Download or read book Contribution a la modelisation de diodes laser a puits quantiques contraints pour telecommunications optiques written by Olivier Gilard and published by . This book was released on 1999 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Mod lisation de diodes laser puits quantiques contraints GaInAs mettant dans la gamme des 980 nm written by Hélène Leymarie (physicienne) and published by . This book was released on 1994 with total page 246 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES TRAVAUX REPORTES DANS CE MEMOIRE CONCERNENT LES METHODES DE MODELISATION ET DE CONCEPTION DES DIODES LASER A PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS GAINAS EMETTANT DANS LA GAMME DES 980 NM, DISPOSITIFS TOUT PARTICULIEREMENT ADAPTES AU POMPAGE DES AMPLIFICATEURS OPTIQUES A FIBRE DE SILICE DOPEE ERBIUM UTILISES DANS LES TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES A LONGUES DISTANCES. LE LOGICIEL CADILAC (CONCEPTION DE DIODES LASER A PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS), QUI A ETE DEVELOPPE DANS CE BUT, PERMET DE DETERMINER A PARTIR DES PARAMETRES STRUCTURAUX DU COMPOSANT LA CARACTERISTIQUE GAIN-COURANT, LA LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION, LA DENSITE DE COURANT DE SEUIL, LES DIAGRAMMES DE CHAMP PROCHE ET DE CHAMP LOINTAIN. LE MODELE QUI SOUS-TEND CE LOGICIEL PREND EN COMPTE L'INFLUENCE DE LA CONTRAINTE SUR LA MODIFICATION DE LA LARGEUR DE BANDE INTERDITE ET SUR LA FORME DES DIFFERENTES BANDES DE VALENCE DU MATERIAU PUITS, LES EFFETS DE RENORMALISATION DE BANDE INTERDITE, LES EFFETS DE RELAXATION INTRABANDE SUR L'ELARGISSEMENT DU SPECTRE DE GAIN. CET OUTIL DE CONCEPTION EST MIS EN UVRE POUR L'ETUDE DES PROPRIETES DE DIODES LASER GAINAS/GAAS/GAALAS AFIN D'EN DEDUIRE LES TYPES DE STRUCTURES PRESENTANT LES MEILLEURS COMPROMIS DENSITE DE COURANT DE SEUIL FAIBLE DIVERGENCE DU DIAGRAMME DE RAYONNEMENT MOINDRE SENSIBILITE AUX DISPERSIONS TECHNOLOGIQUES DES PARAMETRES STRUCTURAUX. IL EST AUSSI UTILISE POUR L'ANALYSE DE COMPOSANTS DE TYPE GAINAS/GAINASP/GAINP, QUI NE COMPORTENT AUCUN ALLIAGE A BASE D'ALUMINIUM EN VUE D'ACCROITRE LEUR FIABILITE: UNE ATTENTION PARTICULIERE EST PORTEE A L'ANALYSE DE L'INFLUENCE DE LA COMPOSITION DE L'ALLIAGE GAINASP DE BARRIERE EN VUE D'OPTIMISER LE CONFINEMENT DES PORTEURS DANS LE PUITS ET LA DIVERGENCE DU DIAGRAMME DE RAYONNEMENT SANS PENALISER LA VALEUR DE LA DENSITE DE COURANT DE SEUIL. ENFIN UNE COMPARAISON THEORIE-EXPERIENCE CONCERNANT LA LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION, LE COURANT DE SEUIL, LA DIVERGENCE DU DIAGRAMME DE RAYONNEMENT ET PORTANT SUR PLUSIEURS SERIES DES DEUX TYPES DE DISPOSITIFS A PERMIS DE VALIDER LE BIEN FONDE DES MODELES THEORIQUES DEVELOPPES

Download or read book Diodes Laser Pour Les Telecommunications Optiques written by and published by Ed. Techniques Ingénieur. This book was released on with total page 12 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Conception r alisation et caract risation de diodes laser InGaAsN GaAs diaphragme d oxyde pour les t l communications optiques 1 3 m written by Benoît Messant and published by . This book was released on 2006 with total page 214 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux reportés dans cette thèse concernent la conception et la réalisation technologique d'une diode laser à puits quantiques InGaAsN émettant à 1,3μm, épitaxiée sur substrat de GaAs, et comportant une structure à ruban à base d'un diaphragme d'oxyde d'aluminium (Alox). Nous présentons, tout d'abord, l'étude de modélisation et de conception de ces diodes laser. En nous appuyant sur un outil incluant la modélisation de la structure de bande des puits quantiques InGaAsN/GaAs, une étude complète d'optimisation des propriétés d'émission des puits quantiques est menée. Nous en dégageons les critères de conception de la structure bidimensionnelle pour obtenir une émission laser à 1,3μm présentant de bonnes performances en terme de stabilité thermique et de réponse dynamique, compatible avec les réseaux optiques d'accès. La seconde partie porte sur la réalisation technologique des composants. Nous présentons la mise au point de l'étape d'oxydation latérale humide et au développement d'un procédé technologique complet et reproductible de réalisation de diodes laser avec injection latérale des porteurs et diaphragme d'oxyde en tenant compte des contraintes technologiques des différentes étapes du procédé. La réalisation et la caractérisation de diodes laser à diaphragme d'oxyde ont constitué la dernière phase de ce travail. Après avoir validé le procédé technologique dans la filière AlGaAs/GaAs, nous avons procédé à une caractérisation approfondie des composants à multi puits quantiques InGaAsN/GaAs afin d'évaluer les potentialités de cette nouvelle filière et de confirmer l'intérêt du confinement procuré par le diaphragme Alox pour l'obtention de composants monomodes stables.

Download or read book ETUDE ET OPTIMISATION DE LASERS SEMICONDUCTEURS A PUITS QUANTIQUES DANS LE SYSTEME IN GA AS IN GA ALAS IN P POUR TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES written by ENEKA.. IDIART ALHOR and published by . This book was released on 1996 with total page 231 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL COMPORTE L'ETUDE ET L'OPTIMISATION DES PERFORMANCES STATIQUES DE LASERS POUR TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES A 1,55 M, DANS LE SYSTEME D'ALLIAGE INGAAS/INGAALAS SUR INP. CE SYSTEME DE MATERIAU PRESENTAIT UN PROBLEME MAJEUR DE REPRODUCTIBILITE DES RESULTATS, DU A L'ETAPE DE DESOXYDATION DU SUBSTRAT SOUS FLUX D'ARSENIC, ET A L'INCORPORATION D'OXYGENE EN COURS DE CROISSANCE. UNE ETUDE COMPLETE A ETE MENEE. EN MODIFIANT LA CELLULE D'ARSENIC, EN EFFECTUANT UN RECUIT DU SUBSTRAT SOUS FLUX DE PHOSPHORE ET EN ELOIGNANT LA COMMUTATION P/AS DE LA ZONE ACTIVE, CE PROBLEME DE REPRODUCTIBILITE A ETE RESOLU. LE DEUXIEME OBJECTIF DE CE TRAVAIL ETAIT L'OPTIMISATION DE LA STRUCTURE POUR MINIMISER LA DENSITE DE COURANT AU SEUIL. LE NOMBRE DE PUITS A ETE OPTIMISE A PARTIR DES MESURES EXPERIMENTALES PAR LE CALCUL BASE SUR UNE APPROCHE PHENOMENOLOGIQUE DU GAIN, LA COMPOSITION ET LA LARGEUR DE LA CAVITE OPTIMALES ONT ETE DETERMINEES POUR OPTIMISER LE FACTEUR DE CONFINEMENT. UNE STRUCTURE NON CONTRAINTE AINSI OPTIMISEE PRESENTE UNE DENSITE DE COURANT DE SEUIL RECORD DE 152 A/ CM2, DE FAIBLES PERTES OPTIQUES ET UN BON RENDEMENT QUANTIQUE (64%). L'APPORT DES CONTRAINTES DANS LES PUITS A ETE DEMONTRE EN DEVELOPPANT UN CALCUL THEORIQUE DU GAIN INTRINSEQUE DU LASER EN FONCTION DU COURANT INJECTE. CE CALCUL MONTRE QUE LA CONTRAINTE ECARTE LES SOUS NIVEAUX D'ENERGIE TANT EN TENSION QU'EN COMPRESSION. LA DISPERSION DES BANDES DE VALENCE A ETE CALCULEE PAR LE MODELE D'ALTARELLI, CHAQUE BANDE RESULTANT D'UN MELANGE DES ETATS DE TROUS LOURDS ET LEGERS. LES COURBES DE GAIN EN FONCTION DE LA DENSITE DE PORTEURS MONTRENT QUE LA CONTRAINTE EN COMPRESSION DIMINUE LE SEUIL DE TRANSPARENCE ET AUGMENTE LE GAIN DIFFERENTIEL, LA CONTRAINTE EN TENSION AUGMENTE LE GAIN DIFFERENTIEL. L'EXAMEN DES STRUCTURES DE BANDES INDIQUENT QUE LA CONTRAINTE EN COMPRESSION DIMINUE L'ABSORPTION INTERBANDES DE VALENCE ET LES PERTES AUGER. LA COMPARAISON AVEC LE SYSTEME INGAASP MONTRE L'AVANTAGE DU SYSTEME INGAALAS. EXPERIMENTALEMENT, LE GAIN MESURE ET LE GAIN DIFFERENTIEL AUGMENTENT AVEC LA CONTRAINTE EN COMPRESSION, LA DENSITE DE COURANT DE SEUIL PAR PUITS DIMINUE (DE 197 A/CM2 A 109 A/CM2). LA SENSIBILITE A LA TEMPERATURE DIMINUE EGALEMENT, PASSANT DE 50K POUR UNE STRUCTURE NON CONTRAINTE A 80 K POUR UNE STRUCTURE CONTRAINTE A (-1%) EN COMPRESSION.

Download or read book SIMULATION NUMERIQUE BIDIMENSIONNELLE DES DIODES LASERS EN REGIME STATIQUE written by Grégoire Debaisieux and published by . This book was released on 1997 with total page 198 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE ET LA REALISATION DE LOGICIELS DE SIMULATION POUR LES LASERS A SEMI-CONDUCTEURS, DE TYPE FABRY-PEROT, EN REGIME STATIQUE. LES LOGICIELS DEVELOPPES PERMETTENT LA SIMULATION BIDIMENSIONNELLE DES LASERS MASSIFS DANS UN PLAN TRANSVERSE A LA DIRECTION DE PROPAGATION DE LA LUMIERE ET LA SIMULATION UNIDIMENSIONNELLE DES LASERS A PUITS QUANTIQUES DANS LA DIRECTION PERPENDICULAIRE AU PLAN DES PUITS QUANTIQUES. LA COMPLEXITE DU FONCTIONNEMENT DES LASERS A SEMI-CONDUCTEUR NOUS A CONDUIT A INTRODUIRE DE NOMBREUX EFFETS PHYSIQUES DANS LE MODELE. AINSI, NOUS FAISONS APPEL A LA PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS MASSIFS ET DES PUITS QUANTIQUES, A LA DESCRIPTION CLASSIQUE DU TRANSPORT DES PORTEURS A TRAVERS LES HETEROJONCTIONS ET A L'OPTIQUE GUIDEE. LES EQUATIONS ELECTRIQUES ET OPTIQUES NECESSAIRES A LA DESCRIPTION DU FONCTIONNEMENT DU LASER SONT RESOLUES DE FACON COUPLEE. CECI CONDUIT A L'OBTENTION DE L'ENSEMBLE DES GRANDEURS PHYSIQUES DE MANIERE AUTO-COHERENTE POUR UN POINT DE POLARISATION DONNE. NOUS AVONS EGALEMENT MIS EN OEUVRE DES OUTILS PERMETTANT D'EVALUER CERTAINS PARAMETRES DE LA SIMULATION TELS QUE LE COEFFICIENT DE REFLEXION SUR LES FACETTES DU LASER OU LE GAIN MATERIAU DANS LES LASERS MASSIFS ET LES LASERS A PUITS QUANTIQUES. LES OUTILS DE SIMULATION DEVELOPPES ONT FAIT L'OBJET DE VALIDATION A PARTIR DE RESULTATS EXPERIMENTAUX, SUR DES STRUCTURES TELLES QUE LES LASERS A RUBAN ENTERRE OU LES AMPLIFICATEURS OPTIQUES POUR LA VALIDATION DU MODELE DE GAIN OPTIQUE. NOUS OBTENONS UN BON ACCORD ENTRE LA SIMULATION ET L'EXPERIENCE COMPTE TENU DE L'INCERTITUDE SUR LES PARAMETRES MATERIAUX INJECTES DANS LE MODELE. LES PROBLEMES DE LA SIMULATION BIDIMENSIONNELLE DES LASERS A PUITS QUANTIQUES AINSI QUE CEUX LIES AUX LIMITES DU MODELE DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DE DERIVE-DIFFUSION DANS LES PUITS QUANTIQUES SONT ETUDIES.

Download or read book DIODES LASER A PUITS QUANTIQUE written by Béatrice Saint-Cricq and published by . This book was released on 1987 with total page 128 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAITEMENT THEORIQUE DES MECANISMES D'EMISSION DANS LES PUITS QUANTIQUES S'APPUIE SUR UN MODELE ORIGINAL POUR LES REGLES DE SELECTION LORS DE LA TRANSITION. SUR CETTE BASE, LA METHODOLOGIE DE CALCUL DU GAIN OPTIQUE ET DES CARACTERISTIQUES GAIN-COURANT EST PRESENTEE ET EST COMPLETEE PAR L'ANALYSE DES PROPRIETES DE PROPAGATION ET DE LA CONDITION D'OSCILLATION LASER. UNE METHODOLOGIE GLOBALE DE DETERMINATION DE LA DENSITE DE COURANT DE SEUIL EST PRESENTEE ET LES REGLES D'OPTIMISATION DES DISPOSITIFS SONT DISCUTEES. EN CE QUI CONCERNE LA REALISATION DES DIODES LASER, LES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES LES PLUS SENSIBLES SONT ETUDIES ET LA PROCEDURE D'ELABORATION DEFINIE POUR LA CROISSANCE DES PUITS QUANTIQUES

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE LA GENERATION DES ETATS COMPRIMES DE LA LUMIERE PAR LES LASERS SEMI CONDUCTEURS written by FRANCINE.. JEREMIE and published by . This book was released on 1998 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS LA PLUPART DES SYSTEMES DE COMMUNICATIONS PAR FIBRE OPTIQUE ACTUELS, LES PERFORMANCES DE DETECTION SONT UNIQUEMENT LIMITEES PAR LE BRUIT QUANTIQUE DE LA LUMIERE. L'UTILISATION D'ETATS COMPRIMES DE LA LUMIERE QUI OFFRENT LA POSSIBILITE D'OBTENIR UN FAISCEAU LASER DONT LE BRUIT QUANTIQUE EST INFERIEUR AU BRUIT DE GRENAILLE PERMET DONC D'ENVISAGER, A LONG TERME, LE DEVELOPPEMENT D'UNE INSTRUMENTATION PLUS PERFORMANTE ET SUSCEPTIBLE DE REPONDRE AUX EXIGENCES DE NOUVEAUX PROTOCOLES DE TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES. C'EST DANS CE CONTEXTE QUE S'INSCRIT CETTE THESE, ET ELLE CONTRIBUE A L'EFFORT ACTUEL VISANT A GENERER DES ETATS COMPRIMES DE LA LUMIERE AVEC DES LASERS SEMI-CONDUCTEURS COURAMMENT UTILISES DANS LES TELECOMMUNICATIONS. LES FLUCTUATIONS DE L'ENERGIE ET DE LA PUISSANCE EMISE PAR UNE DIODE LASER ONT ETE DETERMINEES PAR UN NOUVEAU FORMALISME CORPUSCULAIRE OPTIQUE. CERTAINS PARAMETRES LIMITANT LES CAPACITES DE COMPRESSION DES DIODES ONT ETE MIS EN EVIDENCE ; LES PERTES INTERNES IMPORTANTES DANS LES LASERS 1550 NM, UN ELARGISSEMENT DE GAIN FAIBLEMENT INHOMOGENE ASSOCIE A UN TAUX DE SUPPRESSION DES MODES SECONDAIRES INSUFFISANTS SONT AUTANT DE FACTEURS DEGRADANT LA COMPRESSION DU BRUIT D'AMPLITUDE. DE MEME LA SUPPRESSION DE GAIN NON NEGLIGEABLE DANS LES NOUVEAUX LASERS A PUITS QUANTIQUES APPARAIT NEFASTE A L'UTILISATION D'UNE SOURCE CALME. DES RECHERCHES EXPERIMENTALES MENEES SUR PLUSIEURS LASERS DFB 1550 NM ONT DEMONTRE QUE L'EXISTENCE DE BRUIT D'EXCES MASQUAIENT LA COMPRESSION. LE BRUIT D'EXCES D'ORIGINE MODALE A ETE REDUIT PAR L'UTILISATION D'UNE CAVITE ETENDUE. 0.7 DB DE COMPRESSION ONT AINSI PU ETRE OBTENU SUR UN PREMIER LASER. L'ASPECT DISPERSIF DE LA CONTRE-REACTION A ENSUITE ETE EXPLOITE AFIN DE REDUIRE PAR DECORRELATION DE PHASE ET D'AMPLITUDE LE BRUIT D'EXCES D'UN SECOND LASER. 1,6 DB DE COMPRESSION ONT ALORS ETE REALISE.

Download or read book Contribution l optimisation de structures lasers puits quantiques contraints sur InP base des syst mes GaInAsP GaInAsP InP et GaInAs GaInAlAs InP Applications aux t l communications optiques written by Olivier Issanchou and published by . This book was released on 1996 with total page 241 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE L'ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE D'HETEROSTRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES A PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS DANS LE BUT D'OPTIMISER LES PERFORMANCES DE CES LASERS INFRAROUGES POUR LES TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES. LES SYSTEMES ENVISAGES, EPITAXIES SUR UN SUBSTRAT D'INP, SONT GAINASP/GAINASP ET GAINAS/GAINALAS. DANS UNE PREMIERE PARTIE NOUS EXPOSONS LE MODELE THEORIQUE DU CALCUL DES ETATS ELECTRONIQUES, DES COURBES DE DISPERSION DANS LE PLAN DES COUCHES, DES FORCES D'OSCILLATEURS ET DU GAIN INTRINSEQUE EN FONCTION DE L'INJECTION, POUR DES HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUE CONTRAINT. A PARTIR DE RESULTATS EXPERIMENTAUX ISSUS DE LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOCOURANT, NOUS PROPOSONS UN MODELE EMPIRIQUE DU DECALAGE DE BANDE A L'INTERFACE POUR LES DEUX SYSTEMES, NE DEPENDANT QUE DES CONCENTRATIONS DES ELEMENTS CONSTITUTIFS DE CHAQUE ALLIAGE. ENSUITE, NOUS EFFECTUONS LA COMPARAISON THEORIQUE DE DEUX STRUCTURES LASERS DE LA FAMILLE GAINASP REALISEES, SOIT A CATION, SOIT A ANION COMMUN POUR LE PUITS ET LA BARRIERE. EN PRENANT EN COMPTE LES EFFETS DES RECOMBINAISONS SUR DES CENTRES NON RADIATIFS DANS CES SYSTEMES PARTIELLEMENT DE TYPE II, NOUS INTERPRETONS LEURS PERFORMANCES LASERS RESPECTIVES. NOUS PRESENTONS ENFIN, L'ETUDE THEORIQUE DES HETEROSTRUCTURES GAINAS/GAINALAS. NOUS DETERMINONS LA CONTRAINTE COMPRESSIVE OPTIMALE POUR LES PERFORMANCES LASERS. NOUS PROCEDONS EGALEMENT A LA COMPARAISON THEORIQUE DES DEUX FAMILLES DE STRUCTURES GAINAS/GAINASP ET GAINAS/GAINALAS ET FAISONS RESSORTIR LES MEILLEURES POTENTIALITES LASERS ASSOCIEES A LA STRUCTURE A BASE D'ALUMINIUM, EN TERME DE COURANT DE SEUIL ET DE SENSIBILITE A LA TEMPERATURE.

Download or read book ETUDE DES NON LINEARITES OPTIQUES ET DES EFFETS DE CAPTURE DES PORTEURS DANS LES LASERS SEMI CONDUCTEURS A PUITS QUANTIQUES written by Jun Yao and published by . This book was released on 1994 with total page 159 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES LASERS TRANSMETTEURS SONT DES COMPOSANTS CLES DANS LES SYSTEMES DE COMMUNICATIONS OPTIQUES. GRACE A LEURS PERFORMANCES SUPERIEURES, LES LASERS SEMI-CONDUCTEURS A PUIS QUANTIQUES SONT PARTICULIEREMENT INTERESSANTS POUR LES SYSTEMES DE COMMUNICATIONS OPTIQUES A HAUTS DEBITS. CETTE THESE CONTRIBUE A L'ETUDE DU FONCTIONNEMENT ET A L'OPTIMISATION STRUCTURALE DES LASERS A PUITS QUANTIQUES, AINSI QU'A LA RECHERCHE D'UNE NOUVELLE VOIE PERMETTANT D'AMELIORER LES PERFORMANCES DYNAMIQUES DE CES STRUCTURES. DANS UNE HETEROSTRUCTURE A PUITS QUANTIQUES, LA QUANTIFICATION EN ENERGIE DES PORTEURS DANS LA DIRECTION DE CROISSANCE CONDUIT A UNE FAIBLE VALEUR ET UNE FORME EN ESCALIER DE LA DENSITE D'ETATS DE PORTEURS EN FONCTION DE L'ENERGIE. CECI PERMET AUX HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUES D'AVOIR UN GAIN OPTIQUE ET UN GAIN DIFFERENTIEL PLUS IMPORTANTS ET UN FACTEUR DE COUPLAGE PHASE-AMPLITUDE PLUS FAIBLE QUE LES HETEROSTRUCTURES CONVENTIONNELLES. CECI CONDUIT AUSSI A DES NON-LINEARITES DE GAIN PLUS IMPORTANTES DUES AU SPECTRAL-HOLE-BURNING DANS LES HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUES. DU FAIT DU GAIN IMPORTANT, LE COURANT DE SEUIL DANS LES LASERS A PUITS QUANTIQUES EST TRES FAIBLE ET DEPEND FORTEMENT DE LA STRUCTURE DU LASER. UNE METHODE D'OPTIMISATION STRUCTURALE DES LASERS A PUITS QUANTIQUES MULTIPLES EST PROPOSEE AFIN DE MINIMISER LE COURANT DE SEUIL. MALGRE DES NON-LINEARITES DE GAIN PLUS IMPORTANTES, LA FAIBLE VALEUR DU FACTEUR DE COUPLAGE PHASE-AMPLITUDE DANS LES LASERS A PUITS QUANTIQUES LEUR PERMET D'AVOIR UNE LARGEUR SPECTRALE PLUS FAIBLE QUE CELLE DES LASERS CONVENTIONNELS. LES EFFETS DES NON-LINEARITES OPTIQUES ET DE CAPTURE DES PORTEURS SUR LA DYNAMIQUE DES LASERS A PUITS QUANTIQUES A COUCHES DE CONFINEMENTS SEPAREES SONT ETUDIES. LES NON-LINEARITES DE GAIN PLUS IMPORTANTES DANS LES LASERS A PUITS QUANTIQUES CONDUISENT A UN RETRAIT DE LEURS PERFORMANCES DYNAMIQUES. LE PROCESSUS DE CAPTURE QUANTIQUE DES PORTEURS ENTRAINE UNE REDUCTION DU GAIN DIFFERENTIEL EFFECTIF ET UNE AUGMENTATION LEGERE DES NON-LINEARITES EFFECTIVES DE GAIN. IL EST MONTRE QUE, MALGRE CECI, LE GAIN DIFFERENTIEL RESTE TOUJOURS PLUS IMPORTANT DANS LES LASERS A PUITS QUANTIQUES ET PERMET UNE BANDE PASSANTE DE MODULATION MAXIMUM INTRINSEQUE TRES ELEVEE. CEPENDANT, LA BANDE PASSANTE DE MODULTATION REELLE EST LIMITEE PAR LE PROCESSUS DE DIFFUSION DES PORTEURS DANS LES COUCHES DE CONFINEMENT OPTIQUE. EN TENANT COMPTE DE TOUS CES EFFETS, UNE METHODE D'OPTIMISATION STRUCTURALE DES LASERS A PUITS QUANTIQUES MULTIPLES A COUCHES DE CONFINEMENTS SEPAREES EST PROPOSEE AFIN D'AMELIORER LEUR BANDE PASSANTE DE MODULATION. L'ETUDE DU FONCTIONNEMENT DES LASERS A PUITS QUANTIQUE UNIQUE SUR LE DEUXIEME NIVEAU D'ENERGIE MET EN EVIDENCE DES PERFORMANCES DYNAMIQUES SUPERIEURES PAR RAPPORT AU FONCTIONNEMENT SUR LE PREMIER NIVEAU. L'UTILISATION DES LASERS A PUITS QUANTIQUE UNIQUE OPERANT SUR LE SECOND NIVEAU D'ENERGIE EST DONC PROPOSEE COMME UNE METHODE PERMETTANT D'AMELIORER LES PERFORMANCES DYNAMIQUES DE CETTE STRUCTURE. DE NOUVELLES EQUATIONS DE BLOCH GENERALISEES POUR LES SEMI-CONDUCTEURS SONT PROPOSEES A LA FIN DE CE TRAVAIL. ELLES PERMETTENT D'ETUDIER DES PROCESSUS RAPIDES DANS LES SEMI-CONDUCTEURS.

Download or read book Contribution l tude des ph nom nes non lin aires dans les lasers semi conducteurs written by François Girardin (électronique et communication).) and published by . This book was released on 1995 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE PRINCIPALEMENT SUR UNE ETUDE EXPERIMENTALE DU COMPORTEMENT DES LASERS A SEMI-CONDUCTEURS. IL A ETE INITIALEMENT MOTIVE PAR LA VOLONTE D'OPTIMISER ET DE CARACTERISER UNE NOUVELLE STRUCTURE DE LASERS DE TYPE DFB, LES LASERS A COEFFICIENT DE COUPLAGE VARIABLE, DEVELOPPES DANS LE BUT D'OBTENIR DES LASERS MONOMODES EMETTANT DE FORTES PUISSANCES. LA CONNAISSANCE ET LA MAITRISE DES EFFETS PHYSIQUES IMPLIQUES DANS LE FONCTIONNEMENT DES LASERS A SEMI-CONDUCTEURS PASSE PAR UNE CARACTERISATION EXPERIMENTALE DES COMPOSANTS. CELLE-CI PEUT ETRE REALISEE SUR LES CARACTERISTIQUES EXTERNES OU PAR UNE OBSERVATION INTERNE, ET DONC PLUS DIRECTE, DES PARAMETRES DE FONCTIONNEMENT. EN PARTICULIER, LA MESURE DE LA DENSITE DE PORTEURS LOCALE NOUS A PERMIS DE QUANTIFIER LES NON-UNIFORMITES PRESENTES DANS LES LASERS DFB A SAUT DE PHASE. D'AUTRE PART, L'ETUDE DU SPECTRE DE L'EMISSION SPONTANEE DONNE DES INFORMATIONS SUR LES ORIGINES DE LA SUPPRESSION DE GAIN. NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE LA PRESENCE D'UN ECHAUFFEMENT DES PORTEURS IMPORTANT DANS DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS PAR CETTE METHODE. PARALLELEMENT, LE DEVELOPPEMENT D'UN MODELE DE LASERS DFB A ETE POURSUIVI. CELUI-CI NOUS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE L'INFLUENCE DU RESEAU A COEFFICIENT DE COUPLAGE VARIABLE SUR LA VARIATION DE L'INDICE EFFECTIF DU MODE OPTIQUE. LE FONCTIONNEMENT DU LASER EST FORTEMENT PERTURBE PAR CETTE VARIATION. LES DISTRIBUTIONS DE PORTEURS ET DE PUISSANCE OPTIQUE SONT EGALEMENT CALCULEES ET COMPAREES AUX MESURES.

Download or read book CONTRIBUTION A L INGENIERIE ET A LA MODELISATION D HETEROSTRUCTURES GA IN AS P GAAS POUR DIODES LASERS written by EDDY.. CHIRLIAS and published by . This book was released on 2001 with total page 214 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES ALLIAGES BASES SUR LE SYSTEME DE MATERIAUX (GA,IN)(AS,P) SUR GAAS COUVRENT UN DOMAINE DE LONGUEUR D'ONDE ALLANT DE 1.06M PARTIELLEMENT COUVERT PAR LE SYSTEME (AL,GA)AS. L'ETUDE DE CES MATERIAUX SANS ALUMINIUM EST RECENTE A CAUSE D'UNE PART DU CONTROLE PRECIS DES COMPOSITIONS EN ELEMENTS III ET EN ELEMENTS V QU'ILS EXIGENT ET D'AUTRE PART DE LA DIFFICULTE D'OBTENTION D'UNE BONNE QUALITE STRUCTURALE DU MATERIAU. NEANMOINS, ILS PRESENTENT DEUX AVANTAGES IMPORTANTS : UNE BONNE TENUE EN PUISSANCE DES DISPOSITIFS BASES SUR CES ALLIAGES ET L'ABSENCE D'ALUMINIUM PERMET D'ENVISAGER LA REALISATION DE DISPOSITIFS COMPORTANT PLUSIEURS ETAPES D'EPITAXIE. CETTE THESE PORTERA DANS UN PREMIER VOLET SUR LA GRAVURE IN SITU DE CES MATERIAUX A PARTIR DE ASCL 3. APRES AVOIR ETUDIE LA CINETIQUE DE GRAVURE DE ASCL 3 ET PROPOSE UN MECANISME REACTIONNEL DE GRAVURE, NOUS PRESENTONS DEUX APPLICATIONS DE LA GRAVURE IN SITU DE CES MATERIAUX : L'OBTENTION D'INTERFACES ABRUPTES DANS DES PUITS SEGREGES DE GAINAS/GAAS ET L'ELABORATION D'UN LASER A COUPLAGE PAR LE GAIN. LE SECOND VOLET EST CONSACRE A LA MODELISATION DE DIODES LASERS DE PUISSANCE SANS ALUMINIUM EMETTANT A 800NM ET A 980NM. CETTE ETUDE EST REALISEE EN UTILISANT UN MODELE PERMETTANT DE SIMULER DE FACON GLOBALE LES PROPRIETES ELECTRO-OPTIQUES DU LASER A PUITS QUANTIQUE. UN TRAVAIL DE CARACTERISATION PERMETTANT DE DETERMINER LES PARAMETRES MATERIAU CRITIQUES A ETE MENE AINSI QUE LA VALIDATION DU MODELE DE GAIN TENANT COMPTE DES EFFETS A N-CORPS. LES EVOLUTIONS DES SPECTRES D'EMISSION SPONTANEE, DE LA TENSION OU DE LA PUISSANCE OPTIQUE EN FONCTION DU COURANT, AINSI QUE L'EVOLUTION DU COURANT DE SEUIL AVEC LA TEMPERATURE OU DES RENDEMENTS AVEC LA LONGUEUR DE LA CAVITE OPTIQUE SONT SIMULEES AVEC UN BON ACCORD A L'EXPERIENCE. FORT DE CES RESULTATS ET DE LA COMPREHENSION MICROSCOPIQUE DU FONCTIONNEMENT DU LASER, QUELQUES STRATEGIES D'OPTIMISATION DES PERFORMANCES DES LASERS DE PUISSANCE SANS ALUMINIUM SONT PROPOSEES.

Download or read book Int gration hybride de sources laser III V sur Si par collage direct et recroissance pour les t l communications haut d bit written by Claire Besancon and published by . This book was released on 2020 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail présente une approche d'intégration de semiconducteurs III-V sur silicium. L'objectif est de réaliser des sources laser multi-longueur d'onde émettant en bande C pour les télécommunications optiques à partir d'une croissance épaisse de matériaux III-V sur fine couche d'InP collée sur silicium oxydé (InP-SiO2/Si = InPoSi).Afin d'étudier la compatibilité du procédé de collage avec l'élévation en température nécessaire à l'étape de recroissance, de l'ordre de 600°C par MOVPE, une étude de la stabilité en température des substrats InPoSi a été menée. Cette dernière a mis en évidence le délaminage de l'InPoSi avec apparition de "bulles" liée au décollement de la couche d'InP provoqué par la désorption d'hydrogène à 400°C. Une étude de la diffusion latérale de l'hydrogène le long de l'interface de collage a permis de mesurer une longueur de diffusion de l'ordre de 100 μm dans nos conditions expérimentales. Le développement de tranchées de dégazage espacées de 200 μm a ainsi permis d'effectuer la recroissance de matériaux III-V de haute qualité sur InPoSi sans apparition de défectivité de type "bulles" entre ces tranchées.Par la suite, l'amélioration constante des étapes de préparation des surfaces à coller a permis d'obtenir une qualité de matériau InPoSi optimale pour la recroissance à haute température sans faire appel à des procédés de dégazage. L'étude d'une structure active composée de multipuits quantiques (MQWs) à base de matériaux AlGaInAs a été menée par caractérisation in-situ pendant la croissance sur InPoSi. Par la mesure en temps réel de la courbure du substrat InPoSi à température d'épitaxie, une contrainte thermique de 390 ppm a été quantifiée. Cette dernière est créée par la différence de coefficients d'expansion thermique entre InP et Si. Malgré cette contrainte thermique, la recroissance d'une structure diode laser de 3 μm d'épaisseur de grande qualité cristalline a été démontrée sur InPoSi. Des lasers à contact large basée sur cette structure ont été fabriqués et les performances ont été comparées à celles obtenues pour le même composant fabriqué sur substrat InP pour référence. Des courants de seuil de 0,4 kA/cm2 à 20°C en régime pulsé ont été obtenus sur InPoSi. La comparaison des lasers sur InPoSi et InP a montré des courants de seuil, des rendements et une température caractéristique similaires. Ce résultat démontre que la structure épaisse épitaxiée sur InPoSi ne subit pas de dégradation matériau.Enfin, un nouveau procédé de croissance sélective (SAG : Selective Area Growth) a été développé spécifiquement sur InPoSi. Pour cela, la silice de l'InPoSi est déterrée localement par gravure de la couche d'InP afin d'offrir des surfaces diélectriques de tailles variables pour le procédé SAG. La variation des épaisseurs des puits quantiques obtenus par épitaxie sélective en fonction de la surface des masques permet d'atteindre une très large extension en longueur d'onde de photoluminescence, de 1490 à 1650 nm. En utilisant la SAG, des lasers Fabry-Pérot ont été fabriqués en structure shallow-ridge et des émissions laser couvrant 155 nm d'extension spectrale ont été obtenues. Pour une barrette de 500 μm de long, des courants de seuil en dessous de 30 mA à 20°C ont été obtenus en régime continu pour les lasers en bande C. A 70°C, les courants de seuil demeurent en dessous de 60 mA, ce qui traduit une très bonne tenue en température des lasers. L'ensemble de ces résultats valide la méthode d'intégration de III-V sur silicium.

Download or read book MODELES POUR DIODES LASER DE PUISSANCE written by ARNAUD.. FILY and published by . This book was released on 1998 with total page 280 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MANUSCRIT EXPOSE UNE MODELISATION GLOBALE DES PROPRIETES ELECTRO-OPTIQUES DES DIODES ET BARRETTES LASER DE PUISSANCE. LE FONCTIONNEMENT DE LA ZONE ACTIVE A PUITS QUANTIQUE EST DETAILLE, CE QUI INCLUT LA STRUCTURE ELECTRONIQUE, LE COUPLAGE DES PORTEURS ET DES PHOTONS AINSI QUE LES EFFETS A N CORPS SUR LES SPECTRES DE GAIN ET D'EMISSION SPONTANEE. LA QUALITE DE CE PREMIER MODELE EST ILLUSTREE PAR UNE COMPARAISON AVEC DES SPECTRES EXPERIMENTAUX. LES COURANTS DE FUITE CORRESPONDANT AUX RECOMBINAISONS DANS LA CAVITE OPTIQUE DU LASER SONT PRIS EN COMPTE PAR UN MODELE DE DERIVE-DIFFUSION COUPLE AU MODELE PRECEDENT, ON EN DEDUIT LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION ET COURANT-PUISSANCE OPTIQUE DE LA DIODE LASER EN REGIME PULSE, AINSI QUE L'EVOLUTION DES COURANTS DE SEUIL, RENDEMENTS EXTERNES, TENSIONS DE COUDE ET RESISTANCE SERIE EN FONCTION DE LA GEOMETRIE DES EMETTEURS ET DE LEUR TEMPERATURE DE JONCTION. LES VARIATIONS MESUREES SUR DES COMPOSANTS EXISTANTS SONT CORRECTEMENT REPRODUITES PAR CE MODELE. LA COMPREHENSION MICROSCOPIQUE DES DIODES PERMET ALORS D'ELABORER UNE STRATEGIE D'OPTIMISATION DES STRUCTURES LASER. ENFIN, L'IMPORTANT PROBLEME DE LA DISSIPATION THERMIQUE DANS LES BARRETTES DE DIODES LASER EST ABORDE EN SE BASANT SUR UNE DETERMINATION PRECISE DES TERMES D'ECHAUFFEMENT DANS LA ZONE ACTIVE ET EN TENANT COMPTE DE LA GEOMETRIE COMPETE DE LA BARRETTE ET DE SON EMBASE. CE TROISIEME MODELE COUPLE DE FACON AUTOCOHERENTE DES ASPECTS OPTIQUES, ELECTRIQUES ET THERMIQUES DES COMPOSANTS ET PEUT CONSTITUER UNE AIDE APPRECIABLE POUR L'AMELIORATION DE LA FIABILITE DES BARRETTES DE DIODES LASER DE PUISSANCE.

Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

Download or read book Organic Solid State Lasers written by Sébastien Forget and published by Springer. This book was released on 2013-07-03 with total page 179 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Organic lasers are broadly tunable coherent sources, potentially compact, convenient and manufactured at low-costs. Appeared in the mid 60’s as solid-state alternatives for liquid dye lasers, they recently gained a new dimension after the demonstration of organic semiconductor lasers in the 90's. More recently, new perspectives appeared at the nanoscale, with organic polariton and surface plasmon lasers. After a brief reminder to laser physics, a first chapter exposes what makes organic solid-state organic lasers specific. The laser architectures used in organic lasers are then reviewed, with a state-of-the-art review of the performances of devices with regard to output power, threshold, lifetime, beam quality etc. A survey of the recent trends in the field is given, highlighting the latest developments with a special focus on the challenges remaining for achieving direct electrical pumping of organic semiconductor lasers. A last chapter covers the applications of organic solid-state lasers.

Download or read book Ultra Wide Band Antennas written by Xavier Begaud and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2013-03-04 with total page 217 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ultra Wide Band Technology (UWB) has reached a level of maturity that allows us to offer wireless links with either high or low data rates. These wireless links are frequently associated with a location capability for which ultimate accuracy varies with the inverse of the frequency bandwidth. Using time or frequency domain waveforms, they are currently the subject of international standards facilitating their commercial implementation. Drawing up a complete state of the art, Ultra Wide Band Antennas is aimed at students, engineers and researchers and presents a summary of internationally recognized studies.