Download or read book ETUDE DE LA MODIFICATION DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DANS LES COMPOSES AU SILICIUM ET DE LA LIAISON HYDROGENE PAR DIFFUSION COMPTON written by CHRISTOPHE.. BELLIN and published by . This book was released on 1994 with total page 130 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DIFFUSION COMPTON CONSTITUE UN OUTIL DE CHOIX POUR L'ETUDE DES DENSITES ELECTRONIQUES DANS L'ESPACE DES IMPULSIONS. L'UTILISATION DE CETTE METHODE A PERMIS D'AXER NOS TRAVAUX AUTOUR DE DEUX THEMES MAJEURS: - LES COMPOSES DU SILICIUM, AVEC LE SILICIUM, LE SILICIUM AMORPHE, ET ENFIN, LE DISILICIURE DE COBALT ; - LA LIAISON HYDROGENE DANS KHCO#3, ET DANS LE SILICIUM AMORPHE. CE MEMOIRE A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE, UNE FOIS DE PLUS, L'INTERET DES MESURES DE DIFFUSION COMPTON COMME TEST DE FONCTIONS D'ONDE. DE PLUS, IL A ETE DEMONTRE POUR LA PREMIERE FOIS, PAR COMPARAISON, A QUEL POINT LA DIFFUSION COMPTON ET L'ANNIHILATION DE POSITONS SONT DEUX METHODES D'INVESTIGATION COMPLEMENTAIRES DANS LA CONNAISSANCE DES DENSITES ELECTRONIQUES

Download or read book Capacitance spectroscopy in hydrogenated amorphous silicon Schottky diodes and high efficiency silicon heterojunction solar cells written by Olga Maslova and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux développés dans cette thèse sont dédiés à l'étude des propriétés électroniques de diodes Schottky de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et d'hétérojonctions entre silicium amorphe hydrogéné et silicium cristallin, a-Si:H/c-Si au moyen de spectroscopies de capacité de jonctions.Lors de la fabrication des cellules solaires à haut rendement plusieurs paramètres d'une hétérojonction a-Si:H/c-Si doivent être considérés. Premièrement, la densité d'états dans le gap du a-Si:H est d'une grande importance car il s'agit de défauts qui favorisent le piégeage et la recombinaison de porteurs. Deuxièmement, la détermination des désaccords des bandes entre la couche amorphe et la couche cristalline est indispensable puisque ceux-ci contrôlent le transport à travers la jonction et déterminent la courbure des bandes dans c-Si, ce qui va notamment influencer la recombinaison des porteurs sous lumière, donc la tension de circuit ouvert des cellules. Cette thèse a pour but d'étudier la spectroscopie de capacité comme technique d'analyse de paramètres clés pour les dispositifs à hétérojonctions de silicium : la densité d'états dans le a-Si:H et les désaccords des bandes entre a-Si:H et c-Si.La première partie est dédiée à l'étude de la capacité de diodes Schottky. Nous nous concentrons sur un traitement simplifié de la capacité en fonction de la température et de la fréquence reposant sur une expression analytique obtenue par une résolution approchée de l'équation de Poisson. Ce traitement permet en principe d'extraire la densité d'états au niveau de Fermi dans le a-Si:H et la fréquence de saut des électrons depuis un état localisé au niveau de Fermi vers la bande de conduction. En appliquant ce traitement simplifié à la capacité calculée sans approximation à l'aide de deux logiciels de simulation numérique, nous montrons que sa fiabilité et sa validité dépendent fortement de la distribution des états localisés dans la bande interdite du a-Si:H et de la position du niveau de Fermi. Puis nous abordons l'étude de la capacité des hétérojonctions entre a-Si:H de type p et c-Si de type n, et nous mettons particulièrement en avant l'existence d'une couche d'inversion forte à l'interface dans le c-Si, formant un gaz bidimensionnel de trous. Dans une première partie, nous présentons une étude par simulation numérique de la dépendance de la capacité en fonction de la température, pour laquelle un ou deux échelons peuvent être mis en évidence à basse température. Leur analyse montre qu'un des ces échelons est attribué à l'activation de la réponse de la charge dans le a-Si:H, alors que l'autre, présentant une énergie d'activation plus grande, est lié à la modulation de la concentration des trous dans la couche d'inversion forte, lorsque celle-ci existe. On présente ensuite une discussion de résultats expérimentaux. Le régime quasi-statique de la capacité fait ainsi l'objet d'une discussion. Nous mettons en relief le fait que l'approximation de la zone de déplétion ne permet pas de reproduire cette augmentation de la capacité en fonction de la température. Du fait de l'existence de la couche d'inversion forte, la chute de potentiel dans la zone de déplétion du c-Si est plus faible que la valeur déterminée par le calcul attribuant toute la chute de potentiel à la zone de déplétion. Par conséquent, cette approximation conduit à sous-estimer la capacité ainsi que son augmentation avec la température. Nous présentons alors un calcul analytique complet qui tient compte à la fois de la distribution particulière du potentiel dans le a-Si:H, et des trous dans le c-Si dont la contribution à la concentration totale de charges n'est pas négligeable dans la couche d'inversion forte. Le calcul analytique complet permet de bien reproduire les résultats expérimentaux de capacité en fonction de la température; ceci confirme la présence de la couche d'inversion forte dans les échantillons étudiés.

Download or read book ETUDE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DU SILICIUM ET DU DISILICIURE DE COBALT PAR DIFFUSION COMPTON DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON EFFET DE LA DIFFUSION MULTIPLE written by HANI.. KOUBA and published by . This book was released on 1998 with total page 226 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA SPECTROMETRIE COMPTON DES RAYONS X EST UNE TECHNIQUE TRES PUISSANTE POUR L'ETUDE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DES MATERIAUX DANS L'ESPACE DES MOMENTS. CETTE METHODE, PARTICULIEREMENT ADAPTEE A L'ETUDE DES ELECTRONS EXTERNES (VALENCE OU CONDUCTION) DANS UN SOLIDE, CONSTITUE UN TEST PRECIS DES FONCTIONS D'ONDE CALCULEES DANS L'ETAT FONDAMENTAL. L'OUVERTURE DE LA LIGNE ID15B A L'ESRF (GRENOBLE, FRANCE) NOUS A PERMIS D'EFFECTUER DES MESURES COMPTON A HAUTE ENERGIE (60 KEV). LA GEOMETRIE D'ANALYSE (PAR REFLEXION, DANS LE PLAN HORIZONTAL) DIFFERENTE DE CELLE DU LURE (ORSAY, FRANCE) (PAR TRANSMISSION, DANS LE PLAN VERTICAL) NOUS A AMENE A EVALUER LA CONTRIBUTION INDESIRABLE DE LA DIFFUSION MULTIPLE DANS LES SPECTRES MESURES A L'ESRF. LES EXPERIENCES ONT ETE MENEES SUR DES ECHANTILLONS D'EPAISSEURS DIFFERENTES DE SILICIUM ET DE GERMANIUM. NOUS AVONS PU VERIFIER LA VALIDITE DE LA SIMULATION MONTE-CARLO POUR CORRIGER LES PROFILS EXPERIMENTAUX DE LA DIFFUSION MULTIPLE. DE PLUS, POUR LES ELEMENTS LOURDS, TENIR COMPTE DE LA CONTRIBUTION DE LA DIFFUSION DOUBLE ELASTIQUE-INELASTIQUE AMELIORE LA CORRECTION EFFECTUEE. DANS LE CADRE D'UN PROJET INTERNATIONAL SUR LE SILICIUM, NOUS AVONS MENE DES MESURES SUR LE SPECTROMETRE DU LURE (16.38 KEV). LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT UN EXCELLENT ACCORD AVEC CEUX DES MESURES EFFECTUEES A L'ESRF. IL APPARAIT DONC QUE LES CORRECTIONS APPORTEES AUX PROFILS MESURES AU LURE ET A L'ESRF PERMETTENT UNE PARFAITE REPRODUCTIBILITE DES EXPERIENCES MALGRE LA DIFFERENCE DANS LA PHILOSOPHIE DE CONSTRUCTION DES DEUX SPECTROMETRES. DE PLUS, LE BON ACCORD ENTRE LES ANISOTROPIES EXPERIMENTALES ET THEORIQUES DES PROFILS A CONFIRME LA VALIDITE DU MODELE DE CALCUL PSEUDO-POTENTIEL CHOISI PAR S.RABII POUR DECRIRE LA STRUCTURE

Download or read book ETUDE DE LA MODIFICATION DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DU C 6 0 ET DU GRAPHITE EN PRESENCE D ALCALINS PAR DIFFUSION COMPTON ET SPECTROMETRIE D ABSORPTION DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON written by Jacques Moscovici and published by . This book was released on 1994 with total page 197 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DENSITE ELECTRONIQUE DU C#6#0, DE SES COMPOSES D'INSERTION (K#3C#6#0 ET K#6C#6#0), DES COMPOSES D'INSERTION DU GRAPHITE A ETE ETUDIEE PAR ANALYSE SPECTRALE DE LA DIFFUSION COMPTON DANS LE DOMAINE X. L'ANISOTROPIE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DU NITRURE DE BORE A ETE MESUREE POUR CE COMPOSE PRESENTANT UNE STRUCTURE SIMILAIRE A CELLE DU GRAPHITE. D'AUTRE PART, L'ETUDE DU CONTENU DES PREMIERS ETATS VIDES DU C#6#0 ET L'ETUDE DE LEUR SYMETRIE POUR LES COMPOSES KC#4 ET BN A ETE MENEE GRACE A LA SPECTROMETRIE D'ABSORPTION. TOUTES LES EXPERIENCES SE SONT DEROULEES AUPRES DU SYNCHROTRON DU LURE (ORSAY, FRANCE). NOUS AVONS TROUVE UNE SURPRENANTE DELOCALISATION DES ELECTRONS DE VALENCE DANS LE SOLIDE C#6#0 COMPAREE A CELLE DU GRAPHITE. L'ACCORD ENTRE LA THEORIE, BASEE SUR UNE METHODE AB-INITIO ET AUTOCOHERENTE, ET L'EXPERIENCE SUR LA DIFFERENCE C#6#0-GRAPHITE EST TOUT A FAIT REMARQUABLE. AUSSI AVONS-NOUS PU METTRE EN EVIDENCE LA DISTORSION DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DU C#6#0 EN PRESENCE D'ALCALIN DANS LES COMPOSES K#XC#6#0, AINSI QUE CELLE DU GRAPHITE DANS LE COMPOSE KC#8. LA COMPARAISON ENTRE THEORIE ET EXPERIENCE, MENEE POUR CE DERNIER COMPOSE AINSI QUE POUR BN, A PERMIS D'EVALUER LES CORRELATIONS ELECTRONIQUES DANS CES MATERIAUX

Download or read book ETUDE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DU C 6 0 ET DE SES COMPOSES INTERCALES PAR DIFFUSION COMPTON DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON written by MASSIMILIANO.. MARANGOLO and published by . This book was released on 1998 with total page 228 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS PRESENTONS UN TRAVAIL EXPERIMENTAL SUR LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE C#6#0 ET DE SES COMPOSES INTERCALES PAR DES IONS LOURDS (K, RB ET CS). NOUS AVONS ENTREPRIS CETTE ETUDE, EN UTILISANT LA DIFFUSION INELASTIQUE DES RAYONS X, OU SPECTROMETRIE COMPTON. LA DIFFUSION COMPTON PERMET D'ATTEINDRE LA DENSITE ELECTRONIQUE DANS L'ESPACE DES IMPULSIONS, ELLE EST PARTICULIEREMENT SENSIBLE AUX ELECTRONS LES PLUS DELOCALISES DU SOLIDE. AUSSI EST-ELLE BIEN ADAPTEE A L'ETUDE, APRES L'INTERCALATION, DU COMPORTEMENT DES ELECTRONS TRANSFERES A L'HOTE C#6#0 ET DU CHANGEMENT DE SES ETATS DE VALENCE. DES MESURES ONT ETE REALISEES POUR LE C#6#0 ET LES COMPOSES DEFINIS K#NC#6#0, AVEC N = 3, 4 ET 6 (LURE) ET K#1C#6#0, RB#1C#6#0, RB#4C#6#0 ET RB#2CSC#6#0 (ESRF). LES ECHANTILLONS ETUDIES ONT ETE DEGAZES SOUS VIDE DYNAMIQUE, DURANT DES SEMAINES. NOUS AVONS UTILISE UNE APPROCHE NOUVELLE POUR OBTENIR LA DENSITE RADIALE DANS L'ESPACE DES IMPULSIONS DU C#6#0. A PARTIR DES DENSITES RADIALES MESURES, NOUS AVONS CALCULE L'ENERGIE CINETIQUE DU C#6#0 DANS SON ETAT ELECTRONIQUE FONDAMENTAL. DANS LE CAS DU SOLIDE K#6C#6#0, LES CALCULS AB INITIO TOUS ELECTRONS NOUS ONT PERMIS DE BIEN DECRIRE A LA FOIS LA DENSITE DES ELECTRONS APRES LEUR TRANSFERT DE L'ALCALIN VERS LA MOLECULE ET LA DISTORSION DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DE CETTE MOLECULE, EN PRESENCE DES IONS ALCALINS. POUR LES COMPOSES A#3C#6#0 ET A#4C#6#0, NOUS AVONS OBTENU UN BON ACCORD GENERAL ENTRE LES DENSITES ELECTRONIQUES EXPERIMENTALE ET THEORIQUE. PAR CONTRE, NOUS AVONS PU METTRE EN LUMIERE LE DESACCORD QUI EXISTE ENTRE LES LARGEURS DES PROFILS-DISTORSION MESURE ET CALCULE DANS LES CAS DES A#4C#6#0 (A=K, RB). QUANT AU COMPOSE POLYMERISE A#1C#6#0, UN DESACCORD ENTRE LA LARGEUR DES PROFILS DE DISTORSION, EXPERIMENTAUX ET THEORIQUES, A ETE MIS EN LUMIERE ET PEUT S'EXPLIQUER PAR UNE SUREVALUATION DE LA DISTORSION MOLECULAIRE DANS L'HYPOTHESE DU CALCUL. DANS CES 2 DERNIERS CAS NOUS SUGGERONS QUE DE NOVEAUX CALCULS SONT A MENER EN LAISSANT LES ATOMES RELAXER SUR LA MOLECULE DU C#6#0.

Download or read book Theoretical study of the electronic and optical properties of photocatalytic inorganic materials written by Tilak Das and published by . This book was released on 2012 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’irradiance solaire journalière reçue à la surface de la terre, en l’absence de nuages, est d’environ 250 W/m2. La conversion d’une partie de cette source d’énergie inépuisable est d’un intérêt immédiat pour notre vie de tous les jours. Au cours des quatre dernières décennies, un nombre important de travaux, consacrés à la photocatalyse, a été réalisé dans un contexte lié aux problèmes énergétiques et environnementaux mondiaux. Cette thèse est dédiée à l’étude théorique de matériaux semi-conducteurs, prometteurs pour des applications dans le domaine de la photocatalyse. Plus précisément, ce manuscrit est centré sur l’étude des propriétés électroniques et optiques des phases MQ (M = Al, Ga, In, Zn, Cd et Q = N, P, As, Sb, O, S, Se, Te) et des composés photocatalytiques BiVO4 et La2ZnTiO6. De plus, une nouvelle démarche permettant d’accéder aux positions absolues des bandes d'énergie de semi-conducteurs est proposée. L’ensemble de ces calculs permet de mieux comprendre le rôle joué par l'absorption de la lumière, la durée de vie « électron-trou » et les réactions d'oxydo-réduction sur l'efficacité d'un composé photocatalytique donné. À cette fin, nos calculs ont été réalisés en utilisant la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), mais aussi des approches basées sur des fonctionnelles hybrides.

Download or read book DENSITES ELECTRONIQUES DE METAUX ET D ALLIAGE ETUDIEES PAR DIFFUSION COMPTON DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON written by KAI-JI.. CHEN and published by . This book was released on 1997 with total page 122 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DIFFUSION COMPTON PERMET UNE ETUDE DETAILLEE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DES MATERIAUX. LES MESURES ETANT MENEES DANS L'ESPACE DES IMPULSIONS, CETTE METHODE CONSTITUE UN TEST PRECIS DES FONCTIONS D'ONDE CALCULEES DANS L'ETAT ELECTRONIQUE FONDAMENTAL. AINSI EST-ELLE TOUT A FAIT ADAPTEE A L'ETUDE DES CORRELATIONS ELECTRONIQUES DANS LES METAUX. EN EFFET, LES PROFILS COMPTON MESURES MONTRENT UN EFFACEMENT DE LA DISCONTINUITE DE FERMI, LEQUEL EFFACEMENT EST ATTRIBUE AUX CORRELATIONS ELECTRONIQUES. NOTRE ETUDE S'EST AXEES EN PREMIER LIEU SUR DES MATERIAUX COMME LE SODIUM ET DE L'ALUMINIUM, REMARQUABLEMENT DU FAIT DE LEUR SURFACE DE FERMI SPHERIQUE ET PAR UN COMPORTEMENT ELECTRONIQUE SEMBLABLE A CELUI DES ELECTRONS LIBRES. AINSI LA COMPARAISON EST-ELLE PLUS AISEE AVEC LE MODELE DE GAZ D'ELECTRONS LIBRES ET LES CALCULS DE BANDE. LES EXPERIENCES ONT ETE MENEES SUR SYNCHROTRON AU LURE (ORSAY, FRANCE) POUR AL ET NA, PUIS A L'ESRF (GRENOBLE, FRANCE) POUR AL SUR UNE LIGNE A TRES HAUTE RESOLUTION (ID 16) PERMETTANT UNE ETUDE PLUS FINE DE SA SURFACE DE FERMI. NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE EXPERIMENTALEMENT LA PRESENCE DE CORRELATIONS ELECTRONIQUES DANS L'ETAT FONDAMENTAL, TELLES QUE DECRITES PAR LE MODELE DE DANIEL ET VOSKO. UN ACCORD ENTRE LA THEORIE, COMBINAISON DU MODELE DE DANIEL ET VOSKO ET D'UN CALCUL LMTO, ET L'EXPERIENCE A ETE TROUVE MEILLEUR QUE POUR UN CALCUL DE BANDE N'INCLUANT PAS LES CORRELATIONS ELECTRONIQUES. CEPENDANT, UNE CONSTRUCTION DE FONCTIONS D'ONDE MULTIELECTRONIQUES AMELIORERAIT ENCORE LA DESCRIPTION DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DANS L'ESPACE DES IMPULSIONS. EN SECONDE LIEU, NOTRE ATTENTION S'EST PORTEE SUR LE CHROME, PUIS LE CHROME DOPE AU VANADIUM, DANS LE BUT D'UNE ETUDE DE LA TOPOLOGIE DE LA SURFACE DE FERMI LIEE A LA PROPRIETE ANTIFERROMAGNETIQUE DE CR. UNE RECONSTRUCTION DE LA SURFACE DE FERMI A DEUX DIMENSIONS DANS LES PLANS (100) ET (110) A ETE REALISEE A PARTIR D'UN JEU DE 12 PROFILS COMPTON DIRECTIONNELS OBTENUS SUR LA LIGNE HIGH ENERGY, OU ID 15B, DE L'ESRF. LA RECONSTRUCTION A ETE MENEE SELON DEUX METHODES, EN COLLABORATION AVEC UN GROUPE JAPONAIS ET UN GROUPE ANGLAIS ; CELLE UTILISEE PAR LES ANGLAIS EST LA METHODE DE CORMACK, ET CELLE UTILISEE PAR LES JAPONAIS EST LA METHODE DE TRANSFORMATION DE FOURRIER DIRECTE. CES RESULTATS, COMPARES AUX MESURES OBTENUES PAR LES MEMES ECHANTILLONS PAR ANNIHILATION DE POSITONS, REVELENT LA COMPLEMENTARITE DE CES DEUX METHODES POUR UNE DESCRIPTION FINE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DANS LA TOTALITE DE L'ESPACE DES IMPULSIONS. CEPENDANT, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE UNE STRUCTURE ESSENTIELLE DE LA SURFACE DE FERMI QUI AVAIT ECHAPPEE A L'ANNIHILATION DE POSITIONS. C'EST A PARTIR DE CETTE STRUCTURE QU'IL EST POSSIBLE DE SUIVRE L'EVOLUTION DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DU CHROME LORS DE LA SUBSTITUTION D'ATOMES DE CHROME PAR DES ATOMES DE VANADIUM. L'ETUDE DE L'ALLIAGE AU VANADIUM (CR70V30) PERMET DE COMPRENDRE LES MODIFICATIONS DES PROPRIETES MAGNETIQUES INTERVENANT DES L'AJOUT D'UNE QUANTITE MEME FAIBLE DE VANADIUM.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by OLIVIER.. GLODT and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT DE DISPOSITIFS UTILISANT LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE COMME MATERIAU DE BASE: DIODE SCHOTTKY ET PIN POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES, STRUCTURES MIS POUR LES APPLICATIONS AUX ECRANS PLATS, MOTIVE EVIDEMMENT LES ETUDES MENEES SUR LA COMPREHENSION DES PHENOMENES DE TRANSPORTS. EN FAIT, LE TRANSPORT EST DOMINE PAR LES ETATS LOCALISES A DES ENERGIES COMPRISES ENTRE LE BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION ET LE HAUT DE LA BANDE DE VALENCE (BANDE INTERDITE). L'EXPERIENCE DE TEMPS DE VOL, UTILISEE ORIGINELLEMENT POUR ETUDIER LA MOBILITE DE DERIVE DE PORTEURS CREES EN EXCES DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, PERMET EN FAIT D'ACCEDER A DE NOMBREUX PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU. NOUS AVONS AINSI DEVELOPPE PLUSIEURS TECHNIQUES DE MESURES A PARTIR DE CETTE INFRASTRUCTURE EXPERIMENTALE POUR OBTENIR UNE SPECTROSCOPIE DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE ENTRE LE BORD DE BANDE DE CONDUCTION ET LE NIVEAU DE FERMI D'OBSCURITE. CES TECHNIQUES DE MESURES, NOUS ONT PERMIS D'OBTENIR LES PROFILS DE CHAMPS ELECTRIQUES INTERNES EXISTANT DANS UNE DIODE SCHOTTKY OU PIN. ENFIN, L'ENSEMBLE DE CES MESURES ONT MIS EN EVIDENCE LES PROBLEMES LIES A LA RECOMBINAISON ET AU PIEGEAGE DES PORTEURS. C'EST AINSI QUE NOUS AVONS ETUDIE DANS UN CAS CONCRET LES STRUCTURES MIS L'IMPORTANCE DE LA RECOMBINAISON SUR LES PROPRIETES DE TRANSPORTS

Download or read book MODELISATION DU POTENTIEL ELECTROSTATIQUE CALCULE A PARTIR DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DE DEFORMATION X X DANS LES CRISTAUX MOLECULAIRES APPLICATION AUX COMPOSES PEPTIDIQUES written by NOUZHA.. BOUHMAIDA and published by . This book was released on 1993 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE EST CONSACREE A LA DETERMINATION DE LA DENSITE ELECTRONIQUE ET DU POTENTIEL ELECTROSTATIQUE A PARTIR DE MESURES DE DIFFRACTION X HAUTE RESOLUTION. ELLE EST APPLIQUEE PLUS PARTICULIEREMENT AU COMPOSE PEPTIDIQUE TERBUTYL CO-PROLINE-HISTIDINE-NHMETHYLE ET UNE COMPARAISON EST FAITE AVEC D'AUTRES MOLECULES PEPTIDIQUES ETUDIEES AU LABORATOIRE (TRANSACTIONS ACA, VOL. 26). LE MODELE DE DENSITE UTILISE EST CELUI DE HANSEN-COPPENS, LA FORMULATION DU POTENTIEL ELECTROSTATIQUE BASE SUR CE MODELE EST PRESENTEE (Z. NATURFORSCH. 48A, 91-98) DANS CE TRAVAIL AINSI QUE L'AJUSTEMENT DU POTENTIEL ELECTROSTATIQUE PAR LA METHODE DES MOINDRES CARRES DE HOUSEHOLDER. LES RESULTATS CONCERNANT LA DENSITE ELECTRONIQUE SONT SIMILAIRES AUX ETUDES PRECEDENTES SUR LES GROUPEMENTS PEPTIDIQUES COMMUNS. NOUS AVONS MONTRE QUE LE POTENTIEL ELECTROSTATIQUE AUTOUR DES MEMES GROUPEMENTS DEPEND DE L'ENVIRONNEMENT. D'AUTRE PART LE POTENTIEL ELECTROSTATIQUE AUX ALENTOURS DE LA LIAISON HYDROGENE EST TRES CARACTERISTIQUE. SUPPOSANT LA DENSITE ELECTRONIQUE NON PERTURBEE PAR UN CHANGEMENT DE CONFORMATION MOLECULAIRE, NOUS AVONS MONTRE QUE LE GROUPEMENT HISTIDINE PRESENTE LE MEME POTENTIEL ELECTROSTATIQUE QUE CELUI DONNE PAR STEWART ET CRAVEN SUR L'IMIDAZOLE. L'AJUSTEMENT DU POTENTIEL ELECTROSTATIQUE POUR LA DETERMINATION DE CHARGES ATOMIQUES EST EXCELLENT POUR LA CONTRIBUTION SPHERIQUE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE, LES CHARGES OBTENUES SONT PRATIQUEMENT INDEPENDANTES DE LA CONFORMATION (ACTA CRYST. A49, 781-789). LA CONTRIBUTION DE LA DENSITE DE DEFORMATION NON SPHERIQUE EST PLUS DELICATE

Download or read book DENSITE ELECTRONIQUE DU MAGNESIUM ET DE SON HYDRURE MGH2 ETUDIE PAR DIFFUSION COMPTON DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON written by YVES.. GARREAU and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN DE COMPRENDRE LE MECANISME DE STOCKAGE DE L'HYDROGENE, LES MESURES DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DU MAGNESIUM ET DE L'HYDRURE DE MAGNESIUM HGH#2 ONT ETE EFFECTUEES PAR ANALYSE SPECTRALE DE LA DIFFUSION COMPTON DANS LE DOMAINE X. LA MISE AU POINT DU PREMIER MONOCHROMATEUR, IMPLANTE SUR LA NOUVELLE LIGNE WIGGLER DU SYNCHROTRON LURE-DCI (ORSAY-FRANCE), A REDUIT CONSIDERABLEMENT LE TEMPS D'ACQUISITION DES SPECTRES ET DONNE ACCES A UNE ENERGIE D'EXCITATION PLUS ELEVEE. DE NOUVEAUX CALCULS DE PROFILS COMPTON DES ELECTRONS DES COUCHES PROFONDES, HORS DE L'APPROXIMATION IMPULSION, ONT ETE NECESSAIRES POUR L'INTERPRETATION DES RESULTATS EXPERIMENTAUX. CES MESURES HAUTE RESOLUTION ONT PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE D'UNE PART, L'ANISOTROPIE DE DENSITE ELECTRONIQUE DE L'ECHANTILLON DE MAGNESIUM MONOCRISTALLIN ET D'AUTRE PART, L'IMPORTANCE DES CORRELATIONS ELECTRONIQUES DANS CE MEME COMPOSE. L'INTERPRETATION DU PROFIL OBTENU SUR MGH#2 EST BEAUCOUP PLUS COMPLEXE. LA PRESENCE DE L'HYDROGENE PERTURBE LA DISTRIBUTION ELECTRONIQUE DES ELECTRONS DE CUR DU MAGNESIUM. AUCUNE APPROCHE THEORIQUE NE SEMBLE ETRE CAPABLE DE DECRIRE CORRECTEMENT LE TYPE DE LIAISONS CHIMIQUES MISES EN JEU DANS L'HYDRURE

Download or read book tude de la diffusion de l hydrog ne dans le silicium written by Abdelhamid Chari and published by . This book was released on 1988 with total page 184 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail concerne le comportement physico-chimique de l’hydrogène dans le silicium.Dans une première partie, nous avons décrit par des techniques de mesure électrique l’interaction entre l’hydrogène et les dopants. Nous avons observé que l'hydrogène désactivait une proportion importante des accepteurs peu profonds dans le silicium.L'étude du comportement en diffusion de l’hydrogène dans le silicium montre que le processus de diffusion dépend fortement du type de conductivité et surtout du taux de dopape.Les mesures d'absorption infrarouge ont montré que l’hydrogène formé de complexe (Si H---B) neutre dans lequel la liaison de l’hydrogène se fait principalement avec le bore.La deuxième partie de ce travail concerne l'activité électrique du joint de flexion symétrique Σ=25 du silicium. Brut de croissance, ce joint est inactif. Il devient actif à la suite de traitements thermiques adéquats. Cette activité électrique a été corrélée à la présence de cuivre ségrégé ou précipité dans le joint.La passivation par l’hydrogène de cette activité électrique est sélective.

Download or read book STRUCTURE ELECTRONIQUE DES MATERIAUX A PARTIR DE LA DENSITE DE CHARGE ET D IMPULSION written by OLIVER.. BECKERS and published by . This book was released on 1997 with total page 137 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES EXPERIENCES DE DIFFRACTION ET DE DIFFUSION DES PHOTONS APPORTENT DES INFORMATIONS IMPORTANTES SUR L'ETAT FONDAMENTAL D'UN SYSTEME CHIMIQUE. ELLES PERMETTENT D'EN DETERMINER LES DENSITES ELECTRONIQUES DE CHARGE ET D'IMPULSION. NOUS NOUS INTERESSONS A LEUR COMPLEMENTARITE AFIN DE VOIR DANS QUELLE MESURE LA CONNAISSANCE DE CES DEUX FONCTIONS PERMET D'ACCEDER A LA MATRICE DENSITE DU PREMIER ORDRE. UN MODELE SIMPLE POUR LA FONCTION D'ONDE DE LA MOLECULE DE L'HYDRURE DE LITHIUM EST PROPOSE, SES PARAMETRES SONT AFFINES SUR DIFFERENTS JEUX DE DONNEES THEORIQUES. NOUS AVONS MONTRE QUE LE MODELE PERMET DE BIEN DECRIRE LA DENSITE D'IMPULSION ET LES PROFILS COMPTON ET D'OBTENIR EN MEME TEMPS UNE REPRESENTATION VALABLE DE LA DENSITE DE CHARGE DANS L'ESPACE INTERATOMIQUE. IL EST DONC POSSIBLE DE TIRER DES CONCLUSIONS D'UN AFFINEMENT DE LA DENSITE D'IMPULSION OU DE SES PROJECTIONS SUR L'ETAT DES LIAISONS CHIMIQUES. NOUS NOUS ATTACHONS EGALEMENT A L'INTERPRETATION QUANTITATIVE DE LA DIFFUSION INELASTIQUE COMPTON : NOUS LE FAISONS PAR UNE ETUDE THEORIQUE DE LA DEVIATION DU MODELE DE LIAISON IONIQUE POUR L'OXYDE DE MAGNESIUM CRISTALLINE DANS L'ESPACE DES IMPULSIONS. NOUS AVONS ESTIME LES PARAMETRES ESSENTIELS D'UN MODELE DE STRUCTURE DE BANDE A INTERACTION COVALENTE LOCALE PAR UN AFFINEMENT. LE PASSAGE DU MODELE ATOMIQUE AU MODELE IONIQUE, DONC LA COHESION CRISTALLINE, PEUT ETRE APERCU CLAIREMENT DANS LA DENSITE D'IMPULSION. L'EFFET DE L'INTERACTION COVALENTE EST FAIBLEMENT ANTILIANT MAIS PERCEPTIBLE. NOUS PARVENONS A REPRODUIRE L'ESSENTIEL DE LA DENSITE D'IMPULSION A L'AIDE DE TROIS PARAMETRES SEULEMENT. NOUS OBTENONS UN MODELE DE COHESION TRES SIMPLE QUI AMELIORE CONSIDERABLEMENT LA DESCRIPTION IONIQUE.

Download or read book DENSITE ELECTRONIQUE DANS L ESPACE DES IMPULSIONS DE COMPOSES D INSERTION DU GRAPHITE ET D HYDRURE METALLIQUE written by JACQUES.. CHOMILIER and published by . This book was released on 1987 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'INSERTION D'ATOMES ALCALINS DANS LE GRAPHITE TRANSFORME CE SEMI-METAL, EN UN COMPOSE DE TYPE METALLIQUE, QUI RESTE ANISOTROPE. LA MODIFICATION DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DUE A LA PRESENCE DE L'ALCALIN A ETE INTENSIVEMENT ETUDIEE ET DE NOMBREUSES DIVERGENCES SONT APPARUES. CEPENDANT LES MESURES DE DENSITE ELECTRONIQUE QUE NOUS AVONS EFFECTUEES PAR DIFFUSION INELASTIQUE (COMPTON) DE RAYONS X A LURE-DCI, SONT EN TRES BON ACCORD AVEC LES CALCULS EFFECTUES DANS UN MODELE PSEUDOPOTENTIEL AB-INITION ET SELF-CONSITANT. DES ETUDES D'ABSORPTION PHOTOELECTRIQUE REALISEES SUR LES MEMES COMPOSES PERMETTENT, EN UTILISANT LA POLARISATION DU FAISCEAU SYNCHROTRON, DE SIGNER LA SYMETRIE DES PREMIERS ETATS VIDES ET CONFIRMENT LE BON ACCORD AVEC LES CALCULS CITES CI-DESSUS. L'HYDRURE DE LITHIUM, COMPOSE IONIQUE MODELE, A ETE ETUDIE PAR DIFFUSION INELASTIQUE. LA COMPARAISON DES PROFILS COMPTON EXPERIMENTAUX AVEC PLUSIEURS PROFILS CALCULES MONTRE LA GRANDE SENSIBILITE DE LA METHODE A LA BASE DE FONCTIONS D'ONDE CHOISIE POUR CHASUE MODELE UTILISE

Download or read book Etude de complexes transfert de charge pr sentant une transition neutre ionique par une m thode de simulations num riques ab initio written by Vincent Oison and published by . This book was released on 2001 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les cristaux organiques de la famille du TTF-CA sont constitués de chaînes alternées de molécules planes, donneuses (D) et acceptrices (A) d'électrons. Certains de ces semi-conducteurs subissent des transitions de phase originales sous l'effet d'une variation de pression ou de température. Cette transition neutre-ionique (N-I) est accompagnée d'une variation parfois discontinue du transfert de charge de D vers A. Malgré la similitude des compositions chimiques de D et A, chaque composé présente une transition N-I spécifique qui dépend non seulement du caractère quasi unidimensionnel (1D) des propriétés d'excitation mais aussi des contacts électroniques locaux 3D.Notre objectif est d'analyser par une technique ab-initio la structure électronique de ces systèmes dans leur état fondamental de part et d'autre de la transition N-I, de façon à déterminer le rôle du transfert de charge (TC) et des interactions locales dans la stabilité des phases cristallines observées. L'augmentation de la réactivité chimique, induite dans le plan de D et A par la variation de TC, se traduit entre autre par l'apparition de charges et de dipôles atomiques additionnels sur les H et O qui constituent un réseau 3D de liaisons hydrogène couplant D et A. Nous mettons en évidence sur un complexe modèle A-D-A la contraction de la liaison hydrogène qui en résulte. Les calculs ab-initio sur les cristaux ont confirmé le caractère 1D des bandes de valence et de conductivité. En revanche, l'analyse topologique de la densité électronique totale met en évidence dans chaque phase des contacts électroniques locaux intra et inter chaînes d'intensité comparable. De plus, il existe un lien intime entre la variation de TC et les modifications structurales, en particulier la relaxation du réseau de liaisons hydrogène. La nature de ce réseau doit donc être en partie responsable de comportement spécifique de chaque composé vis à vis de la transition N-I.

Download or read book DENSITE ELECTRONIQUE DE SILICIURES METALLIQUES ET DE COMPOSES D INSERTION DU GRAPHITE AU CESIUM ETUDIEE PAR SPECTROMETRIE D ABSORPTION X EN RAYONNEMENT SYNCHROTRON written by VERONIQUE.. CODAZZI and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS CHOISI D'UTILISER L'ABSORPTION X QUI EST UN OUTIL PUISSANT POUR ETUDIER LES PREMIERS ETATS VIDES. C'EST UNE SONDE LOCALE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE AU SITE DE L'ATOME ABSORBANT. AUSSI, UNE ETUDE COMPLETE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES ETATS VIDES PEUT ETRE OBTENUE A PARTIR DES DIFFERENTS SEUILS D'ABSORPTION DES ELEMENTS CONSTITUTIFS D'UN MATERIAU. UNE DESCRIPTION DE CETTE TECHNIQUE EXPERIMENTALE EST PRESENTEE AU CHAPITRE 2. LES MATERIAUX QUE NOUS AVONS ETUDIES SONT DECRITS AU CHAPITRE 1. IL S'AGIT DE MATERIAUX SYNTHETISES PAR L'INSERTION D'ATOMES DE METAL DANS UNE MATRICE SOIT SEMI-METALLIQUE (GRAPHITE) SOIT SEMI-CONDUCTRICE (SILICIUM). LES COMPOSES D'INSERTION DU GRAPHITE AU CESIUM SONT DES COMPOSES LAMELLAIRES TRES ANISOTROPES. AUSSI AVONS NOUS PU BENEFICIER DE LA POLARISATION DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON POUR IDENTIFIER LA SYMETRIE DES ETATS VIDES. POUR CE FAIRE NOUS AVONS UTILISE LES RESULTATS DE CALCULS DE STRUCTURES DE BANDES, OBTENUS A PARTIR DE PSEUDO-POTENTIELS TRES BIEN ADAPTES A UNE DESCRIPTION PRECISE DES ELECTRONS DE CONDUTION ET LES ETATS VIDES AU VOISINAGE DU NIVEAU DE FERMI. MAIS L'INFORMATION OBTENUE N'EST QUE QUALITATIVE. LES RESULTATS SONT PRESENTES AU CHAPITRE 3. L'AUTRE CATEGORIE DE MATERIAUX ETUDIES SONT DES SILICIURES METALLIQUES DE LA PREMIERE SERIE DE TRANSITION. NOUS NOUS SOMMES PARTICULIEREMENT INTERESSES AU DISILICIURE DE COBALT ET DE NICKEL. DEUX TYPES DE CALCULS ONT ETE MENES POUR INTERPRETER LES RESULTATS. UN CALCUL DE STRUCTURE DE BANDES LMTO A FOURNI LES DENSITES D'ETATS PROJETEES POUR CHAQUE SITE ET CHAQUE SYMETRIE. LES CALCULS LMTO NE S'ETENDENT QUE SUR 20 EV AU-DESSUS DU SEUIL D'ABSORPTION. LES SEUILS D'ABSORPTION MESURES CONSTITUENT UN TEST DES FONCTIONS D'ONDE DES ETATS VIDES DE SYMETRIE P AU SITE DU SILICIUM ET DU METAL, ET DE SYMETRIE D AU SITE DU METAL. LES FONCTIONS D'ONDE ELECTRONIQUES DANS L'ETAT FONDAMENTAL ONT PAR AILLEURS ETE TESTEES AVEC SUCCES EN ANNIHILATION DE POSITONS. LES SPECTRES CALCULES PRESENTENT TOUTES LES STRUCTURES OBSERVEES, AUSSI BIEN DANS LES DISILICIURES DE COBALT ET DE NICKEL. LA RELAXATION ELECTRONIQUE DANS L'ION CREE LORS DE L'EJECTION DU PHOTOELECTRON A ETE PRISE EN COMPTE. ELLE A CONDUIT A UNE BONNE EVALUATION DES ENERGIES DE SEUIL, MAIS DES DIFFERENCES NOTABLES QUANT A LA POSITION DES STRUCTURES ENTRE LES SPECTRES CALCULES ET MESURES SUBSISTENT. LES RESULTATS DE DIFFUSION MULTIPLE PERMETTENT DE DECRIRE LE SEUIL D'ABSORPTION POUR UNE REGION S'ETENDANT SUR 45 EV APRES LE SEUIL. NOUS AVONS OBTENU UNE BONNE REPRODUCTION DES STRUCTURES DANS LE CAS DU DISILICIURE DE NICKEL. CEPENDANT, POUR LE DISILICIURE DE COBALT, DE MEME STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE, LE SEUIL CALCULE NE FAIT PAS APPARAITRE LA PREMIERE STRUCTURE DU SPECTRE EXPERIMENTAL. DANS LA CONCLUSION DU CHAPITRE 4, NOUS AVONS ATTRIBUE CE DESACCORD A UNE DESCRIPTION PLUS DELICATE DES ELECTRONS DELOCALISES

Download or read book Structure lectronique des mat riaux partir de la densit de charge et d impulsion written by Oliver Beckers and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les experiences de diffraction et de diffusion des photons apportent des informations importantes sur l'etat fondamental d'un systeme chimique. Elles permettent d'en determiner les densites electroniques de charge et d'impulsion. Nous nous interessons a leur complementarite afin de voir dans quelle mesure la connaissance de ces deux fonctions permet d'acceder a la matrice densite du premier ordre. Un modele simple pour la fonction d'onde de la molecule de l'hydrure de lithium est propose, ses parametres sont affines sur differents jeux de donnees theoriques. Nous avons montre que le modele permet de bien decrire la densite d'impulsion et les profils compton et d'obtenir en meme temps une representation valable de la densite de charge dans l'espace interatomique. Il est donc possible de tirer des conclusions d'un affinement de la densite d'impulsion ou de ses projections sur l'etat des liaisons chimiques. Nous nous attachons egalement a l'interpretation quantitative de la diffusion inelastique compton : nous le faisons par une etude theorique de la deviation du modele de liaison ionique pour l'oxyde de magnesium cristalline dans l'espace des impulsions. Nous avons estime les parametres essentiels d'un modele de structure de bande a interaction covalente locale par un affinement. Le passage du modele atomique au modele ionique, donc la cohesion cristalline, peut etre apercu clairement dans la densite d'impulsion. L'effet de l'interaction covalente est faiblement antiliant mais perceptible. Nous parvenons a reproduire l'essentiel de la densite d'impulsion a l'aide de trois parametres seulement. Nous obtenons un modele de cohesion tres simple qui ameliore considerablement la description ionique.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DU SILICIUM AMORPHE PUR ET DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by N'GUESSAN.. KRE and published by . This book was released on 1993 with total page 120 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE EXPERIMENTALE DE L'INFLUENCE DU DESORDRE STRUCTURAL SUR LA DENSITE D'ETATS ELECTRONIQUES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE PUR (ASI) ET DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (ASI:H). POUR CELA, LE COEFFICIENT D'ABSORPTION A ETE DEDUIT DE MESURES DE TRANSMISSION OPTIQUE ET DE LA SPECTROSCOPIE DE DEFLEXION PHOTOTHERMIQUE (PDS). EN OUTRE, DES MESURES DE RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE (RPE) ET DE SPECTROSCOPIE INFRAROUGE ONT ETE EGALEMENT UTILISEES. LES FILMS DE ASI ONT ETE OBTENUS PAR EVAPORATION EN ULTRA-VIDE SUR SUBSTRAT DE QUARTZ A LA TEMPERATURE AMBIANTE; ON A FAIT VARIER LE DESORDRE DE CES FILMS PAR RECUIT. POUR LES FILMS DE SSI:H, UNE CELLULE A PLASMA RF A PERMIS DE FAIRE VARIER LA CONCENTRATION D'HYDROGENE, DONC LE DESORDRE DES FILMS. POUR LES FILMS DE ASI, ON A OBTENU UNE DISTRIBUTION DE LA DENSITE D'ETATS EN CONSIDERANT DIFFERENTES APPROXIMATIONS TANT SUR LE MODELE DE LA DENSITE D'ETATS QUE SUR LA DEPENDANCE EN ENERGIE DES ELEMENTS DE MATRICE. ON TROUVE QUE LE GAP OPTIQUE ET LA DENSITE DE SPINS (LIAISONS PENDANTES) VARIENT RELATIVEMENT PEU AVEC LE DESORDRE PAR RAPPORT AUX FILMS DE ASI:H. ON TROUVE EGALEMENT QUE LA POSITION EN ENERGIE DES ETATS PARAMAGNETIQUES EST D'ENVIRON 0,9 EV PAR RAPPORT AU BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION. POUR LES FILMS DE ASI:H, ON A OBTENU DES RESULTATS QUI SONT TRES PROCHES DE CEUX DES FILMS PREPARES PAR DECOMPOSITION DU SILANE. ON A EGALEMENT OBTENU UNE BONNE CORRELATION ENTRE LA DENSITE DE SPINS ET L'ABSORPTION A BASSE ENERGIE. LA FORTE VARIATION RELATIVE DU GAP OPTIQUE AVEC LE DESORDRE STRUCTURAL, COMPAREE A CELLE DE ASI, PERMET DE SUGGERER QUE LA VARIATION DU GAP N'EST PAS SEULEMENT DUE A UN EFFET DU DESORDRE MAIS EGALEMENT A UN EFFET D'ALLIAGE DU SILICIUM AVEC L'HYDROGENE. LA DENSITE DE SPINS DANS LES MEILLEURS FILMS OBTENUS SANS RECUITS (10#1#7 SPINS CM##3) N'EST PAS TRES ELOIGNEE DE CELLE DES MEILLEURS FILMS RECUITS OBTENUS PAR DECOMPOSITION DU SILANE (10#1#6 SPINS CM##3)