Download or read book ETUDE DE L ORIENTATION DANS LA CAPTURE ELECTRONIQUE PAR DES IONS MULTICHARGES written by CAROLINE.. ADJOURI and published by . This book was released on 1993 with total page 228 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES COLLISIONS ENTRE IONS MULTICHARGES ET CIBLES ATOMIQUES NEUTRES SONT ETUDIEES EXPERIMENTALEMENT ET THEORIQUEMENT DANS LE DOMAINE DES BASSES ENERGIES (QUELQUES KEV); ON S'INTERESSE PLUS PARTICULIEREMENT AUX PROCESSUS D'ECHANGE DE CHARGE ENTRE SOUS-ETATS QUANTIQUES NLM. L'EXPERIENCE MET EN JEU UN FAISCEAU D'IONS MULTICHARGES SELECTIONNES EN CHARGE ET EN VITESSE, CROISANT A ANGLE DROIT UN JET EFFUSIF DE GAZ CIBLE. LA SPECIFICITE DE L'EXPERIENCE RESIDE EN LA TECHNIQUE DE DETECTION EN MULTICOINCIDENCE, SEULE TECHNIQUE QUI FOURNIT EN UNE SEULE ACQUISITION TOUTE L'INFORMATION SUR L'ANGLE DE DIFFUSION, L'ENERGIE ET LA POLARISATION DES PRODUITS DE LA COLLISION. L'ORIENTATION (TRANSFERT DE MOMENT CINETIQUE ORBITAL) DANS LES PROCESSUS D'ECHANGE DE CHARGE EST MESUREE EN ANALYSANT LA POLARISATION CIRCULAIRE DES PHOTONS DE DECLIN RADIATIF. ON OBTIENT AINSI UN BILAN TRES COMPLET DU PROCESSUS COLLISIONNEL. NOUS AVONS MESURE POUR LES SYSTEMES B#3#+-HE(NE) DES DISTRIBUTIONS ANGULAIRES ASYMETRIQUES SIGNATURE D'EFFETS D'ORIENTATION DANS L'ECHANGE DE CHARGE. LES PROFILS ANGULAIRES EXPERIMENTAUX DU SYSTEME B#3#+-HE SONT EN EXCELLENT ACCORD AVEC CEUX OBTENUS PAR DES CALCULS EN BASE ATOMIQUE EFFECTUES PAR UN GROUPE DE THEORICIENS NORDIQUES. PAR AILLEURS, NOUS AVONS EFFECTUE DES CALCULS DE DIFFUSION EN BASE MOLECULAIRE, LES POLARISATIONS CIRCULAIRES CALCULEES SONT EN BON ACCORD AVEC LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET LES CALCULS ATOMIQUES. UNE INTERPRETATION FONDEE SUR CE MODELE QUANTITATIF EST PROPOSEE POUR RENDRE COMPTE DES EFFETS D'ORIENTATION MESURES. UNE CARACTERISTIQUE IMPORTANTE DE L'ORIENTATION DANS LES COLLISIONS IMPLIQUANT DES IONS MULTICHARGES EST POUR LA PREMIERE FOIS MISE EN EVIDENCE, A SAVOIR LE COMPORTEMENT OSCILLATOIRE DE LA POLARISATION CIRCULAIRE PARTICULIEREMENT VISIBLE SUR LE SYSTEME B#3#+-NE. CETTE CARACTERISTIQUE AINSI QUE L'ENSEMBLE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX SONT INTERPRETES QUALITATIVEMENT ET QUANTITATIVEMENT DANS LE CADRE DU MODELE MOLECULAIRE

Download or read book Etude exp rimentale de la multicapture lectronique dans des collisions basse vitesse entre des ions multicharg s et des C60 written by Richard Bredy and published by . This book was released on 2001 with total page 203 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire présente une étude expérimentale de la multicapture électronique dans des collisions à basse vitesse entre des ions multichargés et des fullerènes C60. Lors de l'interaction, la capture d'électrons cible sur des niveaux d'énergie élevés du projectile conduit à la formation d'un ion multiexcité appelé "atome creux" qui se désexcite par l'intermédiaire de cascades autoionisantes et radiatives. Une étude systèmatique en fonction de la charge initiale, de la structure électronique et de la vitesse du projectile a été effectuée par des ions Xeq+ (15 q 30), Kr16+ et Ar16+ de vitesse comprise entre 0,19 et 0,42 u.a.. Le dispositif expérimental utilisé est basé sur la détection en coïncidence de la charge finale (q-s)+ du projectile, du nombre d'électrons éjectés n et du temps de vol des ions de recul. Par cette méthode, le nombre d'électrons actifs r=n+s est déterminé même lorsque le C60r+ n'est pas stable. L'analyse des distributions en nombre d'électrons éjectés permet de mesurer les sections efficaces de capture de r électrons lorsque s électrons sont stabilisés par le projectile. Ce type d'expérience met en évidence trois régimes d'interaction suivant le paramètre d'impact : les interactions de type atomique, surface et solide. Pour les collisions frontales, la perte moyenne d'énergie cinétique du projectile et sa distribution de charge finale en sortie de C60 ont été mesurées. L'observation d'un nombre d'électrons actifs supérieur à la charge initiale du projectile montre que des processus d'autoionisation rapide (~ 10-16 s) se produisent pendant les collisions de type surface. Pour un nombre délectrons actifs inférieur à la charge initiale du projectile (collisions de type atomique), l'autoionisation des atomes creux a été traitée en utilisant un modèle statistique d'évaporation des éléctrons. Les probabilités de stabiliser s électrons parmi r électrons capturés sont ainsi calculées et un bon accord est obtenu avec les résultats expérimentaux.

Download or read book ETUDE DES PROCESSUS DE CAPTURE ELECTRONIQUE PAR SPECTROSCOPIE D IMPULSION D IONS DE RECUL POUR LES SYSTEMES COLLISIONNELS C 6 HE ET NE 1 0 HE A BASSE ENERGIE written by XAVIER.. FLECHARD and published by . This book was released on 1999 with total page 293 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA SPECTROSCOPIE D'IMPULSION D'IONS DE RECUL EST UTILISEE POUR L'ETUDE EXPERIMENTALE DETAILLEE DES PROCESSUS DE CAPTURE ELECTRONIQUE INTERVENANT LORS DES COLLISIONS C#6#+ + HE ET NE#1#0#+ + HE DANS LE DOMAINE DES BASSES VITESSES (ENTRE 0,15 U.A. ET 0,5 U.A.). CETTE TECHNIQUE EXPERIMENTALE PERMET, POUR CHAQUE PROCESSUS, DES MESURES SIMULTANEES DE L'INELASTICITE DE LA COLLISION ET DE L'ANGLE DE DIFFUSION DU PROJECTILE. GRACE A LA RESOLUTION DONT BENEFICIE LE DISPOSITIF DEVELOPPE A CAEN, CES DEUX MESURES CONDUISENT RESPECTIVEMENT AUX CONFIGURATIONS PEUPLEES SUR LE PROJECTILE ET AUX MECANISMES DE CAPTURE. LES MECANISMES DE SIMPLE CAPTURE ETANT GLOBALEMENT BIEN COMPRIS, LES RESULTATS OBTENUS CONCERNANT CE PROCESSUS SONT PRINCIPALEMENT EXPLOITES DANS LE BUT DE VALIDER LES PERFORMANCES DU DISPOSITIF. DES CALCULS MODELES EFFECTUES AU LABORATOIRE, ET LES CALCULS PLUS ELABORES DU LCAB (LABORATOIRE DE COLLISIONS ATOMIQUES DE BORDEAUX) SONT EGALEMENT CONFRONTES A L'EXPERIENCE ET DISCUTES. L'ACCENT EST MIS SUR LES PROCESSUS DE DOUBLE CAPTURE. TOUT D'ABORD, UN TRES BON ACCORD ENTRE RESULTATS EXPERIMENTAUX ET THEORIE (CALCULS DU LCAB) EST OBTENU. DEUX ETUDES DES MECANISMES DE DOUBLE CAPTURE SONT ALORS EFFECTUEES EN PARALLELE : L'UNE A L'AIDE DES CALCULS DU LCAB, L'AUTRE UTILISANT LES ANGLES DE DIFFUSION EXPERIMENTAUX. LES RESULTATS ISSUS DE CES DEUX METHODES D'IDENTIFICATION SONT CONCORDANTS ET CONDUISENT A UNE ESTIMATION DE L'IMPORTANCE RELATIVE DES INTERACTIONS MONOELECTRONIQUES ET DIELECTRONIQUES. LE DEVENIR DU PROJECTILE DIFFUSE APRES LA COLLISION EST EGALEMENT EXAMINE : LA VOIE DE DESEXCITATION PREFERENTIELLEMENT EMPRUNTEE PAR CELUI-CI EST DETERMINEE ET DISCUTEE. ELLE DEPEND FORTEMENT DES CONFIGURATIONS INITIALEMENT PEUPLEES SUR LE PROJECTILE, MAIS EGALEMENT (POUR LE SYSTEME NE#1#0#+ + HE) D'EFFETS POST-COLLISIONNELS POUVANT MODIFIER CES POPULATIONS INITIALES.

Download or read book Processus de capture lectronique par des ions lourds tr s pluch s canalis s dans des cristaux minces des nergies sup rieures 20 MeV nucl on written by Denis Dauvergne and published by . This book was released on 1993 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES PROCESSUS D'ECHANGES DE CHARGE PAR DES IONS LOURDS CANALISES DANS DES CRISTAUX MINCES A DES ENERGIES SUPERIEURES A 20 MEV/NUCLEON. LA CANALISATION D'IONS LOURDS DANS UN CRISTAL PERMET L'EXTINCTION DES INTERACTIONS A FAIBLE PARAMETRE D'IMPACT AVEC LES CURS ATOMIQUES DU CRISTAL. DES PROCESSUS D'ECHANGES DE CHARGE QUI SONT MINORITAIRES LORS DE COLLISIONS AVEC DES CIBLES SOLIDES PEUVENT ETRE MIS EN EVIDENCE EN CANALISATION, ET MEME DEVENIR DOMINANTS, CAR LA GRANDE MAJORITE DES IONS INCIDENTS INTERAGIT UNIQUEMENT AVEC LE GAZ D'ELECTRONS DE VALENCE DU CRISTAL. C'EST LE CAS DE LA CAPTURE DIELECTRONIQUE (EN ANGLAIS RESONANT TRANSFER AND EXCITATION, RTE), PROCESSUS RESONNANT DANS LEQUEL LA CAPTURE EST ACCOMPAGNEE DE L'EXCITATION D'UN ELECTRON DE CUR DU PROJECTILE, ET DE LA CAPTURE ELECTRONIQUE RADIATIVE (REC). L'ENSEMBLE DES PROCESSUS D'INTERACTION ION-ELECTRON OBSERVABLES EN CANALISATION SONT PRESENTES DANS LE PREMIER CHAPITRE. LES CHAPITRES SUIVANTS DECRIVENT DEUX EXPERIENCES, REALISEES DANS LA VOIE LISE DE L'ACCELERATEUR GANIL DE CAEN: LA PREMIERE EXPERIENCE EST CONSACREE A L'ETUDE DE LA RESONANCE KLL-RTE D'IONS XE#5#2#+ CANALISES LE LONG DE L'AXE 110 D'UN CRISTAL DE 21 M DE SILICIUM, A DES ENERGIES VARIANT DE 34 A 43 MEV/NUCLEON; LA SECONDE PRESENTE L'ETUDE DE LA CAPTURE REC-K PAR DES IONS KR#3#6#+ DE 60 MEV/NUCLEON CANALISES DANS UN CRISTAL DE 37 M DE SILICIUM ORIENTE SELON L'AXE 110. CES DEUX EXPERIENCES ONT PERMIS DE FAIRE UNE ETUDE DETAILLEE DES DISTRIBUTIONS EN IMPULSION DES ELECTRONS DE VALENCE DU CRISTAL, DANS LA DIRECTION PARTICULIERE DE PROPAGATION DE L'ION INCIDENT CANALISE (PROFILS COMPTON)

Download or read book Etude Th orique Et Exp rimentale de L excitation Des Ions Multicharg s Par Impact lectronique written by Paul-Antoine Hervieux and published by . This book was released on 1992 with total page 145 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: POUR LA PREMIERE FOIS, LA SECTION EFFICACE DIFFERENTIELLE D'EXCITATION D'UN ION MULTICHARGE PAR IMPACT D'ELECTRONS A ETE MESUREE. DANS UNE EXPERIENCE EN FAISCEAUX CROISES, LA TRANSITION RESONNANTE 3S-3P DE L'ION SODIUMOIDE AR#7#+ A ETE ETUDIEE POUR UNE ENERGIE ELECTRONIQUE INCIDENTE DE 100 EV. EN ACCORD AVEC CETTE EXPERIENCE, NOUS AVONS CALCULE LES SECTIONS EFFICACES DIFFERENTIELLES ET TOTALES DANS UNE APPROXIMATION DE BORN GENERALISEE. LES SECTIONS EFFICACES EXPERIMENTALES SONT EN BON ACCORD AVEC CES ESTIMATIONS THEORIQUES. NOUS AVONS MONTRE QUE L'APPROXIMATION DE COULOMB-BORN QUI CONSISTE A PRENDRE LES FONCTIONS D'ONDE DE COULOMB POUR FONCTIONS D'ONDE DU CONTINUUM, EST JUSTIFIEE MEME POUR LES GRANDS ANGLES. UNE APPROXIMATION SEMI-CLASSIQUE A AUSSI ETE DEVELOPPEE. DANS CE MODELE, LE PROJECTILE SE DEPLACE SUR UNE TRAJECTOIRE COULOMBIENNE CLASSIQUE ET L'EXCITATION EST TRAITEE PAR LA THEORIE DES PERTURBATIONS DU PREMIER ORDRE DEPENDANTES DU TEMPS. CETTE APPROCHE EST SIMILAIRE A LA THEORIE SEMI-CLASSIQUE DE L'EXCITATION COULOMBIENNE DES NOYAUX. DEUX RESULTATS NOUVEAUX SE DEGAGENT DE CETTE ETUDE: A L'INVERSE DE L'EXCITATION DES ATOMES QUI EST FORTEMENT PIQUEE AUX ANGLES AVANT, LA SECTION EFFICACE DIFFERENTIELLE QUANTIQUE ET SEMI-CLASSIQUE EST PRATIQUEMENT NULLE A ZERO DEGRE, PUIS AUGMENTE JUSQU'A UN MAXIMUM. ON PEUT ESTIMER LA POSITION DE CE MAXIMUM EN EGALANT LE TEMPS DE COLLISION SUR UNE TRAJECTOIRE COULOMBIENNE ET LE TEMPS CARACTERISTIQUE DE LA TRANSITION. LES SECTIONS EFFICACES TOTALES SEMI-CLASSIQUES SONT PRATIQUEMENT EGALES A CELLES OBTENUES DANS L'APPROXIMATION DE COULOMB-BORN. CE RESULTAT S'ETEND A D'AUTRES MULTIPOLES ET DANS UNE LARGE GAMME D'ENERGIE, DE TRANSFERT D'ENERGIE, ET DE CHARGE IONIQUE. AVEC CE MODELE SEMI-CLASSIQUE, NOUS AVONS A NOTRE DISPOSITION UNE METHODE SIMPLE POUR OBTENIR, AVEC UNE BONNE PRECISION, LES SECTIONS EFFICACES D'EXCITATION D'IONS MULTICHARGES

Download or read book ETUDE DE LA DYNAMIQUE DE NEUTRALISATION D IONS MULTICHARGES LENTS SUR DES SURFACES METALLIQUES ET ISOLANTES written by SERGE.. DREUIL and published by . This book was released on 2000 with total page 121 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE DE L'INTERACTION DES IONS MULTICHARGES LENTS AVEC LES SURFACES EST UN DOMAINE DE RECHERCHE SITUE A L'INTERFACE ENTRE LA PHYSIQUE ATOMIQUE ET LA PHYSIQUE DU SOLIDE QUI BENEFICIE D'UNE INTENSE ACTIVITE SCIENTIFIQUE DEPUIS UNE VINGTAINE D'ANNEES GRACE A L'AVENEMENT DE SOURCES D'IONS MULTICHARGES TRES PERFORMANTES. UN ION MULTICHARGE LENT SE NEUTRALISE A FAIBLE DISTANCE DE LA SURFACE EN CAPTURANT SIMULTANEMENT UN GRAND NOMBRE D'ELECTRONS DES BANDES ELECTRONIQUES DU SOLIDE. CES ELECTRONS SONT CAPTURES DANS DES ETATS DE GRAND N. L'ESPECE ATOMIQUE TRANSITOIRE FORMEE PORTE LE NOM D'ATOME CREUX. AU CONTACT AVEC LA SURFACE, L'ATOME CREUX EST RE-IONISE ET SUBIT UNE SECONDE NEUTRALISATION TRES RAPIDE QUI CONDUIT A LA FORMATION D'UN DEUXIEME TYPE D'ATOME CREUX. LE TRAVAIL PRESENTE DANS CETTE THESE PORTE SUR DES IONS LEGERS (O 7 +, N 6 +, C 5 +, AR 9 +) ET CONSTITUE LA PREMIERE ETUDE PAR VOIE RADIATIVE DE CE TYPE D'IONS EN DECELERATION AU-DESSUS DES SURFACES. CETTE THESE DEMONTRE QUE LES IONS CONSIDERES SONT COMPLETEMENT NEUTRALISES AU MOMENT DE L'EMISSION DU PHOTON. AUCUNE DIFFERENCE SENSIBLE N'EST OBSERVEE ENTRE LES CIBLES METALLIQUES ET ISOLANTES. CES RESULTATS SONT A METTRE EN RELATION AVEC CEUX OBTENUS RECEMMENT SUR UN ION PLUS LOURD (AR 1 7 +) OU L'EVOLUTION DU SPECTRE D'EMISSION AVEC LA VITESSE D'APPROCHE AVAIT CONDUIT A LA DECOUVERTE DE L'EFFET TRAMPOLINE AU-DESSUS DES SURFACES ISOLANTES, C'EST A DIRE LA RETRODIFFUSION DE L'ION INCIDENT SANS CONTACT. IL EST DONC DEMONTRE DANS CETTE ETUDE QUE L'EFFET TRAMPOLINE DISPARAIT POUR LES IONS LEGERS. CETTE THESE CONTIENT EGALEMENT UNE ETUDE DE L'EMISSION LUMINEUSE INDUITE PAR IMPACT D'IONS MULTICHARGES ET EVALUE LA FAISABILITE D'UN DISPOSITIF D'IMAGERIE OPTIQUE DE FAISCEAU D'ION. IL EST MONTRE QU'UN TEL DISPOSITIF PERMET DE MESURER DES COURANTS AUSSI FAIBLES QUE 1 FA ET POURRAIT ETRE UTILEMENT EMPLOYE COMME CONTROLE D'IMPLANTATION OU D'IRRADIATION IONIQUE DANS L'INDUSTRIE DES SEMI-CONDUCTEURS.

Download or read book ETUDE DE LA SIMPLE CAPTURE ELECTRONIQUE PAR SPECTROSCOPIE DE VITESSE D IONS DE RECUL POUR LES SYSTEMES COLLISIONNELS A Q HE Q written by SOPHIE.. DUPONCHEL and published by . This book was released on 1997 with total page 228 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS UTILISE LA SPECTROSCOPIE DE VITESSE D'IONS DE RECUL POUR ETUDIER LA DEPENDANCE DE LA SIMPLE CAPTURE ELECTRONIQUE EN CHARGE DU PROJECTILE POUR LES SYSTEMES COLLISIONNELS A#Q#+ + HE (Q = 2 - 18) A UNE ENERGIE DE 15KEV/Q. CETTE TECHNIQUE EXPERIMENTALE PERMET DE MESURER LES TROIS COMPOSANTES DE LA VITESSE DE RECUL DE L'ATOME CIBLE IONISE LORS D'UNE COLLISION AVEC UN ION PROJECTILE ET D'ACCEDER AINSI AUX INFORMATIONS (Q DE REACTION (INELASTICITE DE LA COLLISION) ET ANGLE DE DIFFUSION) QUI PERMETTENT DE DECRIRE LA COLLISION. POUR CHACUN DES SYSTEMES ETUDIES, NOUS AVONS DEDUIT, DES DISTRIBUTIONS EN Q DE REACTION OBSERVEES, LES ETATS N DU PROJECTILE PEUPLES LORS DE LA COLLISION. LES RESULTATS OBTENUS SONT EXPLIQUES A L'AIDE DU MODELE DE LANDAU-ZENER EN TERME DE CROISEMENT ENTRE LES COURBES D'ENERGIE POTENTIELLE ASSOCIEES A LA VOIE D'ENTREE ET AUX VOIES DE SORTIE. LES CROISEMENTS ACTIFS DEFINISSENT LA FENETRE DE REACTION. CELLE-CI SE DEPLACE VERS LES GRANDES VALEURS DU Q DE REACTION ET S'ELARGIT LORSQUE LA CHARGE DU PROJECTILE AUGMENTE. ELLE SE DECALE EGALEMENT VERS LES GRANDES VALEURS DU Q DE REACTION ET S'ELARGIT VERS LES PETITES VALEURS DE Q LORSQUE LA VITESSE DE COLLISION AUGMENTE. NOUS AVONS EGALEMENT DETERMINE LES SECTIONS EFFICACES DOUBLEMENT DIFFERENTIELLES EN N ET EN ANGLE DE DIFFUSION. LE MODELE DE LANDAU-ZENER PERMET L'IDENTIFICATION DE LA CAPTURE ELECTRONIQUE DANS LA VOIE D'ENTREE OU DE SORTIE MAIS NE MET PAS EN EVIDENCE LE PROCESSUS DE PROMOTION D'ORBITALE POUVANT EXPLIQUER LE PEUPLEMENT DE L'ETAT N = 4 DU SYSTEME O#6#+ + HE, N = 6 DU SYSTEME NE#1#0#+ + HE ET N = 5 DU SYSTEME NE#8#+ + HE. CE MECANISME EST CARACTERISE PAR DE GRANDS ANGLES DE DIFFUSION. IL COHABITE AVEC UNE TRANSITION DIRECTE AU CROISEMENT ENTRE LA VOIE D'ENTREE ET LA VOIE DE SORTIE CARACTERISEE PAR DE PETITS ANGLES DE DIFFUSION.

Download or read book Defects in Semiconductors written by and published by Academic Press. This book was released on 2015-06-08 with total page 458 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This volume, number 91 in the Semiconductor and Semimetals series, focuses on defects in semiconductors. Defects in semiconductors help to explain several phenomena, from diffusion to getter, and to draw theories on materials' behavior in response to electrical or mechanical fields. The volume includes chapters focusing specifically on electron and proton irradiation of silicon, point defects in zinc oxide and gallium nitride, ion implantation defects and shallow junctions in silicon and germanium, and much more. It will help support students and scientists in their experimental and theoretical paths. - Expert contributors - Reviews of the most important recent literature - Clear illustrations - A broad view, including examination of defects in different semiconductors

Download or read book Scientific Basis for Nuclear Waste Management XXII Volume 556 written by David J. Wronkiewicz and published by . This book was released on 1999-11-24 with total page 1370 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Safe and effective management of nuclear waste provides a broad range of challenges for materials science. Waste processing, waste form and engineered barrier properties, interactions between engineered and geological systems, radiation effects, chemistry and transport of waste species, and long-term predictions of repository performance are just some of the scientific problems facing modern society. This book, the 22nd in a very successful series from MRS, offers an international and inter-disciplinary perspective on the issues, and features developments in both fundamental and applied areas. Topics include: development and characterization of ceramic waste forms; ceramic waste form corrosion; glass waste form processing; glass formulation, properties and structure; glass waste form corrosion; spent nuclear fuel; performance assessment; repository backfill; flow and transport; natural analogues; container corrosion; metal waste form corrosion; radionuclide speciation and solubility; radionuclide sorption; microbial effects; radiation effects; cement waste forms and waste treatment.

Download or read book Scientific Basis for Nuclear Waste Management XXIII Volume 608 written by Robert W. Smith and published by . This book was released on 2000-10-09 with total page 800 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This long-standing symposia series has become the premier, international forum for scientific and engineering issues related to all levels and types of radioactive wastes and their management. Topics include: fuel cladding and spent nuclear fuel; container fabrication and corrosion; performance assessment; repository performance; radionuclide sorption and transport; cement-based materials and waste containment; corrosion of ceramic wasteforms; structure and characterization of ceramics; radiation effects; natural analogs; wasteform characterization and processing; and corrosion and characterization of glass wasteforms.

Download or read book Characterisation and Control of Defects in Semiconductors written by Filip Tuomisto and published by Materials, Circuits and Device. This book was released on 2019-10-27 with total page 601 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book provides an up-to-date review of the experimental and theoretical methods used for studying defects in semiconductors, this book focuses on recent developments driven by the requirements of new materials, including nitrides, oxide semiconductors and 2-D semiconductors.

Download or read book Hydrogen in Semiconductors II written by and published by Academic Press. This book was released on 1999-05-05 with total page 541 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Since its inception in 1966, the series of numbered volumes known as Semiconductors and Semimetals has distinguished itself through the careful selection of well-known authors, editors, and contributors. The "Willardson and Beer" Series, as it is widely known, has succeeded in publishing numerous landmark volumes and chapters. Not only did many of these volumes make an impact at the time of their publication, but they continue to be well-cited years after their original release. Recently, Professor Eicke R. Weber of the University of California at Berkeley joined as a co-editor of the series. Professor Weber, a well-known expert in the field of semiconductor materials, will further contribute to continuing the series' tradition of publishing timely, highly relevant, and long-impacting volumes. Some of the recent volumes, such as Hydrogen in Semiconductors, Imperfections in III/V Materials, Epitaxial Microstructures, High-Speed Heterostructure Devices, Oxygen in Silicon, and others promise that this tradition will be maintained and even expanded. Reflecting the truly interdisciplinary nature of the field that the series covers, the volumes in Semiconductors and Semimetals have been and will continue to be of great interest to physicists, chemists, materials scientists, and device engineers in modern industry. - Provides the most in-depth coverage of hydrogen in silicon available in a single source - Includes an extensive chapter on the neutralization of defects in III*b1V semiconductors - Combines both experimental and theoretical studies to form a comprehensive reference

Download or read book DX Centers written by Elias Munoz Merino and published by Trans Tech Publications Ltd. This book was released on 1994-02-02 with total page 186 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: During the last 25 years, the behavior of donors in III-V alloys has been the subject of a very extensive research effort. The research emphasis on AlGaAs compounds is motivated by the industrial importance of AlGaAs/GaAs heterojunction based devices. As seeing it now, "the DX center problem", the behavior of donors in III-V alloys, has shown to be unexpectedly difficult to understand. To determine the microscopic nature of the DX center is still a challenging problem.

Download or read book Desorption Mass Spectrometry written by Philip A. Lyon and published by . This book was released on 1985 with total page 264 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Bridges the gap between SIMS and FAB mass spectrometry. Focuses on surface techniques that can use either SIMS or FAB mass spectrometry. Includes fundamentals, instrumental design, and applications. Demythologizes particle bombardment by addressing both the chemistry and physics involved.

Download or read book The Si SiO2 System written by P. Balk and published by Elsevier Publishing Company. This book was released on 1988 with total page 376 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The Si-SiO 2 system has been the subject of concentrated research for over 25 years, particularly because of its key role in silicon integrated circuits. However, only a few comprehensive treatises on this field have been published in recent years. This book focuses on the materials science and technology aspects of the system. Its aim is to give a comprehensive overview of the topic, including an extensive list of references giving easy access to the literature. After an introductory chapter which reviews the Si-SiO 2 system from the perspective of other semiconductor-insulator combinations of technical interest, the technology of oxide preparation is discussed. Fundamental questions regarding the structure and chemistry of the interfacial region are then addressed. Two chapters are concerned with system properties: one deals with the physico-chemical, electrical and device-related characteristics and the way these are affected by the technology of oxide preparation; a second chapter focuses on point defects and charge trapping. The book concludes with a broad review of the techniques available for electrical characterization of the system, including the physical background.

Download or read book Semiconductor Surfaces and Interfaces written by Friedhelm Bechstedt and published by . This book was released on 1988 with total page 484 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Proceedings of the Second Symposium on Defects in Silicon written by W. Murray Bullis and published by . This book was released on 1991 with total page 716 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: