Download or read book changes de charge et perte d nergie d ions lourds ralentis canalis s dans des cristaux de silicium written by Étienne Testa and published by . This book was released on 2005 with total page 208 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacré à l'étude des processus d'échange de charge et de perte d'énergie d'ions lourds très chargés ralentis, canalisés dans des cristaux minces de silicium. Les deux premiers chapitres présente le principe de la canalisation des ions lourds dans un cristal, l'ensemble des processus d'interaction ion-électrons et le principe de nos simulations d'échanges de charge et de trajectoires en conditions de canalisation. Les chapitres suivants décrivent deux expériences réalisées à l'accélérateur de GSI de Darmstadt dont les principaux résultats sont les suivants : la probabilité par atome cible de capture mécanique (MEC) des ions U91+ de 20 MeV/u en fonction du paramètre d'impact (à l'aide de nos simulations), l'observation de la forte polarisation du gaz d'électrons cible par l'intermédiaire de la capture radiative (REC) et le ralentissement d'ions Pb81+ de 13 à 8,5 MeV/u en conditions de canalisation, pour lesquelles la capture électronique est fortement réduite

Download or read book Transition cristal amorphe dans le silicium sous bombardement d ions l gers written by Abdelkrim Roumili and published by . This book was released on 1990 with total page 212 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE MEMOIRE EST D'ETUDIER LES PHENOMENES DE TRANSITION CRISTAL-AMORPHE INDUITS PAR IMPLANTATION D'IONS LEGERS DANS LE SILICIUM. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS NOUS INTERESSONS AUX PERTES D'ENERGIE SUBIES PAR LA PARTICULE INCIDENTE (INTERACTIONS ION-MATIERE) AINSI QU'AUX MECANISMES QUI PEUVENT CONDUIRE A LA TRANSITION CRISTAL-AMORPHE. LES MODELES PERMETTANT DE DECRIRE QUANTITATIVEMENT LA FORMATION ET L'EXTENSION DE COUCHES AMORPHES SONT AUSSI PASSES EN REVUE. DANS LA PARTIE EXPERIMENTALE, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE L'APPORT DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION A LA CARACTERISATION DE L'AMORPHISATION DU SI PAR IMPLANTATION D'IONS PHOSPHORE, AZOTE ET HELIUM DANS DES CONDITIONS EXPERIMENTALES DIVERSES (ENERGIE ET FLUX DU FAISCEAU D'IONS ET TEMPERATURE DU SUBSTRAT). L'UTILISATION DU MODELE DE LA DENSITE D'ENERGIE CRITIQUE NOUS A PERMIS DE CALCULER L'ETAT D'ENDOMMAGEMENT DU SUBSTRAT ET DE DETERMINER L'ENERGIE DE DOMMAGE CRITIQUE NECESSAIRE A LA FORMATION DE LA PHASE AMORPHE. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QUE L'ENERGIE DE DOMMAGE EST UNE CARACTERISTIQUE DU SUBSTRAT A BASSE TEMPERATURE (