Download or read book Influence de recuits sous hydrog ne atomique ou mol culaire sur les propri t s lectroniques du silicium polycristallin moul written by Moulay abdelmjid Sebbar and published by . This book was released on 1985 with total page 130 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse décrit l'influence de l'hydrogène sur les propriétés électroniques du silicium polycristallin moulé. Les hydrogénations ont été faites à des températures modérées (≤300ʻC) en utilisant l'implantation d'ions à faible énergie (≤ 1,4 keV) ou l'adsorption de gaz, pour passiver les défauts cristallographiques. Les effets sont évaluées par des mesures de longueur de diffusion, des analyses LBIC et EBIC, faites avant et après traitement aux mêmes endroits. Les deux techniques d'hydrogénation améliorent le matériau.Si les meilleurs résultats sont obtenus par implantation, les effets de l'hydrogène moléculaire sont directement liés aux densités de défauts (dislocations, joints de grains). A 300ʻC, l'implantation d'ions compense le matériau au voisinage de la surface et fait apparaître une structure photovoltaîque.

Download or read book Influence et passivation par l hydrog ne de d fauts recombinants dans du silicium polycristallin de type P written by Larbi Ammor and published by . This book was released on 1987 with total page 208 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DETERMINATION DE L'INFLUENCE DES DISLOCATIONS SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DU SILICIUM. MISE EN EVIDENCE D'UNE CORRELATION ENTRE LA PRESENCE DE DENSITES ELEVEES DE DISLOCATIONS, LA DECROISSANCE DES LONGUEURS DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES, LA PRESENCE DE PRECIPITES ET LES CONCENTRATIONS DE CARBONE DEPASSANT LA LIMITE DE SOLUBILITE. EFFET D'UN RECUIT PROLONGE SOUS FLUX D'HYDROGENE MOLECULAIRE OU PAR IMPLANTATION D'IONS H**(+) PENDANT QUELQUES MINUTES. L'IMPORTANCE DU PHENOMEME DE PASSIVATION PAR RAPPORT A LA PRESENCE DE DISLOCATIONS EST SOULIGNEE