Download or read book Implantation ionique d oxyg ne haute nergie dans le silicium written by Kamel Touhouche and published by . This book was released on 1992 with total page 376 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE DE L IMPLANTATION IONIQUE A HAUTE ENERGIE DE BORE ET D OXYGENE DANS LE SILICIUM written by Philippe Thevenin and published by . This book was released on 1991 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE AVEC DES FAISCEAUX DE HAUTE ENERGIE, DANS LA GAMME DU MEV. TROIS ASPECTS PRINCIPAUX Y SONT ABORDES QUE SONT LA CARACTERISTION DE PROFILS IMPLANTES. L'ETUDE DE LA CREATION DE DEFAUTS ET LA SYNTHESE D'UNE COUCHE D'OXYDE ENTERREE. L'ETUDE DES PROFILS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DU BORE ET DE L'OXYGENE, RESPECTIVEMENT ENTRE 0,5 ET 3 MEV, ET ENTRE 0,6 ET 2 MEV. LEUR CARACTERISATION EST OBTENUE PAR LA DETERMINATION DES QUATRE PREMIERS MOMENTS LONGITUDINAUX ET DE L'ECART TYPE TRANSVERSAL DE LA DISTRIBUTION VOLUMIQUE DES IONS IMPLANTES. L'ETUDE DE LEUR EVOLUTION AVEC L'ENERGIE A NOTAMMENT PERMIS DE CONSTATER LE ROLE PREPONDERANT QUE JOUENT LES INTERACTIONS ELECTRONIQUES A HAUTE ENERGIE. L'ANALYSE DE LA CREATION DE DEFAUTS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DE L'OXYGENE DE 1 MEV ET SUIVIE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE LA CIBLE SOUS FAISCEAU ET DE LA DOSE IMPLANTEE. L'ENDOMMAGEMENT EST AINSI APPARU EVOLUER DEPUIS UNE SIMPLE ACCUMULATION DE DEFAUTS PONCTUELS, PREDOMINANTS JUSQU'AUX ENVIRONS DE 180C, POUR DONNER NAISSANCE A DES DISLOCATIONS IMPARFAITES A PLUS HAUTE TEMPERATURE, APPARITION EGALEMENT LIEE A UN SEUIL EN DOSE. PAR IMPLANTATION D'OXYGENE A TRES FORTE DOSE ET A 2 MEV, IL A ETE POSSIBLE DE SYNTHETISER UNE COUCHE D'OXYDE PROFONDEMENT ENTERREE ET BIEN DEFINIE, APRES UN TRAITEMENT THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE ET DE LONGUE DUREE

Download or read book Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium trait EGEM written by Baudrant and published by Lavoisier. This book was released on with total page 371 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE DES DEFAUTS APRES IMPLANTATION IONIQUE DE L OXYGENE DANS LE SILICIUM written by DANIEL.. BERTRAND and published by . This book was released on 1981 with total page 86 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU COMPORTEMENT DE L'OXYGENE IMPLANTE DIRECTEMENT DANS LE SILICIUM PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. SUIVI DE LA CONCENTRATION D'OXYGENE DANS LE SILICIUM IMPLANTE A DE FORTES DOSES PAR SONDE IONIQUE. IMPLANTATIONS D'ARSENIC SEUL OU A TRAVERS SIO::(2) AFIN DE DEGAGER LA SIMILITUDE QUI EXISTE ENTRE LES IMPLANTATIONS DIRECTES EN OXYGENE ET LE RECUL DE L'OXYGENE

Download or read book Government Reports Annual Index written by and published by . This book was released on 1993 with total page 1836 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Implantation ionique haute nergie du silicium dans l ars niure de gallium microforme written by Abdellah Azelmad and published by Bibliothèque nationale du Canada. This book was released on 1988 with total page 248 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Government Reports Announcements Index written by and published by . This book was released on 1993 with total page 686 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Simulation bidimensionnelle des processus technologiques dans le cas des structures silicium sur isolant obtenues par implantation d Oxyg ne written by Issam Sweid and published by . This book was released on 1990 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UN PROGRAMME DE SIMULATION BIDIMENSIONNELLE DES PROCESSUS TECHNOLOGIQUES DANS LE CAS DE STRUCTURES SILICIUM-SUR-ISOLANT OBTENUES PAR IMPLANTATION D'OXYGENE. OSIRIS II A ETE DEVELOPPE. IL PERMET DE SIMULER LES PRINCIPALES ETAPES DE FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES SUR SIMOX. LES MODELES PHYSIQUES UTILISES POUR L'OXYDATION, L'IMPLANTATION IONIQUE ET LA DIFFUSION DES DOPANTS SONT EXPOSES. PAR AILLEURS, UNE SOLUTION ANALYTIQUE-NUMERIQUE DE L'EQUATION DE DIFFUSION DANS LE CAS DES STRUCTURES SIMOX A ETE PROPOSEE. LE COUPLAGE DU PROGRAMME OSIRIS II AVEC ISIS II DE SIMULATION DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DES T-MOS SUR SILICIUM-SUR-ISOLANT A ETE PRESENTE. ENFIN, LES POSSIBILITES DU PROGRAMME SONT ILLUSTREES PAR DES EXEMPLES DE SIMULATION D'UN TRANSISTOR MOS SUR SIMOX

Download or read book Implantation ionique d hydrog ne et d h lium basse nergie dans le silicium monocristallin written by Nabil Daghbouj and published by . This book was released on 2016 with total page 145 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'implantation d'hydrogène à forte dose est utilisée dans le procédé Smart Cut(tm) afin de transférer des couches de silicium assez épaisses (>200 nm) sur un autre substrat. En utilisant l'implantation à très basse énergie, la co-implantation d'H et d'He pour des doses totales bien plus faibles que celles requises lorsque l'hydrogène est implanté seul ouvre la voie à un transfert de couches beaucoup plus minces (

Download or read book American Doctoral Dissertations written by and published by . This book was released on 1992 with total page 796 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE THEORIQUE DE LA LACUNE D OXYGENE DANS LA SILICE written by NATHALIE.. CAPRON and published by . This book was released on 1998 with total page 151 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE LES RESULTATS D'ETUDES FONDAMENTALES EFFECTUEES SUR LES SYSTEMES SILICIUM ET SILICE, AVEC ET SANS DEFAUT. NOUS AVONS UTILISE LE PROGRAMME VASP (VIENNA AB INITIO SIMULATION PACKAGE), REPOSANT SUR LA THEORIE DE LA FONCTIONNELLE DE LA DENSITE. LES EQUATIONS DE KOHN-SHAM Y SONT RESOLUES A L'AIDE DE PSEUDOPOTENTIELS ULTRAMOUS, SUR UNE BASE DE CONDITIONS PERIODIQUES, AVEC OU SANS CORRECTIONS DE GRADIENT. EN PREMIER LIEU, NOUS AVONS CALCULE, POUR LE SILICIUM ET LA SILICE SANS DEFAUT, LES DONNEES STRUCTURALES (PARAMETRE DE MAILLE, VOLUME D'EQUILIBRE), LES ENERGIES DE COHESION, LES ENERGIES RELATIVES DE DIFFERENTES STRUCTURES - REELLES ET HYPOTHETIQUES - AINSI QUE LES COURBES DE DENSITES D'ETATS. ENSUITE, NOUS AVONS APPLIQUE CE PROGRAMME A L'ETUDE DES SYSTEMES CONTENANT DES DEFAUTS. NOUS AVONS ETUDIE LA FORMATION DE LA LACUNE D'OXYGENE DANS LES PHASES DE SILICE LES PLUS IMPORTANTES POUR L'INTERFACE SI(100)/SIO#2 (QUARTZ, TRIDYMITE, CRISTOBALITE ET STISHOVITE). LE COMPORTEMENT EST TRES DIFFERENT SUIVANT LES STRUCTURES CRISTALLINES, MEME SI LA VALEUR DE L'ENERGIE DE FORMATION NE DIFFERE QUE, D'AU PLUS, 1,5 EV. LA FORMATION D'UNE LIAISON SI-SI EST NETTE DANS LE CAS DU QUARTZ, MOINS MARQUEE DANS LE CAS DES AUTRES STRUCTURES. LES ETATS LOCALISES QUI APPARAISSENT DANS LA BANDE INTERDITE RENDENT COMPTE DU CARACTERE PLUS OU MOINS FORT DE CETTE LIAISON SUIVANT LA STRUCTURE ENVISAGEE. NOUS AVONS ETABLI UNE CORRELATION ENTRE CARACTERE IONIQUE ET VOLUME MOLAIRE PARTIEL.

Download or read book PIEGEAGE D IMPURETES METALLIQUES DANS LE SILICIUM PAR IMPLANTATION IONIQUE HAUTE ENERGIE written by PIERRE.. ROHR and published by . This book was released on 1995 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CETTE THESE EST D'ETUDIER LES MECANISMES DU PIEGEAGE D'IMPURETES DANS LE SILICIUM PAR IMPLANTATION IONIQUE HAUTE ENERGIE. CETTE PROCEDURE A POUR BUT D'OPTIMISER LE FONCTIONNEMENT DES DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS, EN DEBARRASSANT LA ZONE ACTIVE DES IMPURETES INDESIRABLES. CES IMPURETES SONT ALORS REGROUPEES DANS UNE COUCHE ENTERREE ENDOMMAGEE ET STABLE SITUEE SOUS UNE COUCHE SUPERIEURE D'EXCELLENTE QUALITE CRISTALLINE. L'IMPLANTATION IONIQUE HAUTE ENERGIE EST ADAPTEE A CE GENRE D'APPLICATION, PUISQUE QUE LA PLUPART DES DOMMAGES CRISTALLOGRAPHIQUES RESIDUELS SONT LOCALISES EN PROFONDEUR. DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS ETUDIE LE PIEGEAGE PAR IMPLANTATION D'ARGON OU DE CARBONE DANS DES SUBSTRATS DE SILICIUM INTENTIONNELLEMENT CONTAMINES A L'OR OU AU PLATINE. LA NATURE ET LA STABILITE DES DEFAUTS CREES ONT ETE DETERMINEES PAR LA CANALISATION DES PARTICULES ET LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE PAR TRANSMISSION. LES CINETIQUES D'ACCUMULATION DE L'OR OU DU PLATINE SUR CES DEFAUTS ONT ETE MESUREES PAR DES ANALYSES PAR RETRODIFFUSION RUTHERFORD EN FONCTION DE DIFFERENTS PARAMETRES. DANS LE CAS D'UN PIEGEAGE PAR IMPLANTATION D'ARGON LES DEFAUTS CREES SONT DES BULLES ET DES DISLOCATIONS, MAIS SEULES CES DERNIERES SONT DES CENTRES DE PIEGEAGE. SI LE PIEGEAGE S'EFFECTUE PAR IMPLANTATION DE CARBONE, LES CENTRES DE PIEGEAGE, TRES STABLES, SONT DES COMPLEXES D'ATOMES DE CARBONE ET DE SILICIUM ET DES BOUCLES EXTRINSEQUES POUR LES FORTES DOSES D'IMPLANTATION. LES RESULTATS ONT ETE INTERPRETES PAR UN MODELE PRENANT EN COMPTE UNE REACTION DE PIEGEAGE-DEPIEGEAGE AINSI QUE LA GUERISON DES CENTRES DE PIEGEAGE AU COURS DES RECUITS. CE TRAVAIL MONTRE QU'UNE IMPLANTATION IONIQUE HAUTE ENERGIE DE CARBONE EST IDEALE POUR CETTE OPERATION DE PIEGEAGE DE PROXIMITE

Download or read book Photosensibilit de la silice dop e au germanium effet de l implantation ionique haute nergie et de l illumination ultraviolette written by and published by . This book was released on 2000 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Dissertation Abstracts International written by and published by . This book was released on 2000 with total page 870 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Annales de chimie science des mat riaux written by and published by . This book was released on 1997 with total page 820 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Current Programs written by and published by . This book was released on 1975 with total page 552 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.