Download or read book Elaboration de couches minces de silicium et de silicium germanium par pulverisation ionique et caracterisation written by Yann Le Meur and published by . This book was released on 1993 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Caract risation et laboration de couches minces d alliages ternaires amorphes silicium carbone germanium par d composition thermique de mol cules organogermanosilici es written by Sai͏̈d Sefiani and published by . This book was released on 1992 with total page 246 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES DE SILICIUM-CARBONE-GERMANIUM ET DE SILICIUM-GERMANIUM SONT OBTENUES PAR DECOMPOSITION THERMIQUE DE MOLECULES ORGANOGERMANOSILICIEES DANS UN REACTEUR DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR. L'ETUDE DE LA STABILITE THERMIQUE DES PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES EN FONCTION DE LEUR STRUCTURE CHIMIQUE, EST MENEE PAR FRAGMENTATION EN SPECTROMETRIE DE MASSE ET PAR ANALYSE DES GAZ DE PYROLYSE. LES CARACTERISATIONS CHIMIQUES ET STRUCTURALES DE LA PHASE SOLIDE MONTRENT QUE SUIVANT LA STRUCTURE CHIMIQUE DES PRECURSEURS ET LA TEMPERATURE DE DEPOT, DES ALLIAGES AMORPHES OU POLYCRISTALLINS DE SILICIUM-CARBONE-GERMANIUM ET SILICIUM-GERMANIUM SONT OBTENUS

Download or read book OBTENTION ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES SUPRACONDUCTRICES ET DIELECTRIQUES DEPOSEES PAR PULVERISATION IONIQUE SIMPLE OU REACTIVE written by Daniel Bouchier and published by . This book was released on 1985 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS UN PROGRAMME QUI A POUR BUT DE DEGAGER LES POTENTIALITES DE LA PULVERISATION PAR FAISCEAU D'IONS COMME METHODE DE DEPOT SOUS VIDE APPLIQUEE A LA TECHNOLOGIE DES SUPRACONDUCTEURS ET A LA MICROELECTRONIQUE. ON MET EN EVIDENCE LES EFFETS RESPECTIFS DE LA NATURE ET DE L'ENERGIE DES ESPECES EMISES SOUS BOMBARDEMENT IONIQUE PAR LA CARACTERISATION DES DEPOTS. ETUDE DE L'INCORPORATION DE GAZ RARE DANS NB-TI, DE L'EQUILIBRE DES PHASES DANS LE SYSTEME NB-GE, DES MECANISMES DE NITRURATION PENDANT LE DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM, DE LA GERMINATION DE SI::(3)N::(4) SUR ASGA. APPLICATIONS: REALISATION DE SOUDURES SUPRACONDUCTRICES ET DEPOT A TEMPERATURE AMBIANTE DE NITRURE DE SILICIUM STOECHIOMETRIQUE EXEMPT D'OXYGENE OU D'HYDROGENE. CE NITRURE CONSTITUE UNE BARRIERE DE DIFFUSION SUR GAAS, MEME EN COUCHE ULTRA MINCE

Download or read book Contribution a l tude de couches minces obtenues par implantation ionique diffusion en phase solide et pulv risation cathodique r active written by André Guivarc'h and published by . This book was released on 1980 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans une première partie, étude des processus induits par implantation ionique utilisée en tant que méthode de dopage du silicium et méthode de formation de couches isolantes. La seconde partie traite du problème des interfaces métal-silicium qui occupent une position centrale dans la technologie des circuits intègres: l'étude, axée sur l'aspect métallurgique du problème, est limitée au cas du platine, du molybdène et du chrome, métaux susceptibles de former avec le silicium des composes définis. Enfin, la dernière partie est consacrée a l'élaboration et a la caractérisation d'un matériau nouveau, le carbure de silicium hydrogène dépose en couches minces par pulvérisation cathodique réactive.

Download or read book Fabrication et caract risation de couches minces de silicium germanium polycristallin d pos es par L P C V D written by Denis Guillet and published by . This book was released on 2000 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book FABRICATION ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM GERMANIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD APPLICATION AUX TRANSISTORS FILMS MINCES written by DENIS.. GUILLET and published by . This book was released on 2000 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A LA FABRICATION DE COUCHES DE SILICIUM-GERMANIUM NON DOPE DEPOSEES PAR LPCVD (LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION). L'OBJECTIF FINAL EST DE SAVOIR SI DE TELLES COUCHES PEUVENT SERVIR DANS LE MONDE DE LA MICROELECTRONIQUE (C'EST-A-DIRE S'INTEGRER DANS DES DISPOSITIFS ELECTRONIQUES EN TANT QUE COUCHES ACTIVES) DANS LE BUT PAR EXEMPLE DE DIMINUER LE BUDGET THERMIQUE. UNE PREMIERE PARTIE EST DONC CONSACREE A LA FABRICATION DES COUCHES EN UTILISANT COMME GAZ DU SILANE ET DU GERMANE DILUE DANS L'HYDROGENE. NOUS AVONS ALORS ETUDIE L'INFLUENCE SUR LES VITESSES DE CROISSANCE AINSI QUE SUR LEUR ENERGIE D'ACTIVATION DES FLUX DE GAZ, DE LA PRESSION TOTALE DANS LE FOUR DE DEPOT, DE LA TEMPERATURE ET DE L'INCORPORATION DE GERMANIUM DANS LES COUCHES. IL S'AVERE QUE LA PRESENCE DE GERMANIUM MODIFIE LES CINETIQUES DE DEPOT ET IL S'ENSUIT, DANS NOTRE GAMME D'ETUDE, QUE LA VITESSE EST MULTIPLIEE PAR UN FACTEUR ALLANT JUSQU'A 5 PAR RAPPORT A DES DEPOTS DE SILICIUM. DANS UNE SECONDE PARTIE, NOUS NOUS INTERESSONS AUX CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE CES COUCHES. LA CRISTALLISATION DES COUCHES DEPOSEES AMORPHES EST D'ABORD ETUDIEE. ENSUITE, L'ETUDE ELECTRIQUE NOUS MONTRE QUE, SELON LES CONDITIONS DE REALISATION DES FILMS, DES RESISTIVITES SUR UNE GAMME DE QUELQUES 10 .CM A 10 5 .CM SONT OBTENUES. ON A CONCLU A LA PRESENCE D'UNE DISTRIBUTION D'ETATS ACCEPTEURS DANS LA BANDE INTERDITE. CETTE DISTRIBUTION, CERTAINEMENT DUE AU GERMANIUM, PROVOQUE UNE DISPERSION SUR LES CARACTERISTIQUES DES FILMS DEPOSES AMORPHES PUIS RECUITES. L'ULTIME PARTIE CONSISTE A FABRIQUER DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES AVEC DU SILICIUM-GERMANIUM COMME COUCHE ACTIVE. IL S'AVERE QUE LES RESULTATS RESTENT INSUFFISANTS PAR RAPPORT A CEUX QUE L'ON

Download or read book Elaboration et caract risation de couches de germanium pitaxi sur silicium pour la r alisation d un photor ducteur en guides d ondes written by Mathieu Halbwax and published by . This book was released on 2004 with total page 206 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Pour pallier la limitation des interconnexions métalliques dans les circuits intégrés CMOS, une des solutions envisagées est d’introduire des interconnexions optiques. L’objet de cette thèse était la réalisation de photodétecteurs Ge intégrés en bout de guides d’onde sur substrats silicium sur isolant (SOI). Le travail a porté principalement sur la mise au point d’un protocole expérimental pour l’épitaxie sélective par UHV-CVD de couches minces de Ge relaxé, présentant un minimum de défauts cristallins sur toute leur épaisseur, une faible rugosité de surface et une absorption optique à 1300 nm proche de celle du Ge massif. Pour satisfaire ces conditions, il est nécessaire de favoriser la relaxation plastique de la couche de Ge sur une très faible épaisseur. A basse température de croissance (330°C), l’observation en temps réél par diffraction électronique montre que la relaxation peut être achevée après dépôt de 16 nm. Cette couche s’avère stable dès environ 30 nm et permet la reprise d’épitaxie de Ge à haute température (600°C). Cette augmentation de température améliore la qualité cristalline, élève la vitesse de croissance et mène à un matériau totalement relaxé. Le retour à température ambiante provoque le développement d’une contrainte en tension. L’abaissement de la bande interdite qui en résulte élève le seuil d’absorption en longueur d’onde. Enfin, ce procédé a été réalisé dans des cuvettes de SiO2/Si et des plots de Si gravés dans du SOI. Une parfaite sélectivité de la croissance est alors obtenue, démontrant ainsi la possibilité d’intégration de photodétecteurs à l’extrémité de microguides d’ondes SOI.

Download or read book CROISSANCE ET STRUCTURE DE COUCHES MINCES NANOCRISTALLINES DE SILICIUM ET DE GERMANIUM DEPOSEES A L AIDE DE DECHARGES LUMINESCENTES written by Christian Godet and published by . This book was released on 1987 with total page 373 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CARACTERISATION DE COUCHES MINCES SI ET GE NANOCRISTALLINES (MICROCRISTALLINES) DEPOSEES A L'AIDE DE DECHARGES LUMINESCENTES DANS LES MELANGES (SIH::(4), H::(2)) ET (GEH::(4), H::(2)). LE CHOIX DE H::(2) COMME GAZ PORTEUR ET LE CONTROLE DE LA POLARISATION DES SUPPORTS PERMETTENT D'ETUDIER DEUX TYPES D'INTERACTION A L'INTERFACE PLASMA SOLIDE: LA GRAVURE PREFERENTIELLE DE LA PHASE AMORPHE RESIDUELLE PAR L'HYDROGENE ATOMIQUE ET LE BOMBARDEMENT DE LA SURFACE PAR LES IONS POSITIFS. ETUDE DE L'HISTOIRE (GERMINATION ET CROISSANCE) LES FILMS PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE IN-SITU ET CONCLUSIONS QUI PEUVENT EN ETRE TIREES

Download or read book Fabrication Caract risation Et Mod lisation de Couches Minces D alliages Silicium carbone Microcristallins written by Sofia Gaiaschi and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Despite continuous effort, thin-film silicon multi-junction solar cells are still limited by the light-induced degradation of amorphous materials that they employ - hydrogenated amorphous silicon layers (a-Si:H) or amorphous silicon-germanium (a-SiGe:H) layers. To survive, this technology must fully benefit from the ease with which it allows multi-band gap photovoltaic (PV) devices to be assembled. To this end, materials that are stable under light soaking and have an electronic band gap between that of hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H, 1.1 eV) and that of a-Si:H (1.7 eV) are needed. The goal of this PhD thesis was to develop a new class of materials satisfying all these requirements by alloying carbon and silicon. Indeed, hydrogenated microcrystalline silicon-carbon alloys (μc-Si1-xCx:H) are a promising candidate for expanding the toolbox of useful materials for thin-film photovoltaics. The interest in these alloys lies in the possibility of easily varying their effective band gap by changing the amount of carbon in their composition. In this thesis, the usefulness of such materials in thin-film PV devices was probed using a broad range of deposition and characterization techniques. Using thin-film growth techniques at low temperatures (175-300° C), the range in which such electronically useful materials can be grown has been explored. It was confirmed that even in the condition of small crystallites, no stable sub-stoichiometric Si-C crystalline phase exists (i.e. no parallel for silicon-rich c-SiGe has been observed). Under all deposition techniques utilized, these materials were composed of submicron-size silicon crystallites embedded in an amorphous silicon-carbon (a-Si1-xCx:H) matrix. However, while the presence of the crystallites assures a higher conductivity compared to a-Si1-xCx:H, the carbon incorporation leads to an effective energy gap larger than that of microcrystalline silicon, supporting our investigation of these materials as promising optoelectronic layers. In the first part of this work, different Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition strategies have been investigated to achieve the widest range of processing conditions and to learn the most about the growth conditions required to produce a high quality μc-Si1-xCx:H material. Material properties were extensively characterized both on the structural side and also from an electrical point of view, in order to establish a correlation between the deposition parameters and the microstructural, transport and defect-related properties. The extensive set of results has allowed the proposal of a coherent growth model for such μc-Si1-xCx:H thin films. Exploiting these results, PV devices using these alloys as active layers were made. Although the absolute levels of efficiency (around 3.5 %) are not as high as state-of-the-art microcrystalline silicon, this work showed that it is possible to obtain variations in the open circuit voltage by varying the amount of carbon incorporated in such μc-Si1-xCx:H alloys. This important result shows that a process parameter other than silane dilution can be used to control this aspect of device performance. PV performances are modest so far, which is expected as these are the first ever results concerning the application of such a new class of materials as the active layer in thin-film solar cells. However, with further advancements in such materials, their replacement of the less stable a-SiGe:H is not unforeseeable.

Download or read book Etude de couches minces de silicium microcristallin hydrog n es d pos es par pulv risation cathodique magn tron radiofr quence written by Cristina Gonçalves and published by . This book was released on 2003 with total page 145 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ELABORATION CARACTERISATION ET MODELISATION D HETEROSTRUCTURES SILICIUM GERMANIUM CARBONE SUR SILICIUM APPLICATIONS INDUSTRIELLES DES COMPOSES A BASE DE SI GE OU C FILIERE IV IV written by CYRIL.. GUEDJ and published by . This book was released on 1997 with total page 283 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EXPLORATOIRE PORTE SUR L'ELABORATION, LA CARACTERISATION, LA MODELISATION THEORIQUE ET LE POTENTIEL INDUSTRIEL DES COMPOSES A BASE DE SILICIUM, GERMANIUM, CARBONE. LES METHODES POSSIBLES D'ELABORATION SONT PRESENTEES. LES ECHANTILLONS ETUDIES ONT ETE REALISES PAR RTCVD, UHVCVD, PLIE, SPEM ET MBE ET CARACTERISES PAR DE NOMBREUSES TECHNIQUES COMPLEMENTAIRES. UN POTENTIEL INTERATOMIQUE EST ADAPTE AUX RESULTATS EXPERIMENTAUX, AFIN DE CORRELER L'ORDRE NANOSCOPIQUE AUX PROPRIETES LIEES A LA MICROSTRUCTURE. CET OUTIL, QUI PERMET DE CALCULER LES PARAMETRES THERMODYNAMIQUES A PARTIR D'UNE REPARTITION ATOMIQUE, EST NOTAMMENT APPLIQUE A L'INTERPRETATION CONJOINTE DES MESURES RAMAN, FTIR, HRTEM ET DE DIFFRACTION X. LA MICROSTRUCTURE DEPEND DE LA METHODE D'ELABORATION, ET UN PHENOMENE D'AUTOORGANISATION DE C PAR RTCVD EST DEMONTRE, PAR UN FAISCEAU CONVERGENT DE CARACTERISATIONS ETAYEES PAR DES SIMULATIONS A L'ECHELLE ATOMIQUE. LES PARTICULARITES LIEES A L'EPITAXIE LASER (PLIE) SONT DETAILLEES. UNE NOUVELLE METHODE DE DEPOT (SPEM) PERMET D'OBTENIR POUR LA PREMIERE FOIS UNE COUCHE CONTRAINTE CONTENANT 70% DE GE ET 1.6 % DE C. AU NIVEAU DES PROPRIETES THERMIQUES, LA MESURE DE DILATATION DE COUCHES MINCES SI#1#-#X#-#YGE#XC#Y CONSTITUE UNE NOUVELLE METHODE DE DOSAGE DE GE ET C. UNE DETERMINATION ORIGINALE DU POUVOIR THERMOELECTRIQUE PAR MICROSCOPIE PHOTOTHERMIQUE EST SUGGEREE. POUR DES RECUITS A PLUS HAUTE TEMPERATURE, LE CARBONE PRECIPITE SOUS FORME DE CARBURE DE SILICIUM INCOHERENT, ET L'HYPOTHESE D'UN MILIEU DEVENU LACUNAIRE S'ACCORDE LE MIEUX AVEC LES RESULTATS EXPERIMENTAUX. L'INTERDIFFUSION THERMIQUE DE GE EST ETUDIEE QUANTITATIVEMENT PAR DIFFRACTION X DANS LE CAS DE MULTIPUITS QUANTIQUES. L'ETUDE CONTROVERSEE DE LA STRUCTURE DE BANDE DES COMPOSES SI#1#-#X#-#YGE#XC#Y EST PRESENTEE. LES MESURES ELLIPSOMETRIQUES INDIQUENT QUE LE CARBONE INDUIT UN DECALAGE DE +65 MEV/%C DE E#1, ALORS QUE E#2 RESTE QUASIMENT CONSTANT. CE RESULTAT EST ANALYSE DANS LE CADRE DE LA THEORIE DES POTENTIELS DE DEFORMATION. CETTE ETUDE PHYSIQUE ECLAIRE L'ANALYSE DES APPLICATIONS INDUSTRIELLES DE LA FILIERE IV-IV, SOUS L'ANGLE DES BREVETS ET DES DISPOSITIFS, NOTAMMENT EN MICRO ET OPTO-ELECTRONIQUE. LA COMPARAISON AVEC LA FILIERE III-V PARACHEVE CE MEMOIRE.

Download or read book D veloppement de Couches Minces de Germanium Et Silicium Germanium Microcristallin Pour Les D tecteurs D image Above IC en Proche Infrarouge written by Alestair Wilson and published by . This book was released on 2023 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Elaboration et caract risation de couches minces de silicium poly cristallin d pos es par RT LPCVD et dop es in situ au phosphore written by Sami Kallel and published by . This book was released on 1999 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La première partie de ce travail porte sur 1 'étude de couches minces de silicium déposées par RT-LPCVD et dopées in situ au phosphore dans un réacteur à lampes halogène et à parois froides à partir du silane (SiH4) utilisé comme gaz précurseur et la phosphine (PH3) comme source dopante. Nous avons étudié ces couches dans une gamme de températures allant de 600°C à 850°C (pour une pression de 2mbar) et nous avons mis en évidence 1 'effet de la phosphine sur la cinétique de dépôt ainsi que sur ses propriétés physiques (taille des grains, texture, contraintes résiduelles, résistivité). Nous avons aussi montré que les traitements thermiques rapides ultérieurs (RTA) favorisent une augmentation de la taille des grains, une relaxation des contraintes et une amélioration de la résistivité. Dans la deuxième partie du travail, nous avons appliqué les procédés thermiques rapides pour la réalisation de cellules solaires à faible budget thermique. Pour cela nous avons étudié et optimisé chaque étape nécessaire pour la réalisation d'un tel dispositif:-1. l'émetteur (N+) obtenu par le dépôt RT-LPCVD dopé in situ à partir de (SiH4/PH3),-2. l'oxyde de passivation obtenu par oxydation thermique rapide (RTO),-3. la couche antireflet (Si3N4) déposée par RT-LPCVD à partir du silane et de l'ammoniac (NH3),-4. les contacts métalliques déposés par évaporation. Les premiers résultats obtenus indiquent un rendement de conversion de 10,5% pour un courant de court-circuit de 33,5mA/cm2 et une tension de circuit ouvert égale à 527mV.

Download or read book Microstructures en silicium polycristallin d pos sur verre Application la r alisation et la caract risation de transistors en couche mince grille suspendue written by Hicham El-Din Mahfouz Kotb and published by . This book was released on 2004 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacré à la réalisation, par micro-usinage de surface sur substrat de verre, de transistors en couches minces à grille suspendue (TFTs à air-gap). L'ensemble grille suspendue - couche active est réalisé en couches minces de polysilicium. La première partie de ce travail traite l'optimisation du procédé de fabrication des micro-ponts en polysilicium. La clé de voûte du procédé est un recuit de cristallisation du silicium structurel vers 570 ʿC - 600 ʿC, associé à l'utilisation de germanium comme couche sacrificielle. Dans la deuxième partie, des transistors à air-gap ont été réalisés en utilisant une couche sacrificielle de 500 nm d'épaisseur. Après libération, les transistors ont présenté de bonnes performances avec une pente sous le seuil et une tension de seuil de l'ordre de 0,7 V/dec et 6 V respectivement. L'effet de l'ambiance sur les caractéristiques de ces transistors à air-gap, a été étudié en troisième partie. Enfin, un modèle est proposé afin d'expliquer le comportement électrique du transistor sous l'effet de différentes ambiances.

Download or read book ETUDE DE COUCHES MINCES DE CARBURE DE SILICIUM NANOCRISTALLIN HYDROGENE OBTENUES PAR PULVERISATION REACTIVE MAGNETRON SOUS PLASMA D HYDROGENE PUR written by SEBASTIEN.. KERDILES and published by . This book was released on 2000 with total page 147 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ELABORATION ET L'ETUDE DES PROPRIETES STRUCTURALES, OPTIQUES ET ELECTRIQUES DE FILMS MINCES DE CARBURE DE SILICIUM NANOCRISTALLIN HYDROGENE (NC-SIC : H) OBTENUS DIRECTEMENT PAR CO-PULVERISATION REACTIVE DE SILICIUM ET DE CARBONE, SOUS PLASMA D'HYDROGENE PUR. L'ANALYSE D'UNE PREMIERE SERIE DE FILMS DEPOSES A 730\C AVEC DIFFERENTES PROPORTIONS DE CARBONE PULVERISE, A MIS EN EVIDENCE UN SEUIL EN DECA DUQUEL L'INCORPORATION DE CARBONE RESTE FAIBLE ET CONDUIT A LA FABRICATION DE COUCHES ESSENTIELLEMENT CONSTITUEES DE CRISTALLITES SI. EN REVANCHE, AU DELA DE LA VALEUR SEUIL, LA CONCENTRATION DE CARBONE INCORPORE DANS LES FILMS ATTEINT ET DEPASSE MEME LEGEREMENT 50 AT.%. LES ECHANTILLONS SONT ALORS COMPOSES DE NANOGRAINS DE SIC AVEC UNE FRACTION CRISTALLINE PROCHE DE 70%. ENSUITE, UNE SECONDE SERIE D'ECHANTILLONS A ETE DEPOSEE A DES TEMPERATURES COMPRISES ENTRE 100 ET 600\C. DES FILMS DE NC-SIC : H QUASI-STCHIOMETRIQUE ONT PU ETRE OBTENUS A UNE TEMPERATURE AUSSI BASSE QUE 300\C, UN RECORD EN MATIERE DE DEPOT DIRECT PAR PULVERISATION REACTIVE. LORSQUE LA TEMPERATURE DE DEPOT A ATTEINT 600\C, LA FRACTION CRISTALLINE, EGALE A 38% DES 300\C, S'EST TROUVEE ACCRUE JUSQU'A 60%, SIMULTANEMENT A UNE DIMINUTION DE LA TENEUR EN HYDROGENE DES COUCHES. L'EVOLUTION DES PROPRIETES OPTIQUES ET ELECTRIQUES DE CES DERNIERES S'EST REVELEE COHERENTE AVEC LA TRANSITION DE L'ETAT AMORPHE A UN ETAT DE PLUS EN PLUS CRISTALLISE LORSQUE LA TEMPERATURE DE DEPOT ATTEINT ET DEPASSE 300\C. AINSI, LE GAP OPTIQUE DE TAUC, GOUVERNE PAR LE RAPPORT C/SI, A ETE TROUVE CONSTANT ET PROCHE DE 2,8 EV ALORS QUE L'INDICE DE REFRACTION PROGRESSANT DE 1,9 A 2,4 ET LA CONDUCTIVITE GAGNANT 5 ORDRES DE GRANDEUR SEMBLENT REFLETER LA QUALITE CROISSANTE DES COUCHES. ENFIN, DES DIODES A HETEROJONCTION DU TYPE NC-SIC : H (TYPE N) / C-SI (TYPE P) ONT ETE FABRIQUEES A PARTIR DE COUCHES DEPOSEES A 600\C ET ONT MONTRE DES PROPRIETES DE REDRESSEMENT ENCOURAGEANTES.

Download or read book R alisation de couches minces nanocomposites par un proc d original couplant la pyrolyse laser et la pulv risation magn tron written by Harold Kintz and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la synthèse de couches minces de nanoparticules de silicium (np-Si) encapsulées dans une matrice diélectrique en vue d'une application en tant que couche active pour les cellules solaires de 3ème génération. La technique utilisée pour la synthèse des np-Si est la pyrolyse laser. Cette technique nous a permis d'obtenir des np-Si cristallines d'environ 5 nm de diamètre avec une distribution en taille étroite. Par ailleurs, l'utilisation de gaz précurseurs spécifiques (PH3, B2H6) dans le mélange réactionnel a rendu possible le dopage (type n ou p) des np-Si. Le dopage effectif des np-Si a pu être mis en évidence par des mesures de résonance paramagnétique électronique (RPE). Des films de np-Si seules ont pu être déposés in-situ via la création d'un jet supersonique de gaz contenant les particules de silicium. Les caractérisations optoélectroniques de ces couches ont montré un effet de confinement quantique fort au sein de films, garantissant ainsi un élargissement important du gap du silicium de 1.12 eV (pour le silicium massif) à environ 2 eV (pour les np-Si) ; prérequis indispensable pour réaliser une cellule tandem tout silicium. Des mesures de résistivité sur ces films ont permis de confirmer l'activité des dopants au sein des np-Si. Pour les np-Si dopées au phosphore une diminution de la résistivité de plus de 5 ordres de grandeurs par rapport au np-Si intrinsèques a été observée. Le couplage entre la pyrolyse laser et la pulvérisation magnétron via notre dispositif original de synthèse s'est révélé parfaitement adapté à l'élaboration de couches minces nanocomposites np-Si/SiO2. Un comportement de type diode a pu être mis en évidence sur une jonction constituée par la superposition d'une couche nanocomposites (type n) sur un substrat de silicium massif (type p). Au-delà de la simple application au photovoltaïque, le procédé couplé, largement éprouvé et optimisé au cours de ce travail de thèse, pourrait permettre la réalisation d'une multitude de couches nanocomposites différentes, puisque la nature chimique des particules et de la matrice peuvent être choisies indépendamment.

Download or read book R alisation de couches minces d oxynitrure de silicium par d p t chimique sous faible pression written by Guy PARAT and published by . This book was released on 1990 with total page 123 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: