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Book ETUDE PAR ANALYSE AUGER ET DIFFRACTION DES ELECTRONS LENTS DE L INTERFACE OBTENUE PAR EVAPORATION D ARGENT SUR UN MONOCRISTAL DE PALLADIUM

Download or read book ETUDE PAR ANALYSE AUGER ET DIFFRACTION DES ELECTRONS LENTS DE L INTERFACE OBTENUE PAR EVAPORATION D ARGENT SUR UN MONOCRISTAL DE PALLADIUM written by Serge Tatarenko and published by . This book was released on 1978 with total page 107 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: REALISATION D'UNE CELLULE DE KNUDSEN PERMETTANT D'EVAPORER L'ARGENT DANS LES MEILLEURES CONDITIONS DE VIDE ET DE STABILITE DU FLUX. CARACTERISATION DE L'ETAT DE SURFACE DU SUPPORT ET DE SON COMPORTEMENT EN PRESENCE DE CO. DETERMINATION DU MODE DE CROISSANCE DE AG A TEMPERATURE AMBIANTE ET A TEMPERATURE ELEVEE ET ETUDE DE L'EVOLUTION DE L'INTERFACE EN FONCTION DE LA QUANTITE D'ARGENT DEPOSEE ET DE LA TEMPERATURE

Book ETUDE PAR DIFFRACTION D ELECTRONS LENTS ET SPECTROMETRIE AUGER DE L ELECTROSORPTION DU PLOMB ET DE L ARGENT SUR PT 100

Download or read book ETUDE PAR DIFFRACTION D ELECTRONS LENTS ET SPECTROMETRIE AUGER DE L ELECTROSORPTION DU PLOMB ET DE L ARGENT SUR PT 100 written by SIBIRI.. TRAORE and published by . This book was released on 1988 with total page 139 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CARACTERISATION PAR DES METHODES SPECTROSCOPIQUES DES MODIFICATIONS DE STRUCTURE ET DE COMPOSITION D'UNE ELECTRODE MONOCRISTALLINE DE PLATINE(100) LORS D'UNE REACTION ELECTROCHIMIQUE

Book Dynamics of electrons in 2D materials

Download or read book Dynamics of electrons in 2D materials written by Sami Siraj-Dine and published by . This book was released on 2020 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Au cours de cette thèse, nous avons proposé des méthodes théoriques et numériques pour étudier le comportement des électrons dans les matériaux périodiques, avec un intérêt particulier pour les matériaux 2D, comme le graphène, et les isolants topologiques. La thèse se compose de trois parties, organisées comme suit. La première partie fournit un algorithme simple et doté d'une preuve mathématique pour construire des fonctions Wannier localisées, avec pour seule condition que le système ait des nombres de Chern triviaux. Sur la base d'une preuve explicite et constructive des homotopies pour le groupe unitaire, l'algorithme permet de construire des Wannier localisés pour des isolateurs topologiques tels que le modèle Kane-Mele. La méthode est validée par des tests numériques pour plusieurs systèmes. Dans la deuxième partie, nous proposons une méthode d'approximation des fonctions de Wannier adaptée au calcul des Hamiltoniens de tight-binding dans les hétérostructures de van der Waals non périodiques, c'est-à-dire des couches de matériaux 2D empilées les unes sur les autres, liées entre elles par des forces de van der Waals relativement faibles. Ce cadre n'est pas adapté pour les outils de calcul habituels de la physique des solides, qui reposent sur la périodicité des cristaux. Dans ce contexte, une approximation du premier ordre consiste à considérer les fonctions de Wannier calculées sur chaque couche indépendamment. Nous proposons donc un schéma d'approximation pour les fonctions de Wannier qui permet un calcul efficace des coefficients de matrice tight-binding, même dans le cas non périodique. La troisième partie est théorique et consacrée à l'étude des électrons indépendants à l'état fondamental dans un cristal périodique, mis en mouvement par un champ électrique uniforme à l'instant initial. Nous définissons rigoureusement le courant par unité de volume et étudions ses propriétés en utilisant à la fois la réponse linéaire et la théorie adiabatique. Nos résultats fournissent un cadre unifié pour divers phénomènes tels que la quantification de la conductivité de Hall des isolants topologiques, le régime balistique des électrons dans les métaux, les oscillations de Bloch dans la réponse en temps long des métaux et la conductivité statique du graphène.

Book ETUDE PAR DIFFRACTION DES ELECTRONS LENTS ET SPECTROSCOPIE AUGER DE LA STABILITE DES FACES VICINALES DE CUIVRE  100  SOUS ADSORPTION MENAGEE D OXYGENE ET DE SOUFRE

Download or read book ETUDE PAR DIFFRACTION DES ELECTRONS LENTS ET SPECTROSCOPIE AUGER DE LA STABILITE DES FACES VICINALES DE CUIVRE 100 SOUS ADSORPTION MENAGEE D OXYGENE ET DE SOUFRE written by JEAN-CLAUDE.. BOULLIARD and published by . This book was released on 1980 with total page 145 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: COMPORTEMENT STRUCTURAL DES SURFACES VICINALES POUR LES ETATS D'ADSORPTION EN DESSOUS DE LA MONOCOUCHE DE SATURATION. MISE EN EVIDENCE D'UNE FORTE INSTABILITE DE CERTAINES FACES VICINALES SOUS OXYGENE ET L'APPARITION DE FACETTES (410) ET (100). DANS LE CAS DU SOUFRE LA PRESENCE DE MARCHES INDUIT LA PRESENCE DE STRUCTURES ABSENTES SUR LA FACE (100)

Book   tude par microscopie   lectronique et diffraction des   lectrons  de couches minces   pitaxiques d alliages cuivre aluminium  obtenues par d  p  t d   vaporation thermique sur une face de clivage  001  de chlorure de sodium

Download or read book tude par microscopie lectronique et diffraction des lectrons de couches minces pitaxiques d alliages cuivre aluminium obtenues par d p t d vaporation thermique sur une face de clivage 001 de chlorure de sodium written by Jean-Paul Morniroli and published by . This book was released on 1969 with total page 96 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le but de notre travail est d'étudier les possibilités d'élaborer des alliages en couche ultra-mince d'évaporation thermique. Nous avons donc choisi un système binaire relativement complexe dans lequel les phases d'équilibre sont très nombreuses et présentent une grande variété de transformations en phase solide en l'espèce, les alliages aluminium-cuivre. Nous nous sommes efforcé d'utiliser nos connaissances sur les conditions de formation de couches minces épitaxiques pour préparer directement des lames minces monocristallines, ou plutôt, des lames polycristallines dont tous les cristallites ont pratiquement la même orientation, ce qui équivaut évidemment, en diffraction des rayons ou des électrons, à des lames monocristallines.

Book Contribution    l   tude des surfaces et interfaces m  tal semiconducteur  Ag Si  Au Si  par spectroscopie de pertes d   nergies d   lectrons lents    haute r  solution

Download or read book Contribution l tude des surfaces et interfaces m tal semiconducteur Ag Si Au Si par spectroscopie de pertes d nergies d lectrons lents haute r solution written by Rino Contini and published by . This book was released on 1986 with total page 142 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CONTRIBUTION A L'ETUDE DES EXCITATIONS ELECTRONIQUES DE SURFACE ET INTERFACE METAL/SEMICONDUCTEUR. L'ETUDE EST REALISEE PAR SPECTROMETRIE DE PERTE D'ENERGIE D'ELECTRONS LENTS A HAUTE RESOLUTION, DIFFRACTION ELECTRONIQUE ET SPECTROMETRIE AUGER. ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DE LA DISPERSION DES PLASMONS D'INTERFACE DU SYSTEME AG/SI. ELABORATION D'UN MODELE DE CROISSANCE DE L'INTERFACE AU/SI, D'APRES L'EVOLUTION DE LA PERTE D'ENERGIE EN FONCTION DE L'EPAISSEUR D'OR

Book Etude des propri  t  s   lectroniques des interfaces Ag Si 100  et Cu Si 100

Download or read book Etude des propri t s lectroniques des interfaces Ag Si 100 et Cu Si 100 written by Stéphane Guillet and published by . This book was released on 1993 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PREMIERS STADES DE LA FORMATION DES INTERFACES AG/SI(100) ET CU/SI(100) A TEMPERATURE AMBIANTE ONT ETE ETUDIES IN SITU PAR REFLECTIVITE DIFFERENTIELLE (1.5 EV-5.0 EV) ASSOCIEE A DES TECHNIQUES CLASSIQUES DE SURFACE: PHOTOEMISSION UV (UPS), SPECTROSCOPIE AUGER (AES) ET DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS (DEL). POUR DES DEPOTS PLUS IMPORTANTS (QUELQUES DIZAINES A QUELQUES CENTAINES D'ANGSTROMS), DES ETUDES EX SITU DE LA REFLECTIVITE DANS L'INFRA-ROUGE (0.025 EV-1 EV) ET DE LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE (ENTRE 4K ET 300K) SONT EGALEMENT PRESENTEES. UN REFLECTOMETRE DIFFERENTIEL, CONSTRUIT POUR CES ETUDES ET PERMETTANT DE MESURER DES VARIATIONS DU FACTEUR DE REFLEXION INDUITES PAR DES FRACTIONS DE MONOCOUCHE, EST DECRIT EN DETAIL. LA REFLECTIVITE DIFFERENTIELLE EST PARTICULIEREMENT BIEN ADAPTEE A L'OBSERVATION DES ELECTRONS DE LA BANDE DE CONDUCTION DU METAL, DIFFICILES A OBSERVER EN PHOTOEMISSION. AINSI, DANS LE CAS DU CUIVRE, NOUS AVONS OBSERVE D'IMPORTANTES MODIFICATIONS DE LA REFLECTIVITE AU NIVEAU DU BORD D'ABSORPTION DU CUIVRE INDIQUANT LA FORMATION D'UN SILICIURE. CETTE INFORMATION S'EST REVELEE COMPLEMENTAIRE DES RESULTATS OBTENUS EN PHOTOEMISSION ET EN SPECTROSCOPIE AUGER, A SAVOIR LE DEPLACEMENT EN ENERGIE DE LA BANDE D DU CUIVRE ET LE DEDOUBLEMENT DE LA RAIE AUGER LVV DU SILICIUM. LES ETUDES DE RESISTIVITE ET DE REFLECTIVITE MONTRENT POUR CERTAINS DEPOTS DE CUIVRE OU D'ARGENT UNE CERTAINE DISCONTINUITE ENTRE LES GRAINS METALLIQUES, MEME POUR DES EPAISSEURS DE PLUSIEURS CENTAINES D'ANGSTROMS. CES RESULTATS ONT PU ETRE DECRITS PAR UN MODELE DE MAXWELL-GARNETT

Book Etude en microscopie par effet tunnel de surfaces ordonn  es

Download or read book Etude en microscopie par effet tunnel de surfaces ordonn es written by Philippe Dumas and published by . This book was released on 1988 with total page 132 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DE SURFACES ORDONNEES DE SILICIUM (111) ET DES SURSTRUCTURES INDUITES PAR LA PRESENCE D'ATOMES D'OR ET DE BORE EN SURFACE. LA PREMIERE PARTIE TRAITE DU PRINCIPE DE LA MICROSCOPIE PAR EFFET TUNNEL ET DE LA REALISATION D'UN MICROSCOPE (STM). ELLE DECRIT ENSUITE LES RENSEIGNEMENTS QUE CETTE TECHNIQUE PEUT APPORTER AU PHYSICIEN DES SURFACES. DANS LA SECONDE PARTIE, APRES QUELQUES RAPPELS SUR LA DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS (LEED) ET LA SPECTROSCOPIE AUGER, NOUS ETUDIONS PAR CES TECHNIQUES CONJOINTES (STM, LEED, AUGER) LES SYSTEMES SUIVANTS: LE SILICIUM (111) RECONSTRUIT 7 X 7, L'INTERFACE AU/SI(111) RAC3 X RAC3 R30**(O) ET LE B-SI(111) RAC3 X RAC3 R30**(O). CES ETUDES NOUS PERMETTENT DE CONFRONTER NOS RESULTATS AUX MODELES EXISTANTS ET DE PROPOSER, POUR LE DERNIER SYSTEME, UN NOUVEAU MODELE DE LA STRUCTURE RAC3