Download or read book ETUDE DE LA REALISATION DE FILMS MINCES MONOCRISTALLINS DE CARBURE DE SILICIUM SUR ISOLANT SICOI PAR ADAPTATION DU PROCEDE IMPROVE written by YANNICK.. LE TIEC and published by . This book was released on 1998 with total page 210 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE MATERIAU SIC PRESENTE DES AVANTAGES POUR REALISER DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES DE PUISSANCE, FONCTIONNANT EN HYPERFREQUENCE OU ENCORE POUR DES DISPOSITIFS OPERANT A HAUTE TEMPERATURE. L'UTILISATION DE CE MATERIAU EST LIMITEE PAR LE PRIX ELEVE ET LA FAIBLE TAILLE DES SUBSTRATS. UNE SOLUTION EST DE REPORTER UN FILM MINCE DE SIC SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM. POUR CELA, NOUS AVONS ADAPTE AU SIC LE PROCEDE IMPROVE DEVELOPPE POUR REALISER DES STRUCTURES SOI (SILICIUM SUR ISOLANT). LES ETAPES CLEFS DU PROCEDE, L'IMPLANTATION D'IONS HYDROGENE, LE COLLAGE PAR ADHESION MOLECULAIRE DE DEUX OXYDES SIO#2 ET LE RECUIT POUR TRANSFERER UNE COUCHE MINCE, ONT ETE ETUDIEES ET OPTIMISEES POUR REALISER UN MATERIAU SIC SUR ISOLANT (SICOI). UNE NOUVELLE APPROCHE CONCERNANT LA DIFFUSION DE L'HYDROGENE A HAUTE TEMPERATURE EST PROPOSEE ; ELLE PREND EN COMPTE LA CO-EXISTENCE DANS LE MATERIAU D'ESPECES H#+, H#0 ET H#, LES SITES CRISTALLINS PREFERENTIELS D'INSERTION DE L'HYDROGENE AINSI QUE LE ROLE DU DOPAGE ET DU POLYTYPE DU SIC UTILISE. PAR AILLEURS, LE MECANISME DE COLLAGE SIO#2/SIO#2 EST PRECISE. NOUS AVONS REALISE DES FILMS MINCES MONOCRISTALLINS DE SIC, D'EPAISSEURS VARIABLES, A PARTIR DES POLYTYPES SIC6H, 4H ET 3C SUR DES SUPPORTS SILICIUM OU CARBURE DE SILICIUM. LE MATERIAU FINI A ETE CARACTERISE PAR DES TECHNIQUES PHYSICO-CHIMIQUES, OPTIQUES ET ELECTRIQUES.

Download or read book Etude du comportement lectrique des films minces de carbure de silicium report s par le proc d IMPROVE sur isolant SiCOI written by Elsa Hugonnard-Bruyère and published by . This book was released on 1999 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude porte sur l'analyse du comportement électrique de films minces de carbure de silicium reportés sur isolant (SiCOI) par le procédé IMPROVE (Implanted PROton Void Engineering). Dans un premier temps, nous présentons les propriétés du SiC et des structures SiCOI. Le SiC a des applications dans les domaines de la puissance, de l'hyperfréquence et des hautes températures, là où les semi-conducteurs traditionels, le Si et l'AsGa, trouvent leurs limites. Actuellement le fort coût des substrats de SiC (15 000 à 30 000F suivant la nature) et leur dimension réduite (50 mm) limitent la technologie de ce matériau. L'enjeu de l'application du procédé IMPROVE sur SiC est donc primordial car cette technique permet de réaliser des " pseudosubstrat " de carbure de silicium à faible coût et de grandes dimensions. Néanmoins, après transfert, les films de SiC sont très résistifs ce qui empêche tout réalisation de dispositifs directement dans le film transféré. Dans le deuxième chapitre, nous décrivons les techniques de caractérisation utilisées et faisons un état des défauts observés dans le SiC. Dans le troisième chapitre, nous montrons que la compensation est due aux défauts générés par l'implantation de protons nécessaire au procédé de transfert. Nous analysons la nature de ces défauts par des techniques de photoluminescence, de transitoires de capacité (DLTS) et de résonance paramagnétique électronique (RPE) ce qui nous permet de comprendre leur évolution avec la température des bilans thermiques post-implantation. Enfin, dans le dernier chapitre, la compensation introduite par un procédé de fabrication donné est précisément déterminée par des mesures d'effet Hall et de RPE. Nous quantifions l'influence de plusieurs paramètres de fabrication sur l'activité électrique des couches. L'optimisation du procédé permet ainsi de diminuer la compensation du film de SiC à quelques 10 exposant 16 cm-3 ce qui rend possible son utilisation en tant que couche active dans les dispositifs électroniques. Cette compensation serait corrélée à la présence d'un défaut très stable en température situé à 0,65eV de la bande de conduction.

Download or read book Cold Plasma Deposition of Organosilicon Films with Different Monomers in a Dielectric barrier Discharge written by Sara Lovascio and published by . This book was released on 2010 with total page 115 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse porte sur une étude fondamentale sur le dépôt des couches minces d’organosiliciés par des Décharges à Barrière Diélectrique (DBD), un procédé très intéressant pour l’application aux textiles. La plupart des dépôts des couches d’oxyde de silicium sont déposées à partir du précurseur hexaméthyle silixone (HMDSO).De plus très peu d’études sont consacrées aux mécanismes de dépôt des couches à la pression atmosphérique. Dans cette étude les propriétés des couches minces déposées par DBD alimentées par Ar/HMDSO/O2, Ar/PMDSO (pentaméthyldisiloxane)/O2 et Ar/TMDSO (tetraméthyldisiloxane)/O2, avec différentes proportions de l’oxygène, ont été confrontées aux analyses, par GC-MS, des gaz sortant du réacteur. Nous avons trouvé que l’ajout d’O2 au gaz d’alimentation n’améliore pas l’activation du précurseur organosilicié, même s’il augmente la puissance injectée. En revanche il influence fortement la composition chimique des dépôts et favorise une forte réduction de la concentration des sous-produits dans le gaz sortant du réacteur. Sans ajout de l’O2, des couches minces obtenues contiennent beaucoup de carbone , avec rétention de la structure du précurseur de départ. En réduisant le nombre de –CH3 dans le précurseur (HMDSO>PMDSO>TMDSO), le nombre et l’abondance des sous-produits détectés dans le gaz sortant du réacteur diminuent fortement. Il semblerait que les unités de répétition diméthylsiloxane et hydrométhylsiloxane jouent un rôle important dans l’oligomérisation des trois précurseurs. Différents mécanismes d’activation, ainsi que différents procédés de formation des groupes Si-OH dans les dépôts, ont été proposés pour les trois précurseurs.

Download or read book Isolants pour carbure de silicium SiC written by Céline Bondoux and published by . This book was released on 2004 with total page 163 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'étude s'inscrit dans le cadre de l'intégration de composants électroniques sur plaquette de carbure de silicium (SiC) dédiés à la micro-électronique de puissance. La problématique se pose au niveau de l'isolation inter-composants : elle ne peut être assurée par les isolants (SiO2, Si3N4) classiquement utilisés sur silicium, notamment pour des raisons de tenue au champ électrique. Parmi les matériaux candidats, les propriétés intrinsèques de l'oxyde de magnésium (MgO) en font un matériau de choix pour remplir la fonction d'isolation sur SiC. Le procédé sol-gel a été sélectionné pour élaborer les films de MgO. Différentes formulations chimiques ont permis de préparer des films de MgO avec des états de cristallisation variés. Il est montré que les performances isolantes (courants de fuite et la rigidité diélectrique) sont liées au mode de préparation du film et les résultats de caractérisation ont permis de sélectionner la voie de synthèse produisant les meilleures propriétés isolantes.

Download or read book Etude de films minces de CuInS2 CuIn1 xGaxS2 et Cu2ZnSnS4 labor s par voie sol gel destin s aux applications photovolta ques written by Yoan Bourlier and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de recherche porte sur l'élaboration et la caractérisation de films minces photo-absorbants de CuInS2, CuIn1-xGaxS2, et de Cu2ZnSnS4 destinés aux applications photovoltaïques. Les films minces ont été préparés par voie sol-gel puis déposés par enduction centrifuge sur substrat de silicium ou de verre. Les sols, formés à partir d'acétates métalliques et d'alcanolamines, ont été étudiés par spectroscopie IR, viscosimétrie et ATD-ATG. Les paramètres de dépôts des sols, et les traitements de calcination, ont ensuite été optimisés. Des films d'oxydes multi-couches, sans fissuration, et de faibles rugosités ont ainsi été élaborés. Une dernière étape de sulfuration des films d'oxydes a été effectuée afin de former les composés souhaités. Les films sulfurés ont fait l'objet d'une étude approfondie par DRX, EDX, MEB, AFM, spectroscopie UV-VIS-nIR et mesures par effet Hall. Leurs structures, leurs morphologies, mais aussi leurs propriétés optiques et électriques ont ainsi pu être étudiées. L'interface des films de CuInS2 avec le film de Mo, utilisé comme contact ohmique arrière de la cellule solaire, a également été étudiée par micro-EDX à l'aide d'analyses MET. Les résultats obtenus montrent que le procédé sol-gel, bien que très peu développé dans le domaine des cellules photovoltaïques, est une voie de synthèse bien adaptée à l'élaboration de films minces à structure chalcopyrite et kësterite. Ces résultats sont très prometteurs pour la réalisation d'une cellule solaire par voie sol-gel.

Download or read book Synth se et propri t s de films minces de carbure de silicium written by Mohammed Zaytouni and published by . This book was released on 1994 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE TRAVAIL A ETE LA SYNTHESE ET L'ETUDE DES PROPRIETES MECANIQUES SUPERFICIELLES DES COUCHES MINCES DE CARBURE DE SILICIUM ELABOREES PAR MELANGE IONIQUE DYNAMIQUE. DANS UN PREMIER TEMPS NOUS AVONS EXAMINE L'INFLUENCE DU MELANGE IONIQUE ET DE LA TEMPERATURE DU DEPOT SUR LA MICROSTRUCTURE DES REVETEMENTS DE SIC. DANS UN DEUXIEME TEMPS NOUS AVONS ETUDIE LES PROPRIETES MECANIQUES (USURE, DURETE ET ADHERENCE) D'UNE COUCHE DE 0,5 M D'EPAISSEUR DEPOSEE SUR UN SUBSTRAT DE TA6V. FINALEMENT, NOUS AVONS DEMONTRE LA POSSIBILITE DE FORMATION DE B-SIC A 800C PAR MELANGE IONIQUE DES MULTICOUCHES DE SI/C

Download or read book Elaboration et caract risation de films minces de Ta2 O5 pour la r alisation de structures capacitives int gr es sur silicium written by Sandrine Four and published by . This book was released on 2000 with total page 174 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux présentés dans ce manuscrit s'insèrent dans le cadre des recherches sur les matériaux "high-k", c'est-à-dire à forte permitivité. Ils concernent plus précisément l'élaboration et la caractérisation de couches minces d'oxyde de tantale (Ta2 O5) en vue de réaliser des structures capacitives intégrées sur silicium. Dans un premier temps nous proposons une brève synthèse bibliographique. Celle-ci expose les caractéristiques des principales méthodes de préparation de l'oxyde, les effets de différents traitements avant et après dépôt ainsi que les études réalisées sur les structures Métal/Isolant/Métal (MIM). Nous présentons ensuite les outils de caractérisation physiques et électriques utilisés au cours de cette étude. Puis nos résultats sont développés en deux grandes parties. La première concerne la faisabilité de couches minces de Ta2 O5 par méthode CVD assistée par plasma (ECR-PECVD) en vue d'applications microélectroniques. Les dépôts ont été effectués à partir d'un précurseur non carboné (TaF5). Différentes caractérisations, notamment physiques, ont été réalisées afin de connaître les propriétés de l'oxyde (permittivité, stoechiométrie, densité, taux d'impuretés,...). Elles révèlent la présence de fluor qui ne semble pas détériorer les propriétés électriques des films. Dans la deuxième partie, les oxydes ont été réalisés par ECR-PECVD (source organométallique), dans une machine industrielle que nous avons calibrée en effectuant des dépôts sur silicium. Ensuite, nous avons étudié l'influence du procédé de dépôt et de l'électrode supérieure sur les propriétés électriques des capacités MIM. Il s'ávère qu'une phase de préchauffage sous oxygène est nécessaire pour que l'adhérence de la couche d'oxyde sur le substrat soit suffisante. Les résultats obtenus avec une électrode supérieure en TiN sont prometteurs pour une éventuelle application industrielle des capacités intermétalliques (non-linéarité et courant de fuite plus faibles qu'avec l'aluminium).

Download or read book Elaboration and characterisation of vitreous thin films doped with semiconductor nanoparticles anglais written by Quang Vinh Lam and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail concerne la recherche de nouvelles solutions pour l'optique non-linéaire intégrée. Les verres dopés par des nanoparticules semi-conductrices constituent un exemple de matériaux dont les potentialités en optique non-linéaIre sont depuis longtemps reconnues, quoique non encore exploitées. Les effets dus au confinement confèrent aux nanoparticules des propriétés physiques spécifiques par rapport à celles de la phase massive. Le mouvement des porteurs de charge dans une nanoparticule étant limité par le volume, l'énergie cinétique devient discrète et les niveaux s'écartent les uns des autres. C'est cette propriété de discrétisation des niveaux, associée à l'élargIssement du gap semi-conducteur, qui peut être exploitée en optique non-linéaire. Afin de conférer à ces guides d'onde des propriétés optiques non-linéaires, nous avons dopé le sol de TiO2 avec des nanoparticules de CdS ou de PbS produits par la méthode colloïdale des ligands de surface. Nous avons optimisé les paramètres de synthèse de couches minces sol-gel de TiO2 optiquement guidantes, non dopées et dopées avec des nanoparticules de CdS ou de PbS. Les films minces recuits à 100 ou 200°C sont homogènes, exempts de craquelures mais guident la lumière avec une forte atténuation (1 à 1,5 dB/cm). En solution, les nanocristaux produits par une méthode colloïdale présentent une distribution de taille étroite avec un diamètre moyen contrôlé entre 3 et 6 nm. Nous avons observé le ralentissement de leur croissance par la matrice TiO2 et une stabilisation de la solution. L'indice non-linéaire n2 des solutions, mesuré par technique Z-scan, vaut environ -2x10-18 m2/W, valeur comparable à celles reportées dans la littérature. Pour un film TiO2 dopé CdS (30%) et traité à 500°C, l'absorption induite mesurée ([beta] = 16x10-7m/W) est de plusieurs ordres de grandeur supérieure à celle du cristal massif, ce qui est relié aux nombreux niveaux de défauts. Par la technique de pulvérisation radiofréquence, nous avons déposé des nanoparticules d'InSb dans des couches minces de silice et utilisé 2 types de protocole pour leur traitement thermique. Les mesures de non-linéarité on révélé un coefficient d'absorption induite [beta] également bien supérieur à celui d'lnSb massif. On a mis en évidence l'influence du régime continu ou lmpulsionnel des lasers sur les propriétés du matériau.

Download or read book ETUDE THERMODYNAMIQUE ET STRUCTURALE DE LA FORMATION DES DEPOTS MINCES ISOLANTS SUR SILICIUM POUR LA MICROELECTRONIQUE APPLICATION AU SYSTEME NH 3 SILICIUM MONOCRISTALLIN written by KHALID.. CHAFIK and published by . This book was released on 1994 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES DEPOTS MINCES ISOLANTS SUR SILICIUM OCCUPENT UNE PLACE ESSENTIELLE DANS LA MISE AU POINT DES STRUCTURES (EN PARTICULIER DES MEMOIRES) UTILISEES EN MICRO-ELECTRONIQUE SUR SILICIUM. DEPUIS LE TOUT DEBUT DE L'ETUDE DES COUCHES MINCES ISOLANTES SUR SILICIUM, PLUSIEURS AUTEURS ONT PORTE LEUR ATTENTION SUR LES REACTIONS CHIMIQUES QUI POUVAIENT SE PRODUIRE PENDANT LA FORMATION DE L'ISOLANT. GENERALEMENT, CES ETUDES ONT UTILISE DES MODELES ASSEZ ELOIGNES DE LA REALITE CHIMIQUE, ET LES PHENOMENES DE CROISSANCE DE CES COUCHES ISOLANTES RESTENT ENCORE MAL EXPLIQUES. NOUS AVONS DONC DECIDE D'ABORDER LA FORMATION DE FILMS MINCES ISOLANTS DU POINT DE VUE DE LA REACTION CHIMIQUE ET NOUS AVONS DEVELOPPE UNE APPROCHE THERMODYNAMIQUE ET STRUCTURALE DU PROBLEME. ETANT DONNE LE GRAND NOMBRE DE REACTIFS CHIMIQUES POUVANT ETRE UTILISES POUR DEPOSER DES COUCHES MINCES ISOLANTES SUR SILICIUM, NOUS AVONS INITIALEMENT LIMITE NOTRE ETUDE A LA FORMATION DE NITRURE(S) DE SILICIUM SUR DU SILICIUM MONOCRISTALLIN (100)-(21) EN UTILISANT L'AMMONIAC NH#3 COMME GAZ NITRURANT. NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE DE SURFACE TENANT COMPTE A LA FOIS DE CONSIDERATIONS CRISTALLOGRAPHIQUES ET DE CALCULS DE THERMODYNAMIQUE CLASSIQUE. LE MODELE MONTRE QUE LA SURFACE DE SILICIUM EST FORTEMENT MODIFIEE, NON SEULEMENT SUR LE PREMIER PLAN, MAIS AUSSI EN PROFONDEUR: DEUX PLANS DE SILICIUM CONTIENNENT DE L'AZOTE. LE MODELE EST EN TRES BON ACCORD AVEC CE QUI A ETE OBSERVE EXPERIMENTALEMENT DANS LA LITTERATURE. IL MONTRE AUSSI QUE LA CROISSANCE DU NITRURE NE PEUT PAS ETRE HOMOGENE ET QU'AINSI, LE MODELE DE PRIGOGINE NE PEUT PAS S'APPLIQUER. NOUS AVONS REPRIS ET AMELIORER LE MODELE EN UTILISANT DES PROGRAMMES DE CALCULS D'EVENTUALITE DE REACTIONS CHIMIQUES PAR MINIMISATION DE L'ENTHALPIE LIBRE. CES CALCULS CONFIRMENT LES RESULTATS INITIAUX. ILS APPORTENT DES PRECISIONS QUANT AUX ESPECES FORMEES A HAUTES TEMPERATURES. LA VALIDITE DES MODELES ALLIANT ETUDES STRUCTURALES ET THERMODYNAMIQUES CLASSIQUES EST DISCUTEE

Download or read book Etude des propri t s lectriques d un mat riau polyimide haute temp rature written by Samir Zelmat and published by . This book was released on 2006 with total page 142 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de cette étude est d'évaluer les potentialités du polyimide pour la passivation des composants de puissance en carbure de silicium (SiC), laquelle sera soumise à des températures et des champs électriques nettement supérieurs à ceux rencontrés dans l'environnement des puces en silicium (jusqu'à 350°C et 3 MV/cm respectivement). Pour quantifier les propriétés ‘intrinsèques' du polyimide, des caractérisations électriques ont été réalisées dans une gamme de température étendue jusqu'à 260 °C, sur des structures MIM (Métal Isolant Métal), avec des films de polyimide élaborés selon le procédé de fabrication standard préconisé par le fabricant. Les résultats ont montré de bonnes propriétés électriques à température ambiante et jusqu'à 180 °C. Cependant, des valeurs de facteur de pertes et de permittivité diélectrique trop élevées pour satisfaire l'application visée ont été montrées au-delà de 180°C. Une amélioration des propriétés diélectriques et d'isolation a été cependant observée après la réalisation d'un traitement thermique additionnel, dans lequel les échantillons sont exposés longuement à des températures élevées, indiquant que la stabilité des propriétés du matériau n'est pas atteinte à l'issue du recuit d'imidisation du film polyimide. L'analyse des caractérisations électriques et physico-chimiques montrent que cette instabilité est liée à l'évolution du taux d'imidisation de l'acide polyamique en polyimide, et de la concentration d'impuretés résiduelles (eau, solvant) lesquels dépendent des paramètres (durée, température) du recuit final d'élaboration du polyimide. Cette étude a permis de mettre en évidence la nécessité d'optimiser le recuit d'imidisation du procédé d'élaboration du film de polyimide afin d'obtenir des propriétés électriques adaptées au cahier des charges de l'application visée, dans une gamme de température étendue jusqu'à 350 °C.

Download or read book Structure and Relaxation of Thin Glass Forming Polymer Films written by Simone Peter and published by . This book was released on 2007 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nous avons utilisé des simulations de dynamique moléculaire pour étudier des films ultra-fins de polymères, à l'aide d'un modèle coarse-grained. Nous avons analysé la dynamique au sein du film, aussi bien en moyenne que par couches en fonction de la distance à la surface. Nous avons déterminé la température de transition vitreuse Tg au cours de refroidissements. Il ressort de ces études que la dynamique est accélérée dans les couches minces par rapport à la situation du fondu en volume, et Tg diminue. Des films de polymères en solution ont également été étudiés en présence d'un solvant explicite. Nous nous sommes intéressés à la formation de films de polymères purs par évaporation du solvant; les résultats obtenus montrent que la dynamique est plus rapide et Tg plus basse en présence du solvant. Alors que nous pouvons observer une diffusion fickienne à des températures supérieures à Tg, pour des températures plus basses, les déviations par rapport à ce comportement sont notables.