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Book ETUDE  PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE ET TRACAGE ISOTOPIQUE DES MOUVEMENTS ATOMIQUES INDUITS DANS LES COUCHES MINCES DE SILICIUM PAR BOMBARDEMENT IONIQUE DE BASSE ET MOYENNE ENERGIE

Download or read book ETUDE PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE ET TRACAGE ISOTOPIQUE DES MOUVEMENTS ATOMIQUES INDUITS DANS LES COUCHES MINCES DE SILICIUM PAR BOMBARDEMENT IONIQUE DE BASSE ET MOYENNE ENERGIE written by Pablo Vilato and published by . This book was released on 1986 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE L'INFLUENCE DE L'IRRADIATION DE CIBLES SI PAR DES IONS OXYGENE SUR LA PULVERISATION, L'OXYDATION ET LE DESORDRE DANS LE CRISTAL ET L'ETUDE DU BOMBARDEMENT DE SI PAR SI (AUTOPULVERISATION, RECUITS APRES IMPLANTATION)

Book Etude par microanalyse nucl  aire des m  canismes de formation des couches minces di  lectriques sur le silicium et sur des substrats    plusieurs constituants

Download or read book Etude par microanalyse nucl aire des m canismes de formation des couches minces di lectriques sur le silicium et sur des substrats plusieurs constituants written by Serge Rigo and published by . This book was released on 1977 with total page 242 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book ETUDE PAR TRACAGE ISOTOPIQUE A L OXYGENE 18 DES MECANISMES DE TRANSPORT ATOMIQUE DANS LES COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM ET D OXYDE DE TANTALE SUR SILICIUM

Download or read book ETUDE PAR TRACAGE ISOTOPIQUE A L OXYGENE 18 DES MECANISMES DE TRANSPORT ATOMIQUE DANS LES COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM ET D OXYDE DE TANTALE SUR SILICIUM written by FRANCOIS.. ROCHET and published by . This book was released on 1981 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book APPLICATION DU TRACAGE ISOTOPIQUE A L OXYGENE 18 A L ETUDE DES MECANISMES DE TRANSPORT ATOMIQUE IMPLIQUES DANS L OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM SOUS OXYGENE SEC

Download or read book APPLICATION DU TRACAGE ISOTOPIQUE A L OXYGENE 18 A L ETUDE DES MECANISMES DE TRANSPORT ATOMIQUE IMPLIQUES DANS L OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM SOUS OXYGENE SEC written by ISABELLE.. TRIMAILLE and published by . This book was released on 1994 with total page 115 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CETTE THESE EST D'AMELIORER NOTRE CONNAISSANCE DE L'OXYDATION DU SILICIUM SOUS OXYGENE SEC. POUR CELA NOUS AVONS UTILISE LE TRACAGE ISOTOPIQUE A L'OXYGENE 18 ET LA MICROANALYSE NUCLEAIRE. IL AVAIT ETE PRECEDEMMENT ETABLI QU'APRES DES OXYDATIONS D'ABORD EN OXYGENE NATUREL, PUIS EN OXYGENE FORTEMENT ENRICHI EN OXYGENE 18, ON TROUVE DANS LA COUCHE D'OXYDE FORMEE, L'OXYGENE LOURD AUX DEUX INTERFACES: PRINCIPALEMENT A L'INTERFACE AVEC LE SILICIUM MAIS AUSSI A LA SURFACE EXTERNE DE L'OXYDE. LA FIXATION A LA SURFACE RESULTE D'UN PHENOMENE DE TRANSPORT DES ATOMES D'OXYGENE DU RESEAU, INDUIT PAR LA PRESENCE DE DEFAUTS. GRACE A LA RESONANCE A 151 KEV DE LA REACTION NUCLEAIRE #1#8O(P,)#1#5N, NOUS AVONS PU MONTER QUE LE PROFIL D'OXYGENE LOURD PRES DE LA SURFACE EST TRES PROCHE D'UNE FONCTION ERREUR COMPLEMENTAIRE. LA QUANTITE DE L'ISOTOPE LOURD FIXE EN SURFACE AUGMENTE LORSQUE L'EPAISSEUR DU FILM DIMINUE. PLUS LES FILMS SONT MINCES, PLUS GRANDE EST LA VITESSE D'OXYDATION INTERFACIALE. PAR IMPLANTATION D'AZOTE, NOUS AVONS INHIBE L'OXYDATION INTERFACIALE. L'ANALYSE NUCLEAIRE NOUS A PERMIS DE MONTER QUE LA FIXATION D'OXYGENE EN SURFACE NE DEPENDAIT PAS DE LA VITESSE D'OXYDATION. GRACE A UNE ETUDE EN FONCTION DE LA PRESSION D'OXYDATION, NOUS AVONS PU PROPOSER COMME DEFAUT RESPONSABLE DU MOUVEMENT DES ATOMES D'OXYGENE, LE PONT PEROXYL (LIAISON O-O). NOUS AVONS EVALUE LA PROPORTION DE CROISSANCE DU A CE MECANISME. NOUS AVONS ETUDIE L'OXYDATION THERMIQUE RAPIDE DU SILICIUM POUR DEUX NETTOYAGES CHIMIQUES DU SILICIUM. LE NETTOYAGE ACIDE FLUORHYDRIQUE SUIVI D'UN RINCAGE A L'ETHANOL CONDUIT A UNE PLUS GRANDE QUANTITE D'ATOMES DE SILICIUM SOUS FORME DE FRAGMENTS DANS L'OXYDE QUE LE NETTOYAGE ACIDE FLUORHYDRIQUE/ETHANOL. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A L'OXYDATION D'ALLIAGES SILICIUM-GERMANIUM: UNE COUCHE PURE SE SILICE SE FORME PAR DES MECANISMES IDENTIQUES A CEUX DE L'OXYDATION DU SILICIUM

Book Etude de couches minces de carbure de silicium d  pos  es par CVD assist  e plasma basse fr  quence

Download or read book Etude de couches minces de carbure de silicium d pos es par CVD assist e plasma basse fr quence written by Eric Gat and published by . This book was released on 1992 with total page 146 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES DE CARBURE DE SILICIUM AMORPHE ET HYDROGENE A-SI#XC#1##X:H SONT ELABOREES A BASSE TEMPERATURE (INFERIEURE A 150#C) PAR LA TECHNIQUE CVD ASSISTEE D'UN PLASMA REACTIF BASSE FREQUENCE (110 KHZ), A PARTIR D'UN MELANGE DE GAZ SILANE ET METHANE DILUE DANS L'HELIUM. LES METHODES DE CARACTERISATION MEB, IR, AES ET REACTION NUCLEAIRE NOUS ONT PERMIS DE DEFINIR LA MORPHOLOGIE, LA NATURE ET LA COMPOSITION DES DEPOTS. UNE NATURE INORGANIQUE ET COMPACTE EST REVELEE, INDEPENDAMMENT DE LA POSITION DES SUBSTRATS (SILICIUM) DANS LE REACTEUR; ELLE RESULTE D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE RELATIVEMENT INTENSE DE LA SURFACE DES FILMS EN CROISSANCE. UNE ETUDE STRUCTURALE MENEE A PARTIR D'ANALYSES IR, AES ET EXAFS MET EN EVIDENCE, POUR LES FILMS DE COMPOSITION X VOISINE DE 0,5, UNE MICROSTRUCTURE PARTICULIERE, HOMOGENE ET PROCHE DE CELLE D'UN RESEAU A-SIC, QUI LEUR CONFERE DES PROPRIETES THERMOMECANIQUES (DURETE, FAIBLES CONTRAINTES INTERNES, STABILITE THERMIQUE) ET OPTIQUES (BONNE TRANSMISSION DANS LE DOMAINE DU VISIBLE) OPTIMALES. UN CARACTERE POLYMERE DE FAIBLE MOUILLABILITE DE LA SURFACE DES FILMS EXPOSES A L'AIR AMBIANT, ACCENTUE POUR DES TENEURS EN CARBONE ELEVEES, EST REVELE PAR DES MESURES DE TENSIOMETRIE. IL EST RELIE, PAR AES, A L'INCORPORATION DE GROUPEMENTS ALKYLES ET A LA FORMATION D'UNE COUCHE DE CONTAMINATION DE NATURE ORIGINALE, SOIT UN COMPOSE COMPLEXE SI#X(O#YC#Z:H)