Download or read book EMISSION STIMULEE ET GAIN OPTIQUE DE SEMICONDUCTEURS A LARGE BANDE INTERDITE DIRECTE ZNS ZNSE ET GAN written by DRISS.. GUENNAN and published by . This book was released on 1998 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CETTE THESE A POUR OBJET INITIAL LA CARACTERISATION DE COUCHES SEMICONDUCTRICES EPITAXIEES DE ZNS, ZNSE ET GAN PAR LA MESURE DE LEURS PROPRIETES OPTIQUES LINEAIRES AU VOISINAGE DE LEURS RESONANCES EXCITONIQUES (MESURE DES SPECTRES DE PHOTOLUMINESCENCE, DE REFLECTION ET D'ABSORPTION DES COUCHES). LEURS PROPRIETES OPTIQUES NONLINEAIRES, NOTAMMENT LEURS PHOTOLUMINESCENCES SOUS FORTE EXCITATION LUMINEUSE ET LEURS SPECTRES D'EXCITATION, ONT ETE ETUDIEES ENSUITE. DES PROCESSUS TELS QUE LA RECOMBINAISON RADIATIVE DE MOLECULES EXCITONIQUES (ZNS), DES EXCITONS PAR COLLISIONS EXCITON-EXCITON, EXCITON-ELECTRON (ZNSE), DE PLASMAS ELECTRON-TROU (GAN) ONT ETE MIS EN EVIDENCE DANS CES CONDITIONS D'EXCITATION. LES EMISSIONS STIMULEES OBSERVEES DANS CES COUCHES ET LES GAINS OPTIQUES CORRESPONDANTS ONT ETE ETUDIES GRACE A LA METHODE DE SHAKLEE PAR VARIATION DE LA LONGUEUR DE LA ZONE D'EXCITATION, A DIFFERENTES DENSITES D'EXCITATION ET A DIFFERENTES TEMPERATURES. LES MECANISMES DE GAIN ONT ETE DETERMINES AUX TRES BASSES TEMPERATURES. NOUS AVONS MONTRE QUE, DANS ZNS (30 CM#-#1), L'EMISSION STIMULEE EST SURTOUT DUE A LA RECOMBINAISON RADIATIVE DES MOLECULES EXCITONIQUES ; QUE, DANS ZNSE (90 CM#-#1), LES COLLISIONS EXCITON-EXCITON JOUENT UN ROLE IMPORTANT ; QUE, DANS GAN (450 CM#-#1), LE PROCESSUS QUI INTERVIENT EST LA RECOMBINAISON RADIATIVE D'UN PLASMA ELECTRON-TROU ; ENFIN, QUE, DANS UN PUITS QUANTIQUE DE ZNCDSE/ZNSE PLACE DANS UNE STRUCTURE GRINSCH (650 CM#-#1), L'EMISSION STIMULEE PEUT ETRE EXPLIQUEE PAR UN ELARGISSEMENT INHOMOGENE DES TRANSITIONS EXCITONIQUES DU AUX FLUCTUATIONS DE COMPOSITION DE L'ALLIAGE ET AUX VARIATIONS ALEATOIRES DE L'EPAISSEUR DU PUITS, COMME SUGGERE PAR DING. EN CONCLUSION, DANS CE TRAVAIL, NOUS MONTRONS QU'IL EST POSSIBLE DE CARACTERISER DES COUCHES SEMICONDUCTRICES PAR LA MESURE DE LEURS PROPRIETES OPTIQUES LINEAIRES ET NONLINEAIRES. IL CONTRIBUE AINSI A L'AMELIORATION DES METHODES DE CROISSANCE DE CES COUCHES MINCES SEMICONDUCTRICES.

Download or read book PROPRIETES PHOTO ELECTRONIQUES DE SEMI CONDUCTEURS A LARGE BANDE INTERDITE ETUDIEES PAR LES TECHNIQUES A LASER PULSE written by Christian Lopez and published by . This book was released on 1980 with total page 94 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE DES COMPOSES DU TITRE; L'ARSENIURE ETANT TRES DOPE PAR TE OU ZN, ET DE L'IODURE PUR. MISE EN EVIDENCE DES POSSIBILITES OFFERTES PAR L'EXCITATION TRANSITOIRE AVEC LASER PULSE PAR REPONSES ELECTRIQUES ET OPTIQUES POUR CARACTERISER LA QUALITE ELECTRIQUE D'UN MATERIAU DE BANDE INTERDITE ELEVEE, EN PARTICULIER DANS LE CAS D'UNE PHOTOEXCITATION PAR PHOTONS D'ENERGIE INFERIEURE A LA LARGEUR DE BANDE INTERDITE

Download or read book Contribution l tude des polaritons excitoniques dans les semiconducteurs written by Bernard Sermage and published by . This book was released on 1980 with total page 172 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nous avons étudié la réabsorption de la luminescence excitonique sur un certain nombre de semiconducteurs (ZnSe, CuCl, CuGaS2 et AgGaSe2). Nous avons constaté qu'elle est très importante et que du fait de la recombinaison en surface, elle joue un rôle important sur la forme de la raie de luminescence de l'exciton libre. Sa déformation pouvant aller jusqu'à l'inversion de raie (visible principalement à 77 K). Nous pensons que ces résultats sont très généraux et doivent s'observer sur tous les semiconducteurs à bande interdite directe et où la force d'oscillateur de l'exciton libre est suffisamment grande (composés II-VI, I-VII, I-III, VI, peut-être GaP et GaN).

Download or read book Contribution au d veloppement de composants et de dispositifs lectroniques base de semiconducteurs large bande interdite III N et diamant written by Ali Soltani and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce manuscrit constitue un document de synthèse des travaux de recherche visant essentiellement au développement de composants électroniques pour la réalisation de de dispositifs fonctionnant de quelques mégaHertz au téraHertz mais aussi de capteurs à base de matériaux semiconducteurs nitrures à large bande interdite et de diamant. Mes activités de recherche sont en partie orientées vers la technologie des composants, la physique des semiconducteurs ainsi que les procédés matériaux. Une grande part est consacrée au transistor à effet de champ HEMT (Al,In)GaN/GaN/Si pour des applications en amplification de puissance hyperfréquence mais aussi aux transistors tout diamant à dopage delta. Une autre thématique traite de nano-composants quantiques dans la filière des matériaux semiconducteurs AlN/GaN afin d'en étudier le comportement électrique comme les diodes à effet tunnel résonant. Enfin, deux autres filières de capteurs à base de matériaux à large bande interdite (B,Al,Ga)N ont été développées pour répondre aux besoins des industriels : les photodétecteurs X-UV et les dispositifs à ondes élastiques de surface. Chacune de ces études a permis de mettre en évidence les paramètres clés nessaires pour la réalisation du concept jusqu'à leur réalisation technologique en salle blanche.

Download or read book Croissance et caract risation d h t rostructures ZnBeSe large bande interdite written by Catherine Chauvet-Guibert and published by . This book was released on 2001 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Des efforts de recherche se sont récemment développés sur une nouvelle famille de semi-conducteurs II-VI à large bande interdite: les chalcogénures de Béryllium. Ces matériaux sont intéressant à plusieurs titres. Le caractère covalent marqué des BeX leur confère une grande rigidité élastique, ce qui est favorable à l'augmentation la durée de vie des dispositifs basés sur ces matériaux. Les alliages Zn(Mg)BeSe peuvent également être épitaxiés en accord de maille sur plusieurs substrats commerciaux comme GaAs, Si, GaP. De plus, il existe très peu de données expérimentales concernant cette famille de matériaux. L'étude des propriétés physiques des BeX présente donc un intérêt fondamental évident. Ce mémoire traite plus particulièrement de l'élaboration et des caractérisations des hétérostructures ZnBeSe. Dans le cas de la croissance de Be(Zn)Se sur Si, nous avons montré que la réactivité des espèces à l'interface joue un rôle primordial pour la qualité de la relation epitaxiale. Nous observons toujours une nucléation 3D même pour un alliage accordé, ce qui est certainement dû à une trop forte affinité chimique entre Si et Se. Par la suite, nous avons réalisé les premières croissances de ZnBeSe sur GaP. Nous obtenons une bien meilleure qualité cristalline que sur Si. Enfin, nous nous sommes attachés à étudier les propriétés intrinsèques du ternaire ZnBeSe. Les variations du gap direct de l'alliage ont été mesurées pour la première fois sur toute la gamme de composition.L'étude des propriétés optiques de ZnBeSe nous a alors permis de mettre en évidence la transition gap direct indirect pour une composition de 46%Be. Les énergies de phonons LO et TO ont également été mesurées par spectroscopie Raman.

Download or read book Organic Solid State Lasers written by Sébastien Forget and published by Springer. This book was released on 2013-07-03 with total page 179 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Organic lasers are broadly tunable coherent sources, potentially compact, convenient and manufactured at low-costs. Appeared in the mid 60’s as solid-state alternatives for liquid dye lasers, they recently gained a new dimension after the demonstration of organic semiconductor lasers in the 90's. More recently, new perspectives appeared at the nanoscale, with organic polariton and surface plasmon lasers. After a brief reminder to laser physics, a first chapter exposes what makes organic solid-state organic lasers specific. The laser architectures used in organic lasers are then reviewed, with a state-of-the-art review of the performances of devices with regard to output power, threshold, lifetime, beam quality etc. A survey of the recent trends in the field is given, highlighting the latest developments with a special focus on the challenges remaining for achieving direct electrical pumping of organic semiconductor lasers. A last chapter covers the applications of organic solid-state lasers.

Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.

Download or read book Laser 50 Years Of Discoveries written by Fabien Bretenaker and published by World Scientific. This book was released on 2014-10-27 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This unique book provides an overview of the principle and applications of lasers enriched with numerous illustrations.Being over fifty years old, lasers continue to amaze us. Their performance characteristics are constantly reaching new limits, and the scope of their applications continues to expand. Yet, it took years of effort by teams of physicists to transform the fundamental notions of Einstein into the first experimental beam of laser light. And history is still going on as fundamental research is now triggered by its remarkable properties.This book addresses every aspects of laser light, from its fundamental principles to its industrial applications, at a level particularly suited for high school teachers, students, and anybody curious about science and technology.

Download or read book Physical Properties of Amorphous Materials written by David Adler and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2013-06-29 with total page 448 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The Institute for Amorphous Studies was founded in 1982 as the international center for the investigation of amorphous mate rials. It has since played an important role in promoting the und er standing of disordered matter in general. An Institute lecture series on "Fundamentals of Amorphous Materials and Devices" was held during 1982-83 with distinguished speakers from universities and industry. These events were free and open to the public ,and were attended by many representatives of the scientific community. The lectures themselves were highly successful inasmuch as they provided not only formal instruction but also an opportunity for vigorous and stimulating debate. That last element could not be captured within the pages of a book I but the lectures concentrated on the latest advances in the field I which is why their essential contents are he re reproduced in collective form. Together they constitute an interdisciplinary status report of the field. The speakers brought many different viewpoints and a variety of back ground experiences io bear on the problems involved I but though language and conventions vary I the essential unity of the concerns is very clear I as indeed are the ultimate benefits of the many-sided approach.