Download or read book Caract risation et mod lisation de composants GaN pour la conception de convertisseurs statiques haute fr quence written by Loris Pace and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La montée en fréquence de commutation des transistors de puissance à base de Nitrure de Gallium (GaN) présente une avancée technologique conduisant à la réduction de la taille, du poids et du volume des systèmes de conversion de l'énergie. En effet, les propriétés physiques des transistors de type HEMT basés sur l'hétérostructure AlGaN/GaN présentent un fort potentiel pour le développement de convertisseurs statiques haute fréquence. Avec l'augmentation toujours croissante de la part de l'électronique de puissance dans les systèmes électriques actuels, cette filière technologique, associée à la filière du Carbure de Silicium (SiC), vise aujourd'hui à remplacer progressivement les composants de puissance à base de Silicium (Si) notamment pour des raisons de tension de claquage élevée, de robustesse vis-à-vis des conditions sévères de fonctionnement et d'intégration de puissance. La conception optimale des convertisseurs haute fréquence implique une connaissance précise du fonctionnement des composants de puissance au sein de ces systèmes. Ainsi, la conception de ces dispositifs repose sur des étapes d'analyse et de simulations menées à partir des modèles des semi-conducteurs de puissance et des éléments environnants. L'objectif de ce travail de thèse est de proposer une méthodologie de modélisation comportementale de transistors de puissance GaN en boitier basée exclusivement sur des méthodes de caractérisation non-intrusives. Les techniques de caractérisation électriques utilisées pour la modélisation de transistors fonctionnant en gammes radiofréquences, telles que la mesure des paramètres S ou les mesures courant/tension en régime pulsé, sont ici adaptées à la caractérisation du transistor de puissance GaN encapsulé. A partir des résultats de caractérisation, les différents éléments linéaires et non linéaires du modèle électrique du transistor sont obtenus et un modèle électrique complet rassemblant ces éléments est implémenté dans le logiciel de simulation ADS. Un banc de test Double Pulse est alors conçu afin de mettre en application le modèle électrique développé. Après modélisation de l'environnement du transistor, y compris du circuit imprimé, les résultats de simulation des formes d'onde de commutation sont confrontés aux résultats expérimentaux. Afin de tenir compte des effets de la température sur le fonctionnement du transistor, une méthodologie est proposée permettant d'obtenir le modèle thermique du composant à partir de mesures de puissance dissipée et d'une procédure d'optimisation. À partir du modèle obtenu, un convertisseur DC/DC utilisant le transistor GaN modélisé a été conçu et réalisé. Les résultats de simulation des formes d'onde de commutation sont confrontés aux résultats expérimentaux pour différentes températures de fonctionnement du transistor et une prédiction du fonctionnement en continu du convertisseur est réalisée.

Download or read book Caract risation et mod lisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfr quence written by Adrien Cutivet and published by . This book was released on 2015 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Parmi les technologies du 21e siècle en pleine expansion, la télécommunication sans-fil constitue une dimension fondamentale pour les réseaux mobiles, l'aéronautique, les applications spatiales et les systèmes de positionnement par satellites. Dans ce sens, l'alternative de l'exploitation de bande de plus haute fréquence et la multiplication des canaux de transmission sont activement visées par les travaux de recherches actuels. Les technologies à l'étude reposent sur l'utilisation de systèmes intégrés pour répondre aux considérations de coûts de production et d'encombrement des dispositifs. L'élément de base de ces systèmes, le transistor, établit largement la performance du dispositif final en termes de montée en fréquence, de fiabilité et de consommation. Afin de répondre aux défis présents et futurs, des alternatives à la filière silicium sont clairement envisagées. À ce jour, la filière nitrure de gallium est présentée comme la plus prometteuse pour l'amplification de puissance en bande Ka et W au vue de ses caractéristiques physiques et électriques, des performances atteintes par les prototypes réalisées et des premiers produits commerciaux disponibles.L'exploitation de cette technologie à son plein potentiel s'appuie sur la maîtrise des étapes de fabrication, de caractérisation et de modélisation du transistor. Ce travail de thèse a pour objectif le développement d'une modélisation de transistors fabriqués expérimentalement à l'état de l'art. Une partie conséquente de ce travail sera portée sur la caractérisation thermique du dispositif ainsi que sur la modélisation d'éléments passifs pour la conception d'un circuit hyperfréquence de puissance.

Download or read book Caract risation et mod lisation de dispositifs de la fili re nitrure pour la conception de circuits int gr s de puissance hyperfr quences written by Nicolas Defrance and published by . This book was released on 2007 with total page 218 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Basés sur l'hétérostructure AIGaN/GaN, les composants étudiés dans ce mémoire se voient dotés de propriétés physiques extrêmement attractives: tensions de claquage élevées, densités de puissance importantes ... L'étude de ces dispositifs particuliers apparaît comme déterminante dans un contexte réclamant des montées en puissance et en fréquence perpétuelles. De même, la conception de systèmes complexes à base de transistors HEMTs AlGaN/GaN implique nécessairement la mise en œuvre de modèles non linéaires suffisamment représentatifs et cohérents. Le premier chapitre décrit les principales propriétés physiques et électriques du semiconducteur GaN. Un bref rappel concernant la caractérisation des transistors, en régimes de fonctionnement petit et grand signal, conclura cette première partie. Le deuxième chapitre se consacre à l'étude des caractéristiques propres aux HEMTs AIGaN/GaN. L'influence de différents types de passivations et traitements de surface sera ainsi exposée. Le développement d'un banc de mesure DC-pulsé permettra, par ailleurs, de déterminer la température de fonctionnement et la résistance thermique des composants testés. Le troisième chapitre expose la procédure suivie en vue d'extraire un modèle non linéaire de transistor, implantable en environnement de CAO. Des comparaisons entre modélisations et expérimentations permettront de valider en tout point les formes analytiques proposées. Le quatrième et dernier chapitre s'argumente autour de la caractérisation d'une nouvelle génération de substrats dits « reportés» tels que le SopSiC ou le SiCopSiC ; nous présentons ainsi diverses méthodologies en vue de la détermination de leurs propriétés électriques.

Download or read book Mod lisation des transformateurs des convertisseurs haute fr quence written by Eric Laveuve and published by . This book was released on 1991 with total page 136 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE CONCERNE LES COMPOSANTS BOBINES UTILISES DANS LES CONVERTISSEURS STATIQUES DE QUELQUES CENTAINES DE WATT FONCTIONNANT AU-DELA DE 100 KHZ. IL A POUR BUT LA COMPREHENSION DES PHENOMENES PHYSIQUES QUI PERTURBENT LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE HAUTE FREQUENCE DE CES COMPOSANTS. L'ACCENT EST MIS SUR LES COURANTS INDUITS DANS LES CONDUCTEURS ET LES COUPLAGES CAPACITIFS. L'APPROCHE EXPERIMENTALE MET EN EVIDENCE INDIVIDUELLEMENT LES PHENOMENES PHYSIQUES QUI FONT L'OBJET DE DEVELOPPEMENTS THEORIQUES. CES ETUDES SONT MENEES ANALYTIQUEMENT GRACE A DES MODELES ELECTROMAGNETIQUES SIMPLES. ELLES SONT ENSUITE CONFRONTEES QUANTITATIVEMENT AUX MESURES AINSI QU'A DES SIMULATIONS. DE NOUVEAUX SCHEMAS EQUIVALENTS DE COMPOSANTS SONT PROPOSES ET TESTES: ILS PERMETTENT DE RENDRE COMPTE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DE CES COMPOSANTS JUSQU'A PLUSIEURS MHZ. ILS AMENENT UNE PLUS GRANDE PRECISION LORS DE LA SIMULATION DU FONCTIONNEMENT D'UN CONVERTISSEUR AINSI QU'UNE DESCRIPTION PLUS FINE DE CES COMPOSANTS LORS D'UN ACHAT. LA METHODE D'ELABORATION EXPERIMENTALE DE CES SCHEMAS EST ETABLIE. TOUS LES ELEMENTS DE CES SCHEMAS EQUIVALENTS RECOIVENT UNE JUSTIFICATION PHYSIQUE ET, POUR CERTAINS PROTOTYPES, ON SAIT PREVOIR LEURS VALEURS. DES THEORIES GENERALES DEVELOPPEES AU COURS DE CE TRAVAIL PERMETTENT D'ENVISAGER L'EXTENSION DE CES PREVISIONS A DES COMPOSANTS VARIES

Download or read book Amplificateurs de puissance et convertisseurs DC DC base de GaN pour des applications hyperfr quences written by Florent Gamand and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans les systèmes de télécommunication modernes et en particulier pour l'amplification de puissance RF, le rendement est un élément clé. Il doit être le plus élevé possible pour réduire la consommation. Afin d'augmenter le rendement global d'un amplificateur de puissance, la technique de polarisation dynamique, souvent basée sur l'association d'un amplificateur et d'un convertisseur DC/DC, est couramment employée. Les transistors de type HEMT GaN délivrent des puissances importantes tout en ayant des fréquences de fonctionnement élevées, de plus leur capacité à commuter rapidement et leurs faibles pertes résistives en font d'excellents candidats à la fois pour les applications d'amplification de puissance et de commutation à haute fréquence de découpage et haut rendement tels que les convertisseurs DC/DC utilisés dans le cadre d'une polarisation dynamique.Le premier chapitre de ce mémoire est consacré aux propriétés des transistors à base de GaN et leurs intérêts pour des applications d'amplification hyperfréquence et de commutation. Leur caractérisation et modélisation sont également abordées. Le deuxième chapitre est consacré à la conception et à la caractérisation de convertisseurs DC/DC GaN à haute vitesse de découpage pour des applications de polarisation dynamique d'amplificateurs de puissance. Le troisième chapitre aborde la conception d'amplificateurs de puissance GaN à haut rendement en bande C pour des applications de télécommunication. L'association d'un convertisseur DC/DC développé au chapitre II et d'un amplificateur GaN en bande S dans le cadre de la polarisation dynamique sera également présentée et ses effets sur l'amélioration du rendement étudiés.

Download or read book Caract risation avanc e et nouvelles m thodologies de mod lisation des technologies GaN pour la conception d amplificateurs de puissance large bande et haut rendement aux fr quences RF et microondes written by Wilfried Demenitroux and published by . This book was released on 2011 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Haut rendement, forte linéarité et large bande de fonctionnement sont les points clés de la conception d’amplificateur de puissance d’aujourd’hui. De plus, de nombreux amplificateurs de puissance sont développés en technologie hybride utilisant des transistors en boîtier, rajoutant une difficulté supplémentaire pour extraire des modèles CAO fiables pour concevoir ces amplificateurs. Le sujet de cette thèse est de proposer une nouvelle méthodologie de modélisation de transistors en boîtier, rapide, automatique et dédiée à la conception d’amplificateurs de puissance large bande et haut rendement. Pour cela, un nouveau modèle comportemental de transistor est proposé, avec une méthode innovante d’extraction. Pour valider le nouveau flot de conception basé sur des modèles comportementaux de transistors, l’étude aboutit à un démonstrateur en technologie GaN présentant un rendement en puissance ajoutée moyen de 65%, une puissance de sortie moyenne de 41 dBm et un gain en puissance moyen de 13 dB sur 36% de bande relative autour de 2.2 GHz.

Download or read book Conception et r alisation de composants GaN innovants pour les applications de conversion de puissance au del du kilovolt written by Nicolas Herbecq and published by . This book was released on 2015 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les transistors à haute mobilité électronique à base de Nitrure de Gallium sur substrat de silicium (GaN-sur-Si) sont des candidats prometteurs pour les futures générations de convertisseur de puissance. Aujourd'hui, plusieurs verrous techniques ralentissent la commercialisation de cette technologie au niveau industriel, en particulier pour les applications requérant de haute tension (≥ 600 V). Dans ce contexte, ces travaux constituent une contribution au développement de composants innovants à base de GaN-sur-Si fonctionnant au-delà de 1kV. Nous nous sommes principalement focalisés sur l'amélioration de la tenue en tension de ce type de transistors au travers du développement d'un procédé de gravure localisée du substrat en face arrière permettant de supprimer le phénomène de conduction parasite localisé entre les couches tampons et le substrat. Ce procédé ainsi que l'utilisation de structures d'épitaxie innovantes nous ont permis d'observer une amélioration drastique des performances électriques des transistors à haute tension. Nous avons pu notamment démontrer pour la première fois la possibilité de délivrer des tenues en tension de plus de 3 kV sur cette filière émergente. Ces résultats obtenus, supérieurs à l'état de l'art, laissent envisager l'utilisation des technologies GaN-sur-Si pour les moyennes et hautes gammes de tension (>1000V).

Download or read book Caract risation mod lisation et int gration de JFET de puissance en carbure de silicium dans des convertisseurs haute temp rature et haute tension written by Rami Mousa and published by . This book was released on 2009 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les systèmes d’électroniques de puissance ont grandement bénéficié du progrès révolutionnaire des composants de puissance en silicium (Si). Actuellement la quasi-totalité des applications d’électronique de puissance utilise des composants en Si. Les applications d’électroniques de puissance à haute température, haute tension et forte puissance sont de plus en plus croissantes et le silicium atteint ses limites. Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande d’énergie interdite. Les propriétés électriques de ce matériau devancent celles du silicium, ce qui signifie qu’un composant en SiC présente de meilleures performances par rapport à son équivalent en silicium (Si). Les différents travaux à travers le monde démontrent un avenir prometteur pour le SiC dans la prochaine génération des composants de puissance. Le transistor JFET-SiC est l’interrupteur le plus avancé dans son développement technologique car il est au stade de la pré-commercialisation. Un modèle de type circuit pour les composants en SiC présente une extrême importance pour l’analyse et la conception de circuits de convertisseurs, en particulier, si une comparaison avec les composants en Si est établie. Le travail réalisé au cours de cette thèse, consiste à caractériser électriquement plusieurs versions de JFET-SiC pour des températures comprises entre 25°C et 225°C. Les caractérisations sont basées sur des mesures DC (Courant - Tension) en utilisant un traceur de caractéristiques, des mesures AC (Capacité - Tension) en utilisant un analyseur d’impédance et des mesures en commutation sur charge R-L (Résistive-Inductive). L’objectif est d’établir un modèle analytique du transistor JFET-SiCED. Ce modèle est basé sur l’analyse physique et comportementale du JFET en tenant compte de l’influence de la température et de la présence des deux canaux intrinsèques. Le modèle a été développé en langage VHDL-AMS et validé en régime statique ainsi qu’en dynamique en utilisant le simulateur SIMPLORER 7.0. La validation du modèle montre une excellente concordance entre les mesures et la simulation.

Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

Download or read book Organic Solid State Lasers written by Sébastien Forget and published by Springer. This book was released on 2013-07-03 with total page 179 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Organic lasers are broadly tunable coherent sources, potentially compact, convenient and manufactured at low-costs. Appeared in the mid 60’s as solid-state alternatives for liquid dye lasers, they recently gained a new dimension after the demonstration of organic semiconductor lasers in the 90's. More recently, new perspectives appeared at the nanoscale, with organic polariton and surface plasmon lasers. After a brief reminder to laser physics, a first chapter exposes what makes organic solid-state organic lasers specific. The laser architectures used in organic lasers are then reviewed, with a state-of-the-art review of the performances of devices with regard to output power, threshold, lifetime, beam quality etc. A survey of the recent trends in the field is given, highlighting the latest developments with a special focus on the challenges remaining for achieving direct electrical pumping of organic semiconductor lasers. A last chapter covers the applications of organic solid-state lasers.

Download or read book CIKM 13 written by CIKM 13 Conference Committee and published by . This book was released on 2013-10-27 with total page 938 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CIKM'13: 22nd ACM International Conference on Information and Knowledge Management Oct 27, 2013-Nov 01, 2013 San Francisco, USA. You can view more information about this proceeding and all of ACM�s other published conference proceedings from the ACM Digital Library: http://www.acm.org/dl.

Download or read book Quantum Communications and Cryptography written by Alexander V. Sergienko and published by CRC Press. This book was released on 2018-10-03 with total page 248 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: All current methods of secure communication such as public-key cryptography can eventually be broken by faster computing. At the interface of physics and computer science lies a powerful solution for secure communications: quantum cryptography. Because eavesdropping changes the physical nature of the information, users in a quantum exchange can easily detect eavesdroppers. This allows for totally secure random key distribution, a central requirement for use of the one-time pad. Since the one-time pad is theoretically proven to be undecipherable, quantum cryptography is the key to perfect secrecy. Quantum Communications and Cryptography is the first comprehensive review of the past, present, and potential developments in this dynamic field. Leading expert contributors from around the world discuss the scientific foundations, experimental and theoretical developments, and cutting-edge technical and engineering advances in quantum communications and cryptography. The book describes the engineering principles and practical implementations in a real-world metropolitan network as well as physical principles and experimental results of such technologies as entanglement swapping and quantum teleportation. It also offers the first detailed treatment of quantum information processing with continuous variables. Technologies include both free-space and fiber-based communications systems along with the necessary protocols and information processing approaches. Bridging the gap between physics and engineering, Quantum Communications and Cryptography supplies a springboard for further developments and breakthroughs in this rapidly growing area.

Download or read book Laser 50 Years Of Discoveries written by Fabien Bretenaker and published by World Scientific. This book was released on 2014-10-27 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This unique book provides an overview of the principle and applications of lasers enriched with numerous illustrations.Being over fifty years old, lasers continue to amaze us. Their performance characteristics are constantly reaching new limits, and the scope of their applications continues to expand. Yet, it took years of effort by teams of physicists to transform the fundamental notions of Einstein into the first experimental beam of laser light. And history is still going on as fundamental research is now triggered by its remarkable properties.This book addresses every aspects of laser light, from its fundamental principles to its industrial applications, at a level particularly suited for high school teachers, students, and anybody curious about science and technology.

Download or read book Hydrogen Storage Technologies written by Mehmet Sankir and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2018-07-10 with total page 296 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Hydrogen storage is considered a key technology for stationary and portable power generation especially for transportation. This volume covers the novel technologies to efficiently store and distribute hydrogen and discusses the underlying basics as well as the advanced details in hydrogen storage technologies. The book has two major parts: Chemical and electrochemical hydrogen storage and Carbon-based materials for hydrogen storage. The following subjects are detailed in Part I: Multi stage compression system based on metal hydrides Metal-N-H systems and their physico-chemical properties Mg-based nano materials with enhanced sorption kinetics Gaseous and electrochemical hydrogen storage in the Ti-Z-Ni Electrochemical methods for hydrogenation/dehydrogenation of metal hydrides In Part II the following subjects are addressed: Activated carbon for hydrogen storage obtained from agro-industrial waste Hydrogen storage using carbonaceous materials Hydrogen storage performance of composite material consisting of single walled carbon nanotubes and metal oxide nanoparticles Hydrogen storage characteristics of graphene addition of hydrogen storage materials Discussion of the crucial features of hydrogen adsorption of nanotextured carbon-based materials

Download or read book Space Time Coding for Broadband Wireless Communications written by Georgios B. Giannakis and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2007-02-26 with total page 488 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Eine vielversprechende Technologie zur Maximierung der Bandbreiteneffizienz in der breitbandigen drahtlosen Kommunikation ist die Raum-Zeit-Kodierung. Theorie und Praxis verbindend, ist dieses Buch die erste umfassende Diskussion von Grundlagen und designorientierten Aspekten von Raum-Zeit-Codes. Single-Carrier und Multi-Carrier-Übertragungen für Einzel- und Mehrnutzerkommunikation werden behandelt.

Download or read book Electric Machines and Drives written by Miroslav Chomat and published by BoD – Books on Demand. This book was released on 2011-02-28 with total page 278 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The subject of this book is an important and diverse field of electric machines and drives. The twelve chapters of the book written by renowned authors, both academics and practitioners, cover a large part of the field of electric machines and drives. Various types of electric machines, including three-phase and single-phase induction machines or doubly fed machines, are addressed. Most of the chapters focus on modern control methods of induction-machine drives, such as vector and direct torque control. Among others, the book addresses sensorless control techniques, modulation strategies, parameter identification, artificial intelligence, operation under harsh or failure conditions, and modelling of electric or magnetic quantities in electric machines. Several chapters give an insight into the problem of minimizing losses in electric machines and increasing the overall energy efficiency of electric drives.

Download or read book Marketing in Zambia written by Reginald Biddle and published by . This book was released on 1985 with total page 24 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: