN-BANDE TRES ELEVE (AUX ENVIRON DE 10 GHZ), CECI AVEC UN BON COMPORTEMENT EN GAIN ET PHASE AFIN D'ASSURER UNE BONNE STABILITE, L'ARCHITECTURE PROPOSEE A NECESSITE LA MISE AU POINT DE BLOCS FONCTIONNELS ELEMENTAIRES PERMETTANT D'ASSURER LES PERFORMANCES DESIREES EN LARGE BANDE. AINSI PLUSIEURS CELLULES DE TYPE CASCODE ONT ETE PROPOSEES, ET PLUS PARTICULIEREMENT UNE STRUCTURE ORIGINALE DE MIROIR DE COURANT INVERSEUR A AVANCE DE PHASE. LES MESURES EFFECTUEES SUR CE CIRCUIT PSEUDO-AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL, MONTE EN SUIVEUR, SONT EN BON ACCORD AVEC LES RESULTATS DES SIMULATIONS ; UNE STRUCTURE DE FILTRE PASSE-BANDE SELECTIF DE RAUCH A ETE SIMULEE ET OPTIMISEE AVEC CET AMPLIFICATEUR, MONTRANT AINSI LA FAISABILITE DE CE TYPE DE STRUCTURE EN TECHNOLOGIE GAAS. LA DEUXIEME STRUCTURE ETUDIEE EST UN AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL A TRANSCONDUCTANCE ; DANS CE CAS LA TECHNOLOGIE CHOISIE EST UNE TECHNOLOGIE HEMT 0.3 M DE L'IAF. L'APPLICATION VISEE EST CELLE DU FILTRAGE ACTIF DE TYPE GM-C. DEUX FILTRES, UN PASSE-HAUT ET UN PASSE-BAS DE FREQUENCES RESPECTIVES 6 ET 10 GHZ ONT ETE CONCUS ET SIMULES AVEC CET AMPLIFICATEUR A TRANSCONDUCTANCE. CETTE ETUDE ORIGINALE A PERMIS DE MONTRER LA FAISABILITE DE FILTRES ACTIFS DANS LE DOMAINE DES MICRO-ONDES EN TRANSPOSANT LES CONCEPTS MIS EN UVRE AUX BASSES FREQUENCES ; CECI EST FONDE SUR LA MISE AU POINT DE STRUCTURES D'AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS OU A TRANSCONDUCTANCE DONT LES CARACTERISTIQUES FREQUENTIELLES SONT LIEES A LA TECHNOLOGIE UTILISEE.

Download or read book Conception et r alisation d amplificateurs cryotechniques faible bruit base de transistors effet de champ dans la bande 16 20 GHz written by Frédéric Sejalon and published by . This book was released on 1993 with total page 242 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES AMPLIFICATEURS CRYOTECHNIQUES FAIBLE BRUIT A BASE DE TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE TROUVENT DES APPLICATIONS A BORD DE SATELLITES OU SONDES SPATIALES DANS TOUT SYSTEME DONT L'ANTENNE DE RECEPTION NE VOIT PAS LA TERRE: RADIOASTRONOMIE, SCIENCES DE L'UNIVERS, LIAISONS INTER-SATELLITES. CE MEMOIRE COMPREND DONC UNE PREMIERE PARTIE CONSACREE A LA PHYSIQUE ET AU FONCTIONNNEMENT, EN PARTICULIER A BASSE TEMPERATURE, DES TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE (HEMT). DANS LA SECONDE PARTIE, NOUS TRAITONS DE LA CARACTERISATION AUX TEMPERATURES CRYOGENIQUES, TANT EN PARAMETRES S QU'EN PARAMETRES DE BRUIT DES COMPOSANTS HEMT EN PUCE. UNE METHODE ORIGINALE PERMETTANT DE S'AFFRANCHIR DU GRADIENT THERMIQUE QUE SUPPORTENT LES CABLES DE LIAISON, BASEE SUR LA MESURE D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP NON POLARISE MONTE EN GRILLE COMMUNE, EST PRESENTEE. DES DIFFERENTS RESULTATS EXPERIMENTAUX SONT ENSUITE EXTRAITES LES EVOLUTIONS DES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT ET DES SOURCES DE BRUIT DU TRANSISTOR EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA POLARISATION. ENFIN, NOUS ABORDONS LA CONCEPTION ET LA REALISATION DE L'AMPLIFICATEUR CRYOTECHNIQUE. APRES AVOIR SELECTIONNE LE COMPOSANT ET LA TECHNOLOGIE LES MIEUX ADAPTES AU FONCTIONNEMENT EN BASSE TEMPERATURE, NOUS DONNONS LES ELEMENTS NECESSAIRES A LA DETERMINATION D'UNE TOPOLOGIE OPTIMALE D'AMPLIFICATEUR FAIBLE BRUIT. LES RESULTATS DE SIMULATION OBTENUS SUR LES DIFFERENTS AMPLIFICATEURS REALISES AU MOYEN DE LOGICIEL D'AIDE AU DEVELOPPEMENT DE CIRCUITS MICRO-ONDES SONT PRESENTES, AVANT D'ANALYSER LES RESULTATS EXPERIMENTAUX RELEVES A LA TEMPERATURE DE L'AZOTE LIQUIDE

Download or read book Conception d un amplificateur de puissance MMIC bande L en technologie AsGa HEMT written by Philippe Maréchal and published by . This book was released on 1994 with total page 306 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Int gration monolithique d amplificateurs de puissance multi bandes fort rendement pour applications cellulaires written by Pascal Reynier and published by . This book was released on 2009 with total page 186 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse s’inscrit dans le cadre d’une réflexion sur l’intégration complète sur silicium d’amplificateurs de puissance, sur leur optimisation en rendement ainsi que sur les possibilités de fonctionnement multi-bandes. Elle porte sur l’étude de PA monolithiques multi-bandes à fort rendement pour les standards E-GSM et DCS sur une technologie BiCMOS 0.25 micromètre. Pour une optimisation du rendement à faible puissance et un fonctionnement multi-bandes, nous présentons tout d’abord l’étude de dispositifs de puissance LDMOS à largeur de grille variable. Cette étude s’articule autour de deux réalisations : une structure de puissance accordable pour des puissances de 24dBm et 27dBm ainsi que d’un étage de puissance accordable pour les bandes basses et hautes du standard GSM. Dans le cadre d’une intégration totale des PA, sans dégradation du rendement, les performances du réseau de sortie, en termes d’encombrement et de pertes, sont critiques. Ainsi, nous nous sommes penchés sur l’étude de transformateurs de puissance intégrés faibles pertes. Nous exposons notamment une méthode de pré-dimensionnement simple et précise tenant compte de la technologie et de la structure du transformateur. En suivant celle-ci deux transformateurs de puissance faibles pertes pour les bandes basses et hautes du standard GSM sont présentés et une étude à été engagée sur l’intégration de transformateurs de puissance multi-bandes. Enfin nous présentons une solution innovante de “ PA dual band ” pour les standards E-GSM et DCS à base de transistors de puissance HBT et LDMOS. Conçue et implémentée sur silicium, elle apparaît intéressante en termes de performances et réellement compétitive en termes de surface.