Download or read book ETUDE DE L ADHESION ET DE LA CROISSANCE DE COUCHES MINCES DE SILICE DEPOSEES PAR PLASMA A BASSE PRESSION written by Nicolas Bertrand and published by . This book was released on 1997 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE PORTE SUR DES REVETEMENTS DE SILICE EN COUCHES MINCES DESTINES A MODIFIER LES PROPRIETES DE SURFACE D'UN MATERIAU, EN PARTICULIER L'ACIER. LES COUCHES SONT DEPOSEES A PARTIR D'UN MELANGE DE SILANE ET D'OXYGENE A DES PRESSIONS DE QUELQUES M TORR DANS UN REACTEUR A PLASMA DE CONFIGURATION IDECR, EXTRAPOLABLE AUX GRANDES SURFACES. LES PROPRIETES DES COUCHES DE SILICE SONT D'ABORD ANALYSEES EN FONCTION DES PARAMETRES DU PLASMA. ON MONTRE QUE L'ON PEUT, DANS LE REACTEUR IDECR, DEPOSER DE LA SILICE DENSE A TEMPERATURE AMBIANTE ET SANS UTILISER DE BOMBARDEMENT IONIQUE, A DES VITESSES ALLANT JUSQU'A 2,4 NANOMETRES PAR SECONDES. LE DEPOT A LIEU A PARTIR DE REACTIONS DE SURFACE ENTRE GAZ REACTIFS ET/OU DISSOCIES, COMBINEES A UN BOMBARDEMENT IONIQUE DE FORT FLUX ET DE FAIBLE ENERGIE. LA COMPARAISON, PAR ELLIPSOMETRIE IR IN SITU, DE L'EVOLUTION DES PROPRIETES VIBRATIONNELLES DE LA SILICE IDECR EN COURS DE CROISSANCE AVEC CELLES D'UNE SILICE DEPOSEE A PLUS HAUTE PRESSION MONTRE LA FORMATION D'INTERFACES ABRUPTES PAR IDECR ET LE ROLE IMPORTANT DE LA FAIBLE INCORPORATION D'HYDROGENE. L'ADHESION DES COUCHES DE SILICE, MESUREE SUR ACIER INOXYDABLE ET ORDINAIRE, EST AMELIOREE GRACE A DES PRETRAITEMENTS PLASMA DU SUBSTRAT. LEURS EFFETS SONT ETUDIES PAR ELLIPSOMETRIE IR IN SITU ET PAR D'AUTRES TECHNIQUES EX SITU (XPS, AES, SIMS). CES PRETRAITEMENTS PERMETTENT D'AUGMENTER L'ENERGIE DE SURFACE DE L'ACIER PAR LE NETTOYAGE DE LA SURFACE (TOUS PLASMAS) OU LA REDUCTION DE L'OXYDE NATIF (HYDROGENE). L'AUGMENTATION DE LA DURETE SUPERFICIELLE ET LA FORMATION DE PONTS METAL-N-SI A L'INTERFACE CONTRIBUENT EGALEMENT DANS LE CAS DE PLASMAS D'AMMONIAC ET D'AZOTE. LES PROPRIETES MORPHOLOGIQUES (DENSITE, RUGOSITE) SONT EGALEMENT ETUDIEES PAR REFLECTIVITE DES RAYONS X ET DES RESULTATS PROMETTEURS SONT OBTENUS SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES COUCHES. CES DERNIERS RESULTATS METTENT EN EVIDENCE L'INFLUENCE DU CHAUFFAGE (250C) ET DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT PENDANT LE DEPOT.

Download or read book ETUDE DU PROCEDE DE DEPOT DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM EN PLASMA HELICON O 2 TEOS written by FREDERIC.. NICOLAZO and published by . This book was released on 1997 with total page 247 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE L'ETUDE DU PROCEDE D'ELABORATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE EN PLASMA DE MELANGE OXYGENE/TETRAETHOXYSILANE (TEOS), DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HAUTE DENSITE, BASSE PRESSION DE TYPE HELICON. CE REACTEUR FONCTIONNE EN COUPLAGE INDUCTIF POUR LES PUISSANCES SUPERIEURES A 300 WATTS, AVEC DE FORTES DENSITES ELECTRONIQUES ET DE FAIBLES POTENTIELS. L'ETUDE DES PLASMAS D'OXYGENE PAR SPECTROMETRIE DE MASSE ET SONDE DE LANGMUIR A PERMIS DE DETERMINER L'ION MAJORITAIRE ET LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU PLASMA. IL EST MONTRE QUE L'ACTINOMETRIE PEU ETRE UTILISEE POUR MESURER LA DENSITE D'ATOMES D'OXYGENE. ON OBTIENT DES TAUX DE DISSOCIATION DE LA MOLECULE INFERIEURS A 10%. ON EN DEDUIT UN COEFFICIENT DE RECOMBINAISON DES ATOMES D'OXYGENE SUR LES PAROIS EN ACIER DE L'ORDRE DE 0,1. LA CONNAISSANCE DE LA DENSITE DU PLASMA ET DE LA CONCENTRATION DES ATOMES D'OXYGENE EN FONCTION DE LA PUISSANCE, DE LA PRESSION ET DE LA POSITION DANS LE REACTEUR A PERMIS DE DETERMINER LES FLUX DE PARTICULES ET DE DEFINIR DES CONDITIONS FAVORABLES AU DEPOT. L'INTRODUCTION DU TEOS DANS LES PLASMAS D'OXYGENE PROVOQUE UNE DIMINUTION DE LA DENSITE ET DE LA TEMPERATURE ELECTRONIQUE. LES SPECTRES D'EMISSION OPTIQUE SONT SOIGNEUSEMENT INDEXES. LES VARIATIONS DES INTENSITES D'EMISSIONS DES ESPECES DETECTEES SONT CORRELEES A LA MODIFICATION DE LA COMPOSITION DE LA COUCHE MINCE OBTENUE. LES FILMS DEPOSES SUR SILICIUM SONT CARACTERISES PAR ABSORPTION INFRAROUGE, ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE ET GRAVURE CHIMIQUE LIQUIDE (P-ETCH). LES OXYDES DE SILICIUM OBTENUS DANS LES MELANGES O2/TEOS SONT DE BONNE QUALITE POUR DES TAUX DE TEOS INFERIEURS A 0,1, LORSQUE LA CINETIQUE EST LIMITEE PAR LE FLUX DE PRECURSEUR SUR LA SURFACE. POUR LES TAUX PLUS ELEVES, LA VITESSE DE DEPOT SATURE ET LES ELEMENTS CARBONES SONT OBSERVES DANS LES COUCHES.

Download or read book D p t de couches minces par plasma haute densit basse pression written by Roelene Botha and published by . This book was released on 2008 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Il s'agit de dépôt de silice utilisant le silane et l'oxygène dans un système plasma haute densité. L'influence des paramètres du procédé et du système d'injection du silane sur les propriétés des matériaux sont étudiés par ellipsométrie spectroscopique, spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier, spectroscopie de transmission et microscopie à force atomique. On étudie la phase gazeuse par spectroscopie d'émission optique et spectrométrie de masse quadripolaire avec pompage différentiel. La création de l'eau dans le système et son incorporation dans les couches pendant le dépôt sont étudiées utilisant l'injection du silane par jet capillaire. L'absorption du Si-OH dans les couches est mesurée en différentes positions sur le substrat. Les simulations de flux de gaz par la technique simulation directe Monte-Carlo sont utilisées pour étudier le flux des espèces sur le porte substrat. On a trouvé que le flux de l'eau est uniforme tandis que le flux de silane varie sur le porte substrat, ce qui explique la faible quantité de silanol dans la couche dans les régions déposées à grande vitesse. Une comparaison entre les résultats expérimentaux et les simulations montre que les systèmes plasma haute densité peuvent seulement être considérés comme bien mélangés quand il n'y a pas une élimination rapide des espèces en phase gazeuse

Download or read book Etude de couches minces de carbure de silicium d pos es par CVD assist e plasma basse fr quence written by Eric Gat and published by . This book was released on 1992 with total page 146 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES DE CARBURE DE SILICIUM AMORPHE ET HYDROGENE A-SI#XC#1##X:H SONT ELABOREES A BASSE TEMPERATURE (INFERIEURE A 150#C) PAR LA TECHNIQUE CVD ASSISTEE D'UN PLASMA REACTIF BASSE FREQUENCE (110 KHZ), A PARTIR D'UN MELANGE DE GAZ SILANE ET METHANE DILUE DANS L'HELIUM. LES METHODES DE CARACTERISATION MEB, IR, AES ET REACTION NUCLEAIRE NOUS ONT PERMIS DE DEFINIR LA MORPHOLOGIE, LA NATURE ET LA COMPOSITION DES DEPOTS. UNE NATURE INORGANIQUE ET COMPACTE EST REVELEE, INDEPENDAMMENT DE LA POSITION DES SUBSTRATS (SILICIUM) DANS LE REACTEUR; ELLE RESULTE D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE RELATIVEMENT INTENSE DE LA SURFACE DES FILMS EN CROISSANCE. UNE ETUDE STRUCTURALE MENEE A PARTIR D'ANALYSES IR, AES ET EXAFS MET EN EVIDENCE, POUR LES FILMS DE COMPOSITION X VOISINE DE 0,5, UNE MICROSTRUCTURE PARTICULIERE, HOMOGENE ET PROCHE DE CELLE D'UN RESEAU A-SIC, QUI LEUR CONFERE DES PROPRIETES THERMOMECANIQUES (DURETE, FAIBLES CONTRAINTES INTERNES, STABILITE THERMIQUE) ET OPTIQUES (BONNE TRANSMISSION DANS LE DOMAINE DU VISIBLE) OPTIMALES. UN CARACTERE POLYMERE DE FAIBLE MOUILLABILITE DE LA SURFACE DES FILMS EXPOSES A L'AIR AMBIANT, ACCENTUE POUR DES TENEURS EN CARBONE ELEVEES, EST REVELE PAR DES MESURES DE TENSIOMETRIE. IL EST RELIE, PAR AES, A L'INCORPORATION DE GROUPEMENTS ALKYLES ET A LA FORMATION D'UNE COUCHE DE CONTAMINATION DE NATURE ORIGINALE, SOIT UN COMPOSE COMPLEXE SI#X(O#YC#Z:H)

Download or read book Etude de la phase initiale de croissance d agr gats de silicium dans un plasma argon silane written by Stéphanie Huet and published by . This book was released on 2001 with total page 197 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur l'étude de la phase initiale de croissance d'agrégats de silicium dans un plasma argon-silane utilisé pour la croissance de couches minces de silicium nanostructurées ns-Si :H. L'objectif de cette étude est d'établir le lien entre la formation des nanoparticules en phase gazeuse dans le plasma et les propriétés des couches minces. L'apparition des poudres a été mise en évidence par différents diagnostics de la décharge et du plasma. L'analyse de l'impédance de la décharge RF a permis la détection des nanoparticules. Des mesures de spectroscopie d’émission montrent que dès le démarrage de la coalescence de celles-ci les paramètres du plasma tels que densité et température électroniques, subissent aussi de fortes modifications. Une forte corrélation existe entre le processus de croissance des particules dans le plasma et les propriétés opto-électroniques des couches ns-Si :H. La structure et la morphologie des couches ns-Si :H déposées ont été étudiées en fonction de la durée du plasma (TON) et de la température des gaz (TG). Les échantillons obtenus ont été analysés par différentes techniques (AFM, XPS, ellipsométrie, conductivité électrique, exodiffusion, etc ). Ces films sont constitués d'une matrice amorphe de silicium dans laquelle sont incrustées des nanoparticules cristallines (MET et METHR). Des mesures de spectroscopie Raman ont permis de déterminer la taille et la fraction volumique des cristallites, ainsi que la température de surface atteinte par l'échantillon durant l'analyse Raman. L'importance de l'enregistrement des spectres Raman à une puissance laser, qui ne produit aucune modification de structure sur l'échantillon a été mise en évidence. La cristallisation des films a aussi été étudiée. La décroissance du seuil de cristallisation lorsque TON augmente et TG diminue confirme la forte corrélation entre la structure nanostructurée du film et la cinétique de croissance des particules.

Download or read book DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM ELABOREES EN PLASMA OXYGENE ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR HELICON written by Christophe Vallée and published by . This book was released on 1999 with total page 247 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES SONT DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM A PARTIR D'UN PLASMA DE MELANGE O#2/ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HELICON FONCTIONNANT A BASSE PRESSION. LORSQUE LE MELANGE EST RICHE EN OXYGENE, LES FILMS OBTENUS SONT INORGANIQUES ET DE TYPE SIO#2. CES COUCHES SONT DURES ET TRANSPARENTES DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. A PARTIR DE MELANGES RICHES EN ORGANOSILICIE, LES FILMS OBTENUS SONT ORGANIQUES, DE TYPE SIO#XC#YH#Z. DES ANALYSES IN SITU SIMULTANEES, DU FILM, PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE, ET DU PLASMA, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE, SONT MISES EN UVRE DURANT LE DEPOT. CECI PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES MECANISMES GOUVERNANT LA CROISSANCE DES FILMS ET D'OBTENIR DES OUTILS DE CONTROLE IN SITU DE LA QUALITE DES COUCHES. AINSI, NOUS AVONS MONTRE L'EXISTENCE D'UNE CORRELATION ENTRE L'EMISSION DE CH* DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION DE CARBONE DANS LES COUCHES. LES PROPRIETES ET LES COMPOSITIONS DES FILMS SONT OBTENUES PAR DES ANALYSES EX SITU TELLES QUE LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION (FTIR), LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS X (XPS), LA REFLECTIVITE SOUS FAISCEAU DE RAYONS X RASANTS, DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE TYPE C(V) POUR CETTE ETUDE NOUS AVONS UTILISE DEUX ORGANOSILICIES : LE TETRAETHOXYSILANE (TEOS) ET L'HEXAMETHYLDISILOXANE (HMDSO). L'ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTS FILMS ORGANIQUES AINSI ELABORES MET EN EVIDENCE UNE TRES FORTE ANALOGIE ENTRE LA STRUCTURE DU FILM ET CELLE DU MONOMERE PRECURSEUR. NOUS AVONS AUSSI MONTRE QUE CERTAINS OXYDES ETAIENT POREUX ET SE MODIFIAIENT AU CONTACT DE L'AIR. EN EFFET, L'UTILISATION DE L'ELLIPSOMETRIE PERMET DE VISUALISER, EN TEMPS REEL, L'INCORPORATION D'EAU DANS CES FILMS. NOUS AVONS AUSSI ETUDIE LA NATURE DES INTERACTIONS ENTRE LES ATOMES D'OXYGENE ET LA SURFACE DU FILM EN COURS D'ELABORATION, AINSI QUE L'EFFET D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE (PAR POLARISATION DU SUBSTRAT), SUR LA QUALITE ET LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES.

Download or read book Etude de la croissance et du dopage simultan basse temp rature de couches minces de silicium pitaxi en plasma multipolaire micro onde written by Emmanuel Voisin (auteur en métallurgie).) and published by . This book was released on 1990 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de these est une etude de la croissance epitaxiee du silicium sur silicium et du dopage, a basse temperature (600c-800c) par plasma multipolaire microonde. Apres une presentation du dispositif experimental et des caracteristiques essentielles du plasma genere par une source rcer (resonance cyclotronique electronique repartie), il aborde tout d'abord le nettoyage in situ d'une surface de silicium par plasma d'hydrogene ou d'argon puis le depot epitaxie de silicium intrinseque a tres basse temperature par plasma de silane. Ensuite est presentee une etude du dopage, type n par le phosphore ou l'arsenic et type p par le bore. Elle aborde le niveau d'incorporation, l'activite electrique et la distribution spatiale des atomes dopants (le profil de dopage) dans une couche epitaxiee, en fonction des parametres experimentaux essentiels: fraction du gaz dopant dans le silane, energie des ions, temperature du substrat, puissance microonde injectee. Enfin la mise en uvre de nombreuses techniques de caracterisation atteste la bonne qualite tant sur le plan structural (nature et densite des defauts residuels) qu'electrique (mobilite des porteurs, defauts dans le gap) des couches de silicium deposees par pmm. L'avenir du depot par pmm en microelectronique s'avere donc tres prometteur

Download or read book ETUDE DU DEPOT DE FILMS MINCES DE SILICE PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE APPLICATION A L ETUDE DE STRUCTURES SIO 2 INP written by FRANCOIS.. PLAIS and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE ISOLEE (MISFET) SUR INP EST LE COMPOSANT SUSCEPTIBLE DE REPONDRE AUX SPECIFICATIONS REQUISES DANS LE DOMAINE DE L'AMPLIFICATION HYPERFREQUENCE. LA REALISATION DE CE COMPOSANT PASSE PAR LA MAITRISE DU DEPOT DE SILICE SUR INP ET LA REALISATION D'UNE INTERFACE SANS DEFAUTS. LES TECHNIQUES HABITUELLES DE DEPOT D'ISOLANT (DEPOT ASSISTE PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, TEMPERATURE DE SUBSTRAT 250C) INDUISENT DES DEFAUTS DANS LE SUBSTRAT QUI NUISENT A LA QUALITE DU COMPOSANT REALISE. A TITRE D'ALTERNATIVE AUX PLASMAS RADIOFREQUENCES, NOUS AVONS UTILISE UN PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE POUR DEPOSER LE FILM DE SILICE. LE PLASMA EST CREE, A BASSE PRESSION (10##3 MBAR), DANS UN MELANGE SIH#4-N#2O, PAR RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE (RCER). LES FILMS OBTENUS A TEMPERATURE AMBIANTE PRESENTENT UNE FAIBLE CONTAMINATION (2 AT% D'AZOTE ET 5 AT% D'HYDROGENE MESURE PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE), UNE FAIBLE VITESSE DE GRAVURE HUMIDE (3 FOIS CELLE DE LA SILICE THERMIQUE) ET UNE BONNE RESISTIVITE (10#1#5CM). NOUS AVONS ENSUITE CARACTERISE L'INTERFACE ENTRE LE FILM DE SILICE ET L'INP PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS (XPS) SUR DES COUCHES MINCES OU PAR ANALYSE I(V)-C(V) SUR DES COUCHES EPAISSES. ON MONTRE PAR XPS QUE LE DEPOT DE SILICE OXYDE FORTEMENT LE SUBSTRAT D'INP. LE CHAMP CRITIQUE, POUR LEQUEL LA DENSITE DE COURANT DE FUITE EST INFERIEURE A 1 NA CM##2, DEPASSE 5 MV CM##1, RESULTAT COMPARABLE A LA STRUCTURE SILICE THERMIQUE - SI (ANALYSE I(V) QUASISTATIQUE). LA DISPERSION EN FREQUENCE DES CARACTERISTIQUES C(V) EST NULLE ET L'ANALYSE TERMAN INDIQUE UN MINIMUM DE DENSITES D'ETATS D'INTERFACE EGAL A 2 10#1#1 CM##2 EV##1

Download or read book CROISSANCE ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM OBTENUES PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES HMDSO TEOS written by CHRISTIAN.. BOURREAU and published by . This book was released on 1992 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE A POUR SUJET L'ELABORATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES (HMDSO ET TEOS). L'ETUDE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES DU REACTEUR DE DEPOT SUR LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES MINCES A MONTRE L'IMPORTANCE DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT. QUEL QUE SOIT LE PRECURSEUR GAZEUX UTILISE, CETTE VITESSE DECROIT SENSIBLEMENT AVEC LA TEMPERATURE. DIFFERENTES TECHNIQUES D'ANALYSE ONT PERMIS DE TESTER LA QUALITE DES FILMS OBTENUS: MESURE DE L'INDICE OPTIQUE ET DE LA VITESSE D'ATTAQUE PAR HF, CARACTERISATION ELECTRIQUE A L'AIDE DE STRUCTURES MOS. L'ANALYSE CHIMIQUE, EFFECTUEE ESSENTIELLEMENT PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE, MONTRE QUE LES FILMS POSSEDANT DES PROPRIETES PHYSIQUES INTERESSANTES ONT UNE STRUCTURE TRES PROCHE DE LA SILICE STCHIOMETRIQUE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX PRECEDENTS ONT PERMIS DE DEGAGER LES CARACTERISTIQUES DU MODE DE CROISSANCE. L'ETUDE DE COUCHES REALISEES, A TITRE COMPARATIF, A PARTIR DU SILANE, A CONDUIT A DES RESULTATS TRES DIFFERENTS. EN UTILISANT LE SILANE, LA FORMATION DU FILM EST PRINCIPALEMENT CONTROLEE PAR DES REACTIONS INITIEES DANS LE PLASMA. POUR LES COMPOSES ORGANOMETALLIQUES, LA CROISSANCE EST CONTROLEE PAR DES REACTIONS SE DEROULANT A LA SURFACE DU SUBSTRAT. DANS CE CAS LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION JOUENT UN ROLE PRIMORDIAL. UN MECANISME REACTIONNEL COMPLET A ETE PROPOSE POUR LES DEPOTS REALISES A PARTIR DE HMDSO. L'ETUDE DES RECOUVREMENTS DE MARCHE A PERMIS D'ETABLIR UNE CORRELATION ETROITE ENTRE LE MODE DE CROISSANCE ET LA CONFORMITE DU DEPOT. LE RECOUVREMENT DE MARCHES PAR LES FILMS REALISES A PARTIR DU SILANE EST CARACTERISTIQUE D'UNE CROISSANCE ISOTROPE, ET DONC DE TRES MAUVAISE QUALITE. UNE AMELIORATION TRES NETTE DE CE RECOUVREMENT, CONTROLE PAR LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION, EST OBSERVEE POUR LES DEPOTS OBTENUS A PARTIR DES COMPOSES ORGANOSILICIES

Download or read book Etude de la croissance et du dopage simultan basse temp rature de couches minces de silicium pitaxi en plasma multipolaire micro onde written by Emmanuel Voisin and published by . This book was released on 1990 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL DE THESE EST UNE ETUDE DE LA CROISSANCE EPITAXIEE DU SILICIUM SUR SILICIUM ET DU DOPAGE, A BASSE TEMPERATURE (600C-800C) PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE. APRES UNE PRESENTATION DU DISPOSITIF EXPERIMENTAL ET DES CARACTERISTIQUES ESSENTIELLES DU PLASMA GENERE PAR UNE SOURCE RCER (RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE), IL ABORDE TOUT D'ABORD LE NETTOYAGE IN SITU D'UNE SURFACE DE SILICIUM PAR PLASMA D'HYDROGENE OU D'ARGON PUIS LE DEPOT EPITAXIE DE SILICIUM INTRINSEQUE A TRES BASSE TEMPERATURE PAR PLASMA DE SILANE. ENSUITE EST PRESENTEE UNE ETUDE DU DOPAGE, TYPE N PAR LE PHOSPHORE OU L'ARSENIC ET TYPE P PAR LE BORE. ELLE ABORDE LE NIVEAU D'INCORPORATION, L'ACTIVITE ELECTRIQUE ET LA DISTRIBUTION SPATIALE DES ATOMES DOPANTS (LE PROFIL DE DOPAGE) DANS UNE COUCHE EPITAXIEE, EN FONCTION DES PARAMETRES EXPERIMENTAUX ESSENTIELS: FRACTION DU GAZ DOPANT DANS LE SILANE, ENERGIE DES IONS, TEMPERATURE DU SUBSTRAT, PUISSANCE MICROONDE INJECTEE. ENFIN LA MISE EN UVRE DE NOMBREUSES TECHNIQUES DE CARACTERISATION ATTESTE LA BONNE QUALITE TANT SUR LE PLAN STRUCTURAL (NATURE ET DENSITE DES DEFAUTS RESIDUELS) QU'ELECTRIQUE (MOBILITE DES PORTEURS, DEFAUTS DANS LE GAP) DES COUCHES DE SILICIUM DEPOSEES PAR PMM. L'AVENIR DU DEPOT PAR PMM EN MICROELECTRONIQUE S'AVERE DONC TRES PROMETTEUR

Download or read book Mod lisation et caract risation exp rimentale d un proc d de d p t de couches minces d oxyde de silicium en plasma radiofr quence O2 HMDSO basse pression written by Marjorie Goujon and published by . This book was released on 2004 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux présentés dans ce mémoire concernent l'étude d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma froid radiofréquence (RF) dans un mélange oxygène-hexaméthyldisiloxane (HMDSO) à basse pression, destiné à l'élaboration de couches minces d'oxyde de silicium sur des substrats métalliques. Un modèle fluide est tout d'abord développé pour décrire le comportement de la décharge au cours d'une période RF, et en particulier l'évolution du champ électrique et des densités des espèces chargées. Grâce à ce modèle, l'importance relative du bombardement ionique des électrodes et du phénomène de "wave-riding" pour la production d'électrons est mise en évidence et permet de définir des conditions de fonctionnement qui tendent à minimiser le bombardement des électrodes. Dans une seconde partie, la mise en œuvre de moyens de caractérisation tels que la spectroscopie d'émission optique et la spectroscopie d'absorption infrarouge à transformée de Fourier (FTIR) permet d'estimer le taux de dissociation du monomère organosilicié et d'obtenir des renseignements sur les mécanismes de dissociation du précurseur organique. Des analyses FTIR des films déposés sont couplées aux analyses de la phase gazeuse et permettent d'établir des corrélations entre la nature des films déposés et la composition chimique du plasma. Ces résultats sont complétés par l'établissement d'un modèle décrivant la cinétique chimique des neutres du plasma 02/HMDSO, à partir duquel l'évolution, dans l'espace interélectrodes, de la concentration de différentes espèces moléculaires est calculée, afin de prédire l'enrichissement en carbone des films déposés.

Download or read book Oxydation du silicium par plasma d oxygene written by Christine Martinet and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacre a l'etude de l'oxyde de silicium realise par oxydation plasma a basse temperature dans un reacteur a resonance cyclotronique electronique repartie. Nous nous sommes interesses aux cinetiques de croissance en anodisation plasma (tension appliquee au substrat superieure au potentiel plasma) a courant constant qui decrivent bien un modele de diffusion d'ions o#- assistee champ. Mais, nous avons mis en evidence l'existence d'un premier regime, ou la tension reste constante, qui correspondrait a la formation d'une couche conductrice d'epaisseur 10-15 nm due aux photons u.v. Energetiques du plasma d'oxygene. Nous avons caracterisé physiquement nos oxydes plasmas. La methode d'absorption infrarouge s'est revelee tres adaptee a l'etude des couches minces de silice, en tenant compte des effets geometriques, mis en evidence par calcul et experimentalement, provoquant un deplacement fictif du pic du mode principal optique transverse (to) avec l'epaisseur d'oxyde, tandis que la position du pic du mode optique longitudinal (lo) reste invariante. La position des pics des modes lo et to nous permet de determiner l'angle moyen si-o-si et la densite de la silice. Les oxydes plamas montrent une position de ces deux pics tres deplacee par rapport aux oxydes thermiques laissant presager des oxydes denses. La reflectometrie x s'est revelee tres sensible a la rugosite de surface de l'oxyde tandis qu'il est difficile d'obtenir des valeurs precises pour les autres parametres (rugosite d'interface sio#2/si, densite). Les resultats des mesures sur les oxydes anodiques en absorption infrarouge et en reflectometrie x montrent une inhomogeneite en epaisseur. Enfin, des mesures c(v) montrent une caracteristique convenable bien que ces oxydes soient contamines par les metaux constituant le reacteur.

Download or read book OXYDATION DU SILICIUM PAR PLASMA D OXYGENE written by CHRISTINE.. MARTINET and published by . This book was released on 1995 with total page 171 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'OXYDE DE SILICIUM REALISE PAR OXYDATION PLASMA A BASSE TEMPERATURE DANS UN REACTEUR A RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX CINETIQUES DE CROISSANCE EN ANODISATION PLASMA (TENSION APPLIQUEE AU SUBSTRAT SUPERIEURE AU POTENTIEL PLASMA) A COURANT CONSTANT QUI DECRIVENT BIEN UN MODELE DE DIFFUSION D'IONS O#- ASSISTEE CHAMP. MAIS, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UN PREMIER REGIME, OU LA TENSION RESTE CONSTANTE, QUI CORRESPONDRAIT A LA FORMATION D'UNE COUCHE CONDUCTRICE D'EPAISSEUR 10-15 NM DUE AUX PHOTONS U.V. ENERGETIQUES DU PLASMA D'OXYGENE. NOUS AVONS CARACTERIS E PHYSIQUEMENT NOS OXYDES PLASMAS. LA METHODE D'ABSORPTION INFRAROUGE S'EST REVELEE TRES ADAPTEE A L'ETUDE DES COUCHES MINCES DE SILICE, EN TENANT COMPTE DES EFFETS GEOMETRIQUES, MIS EN EVIDENCE PAR CALCUL ET EXPERIMENTALEMENT, PROVOQUANT UN DEPLACEMENT FICTIF DU PIC DU MODE PRINCIPAL OPTIQUE TRANSVERSE (TO) AVEC L'EPAISSEUR D'OXYDE, TANDIS QUE LA POSITION DU PIC DU MODE OPTIQUE LONGITUDINAL (LO) RESTE INVARIANTE. LA POSITION DES PICS DES MODES LO ET TO NOUS PERMET DE DETERMINER L'ANGLE MOYEN SI-O-SI ET LA DENSITE DE LA SILICE. LES OXYDES PLAMAS MONTRENT UNE POSITION DE CES DEUX PICS TRES DEPLACEE PAR RAPPORT AUX OXYDES THERMIQUES LAISSANT PRESAGER DES OXYDES DENSES. LA REFLECTOMETRIE X S'EST REVELEE TRES SENSIBLE A LA RUGOSITE DE SURFACE DE L'OXYDE TANDIS QU'IL EST DIFFICILE D'OBTENIR DES VALEURS PRECISES POUR LES AUTRES PARAMETRES (RUGOSITE D'INTERFACE SIO#2/SI, DENSITE). LES RESULTATS DES MESURES SUR LES OXYDES ANODIQUES EN ABSORPTION INFRAROUGE ET EN REFLECTOMETRIE X MONTRENT UNE INHOMOGENEITE EN EPAISSEUR. ENFIN, DES MESURES C(V) MONTRENT UNE CARACTERISTIQUE CONVENABLE BIEN QUE CES OXYDES SOIENT CONTAMINES PAR LES METAUX CONSTITUANT LE REACTEUR

Download or read book Etude de la croissance et des propri t s des couches minces organosilici es obtenues dans un plasma multipolaire r sonance cyclotronique lectronique r partie written by Régis Delsol and published by . This book was released on 1995 with total page 184 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE SUJET PORTE SUR L'ETUDE DES VITESSES DE CROISSANCE ET SUR LA CARACTERISATION DE COUCHES MINCES ORGANOSILICIEES, OBTENUES DANS UN PLASMA MULTIPOLAIRE A RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE. LE MILIEU GAZEUX EST COMPOSE DE TETRAETHYLORTHOSILICATE ET D'OXYGENE MOLECULAIRE. DANS LA PREMIERE PARTIE DU SUJET, LES COEFFICIENTS DE DISSOCIATION APPARENTS DU TETRAETHYLORTHOSILICATE ET DE L'OXYGENE MOLECULAIRE SONT MESURES PAR SPECTROMETRIE DE MASSE. DES LES FAIBLES PUISSANCES (100 WATT), LE TETRAETHYLORTHOSILICATE EST TOTALEMENT DISSOCIE. EN REVANCHE, 50% DE L'OXYGENE ATOMIQUE RESTE DETECTABLE POUR UNE PUISSANCE DE 800 WATT. LES PRESSIONS DE TRAVAIL SONT COMPRISES ENTRE 0,05 PA ET 0,2 PA. AU-DESSOUS DE CES VALEURS LA DECHARGE NE PEUT SE DECLENCHER, AU-DESSUS LES COLLISIONS EMPECHENT L'EXTENSION DU PLASMA DANS LE REACTEUR. A PARTIR DE CES OBSERVATIONS ET DE LA MESURE DES VITESSES DE CROISSANCE POUR DIVERSES CONDITIONS D'ELABORATION (PRESSION, PUISSANCE, COMPOSITION DU MELANGE GAZEUX), UN MODELE DE CROISSANCE EST PROPOSE. IL SUPPOSE UNE RECOMBINAISON DES RADICAUX ORGANOSILICIES DE LA PHASE GAZEUSE SUR LES SURFACES, ET UN PHENOMENE DE GRAVURE DES FILMS PAR L'OXYGENE ATOMIQUE DE LA DECHARGE. DANS LA DEUXIEME PARTIE DU SUJET, UNE POLARISATION RADIO-FREQUENCE EST IMPOSEE AUX SUBSTRATS TRAITES. LES COUCHES DEPOSEES SONT ANALYSEES PAR SPECTROSCOPIE INFRA-ROUGE EN TRANSMISSION ET CARACTERISEES PAR MESURES DIELECTRIQUES. L'EFFET DE SYNERGIE ENTRE LA GRAVURE CHIMIQUE PAR L'OXYGENE ATOMIQUE ET LE BOMBARDEMENT IONIQUE DU A LA POLARISATION DES SUBSTRATS, ELIMINE LA PARTIE ORGANIQUE DES FILMS. DES COUCHES DE TYPE SIOX SONT OBTENUES. LES PROPRIETES DIELECTRIQUES DE CES COUCHES DEPENDENT DES CONDITIONS D'ELABORATION ET DE LA POLARISATION DES SUBSTRATS. POUR UN PLASMA CONTENANT 75% D'OXYGENE MOLECULAIRE ET 25% DE TETRAETHYLORTHOSILICATE ET POUR UNE POLARISATION DE -20V, LES FILMS OBTENUS SONT PROCHES DE LA SILICE THERMIQUE (PERMITTIVITE RELATIVE DE 4 ET PERTES DIELECTRIQUES DE 4 10#-#3 A 1 KHZ)

Download or read book Mod lisation des m canismes de croissance des couches minces de carbone dur amorphe obtenues par CVD assist e plasma Application la r alisation de rev tements anti usure multicouches TiN Ti C N TiC carbone written by Frédéric Meunier and published by . This book was released on 1996 with total page 175 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CES TRAVAUX PORTENT SUR LA MODELISATION DES MECANISMES DE CROISSANCE ET L'OPTIMISATION DES PROPRIETES TRIBOLOGIQUES DE COUCHES MINCES DE CARBONE REALISEES PAR CVD ASSISTEE PLASMA. LA DECHARGE, OBTENUE A BASSE PRESSION (0, 1 PA) GRACE A UN DISPOSITIF D'INTENSIFICATION DE LA DECHARGE, EST REALISEE DANS DU BENZENE PUR. UNE ETUDE A LA FOIS THEORIQUE ET EXPERIMENTALE PERMET DE DEFINIR, EN FONCTION DES CONDITIONS D'ELABORATION, DIFFERENTES STRUCTURES POUR LES COUCHES. ON MONTRE NOTAMMENT LE ROLE FONDAMENTAL DES IONS C#6H#6#+ PRESENTS DANS LE PLASMA. ILS CONTRIBUENT POUR 80% A LA FORMATION DU DEPOT. L'ENERGIE DE CES IONS INCIDENTS DETERMINE LA STRUCTURE DE LA COUCHE (TAUX D'HYDROGENE, NATURE DE L'ETAT DES LIAISONS DE CET ELEMENT AVEC LE CARBONE, NATURE DES HYBRIDATIONS) ET DES PROPRIETES MECANIQUES. LES MEILLEURS DEPOTS SONT OBTENUS LORSQUE CETTE ENERGIE EST COMPRISE ENTRE 500 ET 700 EV. LE FLUX DE CES ESPECES DETERMINE QUANT A LUI LA VITESSE DE CROISSANCE. L'ETUDE DES MECANISMES REGISSANT L'ADHERENCE DE TELS DEPOTS MONTRE QUE POUR OBTENIR UNE ADHERENCE COMPATIBLE AVEC LES APPLICATIONS VISEES (ANTI-USURE, ANTI-FROTTEMENT), LE RECOURS A DES SOUS-COUCHES D'ACCROCHAGE EST NECESSAIRE. ELLES SONT OBTENUES PAR DEPOT IONIQUE, JUSTE AVANT LA SYNTHESE DE LA COUCHE FINALE DE CARBONE ET DANS LE MEME CYCLE DE DEPOT. ON MONTRE QUE DES SOUS-COUCHES DE TYPE TIN+TIC SONT TRES BIEN ADAPTEES. LA FONCTION DE CHACUN DE CES MATERIAUX EST MISE EN EVIDENCE. DES REVETEMENTS A LA FOIS TRES PERFORMANTS D'UN POINT DE VUE TRIBOLOGIQUE ET TRES ADHERENTS SONT REALISES. ILS SONT ENSUITE UTILISES POUR LE TRAITEMENT DE PIECES TRIDIMENSIONNELLES. ON ETUDIE ALORS LES CONSEQUENCES DE LA MISE EN ROTATION DES SUBSTRATS SUR LES MECANISMES ET LA CINETIQUE DE CROISSANCE, AINSI QUE SUR L'EVOLUTION DE L'ADHERENCE ET DE LA RESISTANCE A L'USURE. ON MONTRE AUSSI QUE LA GEOMETRIE DE LA PIECE A TRAITER CONDITIONNE LA DISTRIBUTION DES CARACTERISTIQUES DU REVETEMENT SUR SA SURFACE. DES SOLUTIONS SONT PROPOSEES POUR REPONDRE A CES PROBLEMES

Download or read book Etude du d veloppement de la projection plasma sous tr s basse pression written by Pengjiang He and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La technologie de projection plasma sous basse pression a attiré l'attention de nombreux chercheurs comme une nouvelle technique qui permet d'établir un pont entre la projection thermique conventionnelle et le dépôt physique en phase vapeur. Ainsi, cette technologie étend les limites de projection thermique classique et augmente également la vitesse de croissance des dépôts par rapport aux procédés PVD ou CVD classiques. Cette technique peut évaporer totalement ou partiellement les poudres injectées et mener à la réalisation de revêtements à microstructure colonnaire et/ou plus denses, difficiles à réaliser avec des procédés de projection thermique conventionnels. La projection plasma de suspension a été effectuée pour la première fois sous basse pression. L'injection axiale de suspension avec une torche tri-cathodes permet d'augmenter l'échange enthalpique entre le jet de plasma et les poudres après l'évaporation du solvant. La spectroscopie à l'émission optique (OES) a été utilisée pour estimer la température électronique et vérifier l'existence de phase vapeur d'YSZ dans le jet de plasma. Finalement, des revêtements plus denses furent réalisés (comparés à ceux préparés par projection plasma de suspension à pression atmosphérique présentant des particules fondues, agglomérées et de la condensation de vapeur. Des tests de nano-indentation instrumentée ont été effectués sur la surface polie des dépôts réalisés. Les résultats montrent des valeurs de 5,8 GPa pour la dureté et 114,5 GPa pour le module d'élasticité, augmentant de 61% et 31%, respectivement, en comparaison avec les valeurs obtenues par SPS sous atmosphère ambiante. Les essais de projection de poudre YSZ agglomérée ont été réalisés avec une torche F4-VB dans le but de synthétiser une phase vapeur d'YSZ. On observe que les dépôts peuvent se former derrière les échantillons en céramique, sans vis-à-vis du plasma, par condensation de vapeur. En face de cette torche, des revêtements composites ont été obtenus par un mélange de poudres fondues et condensation de vapeur, simultanément. Cependant la quantité de phase vapeur est très faible dans le jet de plasma. Pour comprimer ce jet sous basse pression et afin d'améliorer l'échange d'enthalpie entre le jet de plasma et les poudres injectées, une buse rallongée a été mise en place sur la torche F4-VB. Les revêtements présentent ainsi une microstructure plus dense. Ceci est attribué à la haute vitesse des particules fondues vers le substrat suite à l'utilisation de la buse modifiée. Ce type de revêtement montre une valeur maximale de microdureté Vickers de 1273 Hv100 g. Par ailleurs, la réalisation de dépôts de carbures a été effectuée. Les résultats montrent la possibilité de former des carbures par projection plasma sous basse pression. Les revêtements composites (TiC/Ti) sont déposés par projection plasma réactif sous basse pression en utilisant le méthane comme gaz porteur. La température électronique Te calculée est d'environ 6200 K selon les résultats d'OES, ce qui est supérieur à la température d'ébullition du Ti et de TiC. Le revêtement de Ti pur présente une microstructure dense alors que TiC/Ti présente une microstructure lamellaire. Cependant, la quantité de TiC dans les revêtements est d'environ 20 vol.%. La microdureté Vickers, effectuée sur surface polie, a tendance à diminuer de 846±152 à 773±86 Hv100 g avec l'augmentation de la distance de projection.

Download or read book DISSOCIATION ET TRANSPORT DANS UN PLASMA DE SILANE DURANT LA CROISSANCE DE COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by Guy Turban and published by . This book was released on 1981 with total page 253 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DISPOSITIFS DE PRODUCTION ET DE DIAGNOSTIC DU PLASMA DE SILANE. DISSOCIATION ET IONISATION DU SIH::(4) DANS LA DECHARGE HF. CINETIQUE DU TRANSPORT DIFFUSIONNEL DE MATIERE DANS LE REACTEUR. REACTIONS SECONDAIRES AU SEIN DE LA DECHARGE DANS SIH::(4)-SID::(4)-HE. ROLE DE H::(2) DANS LE PLASMA SIH::(4)-H::(2)-D::(2). ETUDE DE L'INTERACTION DU PLASMA AVEC LE FILM EN CROISSANCE