Download or read book Contribution a la caracterisation et modelisation de transistors a effet de champ pour la conception des circuits integres monolithiques microondes written by Gilles Montoriol and published by . This book was released on 1988 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution la mod lisation des transistors effet de champ en ars niure de gallium pour les circuits int gr s monolithiques microondes written by Marc-Yves Lienhart and published by . This book was released on 1988 with total page 230 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Conditions optimales de fonctionnement pour la fiabilit des transistors effet de champ micro ondes de puissance written by Jean-Luc Muraro and published by . This book was released on 1997 with total page 194 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE DE THESE TRAITE DE LA FIABILITE DES CIRCUITS INTEGRES MONOLITHIQUES EN ARSENIURE DE GALLIUM POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE MICRO-ONDES A BORD DES SATELLITES DE TELECOMMUNICATIONS ET D'OBSERVATION. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST DE DETERMINER DES REGLES DE REDUCTION DES CONTRAINTES (EN TERMES DE TEMPERATURE, COURANT, TENSION, PUISSANCE) APPLIQUEES AUX CIRCUITS MICRO-ONDES. LA PREMIERE PARTIE ENONCE LES NOTIONS FONDAMENTALES DE LA FIABILITE DES COMPOSANTS EN ARSENIURE DE GALLIUM SUIVIS D'UNE SYNTHESE DES PRINCIPAUX MECANISMES DE DEFAILLANCES DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN ARSENIURE DE GALLIUM. LE SECOND CHAPITRE PROPOSE UNE METHODOLOGIE PERMETTANT L'EVALUATION DE LA FIABILITE DES CIRCUITS INTEGRES A SEMI CONDUCTEUR BASEE SUR LA DEFINITION DES VEHICULES DE TEST ET SUR LA MISE EN UVRE D'ESSAIS DE FIABILITE APPROPRIES. A PARTIR DES RESULTATS OBTENUS LORS DES ESSAIS DE STOCKAGE A HAUTE TEMPERATURE ET DE VIEILLISSEMENT SOUS CONTRAINTES ELECTRIQUES STATIQUES, LA FIABILITE DE LA TECHNOLOGIE EST EVALUEE. CETTE PARTIE FAIT L'OBJET DU TROISIEME CHAPITRE. NOUS VALIDONS DANS LE QUATRIEME CHAPITRE L'APPLICATION CONSIDEREE (L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE EN BANDE X) AU TRAVERS D'ESSAIS DE VIEILLISSEMENT SOUS CONTRAINTES ELECTRIQUES DYNAMIQUES. LE MECANISME DE DEGRADATION ACTIVE LORS DU FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR EN AMPLIFICATION DE PUISSANCE EST DU A LA MULTIPLICATION DES PORTEURS PAR IONISATION PAR IMPACT. A PARTIR DE CETTE ANALYSE, UNE METHODOLOGIE ALLIANT LA SIMULATION ELECTRIQUE NON-LINEAIRE AVEC DES ESSAIS DE VIEILLISSEMENT ACCELERE DE COURTE DUREE EST DEGAGEE. CETTE METHODOLOGIE PERMET D'EVALUER LA FIABILITE DES TRANSISTORS DE PUISSANCE EN ARSENIURE DE GALLIUM DES LE STADE DE LA CONCEPTION DES EQUIPEMENTS

Download or read book Caract risation et mod lisation lectrothermique non lin aire de transistors effet de champ GaN pour l amplification de puissance micro onde written by Christophe Charbonniaud and published by . This book was released on 2005 with total page 191 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’objectif de cette étude est d’évaluer les potentialités des transistors HEMTs AlGaN/GaN pour l’amplification de puissance aux fréquences micro-ondes, à l’aide d’un banc de mesures I(V) et paramètres [S] en régime impulsionnel, et de proposer un modèle précis de ce type de transistors facilement implémentable dans les logiciels de C.A.O. des circuits. Après un passage en revue des différentes technologies disponibles sur le marché pour l’amplification de puissance, les transistors HEMTs grand gap à base de Nitrures de Gallium apparaissent comme des candidats naturels pour ces applications (Figures de mérites de Johnson, ...). Cependant, ces transistors plus que prometteurs ne sont pas exempts de défauts. En effet, plusieurs phénomènes limitatifs inhérents à la technologie GaN, à savoir l’auto-échauffement et les effets des pièges, doivent être pris en compte lors de la conception des circuits micro-ondes. Une étude de ces différents effets limitatifs en terme de puissance est effectuée. Enfin, un modèle non-linéaire électrothermique d’un transistor HEMT 8x125 μm est présenté, et validé à l’aide de deux banc de mesures fonctionnelles (banc Load-Pull et banc LSNA).

Download or read book Mod lisation non lin aire distribu e des transistors effet de champ written by Alban Laloue and published by . This book was released on 2001 with total page 227 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION ELECTRIQUE DISTRIBUEE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP HYPERFREQUENCES AFIN DE DISPOSER D'UNE DESCRIPTION PLUS FINE DE CE COMPOSANT POUR LA CAO DES CIRCUITS MICRO-ONDES. UNE PREMIERE APPROCHE UTILISE UNE DESCRIPTION ELECTROMAGNETIQUE DES PARTIES PASSIVES DU TRANSISTOR, TANDIS QUE CHAQUE DOIGT DU COMPOSANT EST MODELISE PAR UN CIRCUIT EQUIVALENT ELECTRIQUE INTRINSEQUE. CE MODELE A MONTRE DES QUALITES TRES INTERESSANTES D'EXTRAPOLATION DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DU TRANSISTOR MODELISE. IL PERMET EGALEMENT UNE ETUDE BEAUCOUP PLUS REALISTE DE LA STABILITE DES TRANSISTORS A FORT DEVELOPPEMENT DE GRILLE. D'AUTRE PART, LES SPECIFICATIONS DRACONIENNES IMPOSEES AUX SPECTRES DE BRUIT DES OSCILLATEURS INCLUS DANS LES SYSTEMES ELECTRONIQUES IMPOSENT UNE MODELISATION RIGOUREUSE DU COMPORTEMENT EN BRUIT BASSE FREQUENCE DES COMPOSANTS ACTIFS. EN EFFET, LA PRESENCE DE BRUIT CONVERTI PAR MODULATION DE PHASE ET D'AMPLITUDE AUTOUR DE LA PORTEUSE DES OSCILLATEURS, CONTRIBUE A L'AUGMENTATION DES TAUX D'ERREURS ET A LA DIMINUTION DE LA SENSIBILITE DES RADARS POUR NE CITER QUE CES DEUX EXEMPLES. UN NOUVEAU MODELE DE TEC DE TYPE DISTRIBUE INCLUANT CES SOURCES DE BRUIT EST DONC DEVELOPPE. LA DEUXIEME PARTIE DE NOS TRAVAUX S'EST ORIENTEE DANS LA MISE AU POINT DE METHODES DE SIMULATION RAPIDES ET PRECISES DU COMPORTEMENT EN BRUIT DES CIRCUITS NON LINEAIRES. LA COMPLEXITE GRANDISSANTE DES CIRCUITS INTEGRES MMIC ENTRAINE UN BESOIN DE METHODES DE SIMULATION DE TYPE SYSTEME. UNE TELLE METHODE A ETE DEVELOPPEE ET NOUS A PERMIS DE SIMULER AVEC PRECISION LA SOURCE MILLIMETRIQUE COMPLETE D'UN RADAR ANTI-COLLISION FONCTIONNANT A 77 GHZ.

Download or read book Etude et mod lisation des transistors effet de champ microondes basse temp rature Application la conception d oscillateurs haute puret spectrale written by Jacques Verdier and published by . This book was released on 2005 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DU TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE EST DE DEFINIR UNE METHODE RIGOUREUSE DE CONCEPTION D'OSCILLATEURS A FAIBLE BRUIT DE PHASE A BASE DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (MESFET, HEMT ET HEMT PSEUDOMORPHIQUE) DANS LE CAS OU LE TRANSISTOR ET LE RESONATEUR SONT SIMULTANEMENT REFROIDIS A DES TEMPERATURES CRYOGENIQUES. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS PRESENTONS UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE COMPLETE DES DIFFERENTS TYPES DE TEC A LA TEMPERATURE DE L'AZOTE LIQUIDE. NOUS INSISTONS PARTICULIEREMENT SUR LES MECANISMES DE PIEGEAGE-DEPIEGEAGE SUR DES CENTRES PROFONDS ET NOUS PROPOSONS UNE METHODE PERMETTANT DE S'AFFRANCHIR DU PHENOMENE DE COLLAPSE QUI EST L'INCONVENIENT MAJEUR AU FONCTIONNEMENT DU COMPOSANT REFROIDI. NOUS AVONS PU ALORS, A PARTIR DE MESURES DE PARAMETRES S ET IMPULSIONNELLES, EXTRAIRE UN MODELE FORT SIGNAL POUR CHAQUE TRANSISTOR. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, NOUS ETUDIONS LES MECANISMES DE CONVERSION DU BRUIT BASSE FREQUENCE EN BRUIT DE PHASE DANS LES OSCILLATEURS A BASE DE TEC. NOUS EXAMINONS TOUT D'ABORD L'INFLUENCE DU SIGNAL MICROONDE SUR L'AMPLITUDE ET LA FORME DES SPECTRES DE BRUIT BASSE FREQUENCE. NOUS ANALYSONS ENSUITE LES FLUCTUATIONS DE FREQUENCE DE L'OSCILLATEUR A PARTIR DU PRODUIT DU BRUIT BASSE FREQUENCE DU TEC ET DU FACTEUR DE PUSHING. L'INCAPACITE DE CETTE METHODE POUR DES TENSIONS DE POLARISATION DE GRILLE OU LE FACTEUR DE PUSHING DECROIT JUSQU'A LA VALEUR NULLE EST ALORS CLAIREMENT MONTRE. EN CONSEQUENCE, NOUS PRESENTONS UN NOUVEAU MODELE NON-LINEAIRE DE TEC UTILISANT DEUX SOURCES DE BRUIT NON CORRELEES RENDANT COMPTE DES EFFETS DISTRIBUES LE LONG DE LA REGION ACTIVE DU COMPOSANT. LA DERNIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACREE A LA REALISATION ET A LA CARACTERISATION D'UN OSCILLATEUR CRYOGENIQUE A BASE DE TEC.

Download or read book MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO ONDES METHODES DE CARACTERISATION ASSOCIEES AU MODELE written by AHMED.. BIRAFANE and published by . This book was released on 1997 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE NON LINEAIRE DU TBH POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES, AINSI QUE DES PROCEDURES DE CARACTERISATION ASSOCIEES A CE MODELE. LE MODELE TIEN COMPTE DES PROPRIETES PHYSIQUES PROPRES AU TBH ET DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR. LA PRISE EN COMPTE DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR CONSTITUE UNE ORIGINALITE DE CE TRAVAIL. LE TRANSISTOR EST DECRIT PAR UN MODELE ELECTROTHERMIQUE, CONSTITUE D'UN MODELE ELECTRIQUE ET D'UN MODELE THERMIQUE AVEC INTERACTION ENTRE LES DEUX MODELES. LA TEMPERATURE QUI N'EST PLUS CONSTANTE DURANT LA SIMULATION COMME C'EST LE CAS DES MODELES IMPLANTES DANS LES SIMULATEURS STANDARDS, CONSTITUE UNE ELECTRODE DE COMMANDE DU TRANSISTOR AU MEME TITRE QUE LES ELECTRODES DE BASE, DE COLLECTEUR ET D'EMETTEUR. UNE METHODOLOGIE DE CARACTERISATION NON LINEAIRE PERMETTANT DE DETERMINER L'ENSEMBLE DES PARAMETRES STATIQUES DU MODELE ELECTRIQUE A ETE DEVELOPPEE. D'AUTRE PART NOUS AVONS PROPOSE UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION QUI PERMET D'OBTENIR DIRECTEMENT L'ENSEMBLE DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT DU TBH SANS AUCUNE OPTIMISATION. DE PLUS ELLE NE NECESSITE AUCUNE INFORMATION GEOMETRIQUE NI TECHNOLOGIQUE CONCERNANT LE TRANSISTOR. CETTE METHODE EST BASEE SUR DES EQUATIONS PUREMENT ANALYTIQUES QUI EXPRIMENT LES PARAMETRES Z DU TRANSISTOR EN FONCTION DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT UTILISE. LA VALIDATION DE LA METHODE EST EFFECTUEE SUR DEUX TRANSISTORS GAINP/GAAS DE FREQUENCE DE COUPURES DIFFERENTES 20 GHZ ET 80 GHZ. LE MODELE NON LINEAIRE EST VALIDE EN REGIME STATIQUE ET EN REGIME DYNAMIQUE PETITS SIGNAUX ET FORTS SIGNAUX, UN EXCELLENT ACCORD EST OBTENU ENTRE LA MESURE ET LA SIMULATION.

Download or read book Caract risation et mod lisation des transistors microondes application l tude de la lin arit des amplificateurs fort rendement written by Stéphane Augaudy and published by . This book was released on 2002 with total page 223 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les transistors hyperfréquences à effet de champ ou bipolaires sont les composants essentiels des circuits de télécommunication. Leur comportement est fondamentalement non-linéaire, de nombreux phénomènes régissent leur fonctionnement. Après une déscription de différents effets les caractérisant, notamment les effets à dynamique lente de la température et des pièges, nous proposons un ensemble de moyens de mesure et d'outils de modélisation pour concevoir des représentations mathématiques des transistors intégrant différents effets non-linéaires. Nous utilisons ces modèles de transistors dans la CAO des circuits microondes. Les signaux porteurs d'informations des systèmes de télécommunications résultent de modulations complexes; nous simulons la réponse des non-linéarités des transistors intégrés dans les amplificateurs microondes soumis à ces signaux. Les différentes constantes de temps des non-linéarités rapides et lentes des transistors et les réponses basse fréquence des circuits de polarisation interagissent dynamiquement et génèrent des signaux de mélanges et d'intermodulations. Les résultats des simulations sont confirmés par différentes mesures de linéarité: C/I, ACLR. Dans le cadre de la téléphonie mobile de 3ème génération, nous analysons les compromis pour concilier la linéarité et le rendement de l'amplificateur microonde de puissance. L'impact du choix des signaux de test est analysé, certains choix favorisent ou masquent particulièrement un effet non-linéaire. Nous quantifions un à un les effets de différents phénomènes non-linéaires ou réglages du circuit sur les paramètres finaux de rendement et de linéarité de l'amplificateur. Les interactions non-linéaires dynamiques entre différents phénomènes sont ainsi mises en évidence.

Download or read book Conception et r alisation d oscillateurs int gr s monolithiques micro ondes base de transistors sur ars niure de gallium written by Philippe André and published by . This book was released on 2007 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A LA CONCEPTION ET A LA REALISATION D'OSCILLATEURS INTEGRES MONOLITHIQUES MICRO-ONDES (MMIC) A BASE DE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE SCHOTTKY (MESFET) GAAS OU DE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAALAS/GAAS.

Download or read book Conception et caract risation des dispositifs micro ondes pour la fabrication de circuits base de graph ne written by Mohamed Moez Belhaj and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail a été réalisé dans le cadre du projet GRACY regroupant l'IEMN et d'autres laboratoires de recherche : CALISTO et IMS Bordeaux. Ce manuscrit fait état d'une synthèse exhaustive des études et avancées menées dans le cadre de ce travail de thèse au sein de l'Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) dans le groupe CARBON. Le principal axe de réflexion de ce travail repose sur la conception, la modélisation et la caractérisation des dispositifs actifs et passifs sur substrat souples et rigides en vue du développement de nouveaux composants et de circuits électroniques avec des critères de performances de plus en plus importants. Au cours de ce travail, l'accent a été principalement portée sur les étapes essentielles à la réalisation de circuit intégré en ondes millimétriques utilisant la technologie coplanaire en impression jet d'encre et les transistors à effet de champ à base de graphène (GFETs). Ce mémoire montre en particulier l'intérêt et les potentialités du graphène pour son intégration au sein des circuits électroniques. De plus, une attention particulière a été portée sur la modélisation et les techniques de caractérisations relatives aux dispositifs passifs sur substrat souple. Par conséquent, un banc de caractérisation de ces éléments sur substrat flexibles a été développé au cours de cette thèse afin de vérifier et consolider expérimentalement leurs comportements.

Download or read book Contribution la conception et la caract risation de circuits int gr s analogiques micro ondes et radiofr quences written by Patrice Gamand and published by . This book was released on 2000 with total page 90 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Mod lisation lectrique des transistors effet de champ pour la CAO des circuits microondes lin aires et non lin aires written by Joaquin Portilla Rubin and published by . This book was released on 1994 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA MODELISATION ELECTRIQUE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (FET, HEMT) POUR LA CAO DES CIRCUITS LINEAIRES ET NON LINEAIRES CONSTITUE LE THEME ESSENTIEL DE NOTRE TRAVAIL. LA MODELISATION ELECTRIQUE DES COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS EST AUJOURD'HUI LA SOLUTION ADOPTEE POUR LA CAO DES CIRCUITS HYPERFREQUENCES. DIFFERENTES TECHNIQUES DE MESURE ET DE MODELISATION DOIVENT ETRE MISES EN UVRE AFIN DE PREVOIR LE COMPORTEMENT DES COMPOSANTS. LA CARACTERISATION IMPULSIONNELLE DES SOURCES DE CONDUCTION ET DES PARAMETRES S EST LA METHODE EXPERIMENTALE LA PLUS ADEQUATE. L'ACTIVITE PRINCIPALE DE LA MODELISATION ELECTRIQUE CONSISTE A OBTENIR UNE TOPOLOGIE DE DESCRIPTION DES COMPOSANTS AINSI QUE DES METHODES D'EXTRACTION DES ELEMENTS QUI SOIENT EFFICACES ET PRECISES. NOTRE ETUDE NOUS A PERMIS DE DETERMINER UN NOUVEAU MODELE ELECTRIQUE FAIBLE SIGNAL DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP QUI CONSTITUE UNE REPRESENTATION PLUS INTUITIVE DE SON COMPORTEMENT ELECTRIQUE. CE NOUVEAU SCHEMA EQUIVALENT PERMET DE MODELISER AUSSI LES SOURCES DE BRUIT DE DIFFUSION. UNE METHODE D'EXTRACTION DU MODELE FAIBLE SIGNAL A ETE MISE AU POINT PERMETTANT DE RESPECTER LA COHERENCE DU MODELE COMPLET ET LES CONDITIONS PARTICULIERES DE FONCTIONNEMENT. UNE APPROCHE NON LINEAIRE, NON QUASI STATIQUE, PERMETTANT LA CONSERVATION DE LA CHARGE ET ELLE AUSSI COHERENTE AVEC LES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT HYPERFREQUENCE DU COMPOSANT A EFFET DE CHAMP, A ETE ETABLIE A PARTIR DE MESURES IMPULSIONNELLES. NOUS EVOQUONS EN CONCLUSION L'EXTENSION QUI PEUT ETRE DONNEE AUX TRAVAUX PRESENTES EN VUE DE L'OBTENTION DE MODELES PLUS FIABLES POUR LA CAO DES CIRCUITS HYPERFREQUENCES

Download or read book CONCEPTION ET CARACTERISATION DE CIRCUITS INTEGRES MICRO ONDES MONOLITHIQUES MMICS EN TECHNOLOGIE D INTERCONNEXIONS UNIPLANAIRES APPLICATION A LA CONCEPTION D UN CONVERTISSEUR DE FREQUENCES EN BANDE KU written by DIDIER.. PRIETO and published by . This book was released on 1999 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA MONTEE EN FREQUENCE DES NOUVELLES APPLICATIONS MICRO-ONDES POUR LES SYSTEMES DE TELECOMMUNICATION ET LA FORTE CROISSANCE DE LA DEMANDE DE CE TYPE D'APPLICATIONS POUR LE DOMAINE GRAND PUBLIC NECESSITENT LE DEVELOPPEMENT DE CIRCUITS INTEGRES MICRO-ONDES COMPACTS, A FAIBLE COUT, ET HAUTES PERFORMANCES. DANS CE CONTEXTE, MALGRE LE GRAND INTERET QUE PRESENTENT LES CIRCUITS MONOLITHIQUES (MMICS) TRADITIONNELS, DE NOUVELLES TECHNIQUES DOIVENT ETRE DEVELOPPEES POUR UNE GENERALISATION DE L'UTILISATION DE CES CIRCUITS. EN PARTICULIER, LA TECHNOLOGIE D'INTERCONNEXIONS UNIPLANAIRES EST TRES ATTRACTIVE, NOTAMMENT DANS LA SUPPRESSION D'ETAPES TECHNOLOGIQUES ASSOCIEES A LA REALISATION DES TROUS METALLISES, AINSI QUE POUR L'AUGMENTATION DES DENSITES D'INTEGRATION DES CIRCUITS. NOTRE TRAVAIL A CONSISTE A DEMONTRER LES POTENTIALITES DE CETTE TECHNOLOGIE D'INTERCONNEXIONS A TRAVERS LA CONCEPTION ET LE TEST D'UN CIRCUIT MULTI-FONCTIONS DE CONVERSION DE FREQUENCES. LE PREMIER CHAPITRE EST CONSACRE A LA PRESENTATION DES ELEMENTS D'INTERCONNEXIONS UNIPLANAIRES (LIGNES A FENTE, COPLANAIRE, A RUBANS COPLANAIRES) ET DES OUTILS DE SIMULATION UTILISES POUR LEUR CONCEPTION. DANS LE DEUXIEME CHAPITRE, LES POTENTIALITES DES INTERCONNEXIONS UNIPLANAIRES SONT EXPLOITEES A TRAVERS LA CONCEPTION ET LE TEST D'UN COMBINEUR/DIVISEUR DE PUISSANCE MONOLITHIQUE ACTIF 180\ BASE SUR CE TYPE D'INTERCONNEXIONS. CE COUPLEUR A EGALEMENT ETE OPTIMISE DE MANIERE A AMELIORER SES PERFORMANCES ELECTRIQUES ET A PERMETTRE SON INTEGRATION DANS UN CIRCUIT COMPLET. ENFIN, LE DERNIER CHAPITRE TRAITE DE LA CONCEPTION ET DE LA CARACTERISATION D'UN CONVERTISSEUR DE FREQUENCE UNIPLANAIRE 14/12 GHZ INTEGRANT UNE CELLULE DE MELANGE DOUBLE EQUILIBREE A BASE DE PHEMTS FROIDS ET LES COUPLEURS DES VOIES RF, OL ET FI. LES PRINCIPALES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE CE CIRCUIT OBTENUES SONT DES PERTES DE CONVERSION DE L'ORDRE DE 3DB POUR UNE PUISSANCE DE SIGNAL OL DE 4 DBM, UNE REJECTION DES PRINCIPALES RAIES PARASITES SUPERIEURE A 40 DBC, UNE CONSOMMATION TOTALE DE L'ORDRE DE 0.4 W, AVEC UN ENCOMBREMENT INFERIEUR A 3.3 MM 2.

Download or read book Mod lisation en ondes millim triques du TEC froid written by Lahoucine Leghtas and published by . This book was released on 2003 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nous présentons dans ce travail, tout d'abord, une modélisation originale du Transistor à Effet de Champ ( TEC) dans son utilisation faible tension et faible puissance dénommée TEC froid. En effet, nous montrerons que les modélisations conventionnelles, actuellement disponibles, sont incapables de représenter correctement le comportement non linéaire de ce composant à des fréquences aussi élevées que 110 GHz. Ensuite, dans une seconde partie, une application particulière du TEC froid sera envisagée. Il sagit de la conception et de la réalisation de modulateurs très rapides. Une réalisation en circuits hybrides en ondes centimétriques a été testée et les performances ont été mesurées. Ceci a permis de montrer la faisabilité d'un tel dispositif et son intérêt pour les applications microondes. Enfin, une conception en circuits intégrés sur Arséniure de Gallium est présentée

Download or read book Conception r alisation et caract risation de transistors effet de champ h t rojonction sur substrat d InP pour circuits int gr s coplanaires en bandes V et W written by Virginie Hoel and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les nouvelles applications necessitent des frequences de travail toujours plus elevees. Pour cela, nous souhaitons realiser des circuits amplificateurs faible bruit performants en technologie coplanaire travaillant en gamme d'ondes millimetriques. Le composant cle pour realiser ces circuits est le transistor a effet de champ a heterojonction hemt (high electron mobility transistor). Par consequent, nous developpons dans ce memoire la conception, la realisation et la caracterisation de transistors hemts performants de longueur de grille submicronique en technologie coplanaire. La technologie utilisee pour realiser la grille est de type nitrure. Les transistors sont naturellement passives par une couche de nitrure de silicium de 800a qui protege la zone active. Le pied de grille est insere dans cette couche de dielectrique ce qui permet d'obtenir des grilles robustes avec des longueurs de grille inferieures a 0.1 m. Ce travail, soutenu financierement par la dga, fait l'objet d'une collaboration avec la societe dassault electronique. Nous presentons le principe de fonctionnement et les differentes structures hemts. L'etat de l'art permet de constater la superiorite des heterojonctions alinas/gainas sur substrat inp. Les hemts sont donc realises sur des structures alinas/gainas adaptees en maille sur inp realisees au laboratoire. Nous etudions ensuite la conception des motifs transistors adaptes a la realisation de circuits integres en technologie coplanaire. Puis, nous decrivons les differentes etapes technologiques qu'il a fallu optimiser pour aboutir a la realisation de hemts performants avec un bon rendement de fabrication. Nous etudions les performances hyperfrequences et en bruit des transistors.

Download or read book Contribution la conception des multiplicateurs de fr quence micro ondes utilisant des transistors effet de champ TEC written by Di-Luân Lê and published by . This book was released on 1991 with total page 262 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book CONTRIBUTION A LA MODELISATION NON LINEAIRE DES TECS POUR LA C A O DES CIRCUITS MONOLITHIQUES MICROONDES written by MARIE-JOSE.. VILLARD and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A LA MODELISATION NON LINEAIRE DES GENERATEURS DE COURANT DES TECS ASGA POUR LA C.A.O. DES CIRCUITS MONOLITHIQUES MICROONDES. CETTE MODELISATION, QUI IMPLIQUE UNE CARACTERISATION PRENANT EN COMPTE LES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT DU TEC DANS LE CIRCUIT (PHENOMENES THERMIQUES ET DE PIEGEAGE DES ELECTRONS), EST BASEE QUE DES MESURES EN IMPULSIONS. L'INSTALLATION PUIS L'AUTOMATISATION D'UN BANC DE MESURES EN IMPULSIONS A PERMIS D'ETUDIER PRINCIPALEMENT LES LOIS D'ECHELLE SUR LES COURANTS NON LINEAIRES EN FONCTION DE LA TAILLE DU COMPOSANT, L'EVOLUTION DE CES COURANTS AVEC LA TEMPERATURE DU MILIEU AMBIANT, LA CONDUCTANCE DE SORTIE SELON LE TYPE DE MESURES EFFECTUEES (DC, IMPULSIONS, HYPERFREQUENCES). CES ETUDES ONT APPORTE DES RENSEIGNEMENTS SUR LE PIEGEAGE DES ELECTRONS QUI APPARAIT COMME UN PHENOMENE PROPORTIONNEL A LA TAILLE DU TEC ET REAGISSANT DE FACON LINEAIRE AVEC LA TEMPERATURE DU MILIEU AMBIANT ALORS QU'IL SEMBLE REAGIR DE MANIERE PLUS COMPLEXE AVEC LES TENSIONS DE POLARISATION. NOTRE PROCEDURE DE CARACTERISATION GRAND SIGNAL A ETE VALIDEE GRACE A LA CONCEPTION DE FONCTIONS MMIC NON LINEAIRES