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Book D  veloppement et application de techniques d analyse par stimulation dynamique laser pour la localisation de d  fauts et de diagnostic de circuits int  gr  s

Download or read book D veloppement et application de techniques d analyse par stimulation dynamique laser pour la localisation de d fauts et de diagnostic de circuits int gr s written by Kevin Sanchez and published by . This book was released on 2007 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’utilisation croissante de la microélectronique et ses évolutions technologiques permanentes rendent la fabrication des circuits intégrés de plus en plus difficile, complexe et coûteuse. Le maintien des niveaux de rendement et de qualité passe en partie par la mise en œuvre de laboratoires d’analyses de défaillances performants et adaptés. Le travail présenté s’inscrit dans ce cadre et traite de l’évolution des techniques d’analyses par stimulation laser, utilisées pour injecter au cœur des circuits intégrés une petite quantité d’énergie perturbatrice. Ce travail présente l’évolution et le développement de ces techniques dans le cas de circuits intégrés activés dynamiquement. La mesure de diverses variations électriques en synchronisme avec le balayage laser permet alors d’identifier des zones de sensibilité et d’isoler un grand nombre d’anomalies et de défauts. Les différentes interactions laser – circuit intégré en mode statique et dynamique sont abordées avant d’exposer le développement et l’application de ces techniques au travers de validations expérimentales et d’applications industrielles.

Book Contribution au d  veloppement de techniques de stimulation laser dynamique pour la localisation de d  fauts dans les circuits VLSI

Download or read book Contribution au d veloppement de techniques de stimulation laser dynamique pour la localisation de d fauts dans les circuits VLSI written by Amjad Deyine and published by . This book was released on 2011 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif principal du projet est d'étudier les techniques d'analyses de défaillances des circuits intégrés VLSI basées sur l'emploi de laser. Les études ont été effectuées sur l'équipement à balayage laser MERIDIAN (DCGSystems) et le testeur Diamond D10 (Credence) disponible au CNES. Les travaux de thèse concernent l'amélioration des techniques dynamiques dites DLS comme « Dynamic Laser Stimulation ». Les techniques DLS consistent à perturber le fonctionnement d'un circuit intégré défaillant par effet photoélectrique ou effet photothermique, en fonctionnement dynamique, à l'aide d'un faisceau laser continu balayant la surface du circuit. Un faisceau laser modulé avec des impulsions supérieures à la nanoseconde et de façon synchrone avec le test électrique à l'aide d'un signal TTL peut être également avantageusement utilisé pour localiser des défauts non accessibles par des techniques purement statiques (OBIRCh, OBIC etc.). L'analyse de la réponse des paramètres électriques à la perturbation laser conduit à une identification de l'origine de la défaillance dynamique. L'optimisation des techniques DLS actuelles permet d'augmenter le taux de succès des analyses de défaillance et d'apporter des informations difficilement accessibles jusqu'alors, qui permettent la détermination de la cause racine de la défaillance.Dans un premier temps, le travail réalisé a consisté en l'amélioration du processus d'analyse des techniques DLS par l'intégration étroite avec le test de façon à observer tout paramètre électrique significatif lors du test DLS. Ainsi, les techniques de « Pass-Fail Mapping » ou encore les techniques paramétriques de localisation de défauts ont été implémentées sur le banc de test constitué du Meridian et du D10. La synchronisation du déroulement du test opéré par le testeur avec le balayage laser a permis par la suite d'établir des méthodologies visant à rajouter une information temporelle aux informations spatiales. En effet, en utilisant un laser modulé nous avons montré que nous étions capable d'identifier avec précision quels sont les vecteurs impliqués dans le comportement défaillant en modulant l'éclairement du faisceau laser en fonction de la partie de la séquence de test déroulée. Ainsi nous somme capable de corréler la fonction défaillante et les structures du CI impliquées. Cette technique utilisant le laser modulé est appelée F-DLS pour « Full Dynamic Laser Stimulation ». A l'inverse, nous pouvons connaitre la séquence de test qui pose problème, et par contre ne pas connaitre les structures du CI impliquées. Dans l'optique de rajouter cette l'information, il a été développé une technique de mesure de courant dynamique. Cette technique s'est avérée efficace pour obtenir des informations sur le comportement interne du CI. A titre d'exemple, prenons le cas des composants « latchés » où les signaux sont resynchronisés avant la sortie du composant. Il est difficile, même avec les techniques DLS actuelles, d'avoir des informations sur une dérive temporelle des signaux. Cependant l'activité interne du composant peut être caractérisée en suivant sur un oscilloscope l'évolution du courant lorsque le circuit est actif, sous la stimulation laser. L'information sur la dérive temporelle peut être extraite par observation de cette activité interne.Enfin, ces techniques de stimulation laser dynamique, ont également prouvé leur efficacité pour l'étude de la fiabilité des CI. La capacité de ces techniques à détecter en avance d'infimes variations des valeurs des paramètres opérationnels permet de mettre en évidence l'évolution des marges de ces paramètres lors d'un processus de vieillissement accéléré. L'étude de l'évolution de la robustesse des CI face aux perturbations externes est un atout majeur qu'apportent les techniques DLS à la fiabilité.Les méthodologies développées dans cette thèse, sont intégrées dans les processus d'analyse et de caractérisation de CI au laboratoire.

Book D  veloppement et applications de techniques laser impulsionnelles pour l analyse de d  faillance des circuits int  gr  s

Download or read book D veloppement et applications de techniques laser impulsionnelles pour l analyse de d faillance des circuits int gr s written by Emeric Faraud and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les techniques de localisation de défauts basées sur la stimulation laser restent aujourd'hui les techniques parmi les plus avancées qui existent. Elles permettent la stimulation thermique ou photoélectrique de façon très localisée sans contact physique. Les travaux dans ce mémoire sont consacrés au développement et à l'application de techniques d'analyse par faisceau laser impulsionnelles destinées à l'analyse des circuits intégrés. Le développement matériel et les investigations de méthodologies d'analyse ont été portés par la motivation du projet MADISON (Méthodes d'Analyse de Défaillances Innovantes par Stimulation Optique dyNamique), qui a pour but d'augmenter le taux de succès des analyses des circuits complexes VLSI par stimulation laser. L'utilisation de systèmes optiques très performants comprenant des sources laser impulsionnelles fibrées nous a permis d'explorer les capacités en termes d'analyse par stimulation laser photoélectrique impulsionelle. Une étude originale de l'étude du phénomène Latchup a montré une augmentation de la résolution latérale avec l'utilisation du processus d'absorption non linéaire.

Book Localisation de d  fauts par stimulation thermique laser modul  e en intensit

Download or read book Localisation de d fauts par stimulation thermique laser modul e en intensit written by Antoine Reverdy and published by . This book was released on 2008 with total page 320 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Au cours de ce manuscrit de thèse nous abordons les différentes techniques mises en œuvre dans la localisation de défauts dans la partie interconnexion des circuits microélectroniques avec une attention toute particulière sur la Stimulation Thermique Laser (STL) et ses limitations. Une étude plus théorique sur la modélisation des réponses thermiques de structures élémentaires soumises à un échelon de puissance thermique est ensuite développée. Elle débouche sur un modèle analytique qui va permettre l’identification de paramètres caractéristiques des variations temporelles de la réponse en STL indicielle. Nous démontrons par la suite l’intérêt de cette nouvelle approche sur l’analyse de défaillance des Circuits Intégrés, sur une structure de test non défaillante, caractéristique de la partie d’interconnexion des circuits intégrés. Le troisième chapitre est dédié à l’évolution de la démarche expérimentale, dans le but d’accéder à l’information sur la dynamique de variation du signal de STL modulée, dans un mode image, compatible avec une utilisation au quotidien dans un laboratoire d’analyse de défaillance. Finalement, le dernier chapitre est consacré à l’application de cette nouvelle méthode d’analyse du signal de STL sur des structures de dernière génération, défaillantes, où l’analyse de la dynamique du signal de STL apporte des informations complémentaires indispensables pour la bonne interprétation des signatures.

Book Etude et localisation de d  fauts dans les circuits int  gr  s par stimulation photo  lectrique laser

Download or read book Etude et localisation de d fauts dans les circuits int gr s par stimulation photo lectrique laser written by Thomas Beauchene and published by . This book was released on 2004 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail se situe dans le contexte général du développement de nouvelles techniques de test sans contact de circuits intégrés VLSI à partir d'un laser impulsionnel. Cette thèse s'intéresse plus particulièrement au développement de la Stimulation Photoélectrique Laser pour la localisation de défauts sub-micrométriques dans les zones conductrices d'un circuité intégré. En complément du développement instrumental, une étude de l'interaction laser impulsionnel-semi-conducteur est menée à l'aide de simulations numériques. La méthodologie développée dans ce travail de thèse est ensuite appliquée à l'étude et la localisation de défauts ESD dans les circuits intégrés.

Book M  thodologie de localisation des d  fauts soft dans les circuits int  gr  s mixtes et analogiques par stimulation par faisceau laser

Download or read book M thodologie de localisation des d fauts soft dans les circuits int gr s mixtes et analogiques par stimulation par faisceau laser written by Magdalena Sienkiewicz and published by . This book was released on 2010 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse s'inscrit dans le domaine de la localisation de défauts de type «soft» dans les Circuits Intégrés (CI) analogiques et mixtes à l'aide des techniques dynamiques de stimulation laser en faible perturbation. Les résultats obtenus à l'aide de ces techniques sont très complexes à analyser dans le cas des CI analogiques et mixtes. Ce travail porte ainsi particulièrement sur le développement d'une méthodologie facilitant l'analyse des cartographies laser. Cette méthodologie est basée sur la comparaison de résultats de simulations électriques de l'interaction faisceau laser-CI avec des résultats expérimentaux (cartographies laser). L'influence des phénomènes thermique et photoélectrique sur les CI (niveau transistor) a été modélisée et simulée. La méthodologie a été validée tout d'abord sur des structures de tests simples avant d'être utilisée sur des CI complexes que l'on trouve dans le commerce.

Book Contribution au d  veloppement et    la mise en place de techniques avanc  es de localisation de d  fauts dans les circuits int  gr  s en milieu industriel

Download or read book Contribution au d veloppement et la mise en place de techniques avanc es de localisation de d fauts dans les circuits int gr s en milieu industriel written by Abdellatif Firiti and published by . This book was released on 2007 with total page 304 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a été effectuée au laboratoire RCCAL de STMicroelectronics Rousset en collaboration avec le CNES et le laboratoire IXL. Le but de ces travaux, réalisés exclusivement sur un site industriel, est de développer et de mettre en place des méthodes optiques de localisation de défaut dans les circuits intégrés (CI) sans contact et non destructives. Les techniques étudiées et développées sont l’émission de lumière, la stimulation thermique laser et la stimulation photoélectrique laser par la face avant et la face arrière des CI. La thématique principale de ces travaux est la localisation des défauts dans les circuits intégrés en milieu industriel. Les principaux sujets de recherche traités dans ce manuscrit sont :-l’état de l’art des techniques de localisation des défauts dans les CI,-le développement des techniques de préparation des échantillons,-le système PHEMOS-1000 (Hamamatsu),-l’interprétation des signatures obtenues par les techniques STL et SPL sur un circuit intégré à l’aide du PHEMOS-1000,-la compréhension et la quantification de l’interaction laser-circuit intégré, -et le développement et la mise en place d’un processus de localisation de défauts résistifs en 3 dimensions dans un CI. Les limitations des techniques de localisation et du PHEMOS-1000 sont établies. Les points d’améliorations encore possibles sur cet équipement sont listés. En perspective aux techniques d’analyses traitées au cours de cette thèse, plusieurs techniques émergente, comme les techniques optiques dynamiques, les techniques magnétiques les techniques dérivées de l'AFM ont été évaluées avec succès et annoncées comme étant un point clé pour l’avenir des laboratoires d’analyses de défaillance.

Book Localisation de d  faut par la face arri  re des circuits int  gr  s

Download or read book Localisation de d faut par la face arri re des circuits int gr s written by Félix Beaudoin and published by . This book was released on 2002 with total page 206 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de recherche élabore une stratégie d'analyse orientée sur le test par la face arrière des composants microélectroniques. En premier lieu y est présenté l'état de l'art des techniques de localisation de défaut adaptées par la face arrière, ainsi que les méthodes de préparation des échantillons. Le travail s'intéresse particulièrement à la stimulation thermique laser, et une étude des différents phénomènes thermiques induits dans les métaux par le faisceau laser est présentée. Il est par la suite question de l'implantation de la stimulation thermique laser sur un système industriel qui intègre un microscope confocal à balayage laser infrarouge. L'application de cette technique pour détecter des défauts dans les éléments métalliques et non-métalliques est démontrée sur un circuit test et sur plusieurs circuits VLSI défaillants. Finalement, ce travail présente un premier répertoire d'application de la stimulation thermique laser dans un processus d'analyse de défaillance.

Book Analyse de d  faillance des circuits int  gr  s par   mission de lumi  re dynamique

Download or read book Analyse de d faillance des circuits int gr s par mission de lumi re dynamique written by Mustapha Remmach and published by . This book was released on 2009 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'émission de lumière est une puissante technique de localisation dans le domaine de l'analyse de défaillance des circuits intégrés. Depuis plusieurs années, elle est utilisée comme une technique capable de localiser et d'identifier des défauts émissifs, tels que les courants de fuites, en fonctionnement statique du composant. Cependant, l'augmentation d'intégration et des performances des circuits actuels implique l'apparition d'émissions de défauts dynamiques dus à l'utilisation de fréquences de fonctionnement de plus en plus élevées. Ces contraintes imposent une adaptation de la technique d'émission de lumière qui doit donc évoluer en même temps que l'évolution des circuits intégrés. C'est dans ce contexte que de nouveaux modes de détection, liés à l'émission de lumière, est apparu : PICA et TRE. Ainsi, les photons sont collectés en fonction du temps donnant ainsi une place importante à la technique par émission de lumière dynamique pour le debbug et l'analyse de défaillance en procédant à une caractérisation précise des défauts issus des circuits intégrés actuels. Pour répondre aux exigences dues à l'analyse du comportement dynamique des circuits intégrés, des méthodes ont été identifiées à travers la technique PICA et la technique d'émission en temps résolu connue sous le nom de technique mono-point TRE. Cependant, les techniques PICA et TRE sont exposées à un défi continu lié à la diminution des technologies et donc des tensions d'alimentation. Pour analyser des circuits de technologies futures à faible tension d'alimentation, il est nécessaire de considérer différentes approches afin d'améliorer le rapport signal sur bruit. Deux solutions sont présentées dans ce document : un système de détection optimisé et des méthodes de traitement de signal.

Book Contribution    la mod  lisation et au d  veloppement de techniques de test et d analyse dynamiques de circuits int  gr  s par faisceau laser puls

Download or read book Contribution la mod lisation et au d veloppement de techniques de test et d analyse dynamiques de circuits int gr s par faisceau laser puls written by Alexandre Douin and published by . This book was released on 2008 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail présente le développement de techniques de test et d’analyse optiques dynamiques des circuits intégrés par faisceau laser impulsionnel. Le contexte de l’étude est présenté par une revue de la littérature des techniques de test et d’analyse optiques utilisées dans le domaine de la microélectronique. Une étude sur l’influence de la durée d’impulsion laser sur la signature photoélectrique a été menée par simulation physique. L’utilisation d’impulsions laser ultracourtes a été ainsi mise en exergue. Deux techniques expérimentales (PULS et TRLS) de test et d’analyse des circuits intégrés par impulsions laser ultracourtes ont été développées et caractérisées. Un large panel de circuits de synchronisation a été étudié pour améliorer la résolution temporelle de la technique TRLS. Les deux techniques PULS et TRLS ont été validées par différentes analyses effectuées sur des circuits numériques.

Book D  tection et localisation de d  fauts dans les circuits int  gr  s logiques par test sous faisceau laser

Download or read book D tection et localisation de d fauts dans les circuits int gr s logiques par test sous faisceau laser written by Bertrand Simonin and published by . This book was released on 1988 with total page 340 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONSISTE EN LA RECHERCHE DES POSSIBILITES D'UTILISATION, COMME MOYEN DE TEST DE CIRCUITS INTEGRES, DE L'EFFET PHOTOELECTRIQUE INDUIT PAR UN FAISCEAU LASER. LA PARTIE EXPERIMENTALE COMPORTE LA REALISATION D'UNE STATION DE MESURE, SA MISE AU POINT OPTIQUE, ELECTRONIQUE, AINSI QUE LA CONCEPTION DE SON INFORMATIQUE DE COMMANDE. L'ETUDE ET LA MODELISATION DE L'INTERACTION RAYONNEMENT-SEMICONDUCTEUR A APPORTE DES ELEMENTS D'EXPLICATION AUX REPONSES DES CIRCUITS A L'EXCITATION LUMINEUSE. UNE EVALUATION APPROFONDIE DU COMPORTEMENT DE CIRCUITS DE DIVERSES TECHNOLOGIES A ETE EFFECTUEE POUR DES FONCTIONNEMENTS EN TENSION MARGINALE ET VIS-A-VIS DE L'AUTO-AMORCAGE (LATCH-UP). LES CONCLUSIONS ONT PERMIS DE DEFINIR DES PROCEDURES SIGNIFICATIVES DE TEST.

Book Interaction laser silicium et transport fibr   pour le test de circuits int  gr  s par stimulation photo  lectrique non lin  aire

Download or read book Interaction laser silicium et transport fibr pour le test de circuits int gr s par stimulation photo lectrique non lin aire written by Adèle Morisset and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse est consacrée à l'étude des mécanismes d'interaction laser-matière en régime femtoseconde pour l'analyse de circuits intégrés par stimulation photoélectrique non-linéaire. Cette technique permet d'accroitre la résolution pour répondre à la miniaturisation des composants électroniques. Les milieux étudiés dans ce travail sont plus particulièrement le silicium, matériau constitutif des circuits intégrés, et la silice pour le transport des impulsions laser dans une fibre optique. En effet, l'émergence de cette technique d'analyse en milieu industriel requiert l'utilisation de systèmes compacts, fiables et sécuritaires. Les simulations réalisées montrent la génération de charges dans le silicium et la propagation des impulsions dans des fibres photoniques à cœur creux identifiées pour limiter les effets non-linéaires. Des expérimentations sur composants permettent de les confronter aux simulations et de valider l'utilisation de ce type de fibres.Enfin, ce travail a permis de déterminer les paramètres optiques et laser essentiels ainsi que les technologies compatibles avec les contraintes industrielles en analyse de circuits intégrés.

Book D  veloppement d un outil de pr  diction du comportement d un circuit int  gr   sous impact laser en technologie CMOS

Download or read book D veloppement d un outil de pr diction du comportement d un circuit int gr sous impact laser en technologie CMOS written by Catherine Godlewski and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur l'analyse et l'étude du comportement de circuits intégrés en technologie CMOS soumis à un impact laser. Une méthodologie d'implémentation d'un impact laser a été développée et améliorée. Ainsi, elle est applicable à n'importe quelle description électrique d'un circuit CMOS, qu'il soit digital ou analogique. Ce procédé est conçu pour permettre aux concepteurs de circuits intégrés pouvant être soumis à des attaques laser, de tester leur circuit en simulation avant leur fabrication et de démontrer leur robustesse.Notre étude s'est focalisée sur le développement d'un outil de simulation intégrant un modèle électrique de l'impact laser sur les transistors MOS afin de reproduire de façon qualitative le comportement du circuit face à un impact laser (attaque semi-invasive en face arrière du circuit), et ce quelques soient ses propriétés physiques.Une première partie d'état de l'art est consacrée à la synthèse des différentes attaques sur circuits sécurisées que l'on peut rencontrer dans le domaine de la microélectronique, telles que les attaques semi-invasives, non invasives ou invasives par exemple. Une seconde partie théorique dédiée à l'interaction laser-silicium au niveau physique nous permet d'étudier les différents acteurs mis en jeu (propriétés physiques du laser - puissance, diamètre et profil du faisceau), avant de les importer comme paramètres dans le domaine électrique.Cette étude se poursuit alors par l'élaboration d'un modèle électrique et d'une méthodologie de simulation dont le but est de permettre de reproduire le comportement de n'importe quel circuit impacté par un laser. Le flot de modélisation passe ainsi en revue l'ensemble des paramètres contrôlables en entrée, qu'il s'agisse des propriétés physiques du laser, traduites dans le domaine électrique, ou encore de la réalité géométrique du circuit impacté, quel que soit sa complexité. Par ailleurs, la flexibilité de cette approche permet de s'adapter à toute évolution du modèle de l'impact laser en lui-même. Il est ainsi possible de simuler un impact intégrant ou non tout ou partie des phénomènes parasites déclenchés par le photocourant. Enfin, il couvre aussi bien des analyses de comportement dans le domaine statique, que dans celui temporel, où la durée d'impulsion du laser prend toute son importance.Afin de démontrer la cohérence de cette méthodologie face à nos attentes théoriques, le comportement de transistors NMOS, PMOS et un inverseur CMOS ont été étudiés au niveau simulation. Cette étude préliminaire nous a permis de calibrer et de valider notre modèle et sa méthodologie d'utilisation avec la théorie attendue: création d'un photocourant proportionnel au potentiel appliqué sur la jonction de drain et couplé au potentiel photoélectrique ainsi qu'à la surface impactée, déclenchement des bipolaires parasites latéraux, etc.... L'analyse sur un inverseur CMOS bufférisé ou non nous donne encore plus d'informations quant aux analyses dynamiques ou statiques : un impact sur un état statique (0 ou 1) ne peut entraîner que des fautes fonctionnelles, alors qu'un impact sur une transition ralentit ou accélère le signal en sortie, au risque de générer une faute fonctionnelle.Enfin, l'étude de différents circuits complexes sur silicium face à plusieurs types de faisceau laser nous a permis de confronter notre méthodologie à la mesure. Une chaîne d'inverseurs, une bascule de type D, et un circuit de verrouillage ont ainsi été impactés. Les résultats observés en simulation sont cohérents avec la mesure, notamment du point de vue comportemental et fonctionnel.

Book Localisation de d  fauts dans les circuits int  gr  s complexes dont le dessin des masques est inconnu

Download or read book Localisation de d fauts dans les circuits int gr s complexes dont le dessin des masques est inconnu written by Romain Desplats and published by . This book was released on 1998 with total page 264 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE DES METHODES ET TECHNIQUES INNOVANTES POUR LA LOCALISATION DE DEFAUTS DANS LES CIRCUITS INTEGRES COMPLEXES DONT LE DESSIN DES MASQUES EST INCONNU. LES AVANCEES PROPOSEES REPONDENT A UN BESOIN RENCONTRE POUR L'ANALYSE DE DEFAILLANCE DES CIRCUITS COMMERCIAUX ET PROGRAMMABLES. UNE REVUE DE L'ETAT DE L'ART DES TECHNIQUES DE LOCALISATION PAR CONTRASTE DE POTENTIEL A MIS EN EVIDENCE L'ABSENCE DE TECHNIQUES OU METHODES POUR REPONDRE EFFICACEMENT ET DANS DES DELAIS BREFS A CE DEFI DE LOCALISATION. LE LOGICIEL IMAGE FAULT ANALYSIS (IFA) IMPLANTE SUR LES TESTEURS PAR FAISCEAU D'ELECTRONS IDS 5000 OFFRE LES BASES D'UNE METHODE DE LOCALISATION PAR COMPARAISON D'IMAGES ENTRE UN CIRCUIT DEFAILLANT ET UN CIRCUIT DE REFERENCE. EN S'APPUYANT SUR IFA, NOUS AVONS EVALUE DE FACON PRATIQUE ET THEORIQUE LA DUREE DE LOCALISATION ET LES PARAMETRES MIS EN JEUX, TELS QUE LA SURFACE DU CIRCUIT, LE NOMBRE DE VECTEURS ET LE TEMPS DE CHANGEMENT DE CIRCUITS. BASEES SUR CETTE ETUDE, NOUS AVONS DEVELOPPE DEUX APPROCHES : IFA DICHOTOMIE QUI RAMENE LA DUREE DE LOCALISATION DE PLUSIEURS MOIS AVEC IFA AUTOMATIQUE (METHODE DE BASE SUR L'IDS) A MOINS D'UNE SEMAINE (28 H MACHINE) POUR UN CIRCUIT PROGRAMMABLE FPGA D'UNE TAILLE DE 1 CM#2 ET IFA BACKTRACING QUI REDUIT CETTE DUREE A MOINS DE HUIT HEURES POUR LE MEME CIRCUIT DANS LE CAS D'UN FONCTIONNEMENT MARGINAL (LE MEME CIRCUIT PEUT ETRE MIS DANS UNE CONFIGURATION DEFAILLANTE OU FONCTIONNELLE). POUR ALLER PLUS LOIN ET REDUIRE ENCORE LA DUREE DE LA LOCALISATION, DES INFORMATIONS SUPPLEMENTAIRES ONT ALORS ETE INJECTEES PERMETTANT LE DEVELOPPEMENT D'APPROCHES NOVATRICES TELLES QUE : - LA LOCALISATION ASSISTEE PAR LE TEST I#D#D#Q, - LA LOCALISATION ASSISTEE PAR LA SIMULATION ELECTRIQUE POUR LE TEST INTERNE, - LA LOCALISATION ASSISTEE PAR LA GENERATION D'UN PSEUDO-LAYOUT. CETTE DERNIERE APPROCHE, DANS LE CAS D'UN CIRCUIT A1280 PERMET, GRACE A LA TECHNIQUE DE LA SELECTION DE SIGNAUX (QUE NOUS AVONS IMPLANTEE SUR L'IDS), DE S'AFFRANCHIR DE LA CONTRAINTE DU MODE IMAGE POUR ACCEDER AUX OUTILS DE NAVIGATION, SIMULATION ET MESURE COMME POUR UN ASIC POUR LEQUEL LE DESSIN DES MASQUES EST ACCESSIBLE.

Book Contribution    l   tude de la stimulation photo  lectrique laser pour le d  veloppement de nouvelles m  thodologies d analyse de d  faillance

Download or read book Contribution l tude de la stimulation photo lectrique laser pour le d veloppement de nouvelles m thodologies d analyse de d faillance written by Roxane Llido and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les approches basées sur la stimulation thermique laser restent largement privilégiées par rapport à la stimulation photoélectrique laser. Ceci est en partie du au fait que la stimulation thermique laser permet dans la plupart des cas de pointer directement le défaut cherché (bien souvent l'élément le plus sensible). Ce n'est pas forcément le cas en mode photoélectrique où de nombreuses structures sont sensibles bien qu'elles ne présentent aucune anomalie. Les techniques à base de stimulation photoélectrique laser statique sont donc peu employées. Un travail a ainsi été mené pour mieux appréhender les résultats obtenus dans le cadre de la stimulation photoélectrique laser statique, mais aussi et surtout pour évaluer le potentiel de cette technique pour des applications en laboratoire d'analyse de défaillance. Pour cela, dans un premier temps des explications ont été apportées sur l'interaction du laser photoélectrique avec les dispositifs élémentaires. La mise en application de techniques a ensuite été possible grâce au développement de méthodologies flexibles et adaptables à chaque cas d'étude, qui sont maintenant intégrées dans le flot d'analyse de défaillance. Enfin, les perspectives de la stimulation photoélectrique laser statique sont présentées, notamment les techniques qui ont été développées suite à l'évolution des technologies, ainsi qu'une étude originale révélant que le laser photoélectrique pourrait être utilisé comme outils de caractérisation électrique (fiabilité des oxydes) en plus de son utilisation traditionnelle dédiée à la localisation de défauts.

Book Etude et r  alisation d un banc de test de circuits int  gr  s utilisant un faisceau laser

Download or read book Etude et r alisation d un banc de test de circuits int gr s utilisant un faisceau laser written by Francis Jouaville and published by . This book was released on 1987 with total page 144 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Analyse des circuits int  gr  s par laser en mode sonde

Download or read book Analyse des circuits int gr s par laser en mode sonde written by Mohamed Mehdi Rebaï and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux de recherche présentés dans ce manuscrit de thèse ont pour principal objectif d'aider à comprendre les différents mécanismes et phénomènes qui interviennent lors de l'interaction d'un laser avec un semiconducteur dans une analyse de circuits intégrés submicroniques. Le but étant de maitriser et améliorer les techniques d'analyse par laser en mode sonde. La miniaturisation et la densification des composants électroniques fait que les techniques d'analyse par laser atteignent leurs limites. Connaitre l'impact des différents paramètres physiques, optiques et électriques sur une analyse sonde est un facteur clé pour pouvoir améliorer la compréhension des signaux sonde mesuré. Ces travaux montrent également l'effet non négligeable de la température sur les techniques d'analyse par laser en mode sonde.