Download or read book L apport de l imagerie raman et de la photoluminescence la caract risation de carbure de silicium SiC written by Aurélie Thuaire and published by . This book was released on 2006 with total page 213 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le carbure de silicium est aujourd'hui commercialement disponible sous forme de larges substrats (lOcm de diamètre), ou de composants électroniques de plus en plus puissants. Néanmoins, les performances des dispositifs électroniques sont limitées par la présence de défauts. Ce travail de thèse consiste ainsi d'une part à étudier les défauts présents dans les substrats et épitaxies dans le but de mettre en évidence les facteurs et paramètres à l'origine de la modification des propriétés structurales et électroniques de ces échantillons. D'autre part, les connaissances acquises sont réinvesties dans la caractérisation de composants électroniques polarisés (diodes PiN à base de SiC et jonctions PN en diamant). Les apports et les limites des techniques de caractérisation utilisées, spectroscopie et imagerie Raman, photoluminescence, ainsi que photoémission et microscopie optique en lumière polarisée, auxquelles est couplée la spectroscopie Raman, sont par ailleurs mis en évidence.

Download or read book Etude d pitaxies et de substrats SiC par imagerie de photoluminescence written by Lilian Masarotto and published by . This book was released on 2001 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur qui possède une largeur de bande interdite élevée (de 2.3 eV à 3.3 eV selon le polytype), un fort champ de claquage (4MV/cm), une vitesse de saturation des électrons deux fois supérieure à celle du silicium et une conductivité thermique voisine de celle du cuivre. Ces propriétés physiques remarquables font du SiC un matériau prometteur pour le développement d'une électronique spécifique dans les domaines de la haute température, de la puissance et des hyperfréquences. Toutefois, malgré les efforts considérables menés ces dernières années, la qualité du matériau n'a pas atteint un stade de maturité suffisant pour que les potentialités du SiC soient pleinement exploitées au niveau de la réalisation de dispositifs. Il est donc nécessaire que les efforts faits en croissance soient accompagnés d'une caractérisation fine, rapide et non destructive. Dans cet objectif, ce travail de thèse a consisté à développer un banc de mesure cartographique de la photoluminescence du SiC. Le faible rendement de luminescence du SiC du à sa bande interdite indirecte et la nécessité d'exciter le matériau dans l'UV ont nécessité un important travail expérimental afin d'optimiser le rapport signal sur bruit tout en s'affranchissant des raies parasites dues à l'excitation UV. Dans un deuxième temps nous avons pu exploiter l'équipement développé et démontrer son intérêt pour la caractérisation d'un certains nombres de défauts microscopiques dans le SiC. Ainsi nous avons montré qu'il était possible, sans avoir recours à une attaque chimique, de révéler les dislocations vis et les micropipes. Nous avons également montré que l'homogénéité du prolytype peut être cartographiée par cette technique. Enfin, dans un troisième temps, grâce au soin porté à l'étalonnage de l ‘équipement, nous avons pu déduire, par une modélisation, la durée de vie des porteurs minoritaires à partir de l'intensité du signal de photoluminescence.

Download or read book Radiation Effects in Silicon Carbide written by A.A. Lebedev and published by Materials Research Forum LLC. This book was released on 2017 with total page 172 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The book reviews the most interesting research concerning the radiation defects formed in 6H-, 4H-, and 3C-SiC under irradiation with electrons, neutrons, and some kinds of ions. The electrical parameters that make SiC a promising material for applications in modern electronics are discussed in detail. Specific features of the crystal structure of SiC are considered. It is shown that, when wide-bandgap semiconductors are studied, it is necessary to take into account the temperature dependence of the carrier removal rate, which is a standard parameter for determining the radiation hardness of semiconductors. The carrier removal rate values obtained by irradiation of various SiC polytypes with n- and p-type conductivity are analyzed in relation to the type and energy of the irradiating particles. The influence exerted by the energy of charged particles on how radiation defects are formed and conductivity is compensated in semiconductors under irradiation is analyzed. Furthermore, the possibility to produce controlled transformation of silicon carbide polytype is considered. The involvement of radiation defects in radiative and nonradiative recombination processes in SiC is analyzed. Data are also presented regarding the degradation of particular SiC electronic devices under the influence of radiation and a conclusion is made regarding the radiation resistance of SiC. Lastly, the radiation hardness of devices based on silicon and silicon carbide are compared.

Download or read book Etude par spectrom tries FT IR et Raman d un carbure de silicium de type 6H written by Elhassane Abdelmounîm and published by . This book was released on 1994 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL NOUS AVONS ETUDIE SEPAREMENT DEUX PROPRIETES CHIMIQUE ET PHYSIQUE FONDAMENTALES DU CARBURE DE SILICIUM, A SAVOIR SON COMPORTEMENT VIS-A-VIS D'UN AGENT CORROSIF, L'OXYGENE PUR OU ATMOSPHERIQUE, ET LA DETERMINATION DE SES CONSTANTES ELASTIQUES ET PIEZOELECTRIQUES. CETTE ETUDE A ETE REALISEE SUR UNE POUDRE DE CARBURE DE SILICIUM DE TYPE 6 H COMMERCIALISEE PAR LA SOCIETE LONZA EN UTILISANT LES SPECTROMETRIES INFRAROUGE ET RAMAN. L'ETUDE PAR SPECTROMETRIE INFRAROUGE A PERMIS DE SUIVRE L'EVOLUTION DE LA QUANTITE D'OXYDE FORME AU COURS DE L'OXYDATION, DE DONNER LA LOI CINETIQUE, ET DE CARACTERISER DES ESPECES HYDRIDES INTERMEDIAIRES, OXYCARBURES, FORMEES ENTRE LE CARBURE DE SILICIUM ET LA SILICE. A L'AIDE D'UN CALCUL DE VIBRATION, NOUS AVONS PU SUIVRE L'EVOLUTION DES FREQUENCES LORS DE LA SUBSTITUTION D'UN ATOME DE CARBONE PAR UN ATOME D'OXYGENE ET PROPOSER UNE ATTRIBUTION DES MODES DE VIBRATION AUX DIFFERENTES ESPECES INTERMEDIAIRES. DES TECHNIQUES DE CARACTERISATIONS COMPLEMENTAIRES ONT ETE UTILISEES; L'ANALYSE THERMOGRAVIMETRIQUES (ATG) A MONTRE QUE L'OXYGENE DIFFUSE A TRAVERS L'OXYDE SOUS FORME MOLECULAIRE ET LA DIFFRACTION DE RAYONS RX A MONTRE QUE L'OXYDE FORME EST QUASIMENT AMORPHE. LA DEUXIEME PARTIE CONSISTE EN UNE APPROCHE THEORIQUE BASEE SUR LA DYNAMIQUE DU RESEAU. CELLE-CI PERMET A L'AIDE DE DONNEES EXPERIMENTALES FOURNIES PAR LA SPECTROMETRIE RAMAN DES POUDRES ET D'UN CHAMP DE FORCE DE VALENCE AJUSTE DE REMONTER AUX CONSTANTES ELASTIQUES ET PIEZOELECTRIQUES DE SIC

Download or read book Etude des effets d irradiation dans le polytype cubique du carbure de silicium par les techniques spectroscopiques de photoluminescence et de r sonance paramagn tique lectronique written by Jérémie Lefevre and published by . This book was released on 2015 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail expérimental a consisté en l'étude des défauts ponctuels induits par une irradiation électronique dans la structure cristallographique cubique du carbure de silicium (SiC) au moyen des techniques spectroscopiques de photoluminescence à basse température (LTPL) et de résonance paramagnétique électronique (RPE). Le premier de ces deux outils de mesures a permis d'estimer l'énergie seujl de deplacement dans le sous-réseau silicium puis d'analyser la stabilité thermique des défauts d'irradiation dans le domaine des basses températures (10 - 300K) puis dans la gamme des hautes températures (300 - 1400 K). Par ailleurs, sur la base d'un modèle théorique récent, cette thèse a corroboré la proposition de l'antisite de silicium isolé pour le centre D1 dont la persistance au-delà de la température nominale de fonctionnement des réacteurs nucléaires à fission de génération IV, pour lequel SiC est en partie destiné, se révèle particulièrement problématique. Des mesures entreprises par RPE sous illumination ont enfin permises de détecter un nouveau défaut dans son état métastable de spin S=1, possiblement associé à une configuration d'interstitiel de silicium.

Download or read book Contribution a l etude de la cristallogenese du carbure de silicium SiC par sublimation written by Karim Chourou and published by . This book was released on 1998 with total page 227 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE CARBURE DE SILICIUM (SIC) PRESENTE DES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES INTERESSANTES POUR LA REALISATION DE DISPOSITIFS ELECTRONIQUES FONCTIONNANT DANS DES CONDITIONS EXTREMES DE PUISSANCE, DE TEMPERATURE ET DE FREQUENCE. L'ETUDE DE LA CRISTALLOGENESE PAR SUBLIMATION DU CARBURE DE SILICIUM DE STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIE HEXAGONALE FAIT DONC L'OBJET DE CE MEMOIRE. DANS UN PREMIER CHAPITRE, LES PRINCIPALES CARACTERISTIQUES DU SIC SONT PRESENTEES. UNE DESCRIPTION DES TECHNIQUES D'ELABORATION DU SIC ET UN ETAT DE L'ART DES SUBSTRATS OBTENUS PRECISE LES OBJECTIFS DE CE TRAVAIL. LE DISPOSITIF EXPERIMENTAL AINSI QUE LES PARAMETRES CRITIQUES DE LA SEQUENCE DE CROISSANCE SONT EXPOSES DANS UN DEUXIEME CHAPITRE. LA CROISSANCE SUR LE GERME EST REALISEE PAR UNE METHODE ORIGINALE BASEE SUR LE CONTROLE DU GRADIENT DE TEMPERATURE ENTRE LA SOURCE ET LE DEPOT. CETTE METHODE DE GERMINATION REMPLACE AVANTAGEUSEMENT CELLE DE TAIROV BASEE SUR LA MAITRISE DE LA PRESSION D'ARGON. LE TROISIEME CHAPITRE DE CE MEMOIRE EST DEDIE A LA MODELISATION MAGNETO-THERMIQUE DU CREUSET D'ELABORATION DE SIC. LA VALIDITE DU MODELE EMPLOYE A ETE ETUDIEE EN COMPARANT SIMULATION ET RESULTATS EXPERIMENTAUX. CET OUTIL A PERMIS D'OPTIMISER LA GEOMETRIE DU CREUSET ET DE MAITRISER LE FRITTAGE ET LA CARBONISATION DE LA POUDRE SOURCE. LES PRINCIPAUX RESULTATS OBTENUS SUR LA CRISTALLOGENESE DU SIC SONT REPORTES AU COURS DU QUATRIEME CHAPITRE. L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES EXPERIMENTAUX SUR LES CARACTERISTIQUES DES MONOCRISTAUX DE SIC EST EXPOSEE. UNE ATTENTION PARTICULIERE A PORTE SUR LA CRISTALLOGENESE DU 4H-SIC, CE QUI NOUS A PERMIS DE DETERMINER LE ROLE PREPONDERANT DU GERME SUR LE POLYTYPE DU LINGOT OBTENU. DANS LE DERNIER CHAPITRE, SONT PRESENTES LES PRINCIPAUX DEFAUTS RENCONTRES DANS LE SIC AINSI QUE LEUR MECANISME DE CREATION. UNE ETUDE APPROFONDIE DES MACRODEFAUTS A ETE MENEE, CE QUI A PERMIS LEUR ELIMINATION.