Download or read book Contribution l tude par microscopie lectronique en transmission des d fauts cr s par implantation ionique dans le silicium et de leur recuit written by Robert Truche (auteur(e) en cristallographie).) and published by . This book was released on 1974 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude par microscopie lectronique en transmission des d fauts cr es par implantation ionique dans le silicium et de leur recuit written by and published by . This book was released on 1974 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE DU RECUIT THERMIQUE RAPIDE DES DEFAUTS D IMPLANTATION DANS LE SILICIUM written by OLUSEYI.. ADEKOYA and published by . This book was released on 1987 with total page 290 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE L'ACTIVATION ELECTRIQUE DES DOPANTS (DONNEUR P; ACCEPTEUR B) ET DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS RESIDUELS DANS SI MONOCRISTALLIN PAR RECRISTALLISATION EPITAXIQUE DES COUCHES, AMORPHISEES PAR IMPLANTATION IONIQUE, ET PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE. CONTROLE DE LA QUALITE DES COUCHES PAR RETRODIFFUSION DE RUTHERFORD ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION ET DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS RESIDUELS PAR LA METHODE DLTS (NIVEAU PROFOND A 0,55 EV DE LA BANDE DE VALENCE). CONFIRMATION DE CETTE ELIMINATION DES DEFAUTS PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE APRES FUSION LASER DE SI, AVANT ET APRES IMPLANTATION IONIQUE. ANALYSE DU ROLE ELECTRIQUE DES DEFAUTS (CONTRAINTES THERMOELASTIQUES, ASSOCIATION IMPURETE-DEFAUT PRIMAIRE) DANS SI N, NON IMPLANTE, PAR DES MESURES DLTS, CAPACITE TENSION ET COURANT-TENSION; REDUCTION DE LEUR CONCENTRATION PAR DEPOT D'UNE FINE COUCHE D'OXYDE

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE DEFAUTS DANS DES COUCHES EPITAXIALES DE SILICIUM written by REMI.. FERTALA and published by . This book was released on 1982 with total page 142 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: APRES UN RAPPEL DE DONNEES SUR SI ET LES PRINCIPAUX DEFAUTS QU'IL PEUT CONTENIR, IL EST MONTRE QUE LA FORMATION DE DEFAUTS DANS LA COUCHE EPITAXIQUE LORS D'UN RECUIT EST LIEE A L'EXISTENCE DE POLLUTIONS DES ECHANTILLONS PAR DES ATOMES METALLIQUES EN FAIBLE CONCENTRATION. LES DEFAUTS REVELES PAR ATTAQUE CHIMIQUE SONT DES DEFAUTS PONCTUELS ET DES DEFAUTS PLANS. ETUDE DETAILLEE DE CES DEFAUTS PLANS PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION ET DU MECANISME D'ACTION DES TRAITEMENTS GETTER

Download or read book Etude de la restructuration de couches de silicium desordonne par implantation ionique Effet du recuit thermique sur les proprietes electriques et structurales written by Jumana Boussey and published by . This book was released on 1990 with total page 157 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX MECANISMES DE RESTRUCTURATION DE COUCHES DE SILICIUM FORTEMENT ENDOMMAGEES PAR L'IMPLANTATION A L'ARSENIC. LES ECHANTILLONS CARACTERISES ONT ETE ELABORES A PARTIR D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM 100 DE TYPE P BOMBARDE, A LA TEMPERATURE AMBIANTE, AVEC UN FAISCEAU D'IONS D'ARSENIC ACCELERE A 200 KEV. EN FAISANT VARIER LA DOSE D'IMPLANTATION, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE, A L'AIDE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, LA TRANSITION CRISTAL-AMORPHE LORSQUE LA DOSE D'IMPLANTATION EST SUPERIEURE A LA DOSE CRITIQUE D'AMORPHISATION. LA COMBINAISON DE PLUSIEURS METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUES ET PHYSIQUES NOUS A PERMIS D'ETUDIER L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE POST-IMPLANTATION SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET STRUCTURALES DE CE MATERIAU. LA CORRELATION DES RESULTATS ISSUS DE CES DIFFERENTES METHODES A RENDU POSSIBLE LA MISE EN EVIDENCE D'UN PHENOMENE D'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES APRES RECUIT A BASSE TEMPERATURE INTERVENANT INDEPENDAMMENT DE LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE. L'ANALYSE DETAILLEE DE CE PHENOMENE A DEMONTRE QU'IL SE PRODUIT PAR UN PROCESSUS DE RELAXATION LOCALE CARACTERISEE PAR UNE FAIBLE ENERGIE D'ACTIVATION. L'ETUDE DE L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE SUR LES PROPRIETES STRUCTURALES DES COUCHES DE SILICIUM DESORDONNE A PERMIS DE CONCLURE QUE LA MIGRATION DES DEFAUTS PONCTUELS ET DE LEURS COMPLEXES EST A L'ORIGINE DE LA RELAXATION LOCALE

Download or read book Etude des d fauts induits par recuit laser excim re dans le silicium written by Richard Monflier and published by . This book was released on 2019 with total page 139 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La micro-électronique est un domaine exigeant, en constante évolution, motivé par le secteur applicatif et les besoins des utilisateurs. La réalisation de jonctions ultra-minces et fortement dopées est un enjeu majeur pour la poursuite de son évolution, et notamment pour son composant de base, le transistor MOS. Dans ce contexte, de nouvelles techniques de dopage permettant d'obtenir des jonctions ultra-minces ont été développées. Le recuit par laser nanoseconde (LTA) en mode " melt " est une de ces techniques. En effet, il permet une très forte activation locale (en surface et en profondeur) et une distribution uniforme des dopants. Ce procédé utilisé en laboratoire depuis les années 1980 dans la fabrication des cellules solaires offre également de nouvelles possibilités technologiques comme le développement d'architectures 3D. Néanmoins, des dégradations électriques de paramètres sensibles aux défauts tels que la mobilité et le courant inverse d'un transistor MOS ou la durée de vie des porteurs dans le cas de cellule photovoltaïque ont été observées. Dans ce contexte, cette thèse propose une étude rigoureuse des défauts générés par recuit laser en deux volets. Le premier volet traite de l'impact du recuit laser sur les propriétés physiques du silicium et repose essentiellement sur des caractérisations approfondies par spectroscopie infrarouge et photoluminescence d'échantillons silicium non intentionnellement dopés soumis à diverses conditions de recuits par impulsions laser à excimère. L'étude met en évidence la formation de défauts suite au procédé de recuit laser. Leur identification a permis d'affirmer l'introduction d'impuretés d'oxygène et de carbone durant le recuit. A partir de cette identification, le suivi en profondeur par spectroscopie de masse à ionisation secondaire de chacune des impuretés a été effectué révélant une augmentation de la concentration et de la diffusion des impuretés avec l'augmentation de la densité d'énergie du laser et/ou du nombre de tirs. A haute énergie laser, les profils de concentration d'oxygène montrent la présence d'un pic immobile (en concordance avec la solubilité limite de l'oxygène dans le silicium liquide) associé à des cavités de silicium observées par microscopie électronique en transmission (MET). L'origine de ces impuretés est discutée ; la caractérisation de véhicules tests dédiés a permis de définir l'oxyde natif comme étant leurs sources. Le second volet permet de répondre au second objectif qui consiste à évaluer l'impact du recuit laser sur les propriétés électriques de composants à base de silicium et s'appuie sur la caractérisation de diodes Schottky et PN préalablement fabriquées. Les résultats obtenus constituent un moyen supplémentaire pour, non seulement localiser les défauts électriquement actifs, mais également les identifier. Les caractéristiques courant-tension des diodes montrent systématiquement l'impact du recuit sur le courant de fuite, paramètre sensible aux défauts. Plus spécifiquement, le courant de fuite se dégrade avec l'augmentation de la densité d'énergie. Ces mesures électriques ont permis également de mettre en évidence la présence de défauts localisés à l'interface liquide/solide, défauts ayant un fort impact sur les propriétés électriques des diodes. Les résultats sont en accord avec la littérature qui suggère la présence de lacunes à cette interface. Pour aller plus loin, des mesures de DLTS ont été effectuées et dévoilent, selon la localisation (zone fondue ou interface), des signatures singulières laissant présager plusieurs types de défauts.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES COUCHES POLYCRISTALLINES DE SILICIUM DESTINEES AUX APPLICATIONS SCOLAIRES written by Chantal Fontaine and published by . This book was released on 1980 with total page 145 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DETERMINATION PRECISE DE LA DESORIENTATION ENTRE CRISTAUX, DE L'OBSERVATION DE LEURS INTERFACES ET DES DEFAUTS QU'ILS CONTIENNENT. DISCUSSION DES RESULTATS EXPERIMENTAUX EN RELATION AVEC DES ETUDES EFFECTUEES SUR LES MEMES TYPES DE MATERIAUX PAR DES TECHNIQUES DIFFERENTES

Download or read book D fauts induits par implantation d ions l gers ou irradiation lectronique dans les semi conducteurs base silicium written by Marie-Laure David (physicienne).) and published by . This book was released on 2003 with total page 246 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'implantation ionique est couramment utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs aussi bien pour le dopage des matériaux que pour en améliorer la pureté. Les défauts créés par implantation/irradiation peuvent améliorer ou détériorer les performances des dispositifs électroniques. Nous avons étudié par spectroscopie capacitive les défauts électriquement actifs créés par irradiation dans le 4H-SiC. Nous avons caractérisé l'un de ces défauts, le centre S, en déterminant sa signature et ses cinétiques d'apparition et de recuit. Par ailleurs nous avons étudié les défauts créés par implantation d'hélium à forte dose dans le Si principalement par Microscopie Electronique à Transmission. Nous avons montré que la nature des défauts (cavités et défauts de type interstitiel) et leur évolution au cours d'un recuit dépendent fortement de la température d'implantation. Les effets d'implantations multi-énergies à haute température sont aussi présentés.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DE DEFAUTS DE CROISSANCE DANS LES HETEROSTRUCTURES III V written by Hélène Héral and published by . This book was released on 1986 with total page 137 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: OBSERVATION DES STRUCTURES GAAS/GAAS, ALGAAS/GAAS, GAINP/GAAS ET ISOLANT/SEMICONDUCTEUR. CONTROLE DE LA QUALITE DES COUCHES DEPOSEES ET DES INTERFACES MIS EN JEU. CARACTERISATION DES DEFAUTS DE COMPOSITION CHIMIQUE ET DES DEFAUTS CRISTALLINS

Download or read book TITRE written by CHRISTIAN.. RAGARU and published by . This book was released on 1997 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE CARBURE DE SILICIUM EST UN COVALENT BINAIRE QUI POSSEDE UNE FORTE APTITUDE AU POLYTYPISME. LORS DU FRITTAGE DE NOS ECHANTILLONS, AU DESSUS DE 2000C, LA TRANSFORMATION DE PHASE BETA (CUBIQUE-DIAMANT) ALPHA-SIC (POLYTYPES HEXAGONAUX ET RHOMBOEDRIQUES), ABOUTIT A LA CROISSANCE MASSIVE DE BICRISTAUX DE GRANDES DIMENSIONS EN FORME DE FER-DE-LANCE OU DE PLUME. CES PLUMES POSSEDENT UN AXE COMMUN 11-20, ET UN ANGLE DIEDRAL ATYPIQUE DE 65,5, 64 OU 41,4 ENTRE LES PLANS DENSES (0001). NOUS DISCUTONS LA NUCLEATION ET LA CROISSANCE DE CES PLUMES EN NOUS APPUYANT SUR LES CARACTERISTIQUES MICROSTRUCTURALES DES PHASES ALPHA ET BETA. NOUS AVONS DONC CARACTERISE DES JOINTS DE GRAINS ET DES DEFAUTS PAR METHR AFIN D'EXPLIQUER LA FORMATION D'UN TEL BICRISTAL. L'ANALYSE MONTRE QUE LES JOINTS ET DEFAUTS PEUVENT S'INTERPRETER EN TERME D'UNITES STRUCTURALES PROCHES DE CELLES DES COVALENTS SIMPLES (SI, GE). CEPENDANT, LE CARACTERE IONIQUE ET BINAIRE DE SIC PERMET D'ACCOMMODER DES DEFORMATIONS DE MANIERE PLUS VARIEE QUE POUR LE SILICIUM. L'ETUDE DES PLUMES MONTRE QUE LA REGULARITE ET L'ORIGINALITE DE LEURS ANGLES DIEDRAUX NE PEUT S'EXPLIQUER PAR UNE MINIMISATION DES DISTORSIONS DU JOINT ET DONC DE L'ENERGIE DU MATERIAU. NOUS NOUS SOMMES BASES SUR UN MODELE DE TRANSFORMATION DE PHASE PAR DOUBLE-GLISSEMENT DEVIE DE DISLOCATIONS PROPOSE PAR PIROUZ. CE MECANISME, INITIALEMENT DEVELOPPE POUR LE SILICIUM, PERMET DE DECRIRE LA FORMATION DES PLAQUETTES DANS SIC. EN EMETTANT DES HYPOTHESES BASEES SUR LA MICROSTRUCTURE DES PHASES ALPHA ET BETA, NOUS AVONS ADAPTE CE MODELE ET MONTRE QU'IL PEUT RENDRE COMPTE DE LA NUCLEATION DES PLUMES. NOUS AVONS ENSUITE DISCUTE LE MECANISME DE CROISSANCE DES PLUMES

Download or read book TITRE written by CHRISTIAN.. RAGARU and published by . This book was released on 1997 with total page 275 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE CARBURE DE SILICIUM EST UN COVALENT BINAIRE QUI POSSEDE UNE FORTE APTITUDE AU POLYTYPISME. LORS DU FRITTAGE DE NOS ECHANTILLONS, AU DESSUS DE 2000C, LA TRANSFORMATION DE PHASE BETA (CUBIQUE-DIAMANT) ALPHA-SIC (POLYTYPES HEXAGONAUX ET RHOMBOEDRIQUES), ABOUTIT A LA CROISSANCE MASSIVE DE BICRISTAUX DE GRANDES DIMENSIONS EN FORME DE FER-DE-LANCE OU DE PLUME. CES PLUMES POSSEDENT UN AXE COMMUN 11-20, ET UN ANGLE DIEDRAL ATYPIQUE DE 65,5, 64 OU 41,4 ENTRE LES PLANS DENSES (0001). NOUS DISCUTONS LA NUCLEATION ET LA CROISSANCE DE CES PLUMES EN NOUS APPUYANT SUR LES CARACTERISTIQUES MICROSTRUCTURALES DES PHASES ALPHA ET BETA. NOUS AVONS DONC CARACTERISE DES JOINTS DE GRAINS ET DES DEFAUTS PAR METHR AFIN D'EXPLIQUER LA FORMATION D'UN TEL BICRISTAL. L'ANALYSE MONTRE QUE LES JOINTS ET DEFAUTS PEUVENT S'INTERPRETER EN TERME D'UNITES STRUCTURALES PROCHES DE CELLES DES COVALENTS SIMPLES (SI, GE). CEPENDANT, LE CARACTERE IONIQUE ET BINAIRE DE SIC PERMET D'ACCOMMODER DES DEFORMATIONS DE MANIERE PLUS VARIEE QUE POUR LE SILICIUM. L'ETUDE DES PLUMES MONTRE QUE LA REGULARITE ET L'ORIGINALITE DE LEURS ANGLES DIEDRAUX NE PEUT S'EXPLIQUER PAR UNE MINIMISATION DES DISTORSIONS DU JOINT ET DONC DE L'ENERGIE DU MATERIAU. NOUS NOUS SOMMES BASES SUR UN MODELE DE TRANSFORMATION DE PHASE PAR DOUBLE-GLISSEMENT DEVIE DE DISLOCATIONS PROPOSE PAR PIROUZ. CE MECANISME, INITIALEMENT DEVELOPPE POUR LE SILICIUM, PERMET DE DECRIRE LA FORMATION DES PLAQUETTES DANS SIC. EN EMETTANT DES HYPOTHESES BASEES SUR LA MICROSTRUCTURE DES PHASES ALPHA ET BETA, NOUS AVONS ADAPTE CE MODELE ET MONTRE QU'IL PEUT RENDRE COMPTE DE LA NUCLEATION DES PLUMES. NOUS AVONS ENSUITE DISCUTE LE MECANISME DE CROISSANCE DES PLUMES.

Download or read book ETUDE DES DEFAUTS APRES IMPLANTATION IONIQUE DE L OXYGENE DANS LE SILICIUM written by DANIEL.. BERTRAND and published by . This book was released on 1981 with total page 86 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU COMPORTEMENT DE L'OXYGENE IMPLANTE DIRECTEMENT DANS LE SILICIUM PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. SUIVI DE LA CONCENTRATION D'OXYGENE DANS LE SILICIUM IMPLANTE A DE FORTES DOSES PAR SONDE IONIQUE. IMPLANTATIONS D'ARSENIC SEUL OU A TRAVERS SIO::(2) AFIN DE DEGAGER LA SIMILITUDE QUI EXISTE ENTRE LES IMPLANTATIONS DIRECTES EN OXYGENE ET LE RECUL DE L'OXYGENE

Download or read book D veloppement d une approche bas e sur la microscopie lectronique en transmission filtr e en nergie pour la d termination des propri t s physiques de bulles d h lium dans le silicium written by Kévin Alix and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire est consacré au développement et à l'application d'une méthode permettant de caractériser finement les propriétés physiques (densité d'hélium, pression, diamètre, morphologie) de bulles d'hélium de taille nanométrique pour in fine améliorer la compréhension du comportement de ces nano-systèmes. L'approche que nous avons choisie est basée sur la spectroscopie de pertes d'énergie des électrons et l'acquisition de spectres images en microscopie électronique en transmission filtrée en énergie. Les différentes étapes d'acquisition, de correction des aberrations, et de traitement des spectres sont détaillées. L'erreur sur la mesure est estimée, et des améliorations potentielles de la méthode sont discutées. Nous montrons de plus que cette approche permet non seulement de dépasser les limites imposées par la microscopie électronique en transmission à balayage habituellement utilisée, mais aussi d'aller au-delà, en terme de statistique notamment. Nous appliquons ensuite notre méthode pour déterminer les propriétés physiques de bulles d'hélium dans le silicium, lors de recuits thermiques in situ dans le microscope. L'évolution des caractéristiques morphologiques des bulles est mise en rapport avec la variation de la densité d'hélium qu'elles contiennent suite à ces recuits. Les valeurs de densité et de pression obtenues sont comparées aux valeurs disponibles dans la littérature par des méthodes expérimentales ou numériques. Enfin, le transfert de notre méthode pour l'étude de bulles dans d'autres matrices (germanium, carbure de silicium, euxénite) est discuté.

Download or read book Etude par microscopie lectronique du silicium aux petites chelles written by Amina Merabet and published by . This book was released on 2018 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: De récents travaux consacrés à l'étude des propriétés des matériaux aux petites échelles ont souligné des différences exceptionnelles dans le comportement mécanique des nano-objets par rapport aux matériaux massifs. Dans le cas du silicium, une transition fragile-ductile à température ambiante a été observée lorsque la taille des échantillons est réduite. Cependant, les défauts et les mécanismes à l'origine de ce changement de comportement n'ont pas été clairement identifiés. Ce travail repose sur l'étude post mortem de nanopiliers déformés, en utilisant différentes techniques de microscopie électronique. Les nanopiliers étudiés ont été préparés par gravure plasma et déformés en compression à température ambiante. Les résultats obtenus durant cette thèse, confirment la différence de comportement des nano-objets par rapport au matériau massif. Par ailleurs, une grande variété de défauts produits lors de la compression a été observée. L'orientation cristallographique de l'axe de sollicitation semble avoir un impact important sur les mécanismes à l'origine du comportement ductile observé. La comparaison entre images HRTEM expérimentales et simulées témoigne de la propagation simultanée de dislocations partielles et parfaites dans les plans {111}. De plus, des événements plastiques ont également été observés dans des plans {115}. Divers mécanismes de déformation possibles impliqués lors de la compression des piliers sont décrits à partir des observations microscopiques. Un modèle tenant compte de l'influence sur la mobilité des dislocations des interactions entre systèmes de glissement est proposé afin d'expliquer la transition fragile-ductile observé aux petites échelles.

Download or read book Evolution cin tique des d fauts 113 en cours de recuit thermique de silicium implant written by Pascal Calvo and published by . This book was released on 2004 with total page 146 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans les structures MOS, la réalisation de jonctions ultraminces p+/n par implantation ionique de bore reste la voie privilégiée pour l'élaboration d'extensions source/drain d'une profondeur inférieure à 20 nm. Cependant, au cours du recuit d'activation, cette méthode s'accompagne de la formation de défauts étendus de type interstitiel (clusters, défauts {113} et boucles de dislocation) qui sont à l'origine de problèmes majeurs tels que la diffusion accélérée et transitoire (TED) des dopants et la dégradation des propriétés électriques des jonctions. Afin d'élaborer des stratégies permettant de limiter ces effets, il est nécessaire de comprendre les mécanismes physiques qui gouvernent l'évolution thermique des défauts étendus, notamment dans le cas des défauts {113} pour lesquels les points de vue divergent. L'objectif de ce travail a été d'obtenir une base de données fiable qui, reposant sur une analyse statistique rigoureuse des défauts par Microscopie Electronique en Transmission (MET), est indispensable pour répondre à ces attentes. Cette étude doit également permettre la calibration des nouveaux simulateurs de la TED des dopants. Pour caractériser les défauts {113}, nous avons développé une nouvelle technique d'imagerie par MET permettant une amélioration des analyses statistiques. Nos études expérimentales montrent ainsi clairement qu'au cours du recuit ces défauts évoluent toujours suivant un mécanisme de croissance de type Ostwald ripening non conservatif. Suivant les cas étudiés, ces défauts finissent ainsi soit par se dissoudre rapidement soit par se transformer progressivement en boucles de dislocation. Tous nos résultats ont pu être parfaitement interprétés à partir des concepts physiques développés au cours de ces dernières années par notre équipe. Le modèle physique, auquel nous avons apporté quelques améliorations, est actuellement testé à partir de nos résultats et a été implémenté dans un simulateur commercial.

Download or read book Jonctions ultra minces dans le silicium written by Larbi Laanab and published by . This book was released on 1993 with total page 272 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A L'ETUDE DE JONCTIONS ULTRA-MINCES DANS LE SILICIUM ELABOREES PAR IMPLANTATION IONIQUE ET RECUIT THERMIQUE RAPIDE. NOUS AVONS MONTRE QU'UNE ETAPE DE PREAMORPHISATION PERMET D'ELIMINER L'EFFET DE CANALISATION, DE REDUIRE LA DIFFUSION ANORMALE ET D'ELIMINER LES DEFAUTS DU CENTRE DE LA JONCTION. NEANMOINS LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE, NECESSAIRE A L'ACTIVATION DU BORE, ABOUTIT A LA FORMATION D'UNE BANDE DE DEFAUTS EOR AU-DESSOUS DE L'ANCIENNE INTERFACE C/A. CES DEFAUTS DEGRADENT LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE LA JONCTION ET AUGMENTENT SON COURANT DE FUITE. DANS UNE PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL NOUS AVONS ETUDIE EXPERIMENTALEMENT ET PAR SIMULATION (MODELE CDED) L'AMORPHISATION DU SILICIUM PAR BOMBARDEMENT D'IONS ISOELECTRONIQUES (SI#+, GE#+, SN#+). CETTE ETUDE A ABOUTI A UNE MISE EN FORME ANALYTIQUE DE LA VARIATION DE L'EPAISSEUR DE LA COUCHE AMORPHE EN FONCTION DES PARAMETRES D'IMPLANTATION (DOSE ET ENERGIE). CES RESULTATS PEUVENT ETRE EXPLOITES DANS UN SIMULATEUR DE PROCEDE. NOUS AVONS ENSUITE MONTRE, EN UTILISANT DES TECHNIQUES DE MET, QUE LES DEFAUTS EOR SONT BOUCLES DE DISLOCATION DE NATURES INTERSTITIELLES, LOGEANT DANS DES PLANS (111) ET AYANT DES VECTEURS DE BURGERS DE TYPE A/3111 OU A/2110. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE LES PRINCIPAUX MODELES, ISSUS DE LA LITTERATURE, QUI DECRIVENT LA FORMATION DE CES DEFAUTS. APRES AVOIR TESTE LA VALIDITE DE CHAQUE MODELE NOUS AVONS MONTRE QUE SEUL LE MODELE DIT D'EXCES D'INTERSTITIELS PERMET D'EXPLIQUER LA VARIATION DE LA DENSITE D'EOR EN FONCTION DES CONDITIONS D'IMPLANTATION. NOUS AVONS ENFIN ETUDIE LA VARIATION DE L'EXTENSION DE LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE EN FONCTION DE LA RAIDEUR DU PROFIL DE BORE. NOUS MONTRONS AINSI QU'IL EST POSSIBLE DE CHOISIR DES CONDITIONS DE PREAMORPHISATION QUI PERMETTENT LA FORMATION DE DEFAUTS D'EOR HORS DE LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE SURFACE DU SILICIUM PAR MICROSCOPSIE A EMISSION DE CHAMP written by MOUNIR.. CHAOUCH BRAHAM and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA MISE AU POINT D'UNE TECHNIQUE D'AFFINAGE DE POINTES DU SILICIUM UNIQUEMENT PAR TRAITEMENT THERMIQUE, NOUS A PERMIS DE MAITRISER LA TAILLE DES POINTES DE SILICIUM ET L'OBTENTIN SYSTEMATIQUE DE POINTES PROPRES. L'ETUDE SYSTEMATIQUE DE L'EMISSION DE CHAMP A PARTIR D'UNE SURFACE DU SI PROPRE; ET EN PARTICULIER LA COMPARAISON DES CARACTERISITQUES I-V OBTENUES A 300 K ET 77 K, NOUS A CONDUIT A PROPOSER UN MODELE DE STRUCTURE ELECTRONIQUE APPROPRIE. D'APRES CE MODELE: 1) LA BANDE DE CONDUCTION EST NON DEGENERE; 2) LA BANDE D'ETATS DE SURFACE CHEVAUCHE AVEC LA BANDE DE VALENCE ET SA LARGEUR EST FONCTION DU TRAITEMENT THERMIQUE SUBI PAR LA SURFACE SI. LES OBSERVATIONS DES IMAGES D'EMISSION DE CHAMP MONTRENT LA FORMATION DES FACETTES A HAUTS INDICES DONT LES DIMENSIONS SONT FONCTON DE LA TEMPERATURE DE TRAITEMENT. LES PREMIERES ETAPES D'OXYDATION DU SILICIUM PAR EXPOSITION A L'OXYGENE ONT ETE ANALYSEES PAR LANGMUIR. CETTE OXYDATION S'AMORCE DANS LES ZONES VICINALES ET PROGRESSE ENSUITE VERS LE CENTRE DES FACETTES POUR ABOUTIR A UNE SATURATION. ENFIN, LA STABILITE DU COURANT D'EMISSION DE CHAMP A PARTIR D'UNE POINTE DE SILICIUM PROPRE OU AVEC UNE COUCHE D'OXYDATON A ETE CARACTERISEE. CETTE STABILITE EST NETTEMENT MEILLEURE QUE DANS LE CAS D'UNE POINTE DE TUNGSTENE