Download or read book ETUDE ET DEVELOPPEMENT DE TECHNOLOGIES D ISOLATION CMOS POUR CIRCUITS INTEGRES ULSI written by Didier Save and published by . This book was released on 1988 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ISOLATION DES CIRCUITS CMOS EST UNE DES CLES DE LEUR MINIATURISATION EXTREME. LES TECHNOLOGIES D'ISOLATION DE L'ULSI DEVRONT ELIMINER LES RISQUES DE COURANTS DE FUITE ET DE "LATCH UP" A LA PERIPHERIE DU CAISSON, AINSI QUE LES PHENOMENES PERIMETRIQUES, DUS A L'ISOLATION DE CHAMP, QUI DEGRADENT LES PERFORMANCES DES PETITS TRANSISTORS (TENSION DE SEUIL, CAPACITE DE DIFFUSION). L'ISOLATION DIELECTRIQUE DU CAISSON PAR TRANCHEE PROFONDE EST CHOISIE ICI POUR SA COMPATILIBITE AVEC LES FILIERES DE FABRICATION EXISTANTES. LA PRINCIPALE DIFFICULTE DE LA TECHNIQUE RESIDE DANS LA GRAVURE PARFAITEMENT VERTICALE DES TRANCHEES. LE REMPLACEMENT DE L'ISOLATION DE CHAMP, PAR OXYDATION LOCALISEE DU SILICIUM (LOCOS), PAR UNE TECHNIQUE DE DEPOTS D'OXYDE DE SILICIUM NIVELLES (BOX) NECESSITE LA MISE AU POINT D'UN PROCEDE DE "PLANARISATION" DE L'OXYDE. LA MISE EN PLACE DE LA FILIERE TECHNOLOGIQUE ET LA CONCEPTION DES DISPOSITIFS DE TEST SONT FINALEMENT EXPOSEES

Download or read book ULSI Process Integration written by Cor L. Claeys and published by The Electrochemical Society. This book was released on 1999 with total page 408 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book D veloppement d un proc d innovant pour le remplissage des tranch es d isolation entre transistors des technologies CMOS avanc es written by Aurélien Tavernier and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Réalisées au début du processus de fabrication des circuits intégrés, les tranchées d'isolation permettent d'éviter les fuites de courant latérales qui pourraient avoir lieu entre les transistors. Les tranchées sont remplies par un film d'oxyde de silicium réalisé par des procédés de dépôt chimiques en phase vapeur (aussi appelés CVD). Le remplissage des tranchées est couramment réalisé par un procédé CVD à pression sub-atmosphérique (SACVD TEOS/O3). Cependant, la capacité de remplissage de ce procédé pour les nœuds technologiques CMOS 28 nm et inférieurs est dégradée à cause de profils trop verticaux dans les tranchées. Cela induit la formation de cavités dans l'oxyde et entraine des courts-circuits. Afin de pallier ce problème, une nouvelle stratégie de remplissage en trois étapes est proposée pour la technologie CMOS 14 nm. Dans la première étape, un film mince d'oxyde est déposé dans les tranchées. Puis, dans la deuxième étape, les flancs du film sont gravés à l'aide d'un procédé de gravure innovant, basé sur un plasma délocalisé de NF3/NH3, permettant de créer une pente favorable au remplissage final réalisé au cours de la troisième étape. Le développement de cette nouvelle stratégie de remplissage s'est déroulé selon plusieurs axes. Tout d'abord, le procédé de dépôt a été caractérisé afin de sélectionner les conditions optimales pour la première étape de la stratégie. Puis, le procédé de gravure innovant a été caractérisé en détail. L'influence des paramètres de gravure a été étudiée sur pleine plaque et sur plaques avec motifs afin de comprendre les mécanismes de gravure et de changement de pente dans les tranchées. Enfin, dans un troisième temps, la stratégie de remplissage a été développée et intégrée pour la technologie CMOS 14 nm. Nous montrons ainsi qu'il est possible de contrôler le changement de pente avec les conditions de gravure et que cette stratégie permet un remplissage des tranchées d'isolation sans cavités.

Download or read book CMOS Digital Integrated Circuits written by Sung-Mo Kang and published by . This book was released on 2002 with total page 655 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The fourth edition of CMOS Digital Integrated Circuits: Analysis and Design continues the well-established tradition of the earlier editions by offering the most comprehensive coverage of digital CMOS circuit design, as well as addressing state-of-the-art technology issues highlighted by the widespread use of nanometer-scale CMOS technologies. In this latest edition, virtually all chapters have been re-written, the transistor model equations and device parameters have been revised to reflect the sigificant changes that must be taken into account for new technology generations, and the material has been reinforced with up-to-date examples. The broad-ranging coverage of this textbook starts with the fundamentals of CMOS process technology, and continues with MOS transistor models, basic CMOS gates, interconnect effects, dynamic circuits, memory circuits, arithmetic building blocks, clock and I/O circuits, low power design techniques, design for manufacturability and design for testability.

Download or read book Etude et realisation de structures avancees d isolement par tranchees peu profondes pour technologies CMOS 0 25 m written by Pascal Sallagoity and published by . This book was released on 1997 with total page 320 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: POUR LES TECHNOLOGIES MICRO-ELECTRONIQUE CMOS 0.25 MICROMETRES ET EN DESSOUS, L'ISOLEMENT PAR TRANCHEE PEU PROFONDE OU BOX S'EST LARGEMENT IMPOSE POUR POURSUIVRE L'INTEGRATION DES CIRCUITS INTEGRES. CE PROCEDE D'ISOLEMENT LATERAL, QUI CONSISTE A REMPLIR D'OXYDE UNE TRANCHEE GRAVEE DANS LE SILICIUM DU SUBSTRAT, POSSEDE PLUSIEURS AVANTAGES: UNE BONNE PLANEITE, UNE PERTE DE COTE NULLE DE LA ZONE ACTIVE DU CIRCUIT, ET UNE HAUTE DENSITE D'INTEGRATION. CES CARACTERISTIQUES SONT TOUTEFOIS LE RESULTAT D'UNE OPTIMISATION DELICATE DE CHACUNE DES ETAPES TECHNOLOGIQUES CRITIQUES DU PROCEDE. DE PLUS, LA MORPHOLOGIE DE L'ISOLEMENT BOX INDUIT L'EXISTENCE D'UN EFFET ELECTROSTATIQUE PARASITE SUR LE FONCTIONNEMENT DES DISPOSITIFS DU CIRCUIT. NOUS AVONS MONTRE QUE CET EFFET PARASITE, APPELE EFFET DE COIN, PEUT-ETRE REDUIT VOIR ELIMINE GRACE A UNE OPTIMISATION DU PROCEDE D'ISOLEMENT. ENFIN, L'ISOLEMENT PAR TRANCHEE PEU PROFONDE POSSEDE D'EXCELLENTES QUALITES POUR L'ISOLATION ELECTRIQUE DES DISPOSITIFS DANS UN CIRCUIT CMOS. EN USANT DE CES PROPRIETES, NOUS AVONS OPTIMISE L'ARCHITECTURE DES CAISSONS AFIN DE REDUIRE LES CAPACITES DE JONCTION, ET AUGMENTER L'IMMUNITE AU LATCHUP DES CIRCUITS, TOUT EN CONSERVANT UNE ISOLATION ELECTRIQUE PARFAITE ENTRE LES DISPOSITIFS DU CIRCUIT

Download or read book Techniques de conception des circuits int gr s analogiques pour des applications en haute temp rature en technologie sur substrat de silicium written by Raul-Andrés Bianchi and published by . This book was released on 2006 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette these se situe dans le domaine de la microelectronique en haute temperature. Actuellement les technologies de circuits integres plus poussees, en termes de densite d'integration, cout, et fiabilite, utilisent encore le silicium comme materiau de base. Ces technologies sont concues pour permettre une large duree de vie, dans une plage de temperature donnee, typiquement de 0 a 100 c. D'autres technologies se developpent aussi, notamment le sic (de plus large bande interdite) et le soi couche mince (ou la surface des jonctions parasites son fortement reduites), pour satisfaire les besoins des applications a des tres hautes temperatures. Ayant actuellement des performances inferieures, en termes de cout et de densite d'integration, elles restent beaucoup moins competitives que les technologies standards sur substrat de silicium. De plus, il est prevu que, dans les prochains dix ans, plus de 70% des applications en haute temperature correspondront encore a des applications automobiles et petrolieres ayant des temperatures d'operation intermediaires, inferieures a 200 c. A partir de l'etude de la physique des composants semiconducteurs et des materiaux pour la microelectronique, cette these elargit jusqu'a environ 250 c la plage de temperature d'utilisation des technologies cmos et bicmos standards, sur substrat de silicium, a travers des techniques de conception de circuits integres, sans toutefois modifier les procedes de fabrication. Les etudes et les tests ont ete experimentes sur une technologie cmos et une technologie bicmos commerciales. Ces conclusions sont transferables a toute technologie semblable actuelle. De plus, les performances en temperature semblent ameliorer dans le futur, du fait que l'augmentation de la densite d'integration entraine une augmentation des concentrations des dopants et une reduction de la surface des jonctions d'isolation. Deux applications industrielles, representatives du marche potentiel des applications des circuits integres en haute temperature, ont permis de verifier dans la pratique les resultats theoriques obtenus.

Download or read book TECHNIQUES DE CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES POUR DES APPLICATIONS EN HAUTE TEMPERATURE EN TECHNOLOGIES SUR SUBSTRAT DE SILICIUM written by RAUL ANDRES.. BIANCHI and published by . This book was released on 1999 with total page 154 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE SE SITUE DANS LE DOMAINE DE LA MICROELECTRONIQUE EN HAUTE TEMPERATURE. ACTUELLEMENT LES TECHNOLOGIES DE CIRCUITS INTEGRES PLUS POUSSEES, EN TERMES DE DENSITE D'INTEGRATION, COUT, ET FIABILITE, UTILISENT ENCORE LE SILICIUM COMME MATERIAU DE BASE. CES TECHNOLOGIES SONT CONCUES POUR PERMETTRE UNE LARGE DUREE DE VIE, DANS UNE PLAGE DE TEMPERATURE DONNEE, TYPIQUEMENT DE 0 A 100\C. D'AUTRES TECHNOLOGIES SE DEVELOPPENT AUSSI, NOTAMMENT LE SIC (DE PLUS LARGE BANDE INTERDITE) ET LE SOI COUCHE MINCE (OU LA SURFACE DES JONCTIONS PARASITES SON FORTEMENT REDUITES), POUR SATISFAIRE LES BESOINS DES APPLICATIONS A DES TRES HAUTES TEMPERATURES. AYANT ACTUELLEMENT DES PERFORMANCES INFERIEURES, EN TERMES DE COUT ET DE DENSITE D'INTEGRATION, ELLES RESTENT BEAUCOUP MOINS COMPETITIVES QUE LES TECHNOLOGIES STANDARDS SUR SUBSTRAT DE SILICIUM. DE PLUS, IL EST PREVU QUE, DANS LES PROCHAINS DIX ANS, PLUS DE 70% DES APPLICATIONS EN HAUTE TEMPERATURE CORRESPONDRONT ENCORE A DES APPLICATIONS AUTOMOBILES ET PETROLIERES AYANT DES TEMPERATURES D'OPERATION INTERMEDIAIRES, INFERIEURES A 200\C. A PARTIR DE L'ETUDE DE LA PHYSIQUE DES COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS ET DES MATERIAUX POUR LA MICROELECTRONIQUE, CETTE THESE ELARGIT JUSQU'A ENVIRON 250\C LA PLAGE DE TEMPERATURE D'UTILISATION DES TECHNOLOGIES CMOS ET BICMOS STANDARDS, SUR SUBSTRAT DE SILICIUM, A TRAVERS DES TECHNIQUES DE CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES, SANS TOUTEFOIS MODIFIER LES PROCEDES DE FABRICATION. LES ETUDES ET LES TESTS ONT ETE EXPERIMENTES SUR UNE TECHNOLOGIE CMOS ET UNE TECHNOLOGIE BICMOS COMMERCIALES. CES CONCLUSIONS SONT TRANSFERABLES A TOUTE TECHNOLOGIE SEMBLABLE ACTUELLE. DE PLUS, LES PERFORMANCES EN TEMPERATURE SEMBLENT AMELIORER DANS LE FUTUR, DU FAIT QUE L'AUGMENTATION DE LA DENSITE D'INTEGRATION ENTRAINE UNE AUGMENTATION DES CONCENTRATIONS DES DOPANTS ET UNE REDUCTION DE LA SURFACE DES JONCTIONS D'ISOLATION. DEUX APPLICATIONS INDUSTRIELLES, REPRESENTATIVES DU MARCHE POTENTIEL DES APPLICATIONS DES CIRCUITS INTEGRES EN HAUTE TEMPERATURE, ONT PERMIS DE VERIFIER DANS LA PRATIQUE LES RESULTATS THEORIQUES OBTENUS.

Download or read book Contribution la conception de circuits int gr s analogiques en technologie CMOS basse tension pour application aux instruments d observation de la Terre written by Denis Standarovski and published by . This book was released on 2005 with total page 239 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le présent mémoire de thèse s'inscrit dans la problématique d'intégration de chaînes vidéo spatiales CCD dédiées aux instruments d'observation de la Terre. La solution présentée à travers cette étude consiste à concevoir des circuits intégrés spécifiques (ASIC) analogiques avec des technologies CMOS sub-microniques basse-tension, principalement développées pour les circuits numériques complexes. A partir de l'étude des chaînes vidéo, une étude approfondie est consacrée au circuit E/B car cette fonction est limitante des performances des chaînes vidéo CCD. L'étude approfondie des architectures de circuits E/B combinée à des études de conception de circuits rail-to-rail nous permet de démontrer la faisabilité de la chaîne vidéo dans ces technologies : deux démonstrateurs sont ainsi réalisés en technologie CMOS 0.6{mu]m et BiCMOS 0.35[mu]m permettant d'envisager la réalisation d'une chaîne vidéo complète 20Mechs/s - 12bits.

Download or read book Int gration et caract risation des performances de l isolation par cavit s des interconnexions en cuivre pour les technologies CMOS sub 90 nm written by and published by . This book was released on 2002 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La transmission du signal dans les interconnexions devient un élément critique des circuits intégrés en raison de l'augmentation de la densité des composants et de leur fréquence de fonctionnement. En effet, le délai de propagation des signaux et le couplage diaphonique entre lignes voisines dictent les performances et sont susceptibles de générer des erreurs de fonctionnement. Pour répondre à ces limitations, les interconnexions en cuivre doivent être isolées par des diélectriques à constante diélectrique faible, dits "low k", qui remplacent l'oxyde de silicium, dont la permittivité relative est égale à 4,2. Dans cette étude, nous développons une nouvelle approche qui consiste à intégrer un isolant clazsique, typiquement l'oxyde de silicium, dont le procédé de dépôt PECVD non-conforme crée des cavités d'isolation entre les lignes d'espacements les plus réduits. L'avantage majeur de la technique est l'obtention d'une isolation équivalente à celle d'un diélectrique de permittivité relative inférieur à 2 grâce à l'introduction partielle du vide dans la structure. La faisabilité de cette approche réside dans l'intégration sélective et locale des cavités ainsi que sur le contrôle du procédé de dépôt quelles que soinet les dimensions des motifs du circuit. Pour cela, un niveau de lithographie spécifique a été utilisé ; il définit les zones de placement des cavités en respectant les règles de dessin définies. L'intégration est menée dans une architecture d'interconnexion en cuivre damscène à plusieurs niveaux de métallisation afin de valider le fonctionnement électrique des interconnexions ainsi que de tester leur fiabilité. Pour caractériser les performances de cette technique d'isolation, les capacités de couplages entre lignes sont simulées et mesurées afin d'extraire une permittivité équivalente. La caractérisation se poursuit par l'étude de la propagation du signal dans des lignes de transmission isolées et couplées dans le domaine des hautes fréquences, jusqu'à 40 GHz. L'isolation locale des lignes voisines par la cavité impacte significativement la réduction du couplage par rapport à l'utilisation des diélectriques homogènes. Ces résultats démontrent le potentiel de cette technique pour atteindre les performances requises pour les technologies CMOS inférieures à 90 nm.

Download or read book Neutron Physics written by Paul Reuss and published by . This book was released on 2008 with total page 669 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Originally just an offshoot of nuclear physics, neutron physics soon became a branch of physics in its own right. It deals with the movement of neutrons in nuclear reactors and all the nuclear reactions they trigger there, particularly the fission of heavy nuclei which starts a chain reaction to produce energy. Neutron Physics covers the whole range of knowledge of this complex science, discussing the basics of neutron physics and some principles of neutron physics calculations. Because neutron physics is the essential part of reactor physics, it is the main subject taught to students of Nuclear Engineering. This book takes an instructional approach for that purpose. Neutron Physics is also intended for all physicists and engineers involved in development or operational aspects of nuclear power.

Download or read book Neutronics written by Jean-François Parisot and published by . This book was released on 2015 with total page 288 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: "Neutronics (or neutron physics) is the study of neutrins travelling through matter, of conditions for a chain reaction, and of changes in matter's composition due to nuclear reactions. It makes it possible to design and operate nuclear reactors and fuel cycle facilities."--Publisher.

Download or read book Interlayer Dielectrics for Semiconductor Technologies written by Shyam P Muraka and published by Elsevier. This book was released on 2003-10-13 with total page 459 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Semiconductor technologies are moving at such a fast pace that new materials are needed in all types of application. Manipulating the materials and their properties at atomic dimensions has become a must. This book presents the case of interlayer dielectrics materials whilst considering these challenges. Interlayer Dielectrics for Semiconductor Technologies cover the science, properties and applications of dielectrics, their preparation, patterning, reliability and characterisation, followed by the discussion of different materials including those with high dielctric constants and those useful for waveguide applications in optical communications on the chip and the package. * Brings together for the FIRST time the science and technology of interlayer deilectrics materials, in one volume * written by renowned experts in the field * Provides an up-to-date starting point in this young research field.

Download or read book TOF Range Imaging Cameras written by Fabio Remondino and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2013-04-09 with total page 243 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Today the cost of solid-state two-dimensional imagers has dramatically dropped, introducing low cost systems on the market suitable for a variety of applications, including both industrial and consumer products. However, these systems can capture only a two-dimensional projection (2D), or intensity map, of the scene under observation, losing a variable of paramount importance, i.e., the arrival time of the impinging photons. Time-Of-Flight (TOF) Range-Imaging (TOF) is an emerging sensor technology able to deliver, at the same time, depth and intensity maps of the scene under observation. Featuring different sensor resolutions, RIM cameras serve a wide community with a lot of applications like monitoring, architecture, life sciences, robotics, etc. This book will bring together experts from the sensor and metrology side in order to collect the state-of-art researchers in these fields working with RIM cameras. All the aspects in the acquisition and processing chain will be addressed, from recent updates concerning the photo-detectors, to the analysis of the calibration techniques, giving also a perspective onto new applications domains.

Download or read book Handbook of Optical Dimensional Metrology written by Kevin Harding and published by Taylor & Francis. This book was released on 2016-04-19 with total page 497 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Due to their speed, data density, and versatility, optical metrology tools play important roles in today's high-speed industrial manufacturing applications. Handbook of Optical Dimensional Metrology provides useful background information and practical examples to help readers understand and effectively use state-of-the-art optical metrology methods

Download or read book The Physics of Nuclear Reactors written by Serge Marguet and published by Springer. This book was released on 2018-02-26 with total page 1462 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This comprehensive volume offers readers a progressive and highly detailed introduction to the complex behavior of neutrons in general, and in the context of nuclear power generation. A compendium and handbook for nuclear engineers, a source of teaching material for academic lecturers as well as a graduate text for advanced students and other non-experts wishing to enter this field, it is based on the author’s teaching and research experience and his recognized expertise in nuclear safety. After recapping a number of points in nuclear physics, placing the theoretical notions in their historical context, the book successively reveals the latest quantitative theories concerning: • The slowing-down of neutrons in matter • The charged particles and electromagnetic rays • The calculation scheme, especially the simplification hypothesis • The concept of criticality based on chain reactions • The theory of homogeneous and heterogeneous reactors • The problem of self-shielding • The theory of the nuclear reflector, a subject largely ignored in literature • The computational methods in transport and diffusion theories Complemented by more than 400 bibliographical references, some of which are commented and annotated, and augmented by an appendix on the history of reactor physics at EDF (Electricité De France), this book is the most comprehensive and up-to-date introduction to and reference resource in neutronics and reactor theory.

Download or read book Handbook of Optical Metrology written by Toru Yoshizawa and published by CRC Press. This book was released on 2017-07-28 with total page 866 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Handbook of Optical Metrology: Principles and Applications begins by discussing key principles and techniques before exploring practical applications of optical metrology. Designed to provide beginners with an introduction to optical metrology without sacrificing academic rigor, this comprehensive text: Covers fundamentals of light sources, lenses, prisms, and mirrors, as well as optoelectronic sensors, optical devices, and optomechanical elements Addresses interferometry, holography, and speckle methods and applications Explains Moiré metrology and the optical heterodyne measurement method Delves into the specifics of diffraction, scattering, polarization, and near-field optics Considers applications for measuring length and size, displacement, straightness and parallelism, flatness, and three-dimensional shapes This new Second Edition is fully revised to reflect the latest developments. It also includes four new chapters—nearly 100 pages—on optical coherence tomography for industrial applications, interference microscopy for surface structure analysis, noncontact dimensional and profile metrology by video measurement, and optical metrology in manufacturing technology.

Download or read book Masters Theses in the Pure and Applied Sciences written by Wade H. Shafer and published by Springer. This book was released on 1976 with total page 320 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Masters Theses in the Pure and Applied Sciences was first conceived, published, and dis· seminated by the Center for Information and Numerical Data Analysis and Synthesis (CINDAS) *at Purdue University in 1957, starting its coverage of theses with the academic year 1955. Beginning with Volume 13, the printing and dissemination phases of the ac· tivity were transferred to University Microfilms/Xerox of Ann Arbor, Michigan, with the thought that such an arrangement would be more beneficial to the academic and general scientific and technical community. After five years of this joint undertaking we had concluded that it was in the interest of all concerned if the printing and distribution of the volume were handled by an international publishing house to assure improved service and broader dissemination. Hence, starting with Volume 18, Masters Theses in the Pure and Applied Sciences has been disseminated on a worldwide basis by Plenum Publishing Corporation of New York, and in the same year the coverage was broadened to include Canadian universities. All back issues can also be ordered from Plenum. We have reported in Volume 20 (thesis year 1975) a total of 10,374 theses titles from 28 Canadian and 239 United States universities. We are sure that this broader base for theses titles reported will greatly enhance the value of this important annual reference work. The organization of Volume 20 is identical to that of past years. It consists of theses titles arranged by discipline and by university within each discipline.