Download or read book Contribution la mod lisation et la simulation de l effet des porteurs chauds sur les transistors NMOS submicroniques written by Jean-Christophe Courrege and published by . This book was released on 1998 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La réduction incessante des dimensions géométriques des composants électroniques s'est accompagnée d'une augmentation de l'importance relative des phénomènes du second ordre que ce soit en terme de modélisation électrique ou de fiabilité intrinsèque. Les porteurs chauds sont ainsi devenus un des principaux facteurs limitatifs en terme de durée de vie des circuits électroniques modernes. Ces porteurs issus de l'augmentation des champs électriques internes provoquent des modifications irréversibles du système Si-SiO2 et par suite des caractéristiques électriques des transistors. Ces variations se répercutent sur le fonctionnement des circuits intégrés et peuvent conduire à une perte de fonctionnalité. Il est donc indispensable de pouvoir intégrer ces phénomènes dès la phase de conception des circuits électroniques de forte fiabilité. C'est le rôle d'outils de simulation du type de BERT. Afin de pouvoir évaluer ce logiciel, nous avons dû effectuer une étude approfondie des différents processus physiques responsables des dégradations et des modèles de prédiction de la durée de vie. Ces modèles et plus particulièrement ceux utilisés dans BERT ont ensuite été vérifiés expérimentalement sur une technologie CMOS 0,6 microns. Nous avons ainsi pu déterminer leurs limites de validité et mettre en place une méthode rationnelle d'utilisation du logiciel BERT.

Download or read book Contribution a la modelisation et la simulation de l effet des porteurs chauds sur les transistors NMOS submicroniques written by Jean-Christophe Courrege and published by . This book was released on 1998 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book CONTRIBUTION A LA MODELISATION GLOBALE ET DISTRIBUEE DU TRANSISTOR MOS SUBMICRONIQUE VALIDATIONS written by SAMIA.. MOUSSAOUI and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES DISPOSITIFS ELEMENTAIRES FORMANT DES CIRCUITS INTEGRES A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LE PROGRES DE LA TECHNOLOGIE, NOTAMMENT LA LITHOGRAPHIE ET LES TECHNIQUES DE GRAVURE SECHE. L'EVOLUTION DE LA TECHNOLOGIE VERS LES STRUCTURES MICROELECTRONIQUES ET SUBMICRONIQUES A FAIT EMERGER DE NOUVEAUX PROBLEMES LIES A LA FIABILITE DES COMPOSANTS. CERTAINS PARMI EUX QUI POUVAIENT ETRE NEGLIGES DANS L'ANALYSE DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS DE GRANDES DIMENSIONS, DEVIENNENT TRES IMPORTANTS POUR LES TRANSISTORS SUBMICRONIQUES. NOTRE ETUDE CONSISTE A ETUDIER LE TRANSISTOR MOS ET LES PHENOMENES LIES A LA REDUCTION DE LA LONGUEUR DU CANAL. NOUS NOUS SOMMES PARTICULIEREMENT INTERESSES A DEUX EFFETS: L'EFFET DE MULTIPLICATION PAR AVALANCHE ET L'EFFET D'AUTOECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR. NOUS AVONS PRESENTE UNE NOUVELLE APPROCHE SIMPLE ET RAPIDE QUI TIENT COMPTE DU PREMIER EFFET. NOUS AVONS PRESENTE UN DEUXIEME MODELE QUI TIENT COMPTE DE LA VARIATION DE LA TEMPERATURE DANS LE CANAL, CONSEQUENCE DE L'AUGMENTATION DE LA PUISSANCE DISSIPEE PAR EFFET JOULE DANS LE TRANSISTOR. NOUS AVONS REMARQUE QUE NOS APPROCHES NE PERMETTAIENT QU'UNE VUE GLOBALE DES EFFETS DE DEGRADATION DU TRANSISTOR MOS, AUSSI NOUS LES AVONS INTRODUIT DANS LE MODELE A CHARGES DISTRIBUEES (MCD). CE DERNIER SUBDIVISE LA ZONE ACTIVE DU CANAL EN PLUSIEURS CELLULES, CE QUI PERMET D'AVOIR ACCES A TOUS LES PARAMETRES DU MODELE LE LONG DU CANAL. NOUS AVONS CONTRIBUE A RENDRE CE MODELE SUBMICRONIQUE PAR UNE REEVALUATION DE LA LONGUEUR DU CANAL, ET NOUS Y AVONS INTRODUIT L'EFFET D'AVALANCHE ET L'EFFET THERMIQUE. LE MODELE MCD ETANT LOURD EN TEMPS DE CALCUL, NOUS AVONS INTRODUIT AUSSI NOTRE APPROCHE A UNE MODELE SIMPLIFIE: LE MODELE UNICELLULAIRE, FONDE SUR LES MEMES BASES QUE LE MCD ET CONSIDERANT LE CANAL COMME UNE SEULE CELLULE DONT LA LONGUEUR EFFECTIVE EST CALCULEE DE LA MEME MANIERE QUE DANS MCD. POUR APPREHENDER L'APPORT DE NOS DEUX MODELES, UNE VALIDATION EN DEUX ETAPES, A EU LIEU. LA PREMIERE CONSISTE EN UNE IMPLANTATION DE NOS MODELES DANS LE LOGICIEL UTMOST (SILVACO DATA SYSTEM). LA SECONDE EN UNE COMPARAISON AVEC LES MEMES PARAMETRES DE LA SIMULATION ET DES MESURES EFFECTUEES SUR LA TECHNOLOGIE SUBMICRONIQUE DU CNET GRENOBLE, LA CMOS1T, DONT LA LONGUEUR ELECTRIQUE MINIMALE EST DE 0.8 M. LA CONCORDANCE ENTRE LES RESULTATS THEORIQUES ET EXPERIMENTAUX EST BONNE POUR UNE LARGE GAMME DE LONGUEURS DE CANAL ET DE TENSIONS APPLIQUEES.

Download or read book Mod lisation et simulation num rique des propri t s lectriques des transistors MOS SOI avanc s written by Emmanuel Rauly and published by . This book was released on 1999 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE A POUR BUT DE METTRE EN EVIDENCE ET DE MIEUX COMPRENDRE A L'AIDE DE LA SIMULATION NUMERIQUE ET DE LA MODELISATION ANALYTIQUE LES PRINCIPAUX PHENOMENES PHYSIQUES POUVANT SE PRODUIRE DANS LES TRANSISTORS MOS-SOI SUB-0.1 M. LE PREMIER CHAPITRE EST UNE INTRODUCTION SUR LES PHENOMENES EXISTANT DANS LES TRANSISTORS MOS-SOI PARTIELLEMENT ET COMPLETEMENT DESERTES ET/OU A FILM EXTREMEMENT MINCE DE SILICIUM. DANS CE CHAPITRE, ON DETAILLE AUSSI LE FONCTIONNEMENT DU LOGICIEL (ATLAS) AINSI QUE LES DIFFERENTS MODELES EXISTANTS. LE DEUXIEME CHAPITRE EST UNE ETUDE APPROFONDIE DES EFFETS LIES A L'INTRODUCTION DE L'OXYDE ENTERRE (EFFETS D'AUTO-ECHAUFFEMENT, KINK ET TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE). PAR AILLEURS, UN MODELE D'AUTO-ECHAUFFEMENT, VALIDE PAR L'EXPERIENCE, EST PROPOSE POUR LES TRANSISTORS MOS-SOI PARTIELLEMENT ET COMPLETEMENT DESERTES. LE CHAPITRE 3 DONNE DES SOLUTIONS POUR MINIMISER LES EFFETS DE CANAUX COURTS (DIBL ET PARTAGE DE CHARGES) ET LES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS DANS LES TRANSISTORS MOS-SOI DESCENDANT JUSQU'A 0.05 M DE LONGUEUR DE GRILLE. ENFIN, L'OPTIMISATION DES PERFORMANCES DES TRANSISTORS MOS-SOI SUB-0.1 M EST EFFECTUEE DANS LE CHAPITRE 4. LA TENSION DE SEUIL EST AMELIOREE EN UTILISANT UNE GRILLE MID-GAP. PAR AILLEURS, LE FONCTIONNEMENT DES COMPOSANTS SOI A FILM ULTRA-MINCE DE SILICIUM ET/OU FAIBLEMENT DOPE EST ETUDIE. L'ACCUMULATION DE L'INTERFACE ARRIERE PERMET AUSSI D'AMELIORER LES PERFORMANCES ELECTRIQUES TELS QUE LA PENTE EN FAIBLE INVERSION OU L'EFFET DIBL. FINALEMENT, LE COMPOSANT DONNANT LES MEILLEURES PROPRIETES ELECTRIQUES DANS LE DOMAINE SUB-0.1 M (PENTE SOUS LE SEUIL IDEALE, COURANT DE FUITE REDUIT, COURANT DE FONCTIONNEMENT IMPORTANT, EFFETS DE CANAUX COURTS ET DE PORTEURS CHAUDS REDUITS,) EST LE TRANSISTOR MOS-SOI A DOUBLE GRILLE A INVERSION VOLUMIQUE.

Download or read book CONTRIBUTION A L ANALYSE ET A LA MODELISATION DU VIEILLISSEMENT STATIQUE DE TRANSISTORS NMOS SUBMICRONIQUES written by DAVID.. DORVAL and published by . This book was released on 1995 with total page 152 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN DE QUALIFIER LA FIABILITE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES, NOUS AVONS ETUDIE LA TENUE AU VIEILLISSEMENT DE DIFFERENTES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES SENSEES LIMITER LES PHENOMENES DE PORTEURS CHAUDS. L'ANALYSE DES DEGRADATIONS INDUITES PAR LES PORTEURS CHAUDS NOUS A PERMIS DE MODELISER LES DEGRADATIONS DES PRINCIPAUX PARAMETRES ELECTRIQUES BAS-NIVEAU DU TRANSISTOR. CES DEGRADATIONS SONT ESSENTIELLEMENT RELIEES A LA GENERATION D'ETATS D'INTERFACE SOUS LA GRILLE DU TRANSISTOR DONT LA DENSITE PEUT ETRE REVELEE PAR LA TECHNIQUE DE POMPAGE DE CHARGES. LA SENSIBILITE DE CETTE TECHNIQUE ASSOCIEE A LA MODELISATION DES DEGRADATIONS PERMET DE DETERMINER LA DUREE DE VIE DES TRANSISTORS POUR DES POLARISATIONS DE STRESS PROCHES DES TENSIONS NOMINALES DE FONCTIONNEMENT. LA DUREE DE VIE DES DIFFERENTES STRUCTURES POUR LES TENSIONS NOMINALES DE FONCTIONNEMENT EST ALORS DETERMINEE PAR INTERPOLATION ENTRE LES MESURES A FORTES ET FAIBLES TENSIONS. CETTE INTERPOLATION PERMET DE S'AFFRANCHIR PARTIELLEMENT DES INCERTITUDES INHERENTES A L'EXTRAPOLATION QUI EST UTILISEE LORSQUE SEULS LES POINTS DE MESURE A TENSIONS ELEVEES SONT PRIS EN COMPTE

Download or read book Contribution la caract risation et la mod lisation de transistors NMOS submicroniques en haute fr quence written by Christine Raynaud and published by . This book was released on 1988 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etude et mod lisation du comportement lectrique des transistors MOS fortement submicroniques written by Fabien Prégaldiny and published by . This book was released on 2003 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La modélisation précise des transistors MOS pour la conception et la simulation de circuits est un défi constant en raison de la nature évolutive de la technologie CMOS. L'objectif de cette thèse est d'une part d'étudier les principaux effets résultant de la miniaturisation des TMOS et d'autre part de proposer des modèles analytiques simples et originaux permettant de les prendre en compte. Les bases physiques nécessaires à la formulation d'un modèle idéal sont présentées au chapitre 2, de même qu'un état de l'art des principaux modèles compacts de TMOS (modèles destinés à la simulation de circuits) actuellement utilisés. Le troisième chapitre est consacré à une étude détaillée du comportement capacitif extrinsèque du TMOS fortement submicronique. Un nouveau modèle de capacités parasites est également proposé puis validé à partir de simulations numériques à deux dimensions. Le quatrième chapitre fait état d'une étude approfondie des effets quantiques au sein des transistors n-MOS. L'influence des effets quantiques sur les différentes caractéristiques électriques (I-V, C-V) du TMOS est discutée. Un nouveau modèle quantique, formulé intégralement en potentiel de surface, est alors développé. Ce modèle est complètement analytique, valable de l'accumulation à l'inversion, et ne nécessite aucun paramètre d'ajustement. Utilisé conjointement à un modèle en feuille de charge, il autorise une description précise et continue des caractéristiques électriques majeures du TMOS telles que les charges, les capacités, le courant de drain, la transconductance, etc. Le nouveau modèle est finalement validé par comparaison avec des résultats expérimentaux de différentes technologies CMOS avancées. En conclusion, cette thèse démontre qu'une approche pragmatique de la modélisation compacte permet de réaliser des modèles simples, efficaces et physiquement cohérents.

Download or read book Contribution la caract risation et la mod lisation de transistors NMOS submicroniques en haute fr quence written by Christine Raynaud and published by . This book was released on 1988 with total page 243 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES TRANSISTORS NMOS SUBMICRONIQUES ONT ETE REALISES ET CARACTERISES PAR LA MESURE DE LEURS PARAMETRES S A HAUTE FREQUENCE AFIN D'EVALUER LES PERFORMANCES LIMITES APPORTEES PAR DES LONGUEURS INFERIEURES AU MICRON

Download or read book Mod lisation physique des effets du vieillissement et m thodes d extraction des param tres des transistors MOS submicroniques sur silicium massif et S O I written by Abdelkader Hassein-Bey and published by . This book was released on 1993 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book CONTRIBUTION A LA MODELISATION ET A L EXTRACTION DES PARAMETRES DE TENSION DE SEUIL DE RESISTANCE SERIE ET DE REDUCTION DE LONGUEUR DANS LES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES written by HUGUES.. BRUT and published by . This book was released on 1996 with total page 262 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES A L'AIDE DE SIMULATEURS DE TYPE SPICE, NECESSITE L'ELABORATION DE MODELES PHYSIQUES, PRECIS ET SIMPLES. POUR CELA, UNE BONNE COMPREHENSION DU COMPORTEMENT DES DISPOSITIFS EST INDISPENSABLE. PAR AILLEURS LA REDUCTION CONSTANTE DES DIMENSIONS DE CES DISPOSITIFS ENTRAINE L'APPARITION DE NOUVEAUX PHENOMENES PHYSIQUES QU'IL EST PRIMORDIAL D'ISOLER ET DE CARACTERISER D'UN POINT DE VUE EXPERIMENTAL, AFIN D'EN FAIRE UNE MODELISATION AUSSI PROCHE QUE POSSIBLE DE LA REALITE. C'EST DANS CE CADRE DE RECHERCHE QUE S'INSCRIT CE MEMOIRE. LES DISPOSITIFS ETUDIES ICI SONT LES TRANSISTORS METAL OXYDE SEMICONDUCTEUR, LARGEMENT UTILISES DANS LES CIRCUITS INTEGRES DE TYPE NUMERIQUE. LES MODELES ET LES PROCEDURES D'EXTRACTION DIRECTES DEVELOPPES SONT APPLIQUES SUR UN LARGE PANEL DE TECHNOLOGIES ALLANT DE 1.2 M A 0.1 M. APRES UN BREF RAPPEL DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS ET DES PROBLEMES TECHNOLOGIQUES ET DE MODELISATION LIES AUX DIMENSIONS REDUITES DES DISPOSITIFS (CHAPITRE 1), TROIS PARAMETRES FONDAMENTAUX SONT TRAITES: LA TENSION DE SEUIL, LA RESISTANCE SERIE ET LA LONGUEUR DE CANAL EFFECTIVE. DANS LE CHAPITRE 2, LA MODELISATION DE LA TENSION DE SEUIL ET L'EXTRACTION DES PROFILS DE DOPAGE TRANSVERSES SUR LES TRANSISTORS A CANAUX LONGS SONT ABORDES. LE CHAPITRE 3 EST ENSUITE CONSACRE A LA MODELISATION DE LA TENSION DE SEUIL ET A L'EXTRACTION DES PROFILS DE DOPAGE LATERAUX DANS LES TRANSISTORS A CANAUX COURTS. DANS CETTE PARTIE, SONT NOTAMMENT DECORRELES L'EFFET CANAL COURT CLASSIQUE ASSOCIE AU PARTAGE DE CHARGE ET L'EFFET CANAL COURT INVERSE RELATIF A UNE NON HOMOGENEITE DES PROFILS DE DOPAGE LATERAUX. ENFIN, LE CHAPITRE 4 EST DEDIE A L'ETUDE DE LA RESISTANCE SERIE ET DE LA LONGUEUR DE CANAL EFFECTIVE. EN PARTICULIER, L'EVOLUTION DE CES DEUX PARAMETRES AVEC LA POLARISATION DE GRILLE, AINSI QUE SA MODELISATION, SONT TRAITES DANS LE CAS DE TRANSISTORS AYANT DES REGIONS SOURCE ET DRAIN A ZONE FAIBLEMENT DOPEES (LDD)

Download or read book CARACTERISATION ET MODELISATION DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS ULTRA SUBMICRONIQUES FABRIQUES SUR FILMS SIMOX TRES MINCES written by OLIVIER.. FAYNOT and published by . This book was released on 1995 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION ET A LA MODELISATION DES TRANSISTORS MOS FABRIQUES SUR DES FILMS SIMOX TRES MINCES. DANS LE PREMIER CHAPITRE, OUTRE L'ORIENTATION DE LA MICROELECTRONIQUE, NOUS DETAILLONS L'INTERET POTENTIEL QUE PEUT SUSCITER LA TECHNOLOGIE SOI POUR LES APPLICATIONS BASSE-TENSION. ENSUITE, NOUS ANALYSONS LES PHENOMENES DE COUPLAGE D'INTERFACES APPARAISSANT DANS DEUX TYPES DE CONDUCTION DE TRANSISTORS TOTALEMENT DESERTES: LA CONDUCTION PAR CANAL D'INVERSION ET LA CONDUCTION PAR CANAL D'ACCUMULATION. PUIS, LES EFFETS DE CANAUX COURTS SONT ETUDIES DANS L'OBJECTIF D'OPTIMISER L'ARCHITECTURE DES TRANSISTORS SOI ULTRA-SUBMICRONIQUES. LES PHENOMENES LIES A L'IONISATION PAR IMPACT SONT ENSUITE PRESENTES POUR LES DEUX TYPES DE CONDUCTION. UN PROCEDE SIMPLE DE FABRICATION EST ALORS DECRIT ET LES RESULTATS EXPERIMENTAUX DES TRANSISTORS ET DES CIRCUITS METTENT EN AVANT LES AVANTAGES DU SOI POUR LES APPLICATIONS BASSE-TENSION. LE DERNIER CHAPITRE EST DEDIE A LA CARACTERISATION DES PHENOMENES DE PORTEURS CHAUDS DES TRANSISTORS SOI COMPLETEMENT DESERTES

Download or read book Contribution la compr hension et la mod lisation des ph nom nes d injection de porteurs chauds dans les dispositifs MOS submicroniques written by Antoine Pavlin and published by . This book was released on 1986 with total page 230 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE AU POINT D'UN MODELE ANALYTIQUE EN ACCORD AVEC LES RESULTATS EXPERIMENTAUX POUR LA SIMULATION DU COURANT INJECTE. LES MESURES ONT AMENE A JUSTIFIER UN COMPORTEMENT CONTRADICTOIRE DE LA VARIATION DES PORTEURS CHAUDS PAR LE CARACTERE DE MICRORUGOSITE DE L'INTERFACE SI-SIO::(2)

Download or read book G n ration des porteurs chauds et fiabilit des transistors mos sub 0 1 m written by Bertrand Marchand and published by . This book was released on 1999 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS POUVANT INDUIRE UNE DEGRADATION ELECTRIQUE DES CIRCUITS INTEGRES EST D'UNE GRANDE IMPORTANCE POUR LES COMPOSANTS AVANCES. DANS LES TRANSISTORS FORTEMENT SUBMICRONIQUES, LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION A TEMPERATURE AMBIANTE ET A BASSES TEMPERATURES DE L'IONISATION SECONDAIRE PAR IMPACT ET DU COURANT DE GRILLE QUI EN RESULTE, COMPLETEE PAR L'ETUDE DE L'EMISSION LUMINEUSE LIEE A CE MECANISME, ONT ETE MENEES A BIEN, APPORTANT UNE MEILLEURE COMPREHENSION DE LA GENERATION DE PORTEURS CHAUDS DONT L'ENERGIE EST RESPONSABLE DE LA CREATION D'ETATS D'INTERFACE ET DE LA DEGRADATION DES PERFORMANCES DES COMPOSANTS. TIRANT PROFIT DE L'ACCELERATION DU VIEILLISSEMENT ELECTRIQUE PAR L'INTENSIFICATION DE L'IONISATION SECONDAIRE, UNE NOUVELLE METHODE DE PREDICTION DE LA DUREE DE VIE DES TRANSISTORS DANS LEURS CONDITIONS NOMINALES DE POLARISATION EST PROPOSEE. ENFIN, L'IMPACT DU TYPE DE CONTRAINTE ELECTRIQUE ET DE L'ARCHITECTURE TECHNOLOGIQUE SUR LA FIABILITE DES COMPOSANTS SONT ETUDIES.

Download or read book tude des propri t s physiques et electriques de transistors mos fortement submicroniques written by Bertrand Szelag and published by . This book was released on 1999 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES TRANSISTORS MOS FAIT APPARAITRE DES EFFETS NEFASTES AU BON FONCTIONNEMENT DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL DE THESE EST D'ETUDIER LES PROPRIETES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES DES MOSFETS FORTEMENT SUBMICRONIQUES. LES LONGUEURS DE GRILLE MINIMUM UTILISEES AU COURS DE CETTE ETUDE SONT DE 75NM. DANS LE PREMIER CHAPITRE, NOUS RAPPELONS LES PRINCIPES DE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS EN INTRODUISANT LES EFFETS LIES A LA REDUCTION DES DIMENSIONS. LE SECOND CHAPITRE EST ENTIEREMENT DEDIE AUX EFFETS DE CANAUX COURTS. LA TENSION DE SEUIL EST ETUDIEE EN FONCTION DE NOMBREUX PARAMETRES. NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE FINE DE L'EFFET DE CANAL COURT INVERSE A PARTIR DE MESURES EFFECTUEES A BASSE TEMPERATURE ET EN DETERMINONS L'ORIGINE. ENFIN, NOUS PRESENTONS UN PHENOMENE ORIGINAL D'AUGMENTATION DE LA TRANSCONDUCTANCE AVEC LA POLARISATION DE SUBSTRAT. LE TROISIEME CHAPITRE TRAITE DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS. NOUS ANALYSONS EN DETAIL LES COURANTS DE GRILLE ET DE SUBSTRAT ET PRESENTONS DES RESULTATS RELATIFS AU VIEILLISSEMENT DES COMPOSANTS. ENFIN, LE PHENOMENE D'EMISSION DE PHOTONS EST ANALYSE. LE QUATRIEME CHAPITRE PRESENTE UNE ETUDE COMPARATIVE DES METHODES D'EXTRACTION DE LA LONGUEUR EFFECTIVE DE CANAL ET DES RESISTANCES SERIE. NOUS PROPOSONS CERTAINES AMELIORATIONS PERMETTANT D'UTILISER CES METHODES POUR LES COMPOSANTS FORTEMENT SUBMICRONIQUES. LE CINQUIEME CHAPITRE EST UN TRAVAIL DE CARACTERISATION ELECTRIQUE DE TRANSISTORS AVANCES REALISES AVEC DIFFERENTES ARCHITECTURES. NOUS COMPARONS UN DOPAGE CONVENTIONNEL OBTENU PAR IMPLANTATION DE BORE A UN DOPAGE RETROGRADE REALISE PAR IMPLANTATION D'INDIUM.

Download or read book Etude des fluctuations locales des transistors MOS destin s aux applications analogiques written by Yohan Joly and published by . This book was released on 2011 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les fluctuations électriques des composants sont une limitation à la miniaturisation des circuits. Malgré des procédés de fabrications en continuelle évolution, les variations des caractéristiques électriques dues au désappariement entre deux dispositifs limitent les performances des circuits. Concernant les applications à faible consommation, ces fluctuations locales peuvent devenir très critiques. Dans le contexte du développement d'une technologie CMOS 90nm avec mémoire Flash embarquée pour des applications basse consommation, l'appariement de transistors MOS est étudié. Une analyse de l'impact du dopage de grille des transistors NMOS est menée. L'étude se focalise sur l'appariement en tension des paires différentielles polarisées dans la zone de fonctionnement sous le seuil. Il est démontré que cet appariement peut être dégradé à cause de l'effet « hump », c'est-à-dire la présence de transistors parasites en bord d'active. Un macro-modèle permettant aux concepteurs de modéliser cet effet est présenté. Il est étudié au niveau composant, au niveau circuit et en température. Enfin, une étude de la dégradation de l'appariement des transistors MOS sous stress porteurs chauds est réalisée, validant un modèle de dégradation. Des transistors octogonaux sont proposés pour supprimer l'effet « hump » et donnent d'excellents résultats en termes d'appariement ainsi qu'en fiabilité.

Download or read book Government Reports Annual Index written by and published by . This book was released on 1987 with total page 1030 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Sections 1-2. Keyword Index.--Section 3. Personal author index.--Section 4. Corporate author index.-- Section 5. Contract/grant number index, NTIS order/report number index 1-E.--Section 6. NTIS order/report number index F-Z.

Download or read book Effets de porteurs chauds dans les composants mos soi ultracourts 0 5 m sub 0 1 m written by Shing-Hwa Renn and published by . This book was released on 1998 with total page 154 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA MINIMALISATION ARCHITECTURALE DES DISPOSITIFS ENTRAINE UNE AUGMENTATION DU CHAMP ELECTRIQUE DANS LES TRANSISTORS, QUI EST A L'ORIGINE DE LA GENERATION DE PORTEURS CHAUDS REDUISANT LA FIABILITE DES COMPOSANTS. L'OBJECTIF DE CETTE THESE EST D'ANALYSER LES PHENOMENES ET LES MECANISMES PHYSIQUES DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS RELATIFS AUX TRANSISTORS MOS SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) ULTRACOURTS. LA STRUCTURE ET LE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS/SOI SONT D'ABORD DECRITS EN DETAIL. PUIS, DIFFERENTES TECHNOLOGIES POUR LA REALISATION DU MATERIAU SOI ET L'INTERET DE TELS COMPOSANTS SONT RAPPELES. LE DEUXIEME CHAPITRE PRESENTE UNE ANALYSE DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS DANS LES COMPOSANTS SOI FORTEMENT SUBMICRONIQUES. CES RESULTATS ETUDIES PAR DIFFERENTES METHODES ET DANS UNE LARGE GAMME DE POLARISATION PERMETTENT D'INDIQUER AVEC PRECISION LE PIRE CAS DE DEGRADATION ET SOULIGNER L'IMPORTANCE DE L'ACTION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE (TBP). AFIN DE DETERMINER PRECISEMENT LA TENSION D'ALIMENTATION MAXIMALE, UNE TECHNIQUE D'EXTRAPOLATION DE LA DUREE DE VIE DES DISPOSITIFS TENANT COMPTE DE LA DEGRADATION EN DEUX ETAPES EST PROPOSEE DANS LE CHAPITRE III. LE QUATRIEME CHAPITRE EST CONSACRE A L'ETUDE DE LA DEGRADATION INDUITE PAR L'ACTION DU TBP A L'ETAT OFF, L'INFLUENCE DE CET EFFET INDESIRABLE SUR LE VIEILLISSEMENT DES COMPOSANTS ETANT IDENTIFIEE. LE BUT DU DERNIER CHAPITRE EST DE COMPARER DE MANIERE APPROFONDIE LA FIABILITE DES NMOS/SOI ET PMOS/SOI AVEC DIFFERENTES EPAISSEURS DU FILM DE SILICIUM ET FABRIQUES SUR DIVERS MATERIAUX SOI (SIMOX ET UNIBOND). ENFIN, D'AUTRE ASPECTS TELS QUE LES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS A BASSE TEMPERATURE ONT EGALEMENT ETE ETUDIES AU COURS DE CE TRAVAIL.