Download or read book Etude des caract ristiques cristallographiques et lectriques des d fauts tendus dans les couches de silicium polycristallin obtenues par la m thode R A D written by Catherine Texier and published by . This book was released on 1980 with total page 194 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES COUCHES OBTENUES SONT FORMEES DE GRAINS DE GRANDES DIMENSIONS ALLONGES DANS LE SENS DU GRADIENT THERMIQUE. EXISTENCE DE JOINTS DE GRAINS, DE MACLES ET DE DISLOCATIONS A L'INTERIEUR DES GRAINS QUI SONT AUTANT DE CENTRES DE RECOMBINAISONS POSSIBLES. CARACTERISATION DES CELLULES SOLAIRES REALISEES A PARTIR DE CES COUCHES: TENSION DE CIRCUIT OUVERT V::(CO), FACTEUR DE FORME FF ET PHOTOCOURANT IPH. ETUDE QUALITATIVE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE EN MODE COURANT INDUIT, DES DEFAUTS ELECTRIQUES DES COUCHES PAR LEUR CONTRASTE. MESURE DES LONGUEURS DE DIFFUSION ET VITESSE DE RECOMBINAISON REDUITE SUR LES DEFAUTS S::(F)
Download or read book ETUDE DE LA CROISSANCE CRISTALLINE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN EN RUBAN DESTINE A LA FABRICATION DES PHOTOPILES written by ALLAOUA.. CHIBANI and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST RELATIF PLUS PARTICULIEREMENT A L'ETUDE CRISTALLOGRAPHIQUE DES RUBANS DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ELABORES PAR LA METHODE EPR (ELECTRON POUDRE RUBAN). LES CONDITIONS DE CROISSANCE DE CES RUBANS CONDUISENT A DES STRUCTURES DE GRAINS ET DE JOINTS DE GRAINS PRESENTANT UN TAUX DE DEFAUTS PLUS OU MOINS ELEVE; LES DEFAUTS INTRAGRANULAIRES SONT CONSTITUES DE DISLOCATIONS ET DE MICROMACLES: LA DENSITE DE DISLOCATIONS VARIE DE 10#+#4 A 10#+#7/CM#2. LES DEFAUTS INTERGRANULAIRES SONT, LE PLUS SOUVENT, DES DISLOCATIONS ET DES DEFAUTS D'EMPILEMENT. L'ETUDE DE TEXTURE FAITE PAR DIFFRACTION X MONTRE QUE LA METHODE DE TIRAGE INDUIT UNE CRISTALLISATION NON ISOTROPE DES LE PREMIER PASSAGE DE LA ZONE FONDUE. SUR LES PRERUBANS, LES ORIENTATIONS (110) ET (331) APPARAISSENT MAJORITAIRES, CE QUI SE CONFIRME APRES LE SECOND PASSAGE DE LA ZONE FONDUE. CETTE ANALYSE COMPLETEE PAR UNE ETUDE ECP SUR LES GRAINS DE PLUS GRANDES DIMENSIONS MONTRE, POUR CES DERNIERS, UNE DOMINANTE D'ORIENTATION (111). L'UTILISATION D'UN GERME INITIAL DE CROISSANCE DE TAILLE (111) FAVORISE LE GROSSISSEMENT DE GRAINS POSSEDANT CETTE ORIENTATION TOUT EN AUGMENTANT LEUR NOMBRE. LES CARACTERISATIONS CRISTALLOGRAPHIQUE ET ELECTRIQUE RESPECTIVEMENT PAR M.E.T. ET EBIC-LBIC MONTRENT QUE LES JOINTS DE GRAINS SONT EN POSITION DE MACLES; LES UNS, AU CENTRE, CONSTITUES PAR DES INTERFACES A INDICES DE COINCIDENCE EXACTS CONDUISENT A UNE DIMINUTION DE 25% DU PHOTOCOURANT A LEUR NIVEAU, LES AUTRES, SUR LE BORD A INDICES CRISTALLOGRAPHIQUES NON DEFINIS, SONT PLUS ACTIFS PROVOQUANT UNE DIMINUTION DE 62% DU PHOTOCOURANT AVEC UNE VITESSE DE RECOMBINAISON A LEUR NIVEAU DE L'ORDRE DE 10#+#4 CM/S. LA LONGUEUR DE DIFFUSION RESTE COMPRISE ENTRE 18 ET 35 M. ENFIN, L'ANALYSE SIMS INDIQUE DES CONCENTRATIONS ELEVEES DE CARBONE ET D'OXYGENE REPARTIES DE 10#1#7 ET 10#1#8/CM#3 EN VOLUME
Download or read book ETUDE DE LA CRISTALLISATION DE SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR PYROLYSE DE DISILANE PAR LPCVD DANS DES CONDITIONS ULTRA PURES APPLICATION A LA REALISATION DE TRANSISTORS MOS EN COUCHE MINCES written by Thierry Kretz (ingénieur en nanotechnologies).) and published by . This book was released on 1993 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST D'ELABORER DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN A GROS GRAINS, A PARTIR DE COUCHES AMORPHES DE HAUTE PURETE REALISEES DANS UN REACTEUR DE TYPE UHVCVD ET CRISTALLISEES THERMIQUEMENT EN PHASE SOLIDE. LES MATERIAUX AMORPHES ELABORES A PARTIR DU GAZ DISILANE, DECOMPOSE A DES TEMPERATURES VARIANT DE 460 A 540C, SONT COMPARES AUX DEPOTS A BASE DE GAZ SILANE OBTENUS PAR PYROLYSE A 550C. LES ANALYSES SIMS REVELENT QUE LES CONCENTRATIONS EN OXYGENE ET EN CARBONE DANS CES DEPOTS SONT DE PLUS DE DEUX ORDRES DE GRANDEUR INFERIEURES A CELLES RAPPORTEES DANS LA LITTERATURE POUR DES DEPOTS LPCVD. PAR SPECTROMETRIE RAMAN, NOUS MONTRONS QUE POUR UNE VITESSE DE DEPOT IDENTIQUE, LE SILICIUM AMORPHE REALISE A PARTIR DU GAZ DISILANE PRESENTE UN DEGRE DE DESORDRE STRUCTURAL SUPERIEUR AU SILICIUM AMORPHE GENERE PAR LE GAZ SILANE. LA CRISTALLISATION EN PHASE SOLIDE DES COUCHES AMORPHES DE HAUTE PURETE EST ENSUITE ETUDIEE. L'EVOLUTION DE LA TEXTURE 111 DES COUCHES POLYCRISTALLINES EN FONCTION DES CONDITIONS DE DEPOT EST DETERMINEE PAR DIFFRACTION DE RAYONS X DANS LA CONFIGURATION (-2). UNE METHODE DE SUIVI IN SITU (DANS LE FOUR DE RECUIT) DE L'EVOLUTION DE LA CONDUCTANCE DES COUCHES, EN FONCTION DE LA DUREE DE RECUIT, COMBINEE AVEC DES OBSERVATIONS EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE LA VARIATION DE LA TAILLE DES GRAINS, POUR DIFFERENTES TEMPERATURES DE CRISTALLISATION, NOUS PERMET DE REMONTER AUX ENERGIES D'ACTIVATION DU TAUX DE NUCLEATION, E#N, ET DE LA VITESSE DE CROISSANCE, E#G, DES CRISTALLITES. LES VALEURS DE E#N ET E#G SONT EN BONNE CORRELATION AVEC LA DIFFERENCE DE TAILLE DE GRAINS (PLUS D'UN ORDRE DE GRANDEUR) OBSERVEE ENTRE LES COUCHES A BASE DE SILANE ET CELLES A BASE DE DISILANE. FINALEMENT NOUS MONTRONS QUE L'UTILISATION DU GAZ DISILANE PERMET D'AMELIORER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES (MOBILITE, TENSION DE SEUIL, PENTE SOUS LE SEUIL) DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN
Download or read book INFLUENCE DU CARBONE SUR LES DEFAUTS STRUCTURAUX ET SUR L ACTIVITE ELECTRIQUE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN HEM written by Cécil Cabanel and published by . This book was released on 1987 with total page 152 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE CHIMIQUE, MICROSCOPIQUE ET ELECTRIQUE DES DIFFERENTS TYPES DE PRECIPITATION DU CARBONE DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN. MISE EN EVIDENCE DE DEUX TYPES DE PRECIPITATION. POUR MONTRER QUE L'ACTIVITE ELECTRIQUE DES DEFAUTS CRISTALLINS EST ESSENTIELLEMENT LIEE A LA PRESENCE D'IMPURETES, UNE NOUVELLE METHODE A ETE ELABOREE QUI PRESENTE UNE RESOLUTION SPATIALE DU SIGNAL MEILLEURE QUE L'EBIC. L'ENSEMBLE DE CES ETUDE A PERMIS DE CONCLURE SUR L'INFLUENCE DU CARBONE SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DU MATERIAU
Download or read book Contribution l tude des propri t s lectriques et cristallographiques de l oxyde de silicium en couches minces written by Jacques Pivot and published by . This book was released on 1969 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book ETUDE STRUCTURALE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN DESTINE A LA FABRICATION DE PHOTOPILES SOLAIRES written by Jean-François Silvain and published by . This book was released on 1984 with total page 118 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES EFFETS DES SOUS-JOINTS PRESENTS DANS LES CELLULES SOLAIRES A SILICIUM POLYCRISTALLIN PAR ETUDE DES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DE MINI-CELLULES CONTENANT CE TYPE DE DEFAUTS ET PAR UNE ETUDE PAR MET ET EBIC POUR CORRELER L'ACTIVITE ELECTRIQUE ET CRISTALLOGRAPHIE DES SOUS -JOINTS
Download or read book Etude de la restructuration de couches de silicium desordonne par implantation ionique Effet du recuit thermique sur les proprietes electriques et structurales written by Jumana Boussey and published by . This book was released on 1990 with total page 157 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX MECANISMES DE RESTRUCTURATION DE COUCHES DE SILICIUM FORTEMENT ENDOMMAGEES PAR L'IMPLANTATION A L'ARSENIC. LES ECHANTILLONS CARACTERISES ONT ETE ELABORES A PARTIR D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM 100 DE TYPE P BOMBARDE, A LA TEMPERATURE AMBIANTE, AVEC UN FAISCEAU D'IONS D'ARSENIC ACCELERE A 200 KEV. EN FAISANT VARIER LA DOSE D'IMPLANTATION, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE, A L'AIDE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, LA TRANSITION CRISTAL-AMORPHE LORSQUE LA DOSE D'IMPLANTATION EST SUPERIEURE A LA DOSE CRITIQUE D'AMORPHISATION. LA COMBINAISON DE PLUSIEURS METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUES ET PHYSIQUES NOUS A PERMIS D'ETUDIER L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE POST-IMPLANTATION SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET STRUCTURALES DE CE MATERIAU. LA CORRELATION DES RESULTATS ISSUS DE CES DIFFERENTES METHODES A RENDU POSSIBLE LA MISE EN EVIDENCE D'UN PHENOMENE D'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES APRES RECUIT A BASSE TEMPERATURE INTERVENANT INDEPENDAMMENT DE LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE. L'ANALYSE DETAILLEE DE CE PHENOMENE A DEMONTRE QU'IL SE PRODUIT PAR UN PROCESSUS DE RELAXATION LOCALE CARACTERISEE PAR UNE FAIBLE ENERGIE D'ACTIVATION. L'ETUDE DE L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE SUR LES PROPRIETES STRUCTURALES DES COUCHES DE SILICIUM DESORDONNE A PERMIS DE CONCLURE QUE LA MIGRATION DES DEFAUTS PONCTUELS ET DE LEURS COMPLEXES EST A L'ORIGINE DE LA RELAXATION LOCALE
Download or read book ETUDE COMPAREE DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE EN VUE D APPLICATIONS PIEZORESISTIVES written by Martine Le Berre and published by . This book was released on 1994 with total page 128 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE TRAVAIL ETAIT DE COMPARER LES PROPRIETES STRUCTURALES, ELECTRIQUES ET PIEZORESISTIVES DE DIFFERENTES STRUCTURES DE TYPE SOI (SILICON ON INSULATOR), D'EVALUER DANS QUELLE MESURE LES CONDITIONS D'ELABORATION ET LES TRAITEMENTS DE RECUITS ULTERIEURS INFLUAIENT SUR CES DIVERSES PROPRIETES, ET ENFIN DE MODELISER LA PIEZORESISTIVITE DE CE MATERIAU. L'EMPLOI DE TOUTE UNE SERIE DE MOYENS DE CARACTERISATION TELS QUE LA DIFFRACTION DES RAYONS X SOUS INCIDENCE RASANTE, LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION, LE RAMAN, LA REFLECTIVITE IR, LA SPECTROMETRIE DE MASSE D'IONS SECONDAIRES (SIMS), LES MESURES PAR EFFET HALL ET LA MESURE DU FACTEUR DE JAUGE, NOUS A PERMIS DE CARACTERISER DES COUCHES LPCVD ET PECVD. POUR LES COUCHES LPCVD DEPOSEES POLYCRISTALLINES PUIS RECUITES PAR VOIE CONVENTIONNELLE OU PAR RECUIT RAPIDE, LES FACTEURS DE JAUGE SONT COMPRIS ENTRE 25 ET 40. LES PROPRIETES ELECTRIQUES SONT LEGEREMENT AMELIOREES PAR LE RECUIT RAPIDE. LES COUCHES PECVD DEPOSEES AMORPHES PUIS RECUITES PRESENTENT DES PROPRIETES ELECTRIQUES SENSIBLEMENT AMELIOREES PAR RAPPORT AUX COUCHES LPCVD (RESISTIVITE, DENSITE DE PIEGES). LES FACTEURS DE JAUGE RESTENT CEPENDANT INFERIEURS (20-27) EN LIAISON AVEC LA PLUS FAIBLE TAILLE DE GRAIN. LES COUCHES DIRECTEMENT DEPOSEES MICROCRISTALLINES PEUVENT AVOIR DES FACTEURS DE JAUGE ATTEIGNANT 28 A CONDITION DE PRESENTER UNE TEXTURE FAVORABLE. AU MOYEN D'HYPOTHESES DE CONTRAINTES OU DE DEFORMATIONS CONSTANTES, UNE MODELISATION ORIGINALE DE LA PIEZORESISTIVITE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN A ETE REALISEE ET A PERMIS UNE COMPARAISON JUSQU'ICI IMPOSSIBLE. ON CONSTATE QUE LES FACTEURS DE JAUGE CALCULES DANS L'HYPOTHESE DE CONTRAINTES CONSTANTES SONT SYSTEMATIQUEMENT INFERIEURS A CEUX CALCULES DANS L'HYPOTHESE DE DEFORMATIONS CONSTANTS. POUR LE CALCUL DES ELEMENTS DE TENSEURS MOYENNES, NOUS SOMMES PARVENUS, GRACE AUX PROPRIETES DES TENSEURS D'ORDRE 4, A DES EXPRESSIONS EXTREMEMENT SIMPLIFIEES. ENFIN, ON NOTE UN BON ACCORD ENTRE LES VALEURS MODELISEES DU FACTEUR DE JAUGE ET LES VALEURS EXPERIMENTALES
