Download or read book Conception r alisation et caract risation d un composant limiteur de courant en carbure de silicium written by Franck Nallet and published by . This book was released on 2001 with total page 194 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La filière carbure de silicium pour la réalisation de composants de puissance semble être prometteuse dans un avenir proche. Ses propriétés physiques en font un excellent candidat pour des applications où se mêlent haute tension et haute température. Le sujet abordé dans cette thèse entre intégralement dans ce domaine en proposant l'étude d'un composant limiteur de courant en carbure de silicium. Ce dispositif est destiné à la protection des sytèmes électriques contre les surintensités sur un réseau 50 Hz. La fonction demandée est de limiter le courant de surcharge sur une durée limitée et suffisante pour autoriser l'ouverture de la ligne par un organe disjoncteur dans des conditions propices. La conception d'un composant en SiC-4H répondant au cahier des charges (600 V / 50 A) a abouti à une définition des paramètres technologiques assistée par le logiciel de simulation par éléments finis développé par ISEtmTCAD. Un premier prototype, réalisé avec le concours du CNM (Barcelone), montre une densité de courant de saturation d'environ 200.A.cm-2 et une résistance série spécifique de 150 mégaOhms.cm2. Le concept proposé en simulation a été vérifié expérimentalement. Le démonstrateur a permis de "rôder" certains points technologiques et de définir un ensemble de corrections envisagées sur la réalisation d'un second prototype. Les prototypes suivant atteignent une densité de courant de saturation de 800 A.cm-2 avec une résistance série spécifique de 14 mégaOhms.cm2. Les seconds prototypes de composants limiteurs de courant en SiC-4H réalisés se situent parmi les meilleurs représentants des Accu-MOSFETs obtenus dans la littérature.
Download or read book Conception r alisation et caract risation d un composant limiteur de courant command en carbure de silicium et son int gration syst me written by Dominique Tournier and published by . This book was released on 2003 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'expansion, des réseaux électriques en tous genres : distribution d'énergie, télécommunication, dans les secteurs tant industriel que domestique a fortement contribué à l'augmentation des risques d'apparition de défauts, tels qu'une surtension ou une surintensité. Cette multiplicité et complexité des réseaux électrique et le besoin de disposer de systèmes fiables et à haut rendement a favorisé le développement de dispositifs de protection, et plus particulièrement de la protection série. Du fait de la forte énergie apparaissant lors d'un court-circuit, plusieurs contraintes apparaissent pour la conception d'un composant limiteur de courant. La première concerne son aptitude à limiter et dissiper l'énergie du court-circuit, sous forme de chaleur. La deuxième contrainte est la capacité du composant (ou du système) à fonctionner sous haute tension, du fait des surtensions pouvant apparaître dans les installations électriques en cas de défaut. Ces deux contraintes, et les propriétés physiques du carbure de silicium, ont conduit à une étude de faisabilité d'un composant limiteur de courant en utilisant du SiC-4H, d'un calibre en courant de 32 A pour une tension nominale VN = 690 V. Une structure de type VJFET a été retenue, puis optimisée en tenant compte du cahier des charges, des particularités physiques du SiC et de la technologie de fabrication associée. Un premier lot de composant a été fabriqué, mettant en évidence la possibilité d'obtenir un composant limiteur de courant bidirectionnel en courant et en tension, fonctionnant pour des tensions maximale de l'ordre de 970V. Les divers résultats issus du premier lot de composants ont permis d'effectuer quelques ajustements pour la fabrication d'un deuxième lot de composants afin de valider la faisabilité d'un composant limiteur de courant, d'étudier la mise en parallèle massive de structures élémentaire pour atteindre les objectifs en courant et de s'intéresser également à la possibilité de l'intégration système du limiteur de courant. La simultanéité d'obtention d'un MESFET latéral conjointement au limiteur de courant ouvre ces perspectives d'obtention d'un limiteur de courant commandé autonome. Les ajustements du processus de fabrication ont été validés sur un lot intermédiaire. L'efficacité de la protection série a ensuite été validée dans un application faible puissance (IN = 16 mA, VN = 240 V), démontrant l'aptitude du composant élémentaire à limiter le courant de court-circuit en un temps très faible (t
Download or read book Power Electronics Semiconductor Devices written by Robert Perret and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2013-03-01 with total page 381 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book relates the recent developments in several key electrical engineering R&D labs, concentrating on power electronics switches and their use. The first sections deal with key power electronics technologies, MOSFETs and IGBTs, including series and parallel associations. The next section examines silicon carbide and its potentiality for power electronics applications and its present limitations. Then, a dedicated section presents the capacitors, key passive components in power electronics, followed by a modeling method allowing the stray inductances computation, necessary for the precise simulation of switching waveforms. Thermal behavior associated with power switches follows, and the last part proposes some interesting prospectives associated to Power Electronics integration.
Download or read book Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs written by and published by . This book was released on 2000 with total page 344 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Conception fabrication et caract risation de transistors effet de champ haute tension en carbure de silicium et de leur diode associ e written by Florian Chevalier and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans le contexte des transports plus électriques, les parties mécaniques tendent à être remplacées par leurs équivalents électriques plus petits. Ainsi, le composant lui-même doit supporter un environnement plus sévère et de lourdes contraintes (haute tension, haute température). Les composants silicium deviennent alors inappropriés. Depuis la commercialisation des premières diodes Schottky en 2001, le carbure de silicium est le matériau reconnu mondialement pour la fabrication de dispositifs haute tension avec une forte intégration. Sa large bande d'énergie interdite et son fort champ électrique critique permettent la conception de transistors à effet de champ avec jonction (JFET) pour les hautes tensions ainsi que les diodes associées. Les structures étudiées dépendent de nombreux paramètres, et doivent ainsi être optimisées. L'influence d'un paramètre ne pouvant être isolée, des méthodes mathématiques ont été appelées pour trouver la valeur optimale. Ceci a conduit à la mise en place d'un critère d'optimisation. Ainsi, les deux grands types de structures de JFET verticaux ont pu être analysés finement. D'une part, la recherche d'une structure atteignant les tensions les plus élevées possible a conduit à l'élaboration d'un procédé de fabrication complexe. D'autre part, un souci de simplification et de stabilisation des procédés de fabrication a permis le développement d'un composant plus simple, mais avec une limite en tension un peu plus modeste.
Download or read book Conception r alisation et caract risation de diodes pin en carbure de silicium SiC pour applications micro ondes de puissance written by Nicolas Camara and published by . This book was released on 2006 with total page 144 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Une large bande interdite (3eV), un fort champ de claquage (3MV /cm), une excellente conductivité thermique (3 à 5 fois supérieure à celle du Silicium) constituent des atouts majeurs qui font du SiC un excellent candidat pour des applications haute température, forte puissance et hyperfréquences. Concernant les applications combinées puissance/hyperfréquences, les diodes pin SiC permettent d'envisager des interrupteurs micro-ondes avec des puissances de charge de l'ordre de 2KW. Le développement de ces composants, qui doivent supporter des tensions très élevées (1000 V), nécessite un effort important dans la réalisation des étapes technologiques et en particulier dans l'élaboration et la gravure des couches épitaxiées, mais également dans l'optimisation des contacts ohmiques et des couches de passivation. L'objectif de cette thèse a donc été la fabrication et la caractérisation de ces diodes pin SiC supportant jusqu'à 1000 V et fonctionnant comme interrupteur dans des gammes de fréquence allant jusque 10GHz. Les commutateurs hautes puissances fabriqués à partir des diodes pin SiC que nous avons réalisées, permettent, pour des signaux de 10GHz, des pertes d'insertion de moins de 1dB et une isolation de l'ordre de 25dB. Des puissances d'entrée du commutateur de puissance de l'ordre de 2kW peuvent être dissipées. Les diodes pin SiC que nous avons fabriquées sont performantes jusqu'à des températures de l'ordre de 600°C et commutent bien plus vite que les diodes pin silicium équivalentes. Il est montré dans cette thèse, pour la première fois de façon expérimentale, l'avantage des diodes pin SiC par rapport aux diodes pin Silicium commerciales en terme de commutation des signaux micro-ondes. Ces nouvelles diodes pin SiC permettent d'envisager de nouvelles générations de déphaseurs, de limiteurs, commutateurs et autres briques de base du monde des micro-ondes.
Download or read book Conception optimisation et caract risation d un transistor effet de champ haute tension en Carbure de Silicium written by Shiqin Niu and published by . This book was released on 2016 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La thèse intitulée "Conception, caractérisation et optimisation d'un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium (SiC) et de leur diode associée", s'est déroulée au sein du laboratoire AMPERE sous la direction du Prof. D. PLANSON. Des premiers démonstrateurs de JFET ont été réalisés. Le blocage du JFET n'est pas efficace, ceci étant lié aux difficultés de réalisation technologique. Le premier travail a consisté en leur caractérisation précise puis en leur simulation, en tenant compte des erreurs de processus de fabrication. Ensuite, un nouveau masque a été dessiné en tenant en compte des problèmes technologiques identifiés. Les performances électriques de la nouvelle génération du composant ont ainsi démontré une amélioration importante au niveau de la tenue en tension. Dans le même temps, de nouveaux problèmes se sont révélés, qu'il sera nécessaire de résoudre dans le cadre de travaux futurs. Par ailleurs, les aspects de tenue en court-circuit des JFETs en SiC commercialement disponibles ont été étudiés finement. Les simulations électrothermiques par TCAD ont révélé les modes de défaillances. Ceci a permis d'établir finalement des modèles physiques valables pour les JFETs en SiC.
Download or read book Satellite Situation Report written by Goddard Space Flight Center. Office of Public Affairs and published by . This book was released on 1977 with total page 366 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Modern Power Devices written by B. Jayant Baliga and published by Wiley-Interscience. This book was released on 1987-03-10 with total page 504 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Written in a tutorial form, the text supplies in-depth the physics, design, and fabrication technology for power devices. Each chapter includes a discussion of the basic concepts of device operation and their electrical characteristics, a detailed analysis of the device physics, and the technology of fabrication. Extensive analytical solutions are used to enable the reader to obtain an understanding of the physics.
Download or read book Space Debris written by Heiner Klinkrad and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2006-09-01 with total page 438 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The future evolution of the debris environment will be forecast on the basis of traffic models and possible hazard mitigation practices. The text shows how large trackable objects will have re-entry pinpointed and predictions made on related risk assessment for possible ground impact. Models will also be described for meteoroids which are also a prevailing risk.
Download or read book Power Semiconductor Drives written by P V Rao and published by . This book was released on 2017-02 with total page 326 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Power Semiconductor devices play a vital role in electrical power systems and are used widely in transmission, distribution and control of electric power. It deals with the fundamentals of machines, converters and control of machines with solid state devices. It is divided into eight chapters covering d.c. motor, single and three phases controlled rectifiers, d.c. motor driver by dual converter, four quadrant drive, d.c. choppers, induction motor with VSI, CSI and cycloconverters, control of induction motors and control of synchronous motors. Features * Each topic is explained lucidly so that the student can understand every aspect of the drive system easily. * Number of worked-out examples are given at the end of each chapter. * A number of quiz type questions are also given with answers after each chapter.
Download or read book Power Electronics written by B. W. Williams and published by . This book was released on 1987 with total page 337 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Water Treatment Handbook written by and published by . This book was released on 2007 with total page 932 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
