Download or read book INFLUENCE DES DEFAUTS JOINTS DE GRAINS DISLOCATIONS IMPURETES SUR LES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET PHOTOVOLTAIQUES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DE TYPE P written by Mohammed Zehaf and published by . This book was released on 1982 with total page 101 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE D'UN MATERIAU ELABORE POUR LA REALISATION DE PHOTOPILES. ETUDE DE L'INFLUENCE RESPECTIVE DES DIVERS DEFAUTS (JOINTS DE GRAINS, DISLOCATIONS, IMPURETES) SUR LA LONGUEUR DE DIFFUSION, LA DUREE DE VIE, LA MOBILITE DES PORTEURS DE CHARGE AINSI QUE SUR LE COURANT DE COURT-CIRCUIT ET LA TENSION EN CIRCUIT OUVERT. LA SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAU PROFOND SUR LES DIODES MESA N'A DONNE AUCUN RESULTAT CONTRAIREMENT AUX DIODES SCHOTTKY REALISEES SUR SILICIUM WACKER TYPE P

Download or read book Mod lisation de l influence des joints de grains sur les propri t s lectroniques du silicium polycristallin written by Jacques Dugas and published by . This book was released on 1985 with total page 227 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EFFET SUR LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES EN EXCES ET SUR LES PROPRIETES PHOTOVOLTAIQUES DE L'ACTIVITE ELECTRONIQUE DES JOINTS DE GRAINS ET DES PROPRIETES VOLUMIQUES DES GRAINS. PROPOSITION D'UN MODELE POUR LA LONGUEUR DE DIFFUSION

Download or read book INFLUENCE DES JOINTS DE GRAINS SUR LES PHENOMENES DE RECOMBINAISON ET SUR LES CARACTERISTIQUES DES JONCTIONS written by Hassan Amzil and published by . This book was released on 1981 with total page 206 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EFFET DES JOINTS DE GRAINS SUR LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES SEMICONDUCTEURS POLYCRISTALLINS ET SUR LES BARRIERES SCHOTTKY. RESULTATS SUR SI POLYCRISTALLIN WACKER DE TYPE N

Download or read book Influence et passivation par l hydrog ne de d fauts recombinants dans du silicium polycristallin de type P written by Larbi Ammor and published by . This book was released on 1987 with total page 208 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DETERMINATION DE L'INFLUENCE DES DISLOCATIONS SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DU SILICIUM. MISE EN EVIDENCE D'UNE CORRELATION ENTRE LA PRESENCE DE DENSITES ELEVEES DE DISLOCATIONS, LA DECROISSANCE DES LONGUEURS DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES, LA PRESENCE DE PRECIPITES ET LES CONCENTRATIONS DE CARBONE DEPASSANT LA LIMITE DE SOLUBILITE. EFFET D'UN RECUIT PROLONGE SOUS FLUX D'HYDROGENE MOLECULAIRE OU PAR IMPLANTATION D'IONS H**(+) PENDANT QUELQUES MINUTES. L'IMPORTANCE DU PHENOMEME DE PASSIVATION PAR RAPPORT A LA PRESENCE DE DISLOCATIONS EST SOULIGNEE

Download or read book GRAIN BOUNDARY STRUDIES IN SILICON written by JEAN-LUC.. MAURICE and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES JOINTS DE GRAINS, DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN, SONT TRES SENSIBLES A LA NATURE DES MICROPRECIPITES D'IMPURETES QU'ILS CONTIENNENT. CES PRECIPITES FORMENT DEUX CLASSES BIEN DISTINCTES: I) LES PRECIPITES METALLIQUES, FORMES DE SILICIURES DE METAUX DE TRANSITION (FE, NI, CU), QUI ONT UNE INFLUENCE DETERMINANTE SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DE JOINTS, ET II) LES PRECIPITES ISOLANTS, A BASE D'OXYDE OU D'OXYNITRURE DE SILICIUM, QUI ONT UNE INFLUENCE BEAUCOUP PLUS FAIBLE

Download or read book ETUDE LOCALE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DU SILICIUM POLYCRISTALLIN AU VOISINAGE DES JOINTS DE GRAINS written by Jean-Pierre Crest and published by . This book was released on 1982 with total page 109 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE AU POINT D'UN DISPOSITIF PERMETTANT DE LOCALISER LES DEFAUTS, DE MESURER LA LONGUEUR DE DIFFUSION ET LA VITESSE DE RECOMBINAISON A L'INTERFACE. CALCUL DE LA HAUTEUR DE BARRIERE POUR DEUX DISTRIBUTIONS D'ETATS D'INTERFACE LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE DUS AUX JOINTS DE GRAIN: DANS LE CAS MONOENERGETIQUE ET DANS LE CAS UNIFORME. L'INFLUENCE DU NIVEAU D'ECLAIREMENT SUR LA HAUTEUR DE BARRIERE ET LA VITESSE DE RECOMBINAISON A L'INTERFACE A ETE ETUDIEE

Download or read book Influence des interactions impuret d faut et impuret impuret sur le rendement de conversion des cellules photovolta ques au silicium cristallin written by Sébastien Dubois and published by . This book was released on 2007 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail a pour but de comprendre comment les interactions entre les impuretés et les défauts influencent le rendement des cellules solaires au silicium. Après avoir analysé comment une impureté dissoute impacte les propriétés des cellules, nous avons combiné des simulations et des résultats expérimentaux afin d’étudier l’influence des impuretés métalliques sur les cellules au silicium monocristallin. Nous avons obtenu des informations sur l’or, le chrome, et établi l’évolution du rendement des cellules avec les concentrations en fer et or. Le fer est bien toléré, grâce aux effets getter. Ce n’est pas le cas de l’or, diffusant trop lentement. L’hydrogénation est limitée. L’étude a été transposée au multicristal. Le fer semble bien toléré, grâce aux effets getter et à l’hydrogénation, alors efficace. En présence de diffuseurs lents, ce matériau se dégrade thermiquement. Le silicium de type n pourrait résoudre ce problème puisqu’il est peu sensible aux impuretés métalliques.

Download or read book Influence de recuit 425o C sur des propri t s lectriques du silicium polycristallin written by Claude Zurletto and published by . This book was released on 1988 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ANALYSE DES LONGUEURS DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES DANS SI. DES RECUITS A 425#OC PENDANT QUELQUES HEURES AUGMENTENT LA LONGUEUR DE DIFFUSION DE 20 A 30 M TANT QUE LES VALEURS INITIALES SONT INFERIEURES A 60 M. LES EFFETS SONT PLUS MARQUES LORSQU'UNE COUCHE D'ALUMINIUM EST PREALABLEMENT DEPOSEE SUR LA FACE ARRIERE DES ECHANTILLONS OU LORSQUE LES ECHANTILLONS SONT SOUMIS A UNE DIFFUSION SUPERFICIELLE DE PHOSPHORE. EXPLICATION DES RESULTATS PAR L'INTERACTION ENTRE ATOMES D'OXYGENE DISSOUS, IMPURETES METALLIQUES, INTERSTITIELS DE SI ET DEFAUTS (DISLOCATIONS)

Download or read book CARACTERISATION STRUCTURALE ET ELECTRIQUE DES JOINTS DE GRAINS DANS LES CELLULES SOLAIRES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN written by Abdouraman Bary and published by . This book was released on 1984 with total page 172 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CARACTERISATION, PAR MICROSCOPE ELECTRONIQUE A BALAYAGE ET PAR LA TECHNIQUE DU COURANT INDUIT PAR FAISCEAU ET ELECTRON, DE L'ACTIVITE ELECTRIQUE DES JOINTS DE GRAINS. ETUDE PAR MICROSCOPE ELECTRONIQUE DE TRANSMISSION, DE LEUR STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE. MISE EN EVIDENCE D'UNE CORRELATION ETROITE ENTRE L'ACTIVITE ELECTRONIQUE DES JOINTS DE GRAINS ET LEUR STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE ET LA SEGREGATION D'IMPURETES

Download or read book R le des fluctuations de potentiel sur les propri t s lectriques du silicium polycristallin written by Mohammed Ada-Hanifi and published by . This book was released on 1985 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La différence, observée à haute température, entre les énergies d’activation de la conductivité et de la mobilité du silicium polycristallin, n’était pas expliqué jusqu’à présent par les modèles existants. Pour cela, nous avons proposé un nouveau modèle de conduction prenant en compte l’existence du désordre dans ce matériau. Par ailleurs les mesures faites à basse température et celles réalisées sous forts champs électriques corroborent cette interprétation. Enfin, certains résultats à basse température montrent l’existence de joints de grains électriquement inactifs (type P) et la présence d’une couche privilégiée pour la conduction, à l’interface (type N)

Download or read book Mod lisation de la microstructure des grains dans le silicium multicristallin pour le photovolta que written by Amal Nadri and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail est d'approfondir et de mieux comprendre les mécanismes responsables de la formation et de la croissance de la structure des grains dans le silicium multicristallin pour des applications photovoltaïques. Lors de la solidification du silicium multicristallin, la sélection des grains, le contrôle de la distribution de leur taille et leur direction de croissance sont des paramètres importants pour obtenir un matériau de bonne qualité et homogène. Ces paramètres influencent directement le rendement de conversion des cellules photovoltaïques, au travers de la capture et de la recombinaison des porteurs de charges et des interactions avec les impuretés. La structure de grains dans le silicium photovoltaïque évolue au cours de la solidification : des grains vont disparaître, d'autres vont apparaître, d'autres vont grossir pour donner au final une structure composée de gros grains, de petits grains dénommés 'grits', de joints de grains, et de macles. Il est donc important de comprendre les relations entre les différents paramètres du procédé industriel et leur influence sur les phénomènes physico-chimiques qui se produisent lors de la croissance afin de pouvoir influer sur la structure de grains dans le silicium, et de prévoir ses propriétés. Dans une première étape, nous avons établi un modèle de développement des grains basé sur le type de croissance (facettée, rugueuse ou mixte), la cinétique de ces divers types de croissances, le phénomène de maclage et la sélection des grains, dont nous montrons qu'ils sont, avec la germination initiale, à l'origine de la taille et de la structure des grains. Ensuite, nous proposons une approche de modélisation numérique de l'évolution de la structure des grains au cours de la solidification. Cette méthode se base sur l'analyse dynamique bidimensionnelle du joint de grains au niveau de la ligne triple grain-grain-liquide (rugueuse, facettée) tout en prenant en compte les phénomènes produits à l'échelle macroscopique (le champ de température local) et microscopique (la cinétique des grains). Le modèle résulte du couplage thermique et des mécanismes cinétiques de croissance. Nous avons donc développé un modèle numérique de croissance des grains en 2 dimensions et nous l'avons introduit dans le code 2D-MiMSiS qui se déroule en 2 étapes : Premièrement, le calcul en régime transitoire de la solidification macroscopique d'un lingot de silicium nous permet d'obtenir le champ thermique dans le lingot et la position précise de l'interface solide-liquide à différents instants ainsi que sa vitesse, son orientation (sa forme) et les gradients de température dans le liquide et le solide. Deuxièmement, la modélisation de la croissance est basée sur la description géométrique des joints de grains qui dépend de la cinétique des grains qui les bordent. Elle suit des critères dépendants de la morphologie (rugueuse ou facettée) de l'interface. Elle s'appuie sur le réseau d'isothermes du calcul thermique sans l'influencer dans un premier temps. Un des objectifs de ce modèle est de faire varier différents paramètres du procédé et d'en mesurer l'impact sur la structure cristalline finale. Des résultats de calculs 2D sont présentés et discutés par rapport à l'expérience.

Download or read book Influence de la chimie des joints de grains sur les propri t s des cellules photovolta ques Cu In Ga Se2 written by Mohit Raghuwanshi and published by . This book was released on 2015 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Avec une efficacité de plus de 21%, le matériau polycristallin semiconducteur Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) présente le maximum d'efficacité pour les cellules solaires dites à couches minces. Les cellules CIGSe les plus efficaces produites jusqu'à ce jour sont des cellules pauvres en Ga (≈7.5% Ga) et ayant une largeur de bande interdite (Eg) de 1,2 eV. Cependant, les cellules avec une largeur de bande optimale d' 1,4 eV (≈18% Ga) présentent une efficacité beaucoup plus faible. Cette dégradation des performances des cellules à large bande interdite CIGSe conduit à des débats scientifiques depuis de nombreuses années ayant mené à diverses théories pour expliquer le déclin des performances de ces cellules avec l'augmentation de Ga. Les propriétés bénéfiques des joints de grains (GB) sont l'une des principales raisons de rendement élevé du CIGSe et les modifications de la chimie des GB pourraient être la raison de la performance limitée des cellules riches en Ga. Afin de détecter des changements dans la chimie des GB, une technique capable d'imager des matériaux à l'échelle atomique est employée dans ce travail : la sonde atomique tomographique (APT). L'exploration de la chimie des GB nous a permis de constater que les cellules pauvres en Ga présentent toujours une déplétion en Cu. Cette chimie semble bénéfique pour les cellules en raison de leurs car les GB agissent alors comme barrière pour trous, évitant ainsi les recombinaisons aux joints de grain. Cependant pour des concentrations de Ga supérieures à 7,5%, un enrichissement en Cu est observé. Cette composition coïncide étonnamment avec la baisse de la performance des cellules CIGSe. Cela suggère que des modifications dans les joints de grains peuvent altérer les performances de l'appareil. Donc, pour améliorer les propriétés des joints de grains, de nouvelles pistes sont envisagées à la fin du document.

Download or read book Contribution l tude des ph nom nes de recombinaison et de la passivation des d fauts par l hydrog ne dans du silicium polycristallin written by Hassan Amzil and published by . This book was released on 1984 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETABLISSEMENT D'UNE CORRELATION ENTRE LES VARIATIONS DES PROPRIETES ELECTRONIQUES GLOBALES, LOCALES, ET LES DENSITES DE DEFAUTS (TAILLE DES GRAINS, LONGUEUR DES JOINTS DE GRAINS, DENSITE DES DISLOCATIONS, CONCENTRATION EN CARBONE, DOPAGES EXCESSIFS...). LES GRANDEURS ELECTRONIQUES MESUREES SONT LES LONGUEURS DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES, LES COURANTS INDUITS PAR FAISCEAU DE LUMIERE IR FOCALISE (LBIC), LES VITESSES DE RECOMBINAISON INTERFACIALE AUX JOINTS DE GRAINS. ETUDE LA PASSIVATION DES DEFAUTS PAR L'HYDROGENE ATOMIQUE ET MOLECULAIRE

Download or read book ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DES JOINTS DE GRAINS DANS LES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENUES PAR LA METHODE RAD written by RAIMOND.. SHARKO and published by . This book was released on 1983 with total page 186 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE S'INSCRIT DANS LE CADRE DE RECHERCHES VISANT A L'AMELIORATION DES PROPRIETES ELECTRIQUES DE PHOTOPILES REALISEES A PARTIR DE MATERIAU POLYCRISTALLIN (RAD) DONT LES JOINTS DE GRAINS CONSTITUENT LES DEFAUTS PROBABLEMENT LES PLUS NEFASTES. LES AUTEURS ONT CONFRONTE L'ASPECT STRUCTURAL DES JOINTS, AINSI QUE LEUR ENVIRONNEMENT AVEC L'ASPECT ELECTRIQUE A L'AIDE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE ET L'ANALYSE EBIC

Download or read book ETUDE DE L INFLUENCE DES IMPURETES METALLIQUES SUR L ACTIVITE ELECTRIQUE D UN BICRISTAL DE SILICIUM PAR DLTS ET EBIC written by PHILIPPE.. DAMECOURT and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES TECHNIQUES DE SPECTROSCOPIE CAPACITIVE (DLTS) ET DE MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE EN MODE DE COURANT INDUIT (SEM-EBIC) ONT ETE MISES EN UVRE AFIN D'ETUDIER LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES JOINTS DE GRAINS DE BICRISTAUX DE SILICIUM =25 DE TYPE N. CES ETATS D'INTERFACE SE COMPORTENT COMME DES PIEGES POUR LES PORTEURS MAJORITAIRES (ELECTRONS) ET COMME DES CENTRES DE RECOMBINAISON POUR LES PORTEURS MINORITAIRES (TROUS). IL RESSORT DE CES MESURES ELECTRIQUES QUE L'ACTIVATION DU JOINT DE GRAINS EST ATTRIBUEE AUX COLONIES DE PRECIPITES (CU, CO) LE LONG DU PLAN DU JOINT, NOTONS QUE LA NATURE DE L'IMPURETE METALLIQUE (CU OU CO) N'INFLUENCE PAS NOTABLEMENT CETTE RECOMBINAISON. LE TRAITEMENT THERMIQUE JOUE UN ROLE PREDOMINANT SUR L'ACTIVITE ELECTRIQUE OBSERVEE (C#M#A#X50% POUR LES BICRISTAUX TREMPES A 950#OC ET C#M#A#X

Download or read book CONDUCTANCE ET PHOTOCONDUCTANCE DES JOINTS DE GRAINS DANS LE SILICIUM written by Gilles Poullain and published by . This book was released on 1985 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EFFET DES TRAITEMENTS DE RECUIT ET DE DIFFUSION D'IMPURETES, INTERPRETATION DES RESULTATS. L'HYPOTHESE D'UNE COMPENSATION DU DOPANT AU VOISINAGE DU JOINT PERMET L'ACCORD THEORIE-EXPERIENCE DANS LE CAS D'UNE CONDUCTANCE DECRITE PAR PROCESSUS DE DIFFUSION

Download or read book DEFAUTS DE VOLUME ET DE SURFACE DANS LE SILICIUM POUR APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES written by ISABELLE.. DELIDAIS and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR LES COMPORTEMENTS PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DE L'OXYGENE, DE L'HYDROGENE ET DES IMPURETES METALLIQUES, DANS DU SILICIUM DE TYPE P POUR APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES. LA PREMIERE PARTIE CONCERNE LE TRAVAIL THEORIQUE EFFECTUE SUR LA MODELISATION DE L'EFFICACITE DE COLLECTE MESUREE PAR EBIC. DANS UNE SECONDE PARTIE, LES ANALYSES SIMS ET L'UTILISATION D'UN TRACEUR (#1#8O) NOUS ONT PERMIS D'ACCEDER AUX COEFFICIENTS DE DIFFUSION DE L'OXYGENE, A 1000 ET 800C, DANS DU SILICIUM FZ, CZ ET POLYX ET DE METTRE EN EVIDENCE LA PRESENCE D'OXYGENE LARGEMENT AU-DELA DE SA LIMITE DE SOLUBILITE A 1000C. CETTE SURSATURATION EST DUE EN PARTIE A DES PRECIPITES RICHES EN OXYGENE, DECORES DE DEUTERIUM APRES TRAITEMENT PAR PLASMA RADIOFREQUENCE. LA PRESENCE DE CES PRECIPITES D'OXYGENE EXPLIQUE LA FAIBLE EFFICACITE DE COLLECTE DE CES ECHANTILLONS. POUR LE POLYX, PLUS LES RECUITS (SOUS VIDE OU SOUS OXYGENE) SONT REALISES A TEMPERATURES ELEVEES, PLUS LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES EST FAIBLE. LES ANALYSES SIMS ET XPS INDIQUENT QUE LE CUIVRE VIENT SE PIEGER SUR LES PRECIPITES D'OXYGENE. CET EFFET GETTERING EST PLUS EFFICACE PENDANT L'OXYDATION. PAR AILLEURS, LA COUCHE D'OXYDE CONSTITUE UNE BARRIERE POUR LA DIFFUSION DU DEUTERIUM. L'ANALYSE DES RESULTATS C(V) INDIQUE QUE L'HYDROGENE INTERAGIT AVEC LE DOPANT ET LE PASSIVE. DANS CE CAS, IL N'EST PAS POSSIBLE D'UTILISER NOTRE MODELE EBIC. NOUS AVONS PU EGALEMENT OBSERVER QUE LE PLASMA D'HYDROGENE DEGRADE LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE LA SURFACE ALORS QU'IL PASSIVE LES DEFAUTS DE VOLUME ELECTRIQUEMENT ACTIFS POUR LE POLYX