Download or read book INFLUENCE DU CARBONE SUR LES DEFAUTS STRUCTURAUX ET SUR L ACTIVITE ELECTRIQUE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN HEM written by Cécil Cabanel and published by . This book was released on 1987 with total page 152 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE CHIMIQUE, MICROSCOPIQUE ET ELECTRIQUE DES DIFFERENTS TYPES DE PRECIPITATION DU CARBONE DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN. MISE EN EVIDENCE DE DEUX TYPES DE PRECIPITATION. POUR MONTRER QUE L'ACTIVITE ELECTRIQUE DES DEFAUTS CRISTALLINS EST ESSENTIELLEMENT LIEE A LA PRESENCE D'IMPURETES, UNE NOUVELLE METHODE A ETE ELABOREE QUI PRESENTE UNE RESOLUTION SPATIALE DU SIGNAL MEILLEURE QUE L'EBIC. L'ENSEMBLE DE CES ETUDE A PERMIS DE CONCLURE SUR L'INFLUENCE DU CARBONE SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DU MATERIAU

Download or read book Photovoltaic Power Generation written by R. Van Overstraeten and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2012-12-06 with total page 321 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Amorphous silicon PV panel mass production will require to mas ter plasma chemical deposition in terms of large sizes, cost, maintenance and all other problems related to industrialization. Since plasma deposition is a novel technique, the development of all this production related know how involves a considerable technical research effort. The major problems related to the design of a production deposi tion machine are the following - deposition should be uniform on very large area substrate (typical dimension 1 meter) ; - the deposited amorphous silicon should have good electronic properties (density of state of the order or less than 16 3 10 cm /eV) and very low impurities concentrations (for exam ple oxygen atomic concentration should idealy be less than 0. 01 %) ; - the film stress should be limited, the density of ponctual defects (particulates) should remain reasonable (less than 2 per 100 cm ) ; - dopant level control should be stable and efficient ; - silane consumption should remain reasonably efficient - financial cost being important the machine productivity should be high hence deposition rate optimized ; - downtime due to maintenance should be reduced to a minimum. We present here some results on the R&D effort addressed to the above mentioned problems. An original single chamber was designed. This machine will be made available on the market for R&D purposes by a process machine company. Finally the maintenance problem is considered. Plasma cleaning based on a fluorine containing etchant gases is studied and evaluated. 2.

Download or read book Influence origine et passivation de d fauts cristallographiques dans du silicium polycristallin written by Larbi Ammor and published by . This book was released on 1984 with total page 125 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE EN EVIDENCE DE L'INFLUENCE DES DEFAUTS SUR LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DE JONCTION N+-P. EXISTENCE D'UNE CORRELATION ENTRE LA VALEUR ELEVEE DES DENSITES DE DISLOCATIONS, LA DECROISSANCE DES LONGUEURS DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES, ET DES CONCENTRATIONS DE CARBONE SUPERIEURES A LA LIMITE DE SOLUBILITE. POSSIBILITE DE REDUCTION DE L'ACTIVITE RECOMBISSANTE DES DEFAUTS ETENDUS PAR RECUIT PROLONGE SOUS FLUX D'HYDROGENE MOLECULAIRE OU PAR IMPLANTATION D'HYDROGENE PENDANT QUELQUES MINUTES

Download or read book Origine et influence de l activit lectrique des dislocations dans le silicium cristallin written by Jean-Jacques Simon and published by . This book was released on 1996 with total page 159 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ACTIVITE ELECTRIQUE DES DISLOCATIONS A ETE ETUDIEE DANS DES PLAQUETTES DE SILICIUM MONOCRISTALLINES OBTENUES PAR FUSION DE ZONE (FZ) ET PAR TIRAGE CZOCHRALSKI (CZ). LES TECHNIQUES EXPERIMENTALES UTILISEES LORS DE CETTE ETUDE SONT PRINCIPALEMENT LA TECHNIQUE LBIC (LIGHT BEAM INDUCED CURRENT) ET LA TECHNIQUE DLTS (DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY). DES ANALYSES DE CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION ET DES TOPOGRAPHIES X ONT COMPLETE CES MESURES. LES RESULTATS MONTRENT QUE LES DISLOCATIONS SONT PLUS RECOMBINANTES DANS LE SILICIUM CZ RICHE EN OXYGENE ET QUE, DANS LE SILICIUM FZ CETTE ACTIVITE ELECTRIQUE VARIE AVEC L'ORIENTATION CRISTALLINE. DANS LE SILICIUM FZ, UNE DIFFUSION SUPERFICIELLE DE PHOSPHORE PERMET DE DECONTAMINER LES DISLOCATIONS PAR EFFET GETTER EXTERNE ET DE FAIRE DISPARAITRE, A TEMPERATURE AMBIANTE, LE CONTRASTE LBIC ASSOCIE A CES DEFAUTS. PARALLELEMENT, LES NIVEAUX PIEGES PROFONDS LIES AUX DISLOCATIONS NE SONT PLUS DECELABLES EN DLTS APRES UNE DIFFUSION DE PHOSPHORE A 900C PENDANT 4 HEURES. LE COMPORTEMENT DU SILICIUM CZ S'AVERE PLUS COMPLEXE EN RAISON DE SA SURSATURATION EN OXYGENE. IL EST EN EFFET NECESSAIRE D'APPLIQUER UN TRAITEMENT PREALABLE AU PHOSPHORE AFIN DE SUPPRIMER LE CONTRASTE LBIC EN ANNEAUX, CARACTERISTIQUE DE MICRO-DEFAUTS REPARTIS RADIALEMENT ET LIES A LA PRECIPITATION DE L'OXYGENE, AFIN DE POUVOIR ALORS DISCERNER CELUI ASSOCIE AUX DISLOCATIONS. CES RESULTATS TENDENT A DEMONTRER QUE L'ACTIVITE ELECTRIQUE DES DISLOCATIONS A TEMPERATURE AMBIANTE EST ESSENTIELLEMENT D'ORIGINE EXTRINSEQUE ET QU'IL EST POSSIBLE DE PASSIVER CES DEFAUTS DES LORS QU'ILS NE SONT PAS DECORES PAR DE L'OXYGENE

Download or read book ETUDE STRUCTURALE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN DESTINE A LA FABRICATION DE PHOTOPILES SOLAIRES written by Jean-François Silvain and published by . This book was released on 1984 with total page 118 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES EFFETS DES SOUS-JOINTS PRESENTS DANS LES CELLULES SOLAIRES A SILICIUM POLYCRISTALLIN PAR ETUDE DES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DE MINI-CELLULES CONTENANT CE TYPE DE DEFAUTS ET PAR UNE ETUDE PAR MET ET EBIC POUR CORRELER L'ACTIVITE ELECTRIQUE ET CRISTALLOGRAPHIE DES SOUS -JOINTS

Download or read book Structure atomique et activit lectrique des d fauts natifs et induits par irradiation dans le carbure de silicium 6H SiC d termin es par annihilation de positions written by Laurent Henry and published by . This book was released on 2001 with total page 243 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le matériau SiC, semiconducteur à large bande interdite, pourrait remplacer le silicium dans le domaine de l'électronique de puissance. Cependant de nombreux défauts sont générés pendant la croissance. De plus, l'implantation ionique constitue le procédé principal de dopage. Les défauts natifs ou induits peuvent jouer un rôle important dans la compensation électrique de ce matériau. Nous avons utilisé l'annihilation de positions pour déterminer la nature des défauts natifs et induits par irradiation avec des protons dans un des polytypes de SiC, le 6H-SiC. Nous avons mesuré le temps de vie du positon et la distribution des quantités de mouvement des paires électron-position (élargissement Doppler de la raie à 511 keV). Ces différentes grandeurs changent avec l'état d'annihilation du positon et sont caractéristiques de la nature des défauts présents (lacunes ou ions). Nous nous sommes intéressés aux défauts de croissance dans des cristaux massifs et des couches épitaxiées 6H-SiC (type n) et aux défauts générés par les irradiations de protons à différentes énergies.

Download or read book Influence et passivation par l hydrog ne de d fauts recombinants dans du silicium polycristallin de type P written by Larbi Ammor and published by . This book was released on 1987 with total page 208 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DETERMINATION DE L'INFLUENCE DES DISLOCATIONS SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DU SILICIUM. MISE EN EVIDENCE D'UNE CORRELATION ENTRE LA PRESENCE DE DENSITES ELEVEES DE DISLOCATIONS, LA DECROISSANCE DES LONGUEURS DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES, LA PRESENCE DE PRECIPITES ET LES CONCENTRATIONS DE CARBONE DEPASSANT LA LIMITE DE SOLUBILITE. EFFET D'UN RECUIT PROLONGE SOUS FLUX D'HYDROGENE MOLECULAIRE OU PAR IMPLANTATION D'IONS H**(+) PENDANT QUELQUES MINUTES. L'IMPORTANCE DU PHENOMEME DE PASSIVATION PAR RAPPORT A LA PRESENCE DE DISLOCATIONS EST SOULIGNEE

Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.