Download or read book tude de d fauts de structure cr s par la diffusion du phosphore dans le silicium written by Patrick Mortini and published by . This book was released on 1973 with total page 186 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Etude des d faults de structure cr es par la diffusion du phosphore dans le silicium written by Patrick Mortini and published by . This book was released on 1973 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book La diffusion de phosphore dans le silicium partir d anhydride phosphorique sous forme vitreuse et sa comparaison avec la technique classique actuelle written by Louis Michel Mercandalli and published by . This book was released on 1969 with total page 45 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Contribution l tude des m canismes de diffusion du phosphore dans le silicium written by Gérald Chambert and published by . This book was released on 1973 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Contribution l tude des m canismes de diffusion du phosphore dans le silicium written by and published by . This book was released on 1973 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book tude de la structure et des propri t s optiques d alliages de SiP et de films minces d oxydes de silicium riches en phosphore written by Sébastien Geiskopf and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse concerne l'étude des propriétés structurales et optiques de films minces de SiP et d'oxyde de silicium riches en phosphore. Dans les films de Si riches en phosphore recuits à 1100 ̊C, la formation de cristallites de SiP coexistant avec des polycristaux de Si est observée. Le SiP, qui cristallise dans une structure orthorhombique, est un matériau lamellaire potentiellement intéressant pour le développement de nouveaux matériaux 2D. Les caractérisations vibrationnelles sont en bon accord avec des calculs DFT pour l'alliage SiP. Les mesures de photoluminescence suggèrent de plus que SiP est un semi-conducteur à gap indirect dont le gap est de 1,5 eV. Dans le cas des films minces d'oxyde de silicium riches en phosphore, les propriétés structurales et optiques sont étudiées dans une large gamme de concentrations en phosphore. L'intensité de photoluminescence des nanocristaux de Si suit une évolution complexe lorsque la quantité de phosphore augmente. Pour de faibles teneurs en phosphore, celle-ci augmente ce qui est interprété par une augmentation de la densité des nanocristaux et par un effet de passivation par le phosphore des états électroniques localisés à l'interface nanocristaux/matrice. Les mesures de photoluminescence à basses températures ont permis de mettre en évidence un état électronique lié au phosphore situé à 0,6 eV sous la bande de conduction des nanocristaux de Si. Ce résultat montre qu'il est possible d'incorporer des atomes de phosphore électriquement actifs dans des nanocristaux de Si. Pour des teneurs en phosphore supérieures à 0,3 at.%, l'intensité de photoluminescence des nanocristaux de Si diminue puis disparaît totalement. Cela est lié d'une part à la formation de nanocristaux de Si de tailles supérieures au rayon de Bohr de l'exciton dans le Si (i.e. 5 nm) et d'autre part à la formation de nanoparticules de SiP2 cristallisant dans une structure orthorhombique. Pour des teneurs en phosphore supérieures à 3 at.%, seules des nanoparticules de SiP2 sont observées. Les spectroscopies associées à la microscopie électronique en transmission confirment la stœchiométrie du composé SiP2. Les propriétés vibrationnelles sont en excellent accord avec des calculs DFT pour l'alliage SiP2.
Download or read book Contribution l tude de la diffusion des impuret s dopantes dans le silicium written by Pascal Normand and published by . This book was released on 1992 with total page 274 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS UNE PREMIERE PARTIE, CETTE ETUDE TRAITE DES ELEMENTS FONDAMENTAUX UTILES A L'ANALYSE DE LA MIGRATION DES IMPURETES DANS LE SILICIUM. UNE FORMULATION GENERALE DES EQUATIONS DE TRANSPORT DANS LE CAS DU MECANISME LACUNAIRE DE MIGRATION DES IMPURETES DOPANTES EST NOTAMMENT PROPOSEE SUR LA BASE DE LA THEORIE PHENOMENOLOGIQUE DE LA DIFFUSION FONDEE SUR LA THERMODYNAMIQUE DES PROCESSUS IRREVERSIBLES. CES EQUATIONS SONT DISCUTEES A TRAVERS LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT PHENOMENOLOGIQUES EXPLICITES EN TERMES DE CARACTERISTIQUES ELEMENTAIRES (CONCENTRATIONS DE DEFAUTS, INTERACTIONS LACUNE-IMPURETE, ...). LES PROPRIETES (NIVEAU(X), ELECTRIQUE(S), ENERGIE(S) DE LIAISON LACUNE-IMPURETE, ...) DES DEFAUTS PONCTUELS SONT EXHAUSTIVEMENT RAPPORTES. LES DIVERS MODELES STATISTIQUES ET APPROCHES PHENOMENOLOGIQUES PROPOSES DANS LA LITTERATURE POUR UN TEL MECANISME SONT REVUS ET CRITIQUES. LA SECONDE PARTIE DE TRAVAIL TRAITE SUR LE PLAN MACROSCOPIQUE DE LA REDISTRIBUTION, APRES IMPLANTATION, DES IMPURETES DOPANTES, L'ARSENIC ET LE BORE, DANS DES STRUCTURES SILICIUM-SUR-ISOLANT OBTENUES PAR IMPLANTATION D'OXYGENE (SIMOX). SE SITUANT DANS UNE PERIODE D'EVOLUTION DES PROCESSUS DE FABRICATION DE CES STRUCTURES, CETTE ETUDE MET EN EVIDENCE LE ROLE PREPONDERANT TENU PAR LA QUALITE DES FILMS DE SILICIUM SUR LA REDISTRIBUTION DES IMPURETES. UNE TELLE ETUDE, EGALEMENT ENTREPRISE DANS LE SILICIUM MASSIF, EST MENEE SUR LA BASE D'UN PARALLELE D'ANALYSES EXPERIMENTALES PHYSICO-CHIMIQUES, CRISTALLOGRAPHIQUES ET ELECTRIQUES, CECI EN CORRELATION AVEC DIVERS TRAITEMENTS PHENOMENOLOGIQUES DES RESULTATS EXPERIMENTAUX
Download or read book Contribution la mod lisation de la diffusion des dopants en fortes concentrations dans le silicium written by Eric Vandenbossche and published by . This book was released on 1994 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les phenomenes de diffusion des dopants dans le silicium ont une importance grandissante dans les technologies actuelles et futures. En effet, les budgets thermiques diminuent avec les dimensions des dispositifs, et des phenomenes de diffusion transitoire apparaissent lors de la fabrication de jonctions ultra-courtes p#+/n et n#+/p. Ce memoire traite essentiellement des mecanismes de diffusion, bases sur les reactions entre dopants et defauts ponctuels, lesquels sont les interstitiels (atomes de silicium en site interstitiel) et les lacunes (site substitutionnel vacant). La sursaturation des defauts ponctuels, generee au cours des etapes technologiques (bombardements ioniques, oxydations, nitrurations), gouverne la diffusion transitoire des dopants. Un modele general de diffusion des dopants, incluant l'ensemble des mecanismes entre dopants et defauts ponctuels en non-equilibre, constitue la base de cette etude. Ce modele est presente en detail pour l'arsenic, le phosphore et le bore. Trois applications sur la diffusion du bore et du phosphore sont presentees montrant clairement la contribution des defauts ponctuels a la diffusion transitoire de ces dopants observee experimentalement. L'originalite de ce manuscrit consiste en l'etude des phenomenes de diffusion en fortes concentrations, plus precisement appliquee au bore et dans des conditions de preamorphisation. En effet, le bore presente des phenomenes de diffusion anormaux beaucoup plus marques par rapport aux autres dopants. Trois axes d'etudes constituent le traitement presente dans ce memoire: a) modelisation des conditions initiales pour la simulation en terme de concentrations des defauts ponctuels et activation du profil de dopage implante, b) modelisation des effets des boucles de dislocations generees par les etapes d'amorphisation, ces dislocations jouent le role de puit pour les interstitiels, et c) modelisation de la precipitation du bore, par le phenomene de nucleation derive pour la premiere fois dans un modele general de diffusion.
Download or read book CARACTERISATION PHYSICO CHIMIQUE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN POUR PHOTOPILES SOLAIRES written by Abdelhamid Chari and published by . This book was released on 1980 with total page 86 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU MATERIAU TYPE P ENTRE 900 ET 1150**(O)C. PAS DE DIFFUSION INTERGRANULAIRE. MICROSCOPIES ELECTRONIQUES A BALAYAGE
Download or read book Etude des raies d impuret du bore et du phosphore dans le silicium written by Bernard Pajot and published by . This book was released on 1963 with total page 112 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book ETUDE PAR SPECTROMETRIE DE MASSE D IONS SECONDAIRES DES CONTACTS TUNGSTENE SILICIUM ET TUNGSTENE CHROME SILICIUM written by Aali Es-Saadani and published by . This book was released on 1988 with total page 142 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE AU POINT DE L'ANALYSE SIMS, L'ETALONNAGE DE L'APPAREIL ET LA QUANTIFICATION CONTINUE DES MESURES EN CONCENTRATION ET PROFONDEUR A LA TRAVERSEE DE L'INTERFACE; ETUDE DES CONDITIONS DE FABRICATION ET DE LEURS CONSEQUENCES EN FONCTION DE DIVERS PARAMETRES (DEFAUT D'IMPLANTATION, DOPANT, TEMPERATURE...)
Download or read book Analogies silicium phosphore Etude de compos s hexacoordonn s du phosphore Stabilisation d esp ces tr s r actives du silicium et du phosphore written by Moni Oberoi Chauhan and published by . This book was released on 1996 with total page 273 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UNE ETUDE DE L'EXTENSION DE COORDINATION AU NIVEAU DES ATOMES DE PHOSPHORE ET DE SILICIUM A ETE REALISEE GRACE AU LIGAND MONOCHELATANT LE 8-DIMETHYLAMINONAPHTYLE ET AU LIGAND POTENTIELLEMENT BIS-CHELATANT LE 2,6-BIS (DIMETHYLAMINO)METHYLPHENYLE. UNE ETUDE DETAILLEE EN RMN DU #1H A TEMPERATURE VARIABLE A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE UN PHENOMENE D'ISOMERISATION PERMUTATIONNELLE NON-DISSOCIATIF SUR CERTAINS DE CES COMPOSES. LES IONS SILYLIUM ET PHOSPHENIUM QUI SONT DES ESPECES TRES INSTABLES ONT ETE PREPARES ET LEUR NATURE EXACTE A ETE DETERMINE PAR RMN (#3#1P OU #2#9SI, #1#3C) ET SPECTROSCOPIE DE MASSE
Download or read book Effet getter externe par diffusion de phosphore dans du silicium multicristallin written by Isabelle Périchaud and published by . This book was released on 1992 with total page 157 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: IL EST POSSIBLE D'AUGMENTER CONSIDERABLEMENT LES LONGUEURS DE DIFFUSION LN DES PORTEURS MINORITAIRES DANS LE SILICIUM MULTICRISTALLIN POLIX GRACE A L'EFFET GETTER EXTERNE LIE A UNE DIFFUSION SUPERFICIELLE DE PHOSPHORE A PARTIR DE POCL#3 A 900C PENDANT 4 HEURES. DES RESULTATS EQUIVALENTS SONT OBTENUS APRES 4 HEURES A 850C ET HYDROGENATION DU MATERIAU. LES ANALYSES SIMS ET LES CARTOGRAPHIES LBIC INDIQUENT QUE DES IMPURETES METALLIQUES COMME LE FER, LE CUIVRE ET LE NICKEL SONT EXTRAITES DES GRAINS, DES DISLOCATIONS ET DES JOINTS DE GRAINS. DEUX MECANISMES DE CAPTURE DES IMPURETES SONT PROPOSES. LE PREMIER, RAPIDE, RESULTERAIT DE LA CAPTURE DES IMPURETES PAR LES DISLOCATIONS CREEES AUTOUR DES PRECIPITES DE SIP TRES PROCHES DE LA SURFACE OU LA CONCENTRATION EN PHOSPHORE DEPASSE LA SOLUBILITE LIMITE. LE DEUXIEME, PLUS LENT, SERAIT LIE A LA FORMATION D'UN RESEAU DE DISLOCATIONS DU A L'INTRODUCTION D'ATOMES DE PHOSPHORE DE TAILLE DIFFERENTES DANS LE RESEAU DU SILICIUM. L'EFFET DE L'HYDROGENE SE REVELE PLUS ADDITIF QUE COMPLEMENTAIRE. EN EFFET, S'IL PEUT PASSIVER DES LIAISONS PENDANTES INTRINSEQUES OU EXTRINSEQUES, IL DOIT AUSSI NEUTRALISER DES IMPURETES METALLIQUES RESIDUELLES. LE MATERIAU SE COMPORTE, APRES TRAITEMENT, COMME UNE MOSAIQUE DE PETITS CRISTAUX DE TRES BONNE QUALITE, SEPARES PAR DES JOINTS DE GRAINS QUI SERAIENT LES DEFAUTS DOMINANTS
Download or read book DIFFUSION INTERGRANULAIRE DU PHOSPHORE ET DE L ANTIMOINE DANS LE SILICIUM written by Jean-Luc Liotard and published by . This book was released on 1982 with total page 100 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE EN EVIDENCE DE L'IMPORTANCE DU FACTEUR CRISTALLOGRAPHIQUE DANS LA DIFFUSION, LES IMPURETES NE JOUANT QU'UN ROLE SECONDAIRE: LA DIFFUSION INTERGRANULAIRE EST IMPORTANTE DANS LES JOINTS DE MACLE DE FAIBLE DESORIENTATION. D'AUTRE PART, LA PRESENCE DE JOINTS DE GRAINS EST ACCOMPAGNEE PAR UNE REDISTRIBUTION HETEROGENE DES IMPURETES DOPANTES AU VOISINAGE DES JOINTS
Download or read book Le Golfe Du Saint Laurent petit Oc an Ou Grand Estuaire written by Canada. Department of Fisheries and Oceans and published by Peches Et Oceans Direction Generale Des Communications = Fisheries and Oceans Communications Dir. This book was released on 1991 with total page 376 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Proceedings of a workshop, the scientific reviews and the contributed papers presented at the symposium. The document presents a brief historical summary of marine research in the Gulf; reports the discussions, conclusions and recommendations of the different working groups on oceanography (physics, biology, chemistry and sedimentology) and on the fishery (fish and invertebrates); then presents the discussions of each multidisciplinary working group, centered around how the St. Lawrence system may be used as a natural laboratory which will contribute to the solution of major long-term problems of conservation of natural resources and of the quality of the environment.
Download or read book Geology of Sedimentary Phosphates written by Maurice Slansky and published by . This book was released on 1986 with total page 224 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Analytical Methods in the Nuclear Fuel Cycle written by and published by . This book was released on 1972 with total page 610 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
