Download or read book Fonctionnement photovolta que de diodes Schottky sur silicium amorphe hydrog n et cristallin written by Régine Basset and published by . This book was released on 1980 with total page 130 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE L'INFLUENCE CINETIQUE DES ETATS A L'INTERFACE SILICIUM-ISOLANT SUR LA REPONSE PHOTOVOLTAIQUE DES DIODES MIS SUR CRISTAL. ETUDE DES DIODES SCHOTTKY SUR ASIH. RAPPEL DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE ASIH, ET ANALYSE THEORIQUE DE LA DIODE SCHOTTKY ASIH. PREPARATION DU MATERIAU ET DES DIODES ET METHODES EXPERIMENTALES UTILISEES. INTERPRETATION DES CARACTERISTIQUES I(V) DES DIODES SOUS LUMIERE. ANALYSE DES RDTS DE COLLECTION DES PORTEURS EN FONCTION DE L'ABSORPTION OPTIQUE

Download or read book Capacitance spectroscopy in hydrogenated amorphous silicon Schottky diodes and high efficiency silicon heterojunction solar cells written by Olga Maslova and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux développés dans cette thèse sont dédiés à l'étude des propriétés électroniques de diodes Schottky de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et d'hétérojonctions entre silicium amorphe hydrogéné et silicium cristallin, a-Si:H/c-Si au moyen de spectroscopies de capacité de jonctions.Lors de la fabrication des cellules solaires à haut rendement plusieurs paramètres d'une hétérojonction a-Si:H/c-Si doivent être considérés. Premièrement, la densité d'états dans le gap du a-Si:H est d'une grande importance car il s'agit de défauts qui favorisent le piégeage et la recombinaison de porteurs. Deuxièmement, la détermination des désaccords des bandes entre la couche amorphe et la couche cristalline est indispensable puisque ceux-ci contrôlent le transport à travers la jonction et déterminent la courbure des bandes dans c-Si, ce qui va notamment influencer la recombinaison des porteurs sous lumière, donc la tension de circuit ouvert des cellules. Cette thèse a pour but d'étudier la spectroscopie de capacité comme technique d'analyse de paramètres clés pour les dispositifs à hétérojonctions de silicium : la densité d'états dans le a-Si:H et les désaccords des bandes entre a-Si:H et c-Si.La première partie est dédiée à l'étude de la capacité de diodes Schottky. Nous nous concentrons sur un traitement simplifié de la capacité en fonction de la température et de la fréquence reposant sur une expression analytique obtenue par une résolution approchée de l'équation de Poisson. Ce traitement permet en principe d'extraire la densité d'états au niveau de Fermi dans le a-Si:H et la fréquence de saut des électrons depuis un état localisé au niveau de Fermi vers la bande de conduction. En appliquant ce traitement simplifié à la capacité calculée sans approximation à l'aide de deux logiciels de simulation numérique, nous montrons que sa fiabilité et sa validité dépendent fortement de la distribution des états localisés dans la bande interdite du a-Si:H et de la position du niveau de Fermi. Puis nous abordons l'étude de la capacité des hétérojonctions entre a-Si:H de type p et c-Si de type n, et nous mettons particulièrement en avant l'existence d'une couche d'inversion forte à l'interface dans le c-Si, formant un gaz bidimensionnel de trous. Dans une première partie, nous présentons une étude par simulation numérique de la dépendance de la capacité en fonction de la température, pour laquelle un ou deux échelons peuvent être mis en évidence à basse température. Leur analyse montre qu'un des ces échelons est attribué à l'activation de la réponse de la charge dans le a-Si:H, alors que l'autre, présentant une énergie d'activation plus grande, est lié à la modulation de la concentration des trous dans la couche d'inversion forte, lorsque celle-ci existe. On présente ensuite une discussion de résultats expérimentaux. Le régime quasi-statique de la capacité fait ainsi l'objet d'une discussion. Nous mettons en relief le fait que l'approximation de la zone de déplétion ne permet pas de reproduire cette augmentation de la capacité en fonction de la température. Du fait de l'existence de la couche d'inversion forte, la chute de potentiel dans la zone de déplétion du c-Si est plus faible que la valeur déterminée par le calcul attribuant toute la chute de potentiel à la zone de déplétion. Par conséquent, cette approximation conduit à sous-estimer la capacité ainsi que son augmentation avec la température. Nous présentons alors un calcul analytique complet qui tient compte à la fois de la distribution particulière du potentiel dans le a-Si:H, et des trous dans le c-Si dont la contribution à la concentration totale de charges n'est pas négligeable dans la couche d'inversion forte. Le calcul analytique complet permet de bien reproduire les résultats expérimentaux de capacité en fonction de la température; ceci confirme la présence de la couche d'inversion forte dans les échantillons étudiés.

Download or read book Diode Schottky sur silicium amorphe hydrog n written by Didier Jousse and published by . This book was released on 1979 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etude de la diode Schottky photovolta que sur silicium amorphe hydrog n written by Simon Deleonibus and published by . This book was released on 1982 with total page 112 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE LA CINETIQUE DES ETATS PROFONDS DANS ASIH ET DU TRANSPORT DANS LA DIODE SCHOTTKY SUR ASIH. DEFINITION D'UN NOUVEAU MOYEN DE CARACTERISATION DU PROFIL DE DENSITES D'ETATS AUTOUR DU NIVEAU DE FERMI ET ETUDE DE LA DIODE EN REGIME DE FORTE INJECTION LIMITEE PAR LA CHARGE D'ESPACE. ETUDE DES PERFORMANCES PHOTOVOLTAIQUES DES DIODES ETUDIEES ET DES EFFETS INDUITS PAR LA LUMIERE DANS ASIH

Download or read book Diode Schottky sur silicium amorphe hydrog n written by Didier Jousse and published by . This book was released on 1979 with total page 109 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: RAPPELS THEORIQUES SUR LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. ETUDE THEORIQUE DE LA DIODE SCHOTTKY SUR SIH. PREPARATION DU MATERIAU ET DES DIODES. CARACTERISATION ELECTRIQUE DES DIODES. PERFORMANCES PHOTOVOLTAIQUES. EFFET D'UN ECLAIREMENT PLUS OU MOINS PROLONGE

Download or read book ETUDE DES CENTRES PROFONDS DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE A SI H PAR DES MESURES D ADMITTANCES DE DIODES SCHOTTKY written by Jean-Paul Kleider and published by . This book was released on 1987 with total page 314 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DETERMINATION DES CARACTERISTIQUES DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE PAR MESURE ET ANALYSE DES ADMITTANCES DE DIODES SCHOTTKY FOURNIES SUR CE MATERIAU: DENSITE D'ETATS EN-DESSOUS ET AU NIVEAU DE FERMI AVEC SECTION DE CAPTURE EFFICACE DES ELECTRONS ET ENERGIE D'ACTIVATION DU MATERIEL

Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

Download or read book Flexoelectricity in Liquid Crystals written by Agnes Buka and published by World Scientific. This book was released on 2013 with total page 299 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The book intends to give a state-of-the-art overview of flexoelectricity, a linear physical coupling between mechanical (orientational) deformations and electric polarization, which is specific to systems with orientational order, such as liquid crystals. Chapters written by experts in the field shed light on theoretical as well as experimental aspects of research carried out since the discovery of flexoelectricity. Besides a common macroscopic (continuum) description the microscopic theory of flexoelectricity is also addressed. Electro-optic effects due to or modified by flexoelectricity as well as various (direct and indirect) measurement methods are discussed. Special emphasis is given to the role of flexoelectricity in pattern-forming instabilities. While the main focus of the book lies in flexoelectricity in nematic liquid crystals, peculiarities of other mesophases (bent-core systems, cholesterics, and smectics) are also reviewed. Flexoelectricity has relevance to biological (living) systems and can also offer possibilities for technical applications. The basics of these two interdisciplinary fields are also summarized.

Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.

Download or read book Nonlinear Optical Materials written by Jerome V. Moloney and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 1998-08-13 with total page 270 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Mathematical methods play a significant role in the rapidly growing field of nonlinear optical materials. This volume discusses a number of successful or promising contributions. The overall theme of this volume is twofold: (1) the challenges faced in computing and optimizing nonlinear optical material properties; and (2) the exploitation of these properties in important areas of application. These include the design of optical amplifiers and lasers, as well as novel optical switches. Research topics in this volume include how to exploit the magnetooptic effect, how to work with the nonlinear optical response of materials, how to predict laser-induced breakdown in efficient optical devices, and how to handle electron cloud distortion in femtosecond processes.

Download or read book Forest Fire Research written by Universidade de Coimbra and published by . This book was released on 2010 with total page 355 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: