Download or read book ETUDE EXPERIMENTALE DES PROPRIETES DE TRANSPORT NON STATIONNAIRE DANS INP PAR PHOTOCONDUCTION written by PATRICE.. DE CARRE and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT DE L'ELECTRONIQUE RAPIDE ET DE L'OPTOELECTRONIQUE EST ASSOCIE A CELUI DES SEMICONDUCTEURS COMPOSES III-V, DONT INP. CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE EXPERIMENTALE DES PHENOMENES DE TRANSPORT NON STATIONNAIRE DANS INP, PAR MESURE DE PHOTOCOURANT EN REGIME PERMANENT D'ECLAIREMENT, SUR DES DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS SUBMICRONIQUES DE DIFFERENTES LONGUEURS. L'INTERPRETATION DES RESULTATS FAIT APPEL A DES SIMULATIONS NUMERIQUES DE TYPE MONTE-CARLO. LA STRUCTURE DE BANDE D'INP ET LES MECANISMES D'INTERACTIONS ENTRE ELECTRONS ET RESEAU CRISTALLIN SONT DECRITS ET PERMETTENT D'ANALYSER LES CARACTERISTIQUES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE STATIONNAIRE ET NON STATIONNAIRE OBTENUES A L'AIDE DE SIMULATIONS NUMERIQUES. LES CARACTERISTIQUES DE TRANSPORT DANS INP SONT COMPAREES A CELLES OBTENUES DANS GAAS. LA METHODE DE PHOTOCONDUCTION EMPLOYEE PERMET DE S'AFFRANCHIR DES EFFETS GEOMETRIQUES LIES A LA STRUCTURE PLANAIRE DES DISPOSITIFS ET, EN NE MESURANT QUE DES PHOTOCOURANTS FAIBLES DEVANT LE COURANT D'OBSCURITE, D'UNE EVENTUELLE NON-LINEARITE DES CONTACTS. LA VITESSE MOYENNE DES PORTEURS PEUT ALORS ETRE DEDUITE D'UNE MESURE DU PHOTOCOURANT EN REGIME PERMANENT D'ECLAIREMENT LORSQU'UNE BONNE REPRODUCTIBILITE DES CONDITIONS D'ECLAIREMENT EST ASSUREE. LES PHENOMENES DE DIFFRACTION DE LA LUMIERE PAR LA FENTE EPAISSE FORMEE PAR L'ESPACE INTERELECTRODE SONT MIS EN EVIDENCE ET L'ESTIMATION DES COEFFICIENTS DE TRANSMISSION DE LA LUMIERE EST VALIDEE EXPERIMENTALEMENT. LA CARACTERISATION DES ECHANTILLONS FAITE EN OBSCURITE, SOUS ECLAIREMENT ET SOUS CHAMP MAGNETIQUE A PERMIS DE DETERMINER LA MOBILITE DANS LES COUCHES EPITAXIEES ET SOUS LA SURFACE AINSI QUE LE DOPAGE RESIDUEL DES COUCHES. A 300 K ET 77 K, LES CARACTERISTIQUES DONNANT LES VARIATIONS DU PHOTOCOURANT EN FONCTION DU CHAMP ELECTRIQUE APPLIQUE MONTRENT SOUS CERTAINES CONDITIONS EXPERIMENTALES, L'EXISTENCE DU PHENOMENE DE SURVITESSE SUR DES LONGUEURS S

Download or read book Etude exp rimentale des propri t s de transport lectronique au voisinage d une h t rojonction par photoconduction written by Michel Rousseau and published by . This book was released on 1989 with total page 289 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail a pour but l'étude des propriétés du transport électronique au voisinage d'une hétérojonction. L'étude expérimentale réalisée sur des structures AIGaAs (N+)/GaAs(P-) fait intervenir des mesures de photocourant et de magnétorésistance. Des simulations numériques de type Monte Carlo ont été faites pour interpréter les résultats expérimentaux et prévoir le comportement des dispositifs submicroniques. La construction du diagramme des bandes d'énergie d'un dispositif à hétérojonction à dopage modulé montre qu'il existe un puits de potentiel à l'interface. Les porteurs qui y sont confinés forment un gaz d'électrons bidimensionnel. Les principales méthodes de calcul des niveaux quantifiés d'énergie accessibles aux électrons sont décrites. Nous présentons ensuite le calcul des probabilités d'interaction des électrons avec les phonons et les impuretés, en soulignant les particularités liées au caractère bidimensionnel. L'influence d'un éclairement sur un dispositif à hétérojonction GaAs/AIGaAs est étudiée. Un modèle permettant d'interpréter et d'exploiter les mesures de magnétorésistance a été établi.Les simulations numériques réalisées ont permis d'étudier le transfert spatial des électrons de GaAs vers AIGaAs, les effets non stationnaires dans les dispositifs submicroniques et l'influence du confinement des électrons. Nous décrivons ensuite le processus de fabrication des dispositifs, en particulier des contacts ohmiques, en soulignant les problèmes spécifiques aux hétérojonctions. et les montages expérimentaux. Par des mesures de magnétorésistance sous éclairement nous avons pu déterminer directement la mobilité des électrons du gaz bidimensionnel .La comparaison des mesures de photocourant et des résultats de simulation permettent de conclure que les effets bidimensionnels sont peu importants à 300 K. A 77 K, ces effets améliorent notablement les performances du transport électronique surtout pour les faibles champs électriques.

Download or read book International Aerospace Abstracts written by and published by . This book was released on 1983 with total page 698 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: