Download or read book Contribution a la modelisation et a la caracterisation des miroirs de courant en technologie CMOS mise au point de macromodeles written by Mohamed Imlahi and published by . This book was released on 1997 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution la mod lisation et la caract risation des miroirs de courant en technologie CMOS written by Mohamed Imlahi and published by . This book was released on 1997 with total page 248 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DE NOS JOURS, LA MODELISATION COMPORTEMENTALE HIERARCHISEE DEVIENT LA MEILLEURE METHODE DANS LE DOMAINE DE LA SIMULATION ANALOGIQUE, PUISQU'ELLE PERMET DE REDUIRE LE TEMPS DE LA SIMULATION. EN OUTRE, L'ETUDE HIERARCHIQUE D'UNE STRUCTURE ANALOGIQUE AMENE AUSSI UNE METHODOLOGIE DE CONCEPTION ASCENDANTE QUI PERMET DE METTRE EN EVIDENCE LES PROPRIETES INTRINSEQUES DES BLOCS QUI COMPOSENT LES FONCTIONS ANALOGIQUES. D'UNE MANIERE GENERALE, POUR DES CIRCUITS COMPLEXES, LA MISE EN UVRE DE SIMULATIONS PLUS RAPIDES ET LA POSSIBILITE D'OPTER POUR UNE CONCEPTION ASCENDANTE DES CIRCUITS SERA REALISABLE GRACE A LA MODELISATION DE BLOCS FONCTIONNELS ET A L'ELABORATION DE BIBLIOTHEQUES DE MODELES. D'AUTRE PART, LA PLUPART DES NOUVELLES INSISTANCES DANS LA CONCEPTION DU CIRCUIT ANALOGIQUE EST LA FUSION EFFICACE ENTRE LES TECHNIQUES DES TRAITEMENTS DU SIGNAL ANALOGIQUE ET DIGITAL, ET L'UTILISATION DES SYSTEMES BASES SUR LE COURANT COMME PRINCIPAL REGIME. LE MIROIR DE COURANT EST UNE BRIQUE ESSENTIELLE DANS CES TYPES DE CIRCUIT. UNE METHODE D'APPREHENSION DE LA MODELISATION EST PRESENTEE DANS CE MEMOIRE. ELLE S'APPLIQUE A DES FONCTIONS ELEMENTAIRES (BRIQUE DE BASE) QUI SONT LES MIROIRS DE COURANT EN TECHNOLOGIE CMOS. LES RESULTATS OBTENUS DANS CE TRAVAIL ONT UNE PREMIERE IMPORTANCE POUR LE CONCEPTEUR DANS LA SELECTION DES MIROIRS DE COURANT APPROPRIES QUI SATISFASSENT LES DEMANDES ET LES EXIGENCES DES DIFFERENTS ASPECTS DE PERFORMANCE.

Download or read book Contribution la caract risation et la mod lisation des capacit s en technologie CMOS written by Alain Toulouse and published by . This book was released on 1998 with total page 143 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS ELEMENTAIRES DANS LES CIRCUITS INTEGRES AUGMENTE DE MANIERE INEXORABLE L'INFLUENCE DES INTERCONNEXIONS DANS L'ESTIMATION DES PERFORMANCES D'UN SYSTEME INTEGRE. LE TRAVAIL PRESENTE DANS CETTE THESE S'INCLUE DANS UN EFFORT INTERNATIONAL POUR AMELIORER LA PRECISION DE L'EXTRACTION DE PARASITES A PARTIR D'UN DESSIN DE MASQUES. NOUS AVONS TOUT D'ABORD DEVELOPPE UN DISPOSITIF DE MESURE INTEGRE SUR SILICIUM QUI PERMET DE MESURER AVEC PRECISION DES CAPACITES CONSTANTES AVEC UN COUT EN SURFACE TRES REDUIT PAR RAPPORT AUX METHODES DE MESURES DIRECTES. NOUS POUVONS AINSI MESURER DES CAPACITES DE L'ORDRE DE LA CENTAINE D'ATTO-FARAD AVEC UNE INCERTITUDE DE L'ORDRE DE QUELQUES %. A PARTIR DES RESULTATS DE MESURE, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE LES LIMITES DES MODELES D'EXTRACTION CLASSIQUES ET PROPOSER UN MODELE ORIGINAL ET GENERIQUE. CE MODELE NECESSITE UNE SIMPLE ETAPE DE CALIBRATION AFIN DE DETERMINER LES PARAMETRES RELATIFS A UNE TECHNOLOGIE DONNEE SANS QU'IL SOIT NECESSAIRE DE CONNAITRE LES DIMENSIONS VERTICALES DE LA TECHNOLOGIE. LES RESULTATS OBTENUS EN TERME DE PRECISION DU MODELE SONT TRES ENCOURAGEANT POUR DES TECHNOLOGIES SUBMICRONIQUES.

Download or read book Contribution to electromagnetic emission Modeling and characterization of CMOS integrated circuits written by Chen, Xi and published by . This book was released on 2000 with total page 234 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DE L'EMISSION PARASITE EST DEVENUE UNE CONTRAINTE MAJEURE DANS LA CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES. PORTANT INITIALEMENT SUR LES EQUIPEMENTS ELECTRONIQUES, LA CONTRAINTE DE COMPATIBILITE ELECTROMAGNETIQUE S'EST REPERCUTEE SUR LE COMPOSANT LUI MEME, DU FAIT DE L'EVOLUTION TECHNOLOGIQUE ET DE L'AVENEMENT DES SYSTEMES SUR PUCE. LES CIRCUITS INTEGRES DOIVENT DE CE FAIT ETRE SELECTIONNES, AINSI QUE LEURS COMPOSANTS ENVIRONNANTS, DE MANIERE A RESPECTER LES CONTRAINTES CEM DE L'EQUIPEMENT. CEPENDANT, LE COMPORTEMENT CEM DU COMPOSANT FAIT ENCORE RAREMENT PARTIE DE LA SPECIFICATION INITIALE DE CONCEPTION. DE PLUS, NI METHODOLOGIE, NI OUTILS DE SIMULATION PERFORMANTS NE SONT DISPONIBLE. NOTRE TRAVAIL DE THESE CONSISTE, D'UNE PART, A METTRE EN UVRE DES METHODES DE MESURES FIABLES POUR CARACTERISER L'EMISSION PARASITE DU COMPOSANT. CES METHODES S'APPLIQUENT AU MODE CONDUIT ET RAYONNE, SONT REPRODUCTIVES AFIN DE PERMETTRE DE COMPARER ET EVALUER DIFFERENTS PRODUITS. D'AUTRE PART, NOTRE EFFORT A PORTE SUR LA CONSTRUCTION D'UN MODELE GENERAL DU COMPOSANT AFIN DE PREDIRE L'EMISSION PARASITE DE MANIERE SIMPLE ET PRECISE DE 1 A 1000 MHZ. CETTE APPROCHE PERMET D'ANALYSER L'IMPACT DE TECHNIQUES DE REDUCTION D'EMISSION AVANT LA FABRICATION DU COMPOSANT. NOUS AVONS DECRIT DIFFERENTES TECHNIQUES DE REDUCTION DE L'EMISSION PARASITE AU NIVEAU CIRCUIT INTEGRE ET BOITIER. LE MODELE CEM PROPOSE RESPECTE LA CONFIDENTIALITE DE LA STRUCTURE ET DE LA TECHNOLOGIE, TOUT EN ETANT COMPATIBLE AVEC LES OUTILS DE SIMULATION. LE MODELE EST GENERIQUE, PERMETTANT DE S'ADAPTER A TOUS TYPES DE COMPOSANTS, DES ASIC AUX MICROPROCESSEURS, A DES FINS DE NORMALISATION DE LA DESCRIPTION CEM DES COMPOSANTS. LE TRAVAIL A ETE CONDUIT EN COOPERATION AVEC ST MICROELECTRONICS

Download or read book Contribution a la caracterisation et a la modelisation des capacites en technologie CMOS written by Alain Toulouse and published by . This book was released on 1998 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Caract risation et mod lisation des fluctuations al atoires des param tres lectriques des dispositifs en technologies CMOS avanc es written by Cecilia Maggioni Mezzomo and published by . This book was released on 2011 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la caractérisation et la modélisation des fluctuations aléatoires des paramètres électriques des transistors MOS avancées. La structure de test utilisée est validée expérimentalement au moyen de la méthode de mesure de Kelvin. Pour comprendre le comportement des fluctuations, un modèle est d'abord proposé pour le régime linéaire. Il permet de modéliser les fluctuations de la tension de seuil des transistors avec implants de poche pour toutes les longueurs de transistor et aussi pour toute la gamme de tension de grille. Ensuite, l'appariement du courant de drain est caractérisé et modélisé en fonction de la tension de drain. Pour modéliser les caractéristiques réelles de transistors sans implants de poche, il est nécessaire de considérer la corrélation des fluctuations de la tension de seuil et celles de la mobilité. De plus, des caractérisations sur des transistors avec implants de poche montrent un nouveau comportement de l'appariement du courant de drain. Des caractérisations ont aussi été menées pour analyser l'impact des fluctuations de la rugosité de grille.

Download or read book Contribution la caract risation et la mod lisation des technologies CMOS written by Olivier Rinaudo and published by . This book was released on 1993 with total page 338 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE PROPOSE UN OUTIL GLOBAL POUR LA CARACTERISATION DES TECHNOLOGIES CMOS A TRAVERS LES PARAMETRES SPICE EXTRAITS DE MICROSTRUCTURES DE TEST ADAPTEES. LE DEVELOPPEMENT DES CONDITIONS DE TEST ET UNE STRATEGIE ORIGINALE D'OPTIMISATION DES PARAMETRES SONT PRESENTES. DE PLUS, UNE AMELIORATION DU MODELE SPICE AINSI QU'UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION DES RESISTANCES D'ACCES PARASITES SONT EXPOSEES. ENFIN, LA MESURE DES PARAMETRES S DE TRANSISTORS A PERMIS DE CARACTERISER LES PERFORMANCES DYNAMIQUES DU MODELE SPICE AINSI QUE LES PROPRIETES DE L'INTERFACE (SI/SIO#2)

Download or read book Contribution la mod lisation conception et caract risation de cha nes vid o ASIC en technologie BICMOS written by Jean-Marc Biffi and published by . This book was released on 1995 with total page 336 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES CHAINES VIDEO DEDIEES AUX APPLICATIONS SPATIALES SONT ETUDIEES. L'ACCENT EST MIS SUR L'OPTIMISATION DE LA CONCEPTION ANALOGIQUE EN TECHNOLOGIE BICMOS. LA COMPARAISON D'ARCHITECTURES, LA SPECIFICATION DES BLOCS FONCTIONNELS, LA MODELISATION DES TRANSISTORS ELEMENTAIRES, L'OPTIMISATION DE MIROIRS DE COURANT, LA CARACTERISATION SOUS IRRADIATION, LA CONCEPTION DE SUIVEURS ANALOGIQUES ET D'AMPLIFICATEURS, LA REALISATION DE PROTOTYPES DE TEST ET LES MESURES ELECTRIQUES SONT DEVELOPPEES. LES RESULTATS OBTENUS SERVIRONT A LA SYNTHESE D'UNE BIBLIOTHEQUE DE FONCTIONS ANALOGIQUES SPECIFIQUE AU BESOIN SPATIAL

Download or read book Contribution la caract risation et la mod lisation jusque 325 GHz de transistors HBT des technologies BiCMOS written by Marina Deng and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'émergence des applications grand public en gamme millimétrique et térahertz, telles que la communication très haut débit, le radar automobile et l'imagerie, est aujourd'hui rendue possible grâce aux progrès continus sur les performances des transistors. La technologie BiCMOS SiGe compte parmi les technologies clés génériques capables d'adresser ces applications. Les transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) de dernière génération montrent en effet des fréquences de coupure supérieures à 300 GHz. Néanmoins, la conception de circuits RF dans les fréquences sub-térahertz nécessite des modèles de transistor précis et fiables, qui sont extraits et validés par des mesures hyperfréquences. L'objectif de ce travail a donc été de caractériser et modéliser les transistors HBT des technologies BiCMOS en régime petit signal et en bruit RF au-delà de 110 GHz. Après la mise au point d'une technique d'épluchage des accès du transistor à partir de mesures en bande G (140 - 220 GHz), la modélisation petit signal des transistors HBT des technologies B9MW, B5T et B55 de STMicroelectronics a pu être réalisée jusqu'à 220 et 325 GHz, tout en montrant les limitations dues à la montée en fréquence. De plus, l'extraction des quatre paramètres de bruit du transistor HBT SiGe a été réalisée pour la première fois dans l'intégralité de la bande 130 - 170 GHz, démontrant l'efficacité de la méthode multi-impédance associé à l'algorithme de Lane à ces hautes fréquences. Dans la perspective d'intégrer le système de mesure de bruit en vue de caractériser en bruit le transistor HBT, un amplificateur et un tuner d'impédance ont été conçus, en technologie B55, pour un fonctionnement de 130 à 170 GHz.

Download or read book Contribution la mod lisation des performances des technologies CMOS 50nm written by David Souil and published by . This book was released on 2002 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse s'intéresse aux transistors MOS de longueur de grille 50 et 30nm et plus particulièrement à la modélisation de leurs caractéristiques électriques statiques et dynamique. La miniaturisation des composants s'accompagne de phénomènes physiques limitant les performances électriques. Un modèle analytique compact comme Berkeley Short Igfet Model est-il néanmoins en mesure de reproduire le fonctionnement de ces dispositifs ? Le premier objectif de cette thèse se résume à l'analyse de la modélisation de ces effets parasites dans les équations classiques des courants des différents noeuds du transistor. Ces phénomènes liés à la réduction d'échelle altèrent- ils la méthodologie d'extraction des paramètres comme la longueur électrique ? Ce travail vise à évaluer leur impact sur les performances dynamiques comme le temps de propagation et la puissance consommée par le dispositif. Sur quels effets et quelle brique de base élémentaire faut-il particulièrement concentrer les efforts de recherche Enfin, des modifications du procédé de fabrication des transistors comme l'introduction des source/drain surélevés doivent être étudiées pour quantifier les gains éventuels en performance.

Download or read book Caract risation et mod lisation des transistors CMOS des technologies 50 nm et en de written by Krunoslav Romanjek and published by . This book was released on 2010 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objet de ce mémoire est de présenter le travail effectué au cours de cette thèse qui était de caractériser électriquement et de modéliser le transport électrique de trois architectures de transistors MOS pour des filières 50nm et en deçà: CMOS Si à oxyde ultrafin, nMOS Si:C et pMOS SiGe. Afin d'étudier les effets de canaux courts sur ces dispositifs nous avons proposé et/ou optimisé plusieurs procédures d'extraction de paramètres ainsi que plusieurs modèles physiques analytiques décrivant le comportement des principaux paramètres électriques de ce type de transistors aux longueurs de grille décananométriques. Ainsi, une méthode expérimentale complète et un modèle pour la partition du courant de grille ont été validés pour les transistors à oxyde ultrafin. Une optimisation de la méthode Split Cpour les canaux courts a été validée donnant de précieux renseignements sur la mobilité des transistors MOS ultracourts. Un modèle a été validé pour le bruit 1ff des transistors à canal enterré Si Ge sub-O, 11Jm. Toutes ces méthodes nous ont permis de montrer que les transistors à oxyde ultrafins gardaient de très bonne propriétés de transport électrique jusqu'à 30nm de longueur de grille, que les nMOS Si:C était une alternative fiable au fort dopage canal pour contrôler les effets de canaux courts des nMOS sub-O, 1IJm et que les pMOS SiGe avaient un niveau de bruit 1ff plus faible en forte inversion même aux longueurs de grille décanamométriques.

Download or read book Contribution la caract risation et la mod lisation de transistors bipolaires de puissance int gr s dans une fili re BiCMOS submicronique written by Hélène Beckrich-Ros and published by . This book was released on 2006 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’émergence de la troisième génération de téléphone portable a fait évoluer les usages. Les utilisateurs peuvent désormais bénéficier d’un accès haut débit à l’Internet sans fil ce qui a rendu les services de communication multimedia: visiophonie, MMS, réception de programmes télévisés... Cette diversification du mode d’utilisation d’un portable a fait des amplificateurs de puissance des éléments prépondérants pour la transmission de l’information. C’est pourquoi cette étude propose une contribution à la caractérisation et à la modélisation de transistor de puissance RF intégrés dans une filière submicronique. Dans ce cadre d’application, il est important de tenir compte de l’influence de la température sur la réponse électrique d’un transistor bipolaire; cet effet est d’autant plus marqué pour les applications de puissance au regard des densités de courant mises en jeu. C’est pourquoi, une analyse des lois en température des paramètres du modèle compact HICUM/L2 est présentée, ainsi que les méthodes d’extraction associées. Puis, les phénomènes d’auto-échauffement et de couplage thermique dans les transistors de puissance sont étudiés à l’aide de simulations physiques et de caractérisations électriques pour mettre au point un modèle nodal SPICE. Finalement, les transistors de puissance sont caractérisés à l’aide de mesure load-pull en appliquant un signal à deux tons sur leur base. Ces caractéristiques sont comparées à des simulations Harmonic Balance de manière à valider le comportement grand signal du modèle HICUM/L2 et sa capacité à modéliser les phénomènes d’intermodulations fréquentielles.

Download or read book Mod lisation et caract risation des signaux logiques CMOS written by Isabelle Sirot and published by . This book was released on 1995 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS LE DOMAINE DE LA SIMULATION TEMPORELLE DE CIRCUITS ELECTRONIQUES, BEAUCOUP D'ATTENTION A ETE PORTEE A LA MODELISATION DE DISPOSITIFS (DIODES, TRANSISTORS,) MAIS RELATIVEMENT PEU A LA MODELISATION DES INTERFACES (LES SIGNAUX ELECTRIQUES). LA REPRESENTATION DES SIGNAUX EST TRES DIFFERENTE SELON LE NIVEAU DE SIMULATION UTILISE. AU NIVEAU LE PLUS HAUT, LES SIGNAUX SONT DECRITS COMME DES ECHELONS OU DES RAMPES DE TENSION. DANS CERTAINS CAS, CES REPRESENTATIONS SONT TROP SOMMAIRES POUR QUE LA PRECISION DE LA SIMULATION SOIT SATISFAISANTE. AU NIVEAU LE PLUS BAS, LES SIGNAUX SONT DECRITS EXHAUSTIVEMENT PAR UNE FONCTION V(T) ECHANTILLONNEE TEMPORELLEMENT (RESOLUTION DU CALCUL) ET SPATIALEMENT (PRECISION DE LA REPRESENTATION NUMERIQUE). LES SIGNAUX SONT PAR NATURE NON ALEATOIRES ET PEUVENT ETRE MODELISES DE MANIERE PLUS ELABOREE. DANS CERTAINES APPLICATIONS EN PARTICULIER A CHAQUE FOIS QU'IL FAUT STOCKER OU TRANSMETTRE UN GRAND NOMBRE DE SIGNAUX, IL SERAIT UTILE DE REPRESENTER DES SIGNAUX AVEC UN SIMPLE JEU DE PARAMETRES, AU LIEU D'UNE REPRESENTATION EXHAUSTIVE. NOTRE INTERET PORTERA DONC SUR L'ELABORATION DE MODELES DE SIGNAUX ELECTRIQUES. NOUS MENERONS SEULEMENT UNE ETUDE DES SIGNAUX ECHANGES ENTRE DES PORTES LOGIQUES DE TYPE CMOS. NOUS CHERCHERONS A CARACTERISER LA PRECISION INTRINSEQUE DES DIFFERENTS MODELES DE SIGNAUX PAR RAPPORT AUX SIGNAUX REELS. NOUS CHERCHERONS AUSSI LES MODELES DE SIGNAUX QUI GARANTISSENT, LORSQU'ILS SONT UTILISES EN SIMULATION TEMPORELLE, LA MEILLEURE PRECISION POSSIBLE POUR LA MESURE DES PARAMETRES IMPORTANTS POUR LE CONCEPTEUR (TEMPS DE PROPAGATION, TEMPS DE DESCENTE). NOUS PRESENTERONS TOUT D'ABORD, UN ETAT DE L'ART DES DIFFERENTS MODELES DE COMPOSANTS, MODELES DE SIGNAUX ET MODELES DE PERFORMANCES UTILISES DANS LES SIMULATEURS TEMPORELS. NOUS PROPOSONS UNE NOUVELLE METHODE DE CARACTERISATION DES SIGNAUX ET NOUS EFFECTUONS UNE CARACTERISATION DES PARAMETRES DES SIGNAUX PRESENTES DANS LA BIBLIOGRAPHIE. L'ETUDE DES DIFFERENTS MODELES DE SIGNAUX NOUS MENERA A PROPOSER UNE NOUVELLE METHODE DE REPRESENTATION DE SIGNAUX BASEE SUR LES TECHNIQUES D'INTERPOLATION DE COURBE. NOUS CONSTATERONS ALORS QU'UNE PRECISION INTRINSEQUE DU MODELE PAR RAPPORT AU SIGNAL N'EST PAS NECESSAIRE SUR TOUTE LA DYNAMIQUE DU SIGNAL POUR UNE SIMULATION DE QUALITE. CELA NOUS MENERA A PROPOSER UN NOUVEAU MODELE DE SIGNAL: UN SIGNAL LINEAIRE PAR MORCEAUX. CE MODELE, SIMPLE A DETERMINER, FOURNIT DE BONNES PERFORMANCES EN SORTIE D'UNE PORTE CMOS. L'ANALYSE DE CE MODELE S'EFFECTUERA EN DEUX TEMPS. NOUS PRESENTERONS, TOUT D'ABORD, L'ETUDE ANALYTIQUE DE CE TYPE DE SIGNAL. CETTE ETUDE NOUS PERMETTRA DE DETERMINER LES ZONES D'INFLUENCE DE LA PENTE D'ENTREE DU SIGNAL SUR LA REPONSE D'UN INVERSEUR CMOS. NOUS CARACTERISERONS, ENSUITE, LES PARAMETRES DE CE MODELE POUR OPTIMISER LES PARAMETRES DE PERFORMANCES D'UN INVERSEUR CMOS. ENFIN, NOUS COMPARERONS TOUS LES MODELES DE SIGNAUX PRESENTES PRECEDEMMENT. CETTE COMPARAISON SERA EFFECTUEE EN FONCTION DE LA COMPLEXITE DU SIGNAL ET DE LA PRECISION DES RESULTATS DE SIMULATION. LES SIMULATIONS SERONT EFFECTUEES POUR DIFFERENTS MODELES DE TRANSISTOR D'UNE MEME TECHNOLOGIE CMOS ET POUR DEUX AUTRES TECHNOLOGIES D'INVERSEUR CMOS.

Download or read book Fundamentals of Short range FM Radar written by Igor V. Komarov and published by Artech House. This book was released on 2003 with total page 308 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Here's a unique new resource that offers you a solid understanding of the fundamental theory, operation principles and applications of short-range frequency modulated continuous wave (FM CW) radar. You learn how to choose the structural scheme of short-range FM radar, and determine the optimal algorithm of useful signal processing necessary for ensuring the technical characteristic of radar. Moreover, this practical reference shows you how to ensure the minimum level of radar signal parasitic amplitude, calculate modulation signal distortion, and compensate for nonlinear distortion.

Download or read book Principles of Radar and Sonar Signal Processing written by Chevalier François Le and published by Artech House. This book was released on 2002 with total page 422 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Microwave and RF Design of Wireless Systems written by David M. Pozar and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2000-11-29 with total page 380 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: David Pozar, author of Microwave Engineering, Second Edition, has written a new text that introduces students to the field of wireless communications. This text offers a quantitative and, design-oriented presentation of the analog RF aspects of modern wireless telecommunications and data transmission systems from the antenna to the baseband level. Other topics include noise, intermodulation, dynamic range, system aspects of antennas and filter design. This unique text takes an integrated approach to topics usually offered in a variety of separate courses on topics such as antennas and proagation, microwave systems and circuits, and communication systems. This approach allows for a complete presentation of wireless telecommunications systems designs. The author's goal with this text is for the student to be able to analyze a complete radio system from the transmitter through the receiver front-end, and quantitatively evaluate factors. Suitable for a one-semester course, at the senior or first year graduate level. Note certain sections have been denoted as advanced topics, suitable for graduate level courses.

Download or read book Proof Theory and Automated Deduction written by Jean Goubault-Larrecq and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2001-11-30 with total page 448 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Interest in computer applications has led to a new attitude to applied logic in which researchers tailor a logic in the same way they define a computer language. In response to this attitude, this text for undergraduate and graduate students discusses major algorithmic methodologies, and tableaux and resolution methods. The authors focus on first-order logic, the use of proof theory, and the computer application of automated searches for proofs of mathematical propositions. Annotation copyrighted by Book News, Inc., Portland, OR