Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DE DEFAUTS DE CROISSANCE DANS LES HETEROSTRUCTURES III V written by Hélène Héral and published by . This book was released on 1986 with total page 137 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: OBSERVATION DES STRUCTURES GAAS/GAAS, ALGAAS/GAAS, GAINP/GAAS ET ISOLANT/SEMICONDUCTEUR. CONTROLE DE LA QUALITE DES COUCHES DEPOSEES ET DES INTERFACES MIS EN JEU. CARACTERISATION DES DEFAUTS DE COMPOSITION CHIMIQUE ET DES DEFAUTS CRISTALLINS

Download or read book Etude structurale en microscopie lectronique en transmission d h t rostructures GaAs Compos m tallique GaAs pitaxi es par jets mol culaires written by Béatrice Guenais and published by . This book was released on 1993 with total page 268 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les hétérostructures élaborées par épitaxie par jets moléculaires (EJM) et comportant soit une épitaxie métallique simple (M) sur semiconducteur III-V (SC), soit une épitaxie métallique enterrée (SC/M/SC), présentent un intérêt potentiel considérable en micro-électronique. Cependant l'association de matériaux aussi dissemblables sur le plan cristallographique et chimique fait peser de lourdes contraintes sur le choix du composé métallique et les conditions d'élaboration de ce type de structures. Parmi les techniques de caractérisation nécessaires à l'optimisation des paramètres de croissance, la microscopie électronique en transmission (MET) est une technique de choix pour étudier l'influence des conditions de croissance sur la qualité cristalline des couches minces épitaxiées. Nous présentons dans ce travail la contribution de la MET à la définition des critères de choix du métal, à l'optimisation de la croissance des matériaux retenus, à l'appréciation de la qualité structurale des couches épitaxiées et des interfaces. Deux familles de composés ont été étudiées : la famille métal de transition-élément III (MT-III), et la famille Terre rare-élément V (TR-V). Nous montrons certaines réalisations très prometteuses, de structures comportant une couche métallique accordée au substrat (composé ternaire de la famille TR-V : Sc0, 2Yb0, 8As), et mettons en lumière certaines difficultés qui subsistent, notamment au niveau des reprises d'épitaxie. Plusieurs techniques de MET ont été mises en oeuvre : la diffraction d'électrons pour étudier les relations d'orientation entre la couche déposée et le substrat, et identifier certaines phases présentées en très haute quantités : la microscopie conventionnelle pour décrire la morphologie des couches et des interfaces, et étudier les défauts structuraux (dislocations, défauts plans, défauts de symétrie) ; enfin la technique haute résolution pour caractériser les interfaces à l'échelle atomique

Download or read book tude par microscopie lectronique en transmission des d fauts structuraux induits par les contraintes dans les h t rostructures Ga1 xInxAs InP et Ga1 xInxAs GaAs written by Christian Herbeaux and published by . This book was released on 1990 with total page 213 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude est centrée sur une analyse par microscopie électronique en transmission des défauts structuraux associés à la croissance épitaxiale du matériau semiconducteur GA1-xInxAs sur substrat InP ou sur substrat GaAq, ces deux types de supports correspondants aux deux filières classiques de croissance de cet alliage ternaire. L'objectif principal a été l'étude des propriétés structurales des dislocations de désadaptation de réseau et des mécanismes par lesquels ces dislocations relâchent tout ou partie des contraintes générées lors de l'épitaxie. Ces mécanismes concernent à la fois la génération et la multiplication de ces dislocations. Dans le cas du matériau GA1-xInxAs pratiquement adapté au matériau InP, le critère de pseudomorphisme est presque toujours satisfait, même pour des épaisseurs importantes de la couche épitaxiée. La densité de dislocations de désadaptation de réseau restant faible, on peut alors mettre en évidence des effets plus fins liés à la présence de fluctuations de composition au niveau des interfaces. Les structures Ga1-xInxAs/GaAs contraintes, choisies comme modèles d'étude, nous ont permis de mettre en évidence et d'interpréter la nature des dislocations et de leurs interactions, tout en tenant compte de leur caractère dissocié. Nous montrons que les modèles habituellement invoqués pour interpréter la multiplication des dislocations aux interfaces ne peuvent pas rendre compte de nos observations. Enfin, l'analyse des micrographies électroniques permet de proposer un mécanisme de source de type Frank-Read basé sur le glissement dévié des segments vis, mécanisme qui pourrait être à l'origine de la multiplication des dislocations de désadaptation dans ce type d'hétérostructure

Download or read book Etude par microscopie lectronique en transmission des interfaces dans les h t rostructures GaAs Si et GaSb GaAs written by Joon-Mo Kang and published by . This book was released on 1993 with total page 272 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DE LA RELAXATION PAR LES DISLOCATIONS D'INTERFACE DANS LES HETEROSTRUCTURES SEMICONDUCTRICES A FORT DESACCORD PARAMETRIQUE. DES CALCULS UTILISANT L'ELASTICITE ANISOTROPE MONTRENT QUE LES DISLOCATIONS D'INTERFACE DE TYPE 90 SONT PLUS EFFICACES POUR LA RELAXATION QUE CELLES DE TYPE 60. LA DIFFERENCE D'EFFICACITE ENTRE LES DEUX AUGMENTE AVEC LE DESACCORD PARAMETRIQUE. CES CALCULS PREVOIENT QU'UN ETAT RELAXE PARTIELLEMENT EST ENERGETIQUEMENT PLUS STABLE QUE CELUI PARFAITEMENT RELAXE. AFIN D'INTERPRETER LES IMAGES DE DISLOCATIONS OBTENUES PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION (MET), DES SIMULATIONS ONT ETE EFFECTUEES. CES SIMULATIONS MONTRENT QUE LES FRANGES DE MOIRE MASQUENT D'AUTANT PLUS LE RESEAU DE DISLOCATIONS QUE LE DESACCORD PARAMETRIQUE EST IMPORTANT. LA VISUALISATION SIMULTANEE DE DEUX RESEAUX ORTHOGONAUX DE DISLOCATIONS PAR UNE EXCITATION DU FAISCEAU NON-SYSTEMATIQUE EST CONFIRMEE COMME UNE TECHNIQUE EFFICACE POUR ETUDIER L'ORIGINE DES DEFAUTS. LES CARACTERISATIONS PAR MET EFFECTUEES SUR LES HETEROSTRUCTURES GAAS/SI ET GASB/GAAS MONTRENT QUE LES DEFAUTS DE VOLUME SONT DIRECTEMENT LIES AUX IMPERFECTIONS DU RESEAU DE DISLOCATIONS D'INTERFACE. DES OBSERVATIONS EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN HAUTE RESOLUTION MONTRENT PAR AILLEURS DES RELAXATIONS PARTIELLES DANS LES DEUX SYSTEMES

Download or read book STRUCTURE DES INTERFACES ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION APPLICATION written by Pierre Ruterana and published by . This book was released on 1987 with total page 198 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS SURTOUT UTILISE LE MODE "HAUTE RESOLUTION" SUR UN MICROSCOPE A 200KV. LA RESOLUTION OBTENUE ETAIT DE 2.4 A. LA TECHNIQUE DE PEPARATION D'ECHANTILLONS QUE NOUS AVONS MISE AU POINT POUR L'ETUDE DU PROCEDE DE PASSIVATION (SI::(3)N::(4)/GAAS) NOUS A PERMIS DE CARACTERISER DANS DE TRES BONNES CONDITIONS LES MULTICOUCHES POUR RAYONS X MOUS ET LES HETEROSTRUCTURES DE CROISSANCE EPITAXIALE. CE TRAVAIL FUT UN SUIVI DES PROCEDES EN CONJUGAISON AVEC D'AUTRES TECHNIQUES DE CARACTERISATION. LA COMPARAISON DES RESULTATS DE CES DIVERSES TECHNIQUES NOUS A PERMIS D'APPREHENDER LA CHIMIE ET LA PHYSIQUE DES INTERFACES DANS LES MATERIAUX ETUDIES

Download or read book Microscopie electronique selective en transmission contribution a l etude de l ordre dans la matiere written by SERGE GALAUP and published by . This book was released on 1996 with total page 175 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ADAPTATION SUR LES MICROSCOPES ELECTRONIQUES EN TRANSMISSION DE SYSTEMES DISPERSIFS EN ENERGIE D'ELECTRONS ET DE NOUVEAUX DISPOSITIFS DE DETECTION (SYSTEMES SCINTILLATEUR-PHOTOMULTIPLICATEUR, RESEAUX DE PHOTODIODES OU CCD) PERMET D'ENVISAGER UNE DETERMINATION QUANTITATIVE PRECISE DE LA CONTRIBUTION DES PROCESSUS DE DIFFUSION ELASTIQUE ET INELASTIQUE A LA FORMATION DES IMAGES ET DES DIAGRAMMES DE DIFFRACTION ELECTRONIQUE. ELLE CONSTITUE UNE ETAPE ESSENTIELLE POUR LA CONNAISSANCE DE L'ORDRE DANS LA MATIERE A L'ECHELLE ATOMIQUE. LE DEVELOPPEMENT RECENT DE SYSTEMES DE FILTRAGE D'IMAGES CONFIRME CET INTERET, CEPENDANT LES SYSTEMES PROPOSES RESTENT ONEREUX ET SONT ENCORE PEU ACCESSIBLES. A PARTIR D'UN SYSTEME DISPERSIF CONSTITUE D'UN PRISME MAGNETIQUE, DISPOSE SOUS LA COLONNE D'UN MICROSCOPE, NOUS AVONS DEVELOPPE UN SYSTEME DE FILTRAGE EN ENERGIE DES INTENSITES. IL EST EXPLOITABLE LORSQUE L'INFORMATION UTILE EST DISTRIBUEE SUIVANT UNE DIRECTION COMME C'EST LE CAS DANS LES DIAGRAMMES DE DIFFRACTION ELECTRONIQUE OU DANS LES IMAGES DE RESEAUX DE FRANGES ET D'INTERFACES. DANS NOTRE MONTAGE LE MICROSCOPE EST PILOTE PAR UN MICROORDINATEUR QUI PERMET DE COMMANDER LA DEFLEXION DU DIAGRAMME OU DE L'IMAGE DEVANT L'OUVERTURE D'ENTREE DU SPECTROMETRE UTILISE COMME MONOCHROMATEUR. CET ORDINATEUR EST INTERFACE AVEC LE SPECTROMETRE POUR L'ACQUISITION ET LE TRAITEMENT DES DONNEES. LE SYSTEME DE COMPTAGE SCINTILLATEUR-PHOTOMULTIPLICATEUR POSSEDE UNE DYNAMIQUE SUFFISAMMENT LARGE (6 DECADES) POUR PERMETTRE LE TRAITEMENT DE LA PLUPART DES TYPES DE PROFILS D'INTENSITE OBTENUS A PARTIR DES IMAGES OU DES DIAGRAMMES. LE SYSTEME PEUT ETRE UTILISE POUR ETUDIER LES PROCESSUS DE DIFFUSION ELASTIQUE ET INELASTIQUE ET LEUR CONTRIBUTION A LA FORMATION DES IMAGES ET DES DIAGRAMMES DE DIFFRACTION. UNE DES APPLICATIONS IMPORTANTES DE CE DISPOSITIF CONCERNE LA DETERMINATION DE L'ORDRE A COURTE DISTANCE DANS LES MATERIAUX AMORPHES OU POLYCRISTALLINS. ELLE PEUT ETRE FAITE AVEC UNE PRECISION DE 3.10#-#3 NM POUR DES VALEURS DE CES DISTANCES ALLANT JUSQU'A 1,2 NM. ELLE A ETE UTILISEE POUR L'ETUDE DE MATERIAUX CERAMIQUES.

Download or read book Etude par microscopie lectronique en transmission de semiconducteurs II VI pitaxi s par jets mol culaires written by Léa Di Cioccio and published by . This book was released on 1988 with total page 190 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CARACTERISATION PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DES DEFAUTS CRISTALLINS PRESENTS DANS LES COUCHES DE CDTE ET CD::(X)HG::(1-X)TE HETEROEPITAXIEES PAR LA TECHNIQUE DE JET MOLECULAIRE. POUR UNE DIRECTION DE CROISSANCE (111), LES DEFAUTS DOMINANTS SONT DES MACLES DE 1ER ORDRE. ELLES ONT PU ETRE SUPPRIMEES. POUR UNE DIRECTION DE CROISSANCE (001), LES COUCHES DE CD::(X)HG::(1-X)TE CONTIENNENT DES DEFAUTS PYRAMIDAUX DE GEOMETRIE TRES PARTICULIERE ET QUE NOUS AVONS DETAILLEE. CES DEFAUTS SONT GENERES A L'INTERFACE. LES NOMBREUSES DISLOCATIONS PRESENTES DANS LES COUCHES DE CDTE EPITAXIEES SUR GAAS(001) ONT PU ETRE CONFINEES DANS LA REGION D'INTERFACE PAR UN EMPILEMENT PARTICULIER DE COUCHES CDZN::(1-Y)TE

Download or read book Contribution l tude des d fauts r ticulaires dans V Si structure A15 par microscopie lectronique written by Abdelmottaleb Ben Lamine (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1985 with total page 240 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etude par microscopie lectronique en transmission des m canismes de relaxation plastique dans les h t rostructures GaInAs GaAs written by Mme. Corinne Bouillet Ulhaq and published by . This book was released on 1993 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette etude contribue a la comprehension des mecanismes de relaxation plastique des couches minces semiconductrices. Pour cela, des heterostructures ga#1##xin#xas/gaas, avec x variant de 0,03 a 0,3, ont ete observees par microscopie electronique en transmission. Nos resultats montrent que les mecanismes mis en jeu dependent a la fois du taux d'indium x et du taux de relaxation. Deux mecanismes ont ete mis en evidence pour les taux de relaxation faibles: 1) pour x inferieur a 0,05, les premieres dislocations apparaissant a l'interface sont paralleles a la direction 110. Les dislocations paralleles a la direction 110 se forment ensuite a partir des precedentes par glissement devie; 2) pour x compris entre 0,05 et 0,2, on observe des dislocations dans les deux directions, en densite suffisante pour qu'elles puissent interagir. En particulier, l'interaction entre deux dislocations perpendiculaires et de meme vecteur de burgers, conduisant a une annihilation, est a l'origine: 1) de la formation des dislocations coin par glissement et recombinaison, dans le substrat, de deux dislocations d'interface paralleles; 2) et d'un mecanisme de multiplication de dislocations dans une seule direction. Pour les taux de relaxation eleve et pour x superieur a 0,2, le mecanisme predominant correspond a une croissance en ilots, qui ne peut etre evitee que si on intercale entre le substrat et la couche epitaxiee une structure tampon. Dans ces conditions, les mecanismes decrits precedemment sont a nouveau operationnels.

Download or read book ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DE LA RELAXATION DES CONTRAINTES DANS LES HETEROSTRUCTURES GAINAS GAAS FORTEMENT DESADAPTEES written by LI PING.. WANG and published by . This book was released on 1995 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A L'AIDE DES DIFFERENTES TECHNIQUES DE MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION, NOUS AVONS MONTRE QUE LES HETEROSTRUCTURES GAINAS/GAAS (001) FORTEMENT CONTRAINTES, ELABOREES DANS DES CONDITIONS PROCHES DE L'EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE, PRESENTENT TOUJOURS UNE TRANSITION 2D3D DU MODE DE CROISSANCE POUR UNE FAIBLE EPAISSEUR DE LA COUCHE TERNAIRE EPITAXIEE. CETTE TRANSITION, QUI A POUR EFFET DE RELAXER LES CONTRAINTES, SE MANIFESTE PAR L'APPARITION D'ILOTS GAINAS COHERENTS. NOUS AVONS PROPOSE UN MODELE QUI LEVE L'AMBIGUITE QUI SUBSTITAIT ENCORE SUR L'ORIGINE ELASTIQUE OU PLASTIQUE DE LA TRANSITION 2D3D. SUR DES HETEROSTRUCTURES ELABOREES AVEC DES COUCHES TERNAIRES D'EPAISSEURS PLUS IMPORTANTES, NOUS AVONS MONTRE QUE LES ILOTS COALESCENT, ENTRAINANT UNE MODIFICATION DE L'ONDULATION DE SURFACE, ET IL SE FORME, A LA JONCTION ENTRE LES ILOTS, DES VALLEES TRES FORTEMENT CONTRAINTES. L'OBSERVATION EN HAUTE RESOLUTION DE DISLOCATIONS A L'APLOMB DES RECOUVREMENTS ENTRE ILOTS, CONSTITUE LA PREMIERE MISE EN EVIDENCE EXPERIMENTALE D'UNE APPROCHE THEORIQUE INEDITE RECEMMENT PUBLIEE PAR GAO. L'ENSEMBLE DE CES RESULTATS APPORTE LA PREUVE QUE L'EXISTENCE DE FORTES CONTRAINTES, CORRELEE A UNE ENERGIE ELEVEE DE CREATION DE DISLOCATIONS, CONDUIT D'ABORD, A UNE TRANSITION 2D3D QUI RELAXE LES CONTRAINTES DE FACON PUREMENT ELASTIQUE. ENSUITE, LA PRESENCE D'ILOTS CONDITIONNE COMPLETEMENT LA FORMATION DE DISLOCATIONS ET CONDUIT A UNE INTERPRETATION ORIGINALE DE LA RELAXATION PLASTIQUE. PAR AILLEURS, EN ELOIGNANT LES CONDITIONS D'ELABORATION DE L'EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE, SOIT EN ABAISSANT LA TEMPERATURE DE CROISSANCE, SOIT EN UTILISANT LE TELLURE COMME SURFACTANT, NOUS AVONS DEMONTRE QU'ON POUVAIT REPOUSSER, VOIRE INHIBER, LA TRANSITION 2D3D

Download or read book Microscopie lectronique s lective en transmission Contribution l tude de l ordre dans la mati re written by Serge Galaup and published by . This book was released on 1996 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ADAPTATION SUR LES MICROSCOPES ELECTRONIQUES EN TRANSMISSION DE SYSTEMES DISPERSIFS EN ENERGIE D'ELECTRONS ET DE NOUVEAUX DISPOSITIFS DE DETECTION (SYSTEMES SCINTILLATEUR-PHOTOMULTIPLICATEUR, RESEAUX DE PHOTODIODES OU CCD) PERMET D'ENVISAGER UNE DETERMINATION QUANTITATIVE PRECISE DE LA CONTRIBUTION DES PROCESSUS DE DIFFUSION ELASTIQUE ET INELASTIQUE A LA FORMATION DES IMAGES ET DES DIAGRAMMES DE DIFFRACTION ELECTRONIQUE. ELLE CONSTITUE UNE ETAPE ESSENTIELLE POUR LA CONNAISSANCE DE L'ORDRE DANS LA MATIERE A L'ECHELLE ATOMIQUE. LE DEVELOPPEMENT RECENT DE SYSTEMES DE FILTRAGE D'IMAGES CONFIRME CET INTERET, CEPENDANT LES SYSTEMES PROPOSES RESTENT ONEREUX ET SONT ENCORE PEU ACCESSIBLES. A PARTIR D'UN SYSTEME DISPERSIF CONSTITUE D'UN PRISME MAGNETIQUE, DISPOSE SOUS LA COLONNE D'UN MICROSCOPE, NOUS AVONS DEVELOPPE UN SYSTEME DE FILTRAGE EN ENERGIE DES INTENSITES. IL EST EXPLOITABLE LORSQUE L'INFORMATION UTILE EST DISTRIBUEE SUIVANT UNE DIRECTION COMME C'EST LE CAS DANS LES DIAGRAMMES DE DIFFRACTION ELECTRONIQUE OU DANS LES IMAGES DE RESEAUX DE FRANGES ET D'INTERFACES. DANS NOTRE MONTAGE LE MICROSCOPE EST PILOTE PAR UN MICROORDINATEUR QUI PERMET DE COMMANDER LA DEFLEXION DU DIAGRAMME OU DE L'IMAGE DEVANT L'OUVERTURE D'ENTREE DU SPECTROMETRE UTILISE COMME MONOCHROMATEUR. CET ORDINATEUR EST INTERFACE AVEC LE SPECTROMETRE POUR L'ACQUISITION ET LE TRAITEMENT DES DONNEES. LE SYSTEME DE COMPTAGE SCINTILLATEUR-PHOTOMULTIPLICATEUR POSSEDE UNE DYNAMIQUE SUFFISAMMENT LARGE (6 DECADES) POUR PERMETTRE LE TRAITEMENT DE LA PLUPART DES TYPES DE PROFILS D'INTENSITE OBTENUS A PARTIR DES IMAGES OU DES DIAGRAMMES. LE SYSTEME PEUT ETRE UTILISE POUR ETUDIER LES PROCESSUS DE DIFFUSION ELASTIQUE ET INELASTIQUE ET LEUR CONTRIBUTION A LA FORMATION DES IMAGES ET DES DIAGRAMMES DE DIFFRACTION. UNE DES APPLICATIONS IMPORTANTES DE CE DISPOSITIF CONCERNE LA DETERMINATION DE L'ORDRE A COURTE DISTANCE DANS LES MATERIAUX AMORPHES OU POLYCRISTALLINS. ELLE PEUT ETRE FAITE AVEC UNE PRECISION DE 3.10#-#3 NM POUR DES VALEURS DE CES DISTANCES ALLANT JUSQU'A 1,2 NM. ELLE A ETE UTILISEE POUR L'ETUDE DE MATERIAUX CERAMIQUES

Download or read book Les techniques r centes en microscopie lectronique et corpusculaire written by Centre national de la recherche scientifique and published by FeniXX. This book was released on 1956-01-01T00:00:00+01:00 with total page 422 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cet ouvrage est une réédition numérique d’un livre paru au XXe siècle, désormais indisponible dans son format d’origine.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES CONTRASTES DE DIFFRACTION EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRES HAUTE TENSION APPLICATION AUX CONTOURS D EXTINCTION ET AUX DEFAUTS D EMPILEMENT written by C.. PRUNIER MORY and published by . This book was released on 1973 with total page 31 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: INTRODUCTION, GRACE A LA THEORIE DYNAMIQUE, D'EQUATIONS PERMETTANT DE RENDRE COMPTE DU TRAJET DES ELECTRONS DANS LE CRISTAL PARFAIT ET DES INFORMATIONS RECUEILLIES A LA SORTIE DE CELUI-CI. REGLES DE CONTRASTE DES DEFAUTS D'EMPILEMENT EN HAUTE TENSION

Download or read book tude par microscopie lectronique transmission des d fauts induits par irradiation aux ions et aux lectrons dans du zirconium pur et quatre de ses alliages written by Christine Hellio and published by . This book was released on 1987 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE CRISTALLOGRAPHIQUE ET CINETIQUE DES DEFAUTS CREES PAR IRRADIATION ENTRE 400 ET 700 C PAR DES IONS ZR**(+) (500 KEV) ET PAR DES ELECTRONS (1 MEV) DANS ZR PUR, ZR-1760 PPM O, ZR-1% NB-430 PPM O, ZR-1% NB-1800 PPM O, ET DANS L'ALLIAGE ZIRCALOY 4 (% EN POIDS). LES DEFAUTS SONT ESSENTIELLEMENT DES BOUCLES DE DISLOCATIONS. ANALYSE CINETIQUE DE LEUR CROISSANCE. INFLUENCE DE L'OXYGENE. DETERMINATION DE L'ENERGIE APPARENTE DE MIGRATION DE LACUNES. ANALYSE DU COMPORTEMENT AU RECUIT APRES IRRADIATION IONIQUE

Download or read book Contribution l am lioration de l imagerie en microscopie lectronique transmission written by Gerard Balossier and published by . This book was released on 1981 with total page 354 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDES STRUCTURALES PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION D OXYDES V W O V MO O ET TL NB O written by Loi͏̈c Dupont and published by . This book was released on 1997 with total page 247 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL, UTILISANT COMME TECHNIQUE PRINCIPALE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION (MET) S'ARTICULE EN DEUX PARTIES DISTINCTES. LA PREMIERE PARTIE CONCERNE L'OBSERVATION ET L'INTERPRETATION DE TRANSFORMATIONS DE PHASES OBTENUES A PARTIR DE NOUVEAUX OXYDES MIXTES HYDRATES DE VANADIUM TUNGSTENE OU DE VANADIUM-MOLYBDENE. CES PRECURSEURS HYDRATES SONT OBTENUS PAR UNE NOUVELLE METHODE DE CHIMIE DOUCE CONSISTANT EN LA DISSOLUTION DES METAUX DANS UNE SOLUTION D'EAU OXYGENEE ET DE CRISTALLISATION DES OXYDES MIXTES HYDRATES PAR CHAUFFAGE MODERE DE CELLE-CI. IL EST ALORS POSSIBLE DE PREPARER DES PHASES MIXTES DE FORMULE CHIMIQUE HXVXMOI-XO3.NH2O (0.06X0.18) DE STRUCTURE MMO HEXAGONAL. H0.27V0.27W0.73O3.1/3H2O DE STRUCTURE WO3.1/3H2O OU BIEN ENCORE H0.13V0.13W0.8703.0.9H2O DE STRUCTURE WO3.1H2O. APRES CARACTERISATION PHYSICO-CHIMIQUE DE CES PHASES. LES DEUX PREMIERES, DONT LES STRUCTURES PRESENTENT DE LARGES TUNNELS, ONT ETE UTILISEES COMME PRECURSEURS A DES ETUDES THERMIQUES LA DIFFRACTION DES RAYONS X (DRX) A PERMIS DE CARACTERISER LES PRODUITS DES DIFFERENTES TRANSFORMATIONS DE DETERMINER DE QUELLES PHASES TYPES LA STRUCTURE DE CES OXYDES DECOULAIT ET DE CERNER LES INTERVALLES DE TEMPERATURE SUR LESQUELS SE PRODUISAIENT CES TRANSFORMATIONS. A PARTIR DE L'OBSERVATION D'UN GRAND NOMBRE DE CRISTAUX EN COURS DE TRANSFORMATION. DES MODELES STRUCTURAUX DES DIVERS MECANISMES REACTIONNELS ONT ET PROPOSES A PARTIR D'UNE ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE HAUTE RESOLUTION. LA SECONDE PARTIE TRAITE D'AFFINEMENTS DE STRUCTURES DE NIOBATES DE THALLIUM (TL8NB56.8O146 ET TI8NB27.2O72 LES TRAVAUX ANTERIEURS SUR L'AFFINEMENT DE CES STRUCTURES PAR DRX NE DONNAIENT PAS DE RESULTATS TOTALEMENT SATISFAISANTS. LA MET EST VENU EN AIDE, LORS DES AFFINEMENTS DE STRUCTURES, EN RENDANT COMPTE DES MOINDRES DEFAUTS LOCAUX OBSERVES ET EN PROPOSANT DES MODELES STRUCTURAUX POUVANT ENSUITE ETRE VALIDES PAR SIMULATION D'IMAGES. AINSI, NOUS AVONS MONTRE LES PHENOMENES A L'ORIGINE D'UNE MAUVAISE ESTIMATION DE L'INTENSITE DES REFLEXIONS PAR DRX. CES DEFAUTS SONT LIES SOIT A LA CRISTALLINITE DE MONOCRISTAL (MICRO-MACLES) SOIT A DES ATOMES EN POSITIONS DELOCALISEES DONT L'OCCUPATION EST FAIBLE POUVANT AINSI CONDUIRE A DES SURSTRUCTURES OU A UNE STRUCTURE MODULEE EN POSITION ET EN OCCUPATION.

Download or read book Contribution l am lioration de l imagerie en microscopie lectronique transmission written by Gérard Balossier (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1981 with total page 354 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: