Download or read book ANALYSE DE LA DENSITE D ETATS LOCALISES DU SILICIUM AMORPHE ET DES ALLIAGES SILICIUM GERMANIUM AMORPHES HYDROGENES PAR MESURES CAPACITIVES DE JONCTIONS SCHOTTKY written by ZAKARIA.. DJEBBOUR and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS ETUDIE ET PERFECTIONNE L'APPLICATION DE SPECTROSCOPIE DE CHARGE D'ESPACE DE JONCTIONS SCHOTTKY A LA CARACTERISATION DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LES SEMICONDUCTEURS AMORPHES. NOUS NOUS SOMMES TOUT D'ABORD CONCENTRES SUR L'ETABLISSEMENT D'UN CADRE THEORIQUE PRECIS POUR MODELISER LA REPONSE DES ETATS LOCALISES AU SIGNAL ALTERNATIF PERMETTANT DE MESURER L'ADMITTANCE DE LA STRUCTURE. NOUS AVONS ENSUITE POURSUIVI UNE DOUBLE DEMARCHE. D'UNE PART, NOUS AVONS POUSSE AUSSI LOIN QUE POSSIBLE DANS LE CADRE D'HYPOTHESES SIMPLIFICATRICES, LES CALCULS ANALYTIQUES POUR AVOIR DES EXPRESSIONS EXPLICITES DE L'ADMITTANCE DE LA STRUCTURE SCHOTTKY ET D'AUTRE PART, NOUS AVONS DEVELOPPE UNE METHODE DE SIMULATION NUMERIQUE QUI NOUS A PERMIS DE LEVER CERTAINES HYPOTHESES SIMPLIFICATRICES. CETTE DOUBLE DEMARCHE NOUS A PERMIS EN PARTICULIER DE DEVELOPPER UNE NOUVELLE METHODE DE CARACTERISATION DES STRUCTURES SCHOTTKY A PARTIR DES MESURES DE CAPACITE EN FONCTION DE LA POLARISATION ET D'ETUDIER L'IMPACT DES HYPOTHESES SIMPLIFICATRICES SUR LES PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU DETERMINES A PARTIR DES EXPRESSIONS ANALYTIQUES DE LA CAPACITE. AINSI, NOUS AVONS PU MESURER AVEC PRECISION POUR NOS MATERIAUX, LA DENSITE D'ETATS AU NIVEAU DE FERMI ET L'INTEGRALE DE LA DENSITE D'ETATS ENTRE LE NIVEAU DE FERMI ET LE MILIEU DE LA BANDE INTERDITE. NOUS AVONS ENFIN APPLIQUE CES TECHNIQUES A L'ETUDE DES ALLIAGES SILICIUM-GERMANIUM AMORPHES. NOUS AVONS OBSERVE POUR CES MATERIAUX UNE FORTE AUGMENTATION DE LA DENSITE D'ETATS AVEC LE TAUX DU GERMANIUM INCORPORE

Download or read book ETUDE DE LA DENSITE DES ETATS LOCALISES DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE OU DOPE A PARTIR DE LA MESURE D ADMITTANCE DE DIODES SCHOTTKY EN REGIME QUASI STATIONNAIRE written by Nadjib Hassani and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A PARTIR DES MESURES DE LA CAPACITE ET DE LA CONDUCTANCE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA FREQUENCE, ON DETERMINE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES AU NIVEAU DE FERMI ET LA SECTION EFFICACE DE CAPTURE DES ELECTRONS. L'EVOLUTION DE LA SECTION EFFICACE DE CAPTURE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE PERMET D'ECARTER LE MECANISME DE L'EMISSION MULTIPHONONIQUE AVEC FAIBLE COUPLAGE COMME PROCESSUS DE CAPTURE POUVANT EXISTER DANS LE MATERIAU A-SI:H ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE

Download or read book SPECTROSCOPIE DE DENSITE D ETATS DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE AU MOYEN D UNE EXPERIENCE DE PHOTOCOURANTS MODULES SUR DES STRUCTURES COPLANAIRES ET TRANSVERSES written by MONTSERRAT.. BARRANCO DIAZ and published by . This book was released on 1997 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA TECHNIQUE DU PHOTOCOURANT MODULE (PCM) PERMET DE CARACTERISER LA DENSITE D'ETATS (DE) DANS LA BANDE INTERDITE (BI) DANS LES SEMI-CONDUCTEURS (SC). ON ECLAIRE LE SC AVEC UNE LUMIERE MODULE ALTERNATIVEMENT DANS LE TEMPS. LE PCM OBTENU A LA MEME FREQUENCE DE MODULATION, MAIS IL EST DEPHASE PAR RAPPORT A L'EXCITATION LUMINEUSE : UN ANALYSE THEORIQUE MONTRE QUE LA PARTIE ALTERNATIVE DU PCM EST LIEE AUX PROCESSUS DE PIEGEAGE ET DEPIEGEAGE ET DE RECOMBINAISON DES PORTEURS LIBRES AVEC LES ETATS DANS LA BI. DEUX REGIMES SONT A DISTINGUER CELUI A HAUTE FREQUENCE CORRESPONDANT AU PIEGEAGE ET DEPIEGEAGE, A PARTIR DUQUEL ON PEUT OBTENIR DES RENSEIGNEMENTS SUR LA DE DANS LA BI, ET CELUI DE BASSE FREQUENCE CORRESPONDANT AU REGIME DE RECOMBINAISON. DANS LE CAS DU SILICIUM AMORPHE CETTE TECHNIQUE FOURNIT UNE IMAGE DE LA PARTIE SUPERIEURE DE LA BI, PRES DE LA BANDE DE CONDUCTION. DANS UNE PREMIERE PARTIE NOUS AVONS UTILISE CETTE TECHNIQUE POUR CARACTERISER LA DE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ET DANS LES ALLIAGES DE SILICIUM-GERMANIUM EN FONCTION DE DIFFERENTES CONDITIONS DE DEPOT. DANS LA DEUXIEME PARTIE, NOUS AVONS UTILISE CETTE TECHNIQUE SUR DES STRUCTURES TRANSVERSES : DES DIODES DE TYPE SCHOTTKY, OU LES GRANDEURS PHYSIQUES NE SONT PAS HOMOGENES. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE EXPERIMENTALEMENT QUE LA LUMIERE MODULE INDUIT SUR LES DIODES UN CHAMP QUI EST MODULE ET QUI PROVOQUE LA MODIFICATION DE L'OCCUPATION DES ETATS PLACES PRES DU NIVEAU DE FERMI QUI DOIT ETRE PRISE EN COMPTE SUR CE TYPE DE STRUCTURE.

Download or read book Contribution l tude de la densit d tats localis s du silicium amorphe hydrog n written by Jean Dijon and published by . This book was released on 1984 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE AU MOYENS DES COURANTS THERMOSTIMULES SUR DES DIODES SCHOTTKY DES ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. MISE AU POINT D'UNE TECHNIQUE DE CARACTERISATION DES ETATS DE QUEUES DE BANDES EXPONENTIELLES. LES IMPURETES ELECTRIQUEMENT ACTIVES SE LOCALISENT PREFERENTIELLEMENT DANS LES ETATS DE QUEUE DE BANDE LES PLUS PROFONDS. DES PICS ONT ETE ATTRIBUES AU PHOSPHORE, A L'OXYGENE OU A L'EAU

Download or read book CONTRIBUTIONS A L ETUDE DE LA MICROSTRUCTURE ET DES PROPRIETES OPTIQUES DU SILICIUM AMORPHE ET MICROCRISTALLIN written by HAMID.. TOUIR and published by . This book was released on 1997 with total page 251 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE TRAVAIL EST DE MIEUX COMPRENDRE LES PHENOMENES PHYSIQUES QUI REGISSENT, D'UNE PART LA MICROSTRUCTURE ET LES PROPRIETES OPTIQUES DU SI TANT AMORPHE (A-SI 1 XH X) QUE MICROCRISTALLIN (C-SI), D'AUTRE PART LA TRANSITION AMORPHE-MICROCRISTAL PAR RECUIT THERMIQUE AINSI QUE L'HYDROGENATION DE LA MATRICE AMORPHE. LES FILMS DE A-SI(: H) ETUDIES DANS CE TRAVAIL, SONT PREPARES PAR PULVERISATION R.F. ASSISTEE PAR MAGNETRON (RF MS). CES FILMS ONT ETE CARACTERISES PAR PLUSIEURS TECHNIQUES : DIFFRACTION DES RAYONS X (XRD), DIFFUSION RAMAN, SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION INFRAROUGE (IR), MESURES OPTIQUES EN TRANSMISSION COMPLETEES PAR LA SPECTROSCOPIE DE DEFLEXION PHOTOTHERMIQUE (PDS). POUR LES FILMS DE A-SI NON HYDROGENES DEPOSES ET RECUITS THERMIQUEMENT DANS DES CONDITIONS ORIGINALES UN SPECTRE D'ABSORPTION OPTIQUE VOISIN DE CEUX DE FILMS DE A-SI : H OPTIMISES PREPARES PAR DECOMPOSITION DE SILANE ASSISTEE PAR PLASMA (PECVD) A ETE OBTENUE (600\C, 6 H) : FAIBLE ABSORPTION A BASSE ENERGIE ET BORD EXPONENTIEL BIEN VISIBLE. CECI SUGGERE QUE LE RECUIT DE A-SI PEUT ETRE COMPETITIF PAR RAPPORT = L'HYDROGENATION POUR REDUIRE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES (DEFAUTS) DANS LE GAP. EN ENTRE, LE FAIBLE GAP DE CES FILMS PAR RAPPORT A CELUI DE A-SI : H EST UN AVANTAGE POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUE. DES FAIBLES DENSITES D'ETATS DE DEFAUTS ONT ETE EGALEMENT OBSERVEES DANS DES FILMS DE A-SI : H DEPOSES A GRANDES VITESSES DANS DES CONDITIONS DE VIDE SECONDAIRE ET DEPOSES. CE MATERIAU EST COMPARABLE AU A-SI : H PREPARE PAR PECVD DANS UN ENVIRONNEMENT ULTRAVIDE. CE RESULTAT MONTRE QUE LA RF MS PEUT ETRE UNE TECHNIQUE ALTERNATIVE INTERESSANTE POUR L'OBTENTION DE A-SI : H DE QUALITE ELECTRONIQUE AVEC DES GRANDES VITESSES DE DEPOT. MAIS IL FAUDRAIT POUR CELA UTILISER DES CHAMBRE DE DEPOT EQUIPEES DE LA TECHNOLOGIE ULTRAVIDE. DANS LE CAS DES FILMS DE A-SI 1 XH X, DES INHOMOGENEITES STRUCTURALES ONT ETE DETECTEES PAR DES MESURES DE XRD ET DE DIFFUSION RAMAN. CES DOMAINES DESORDONNES AU VOISINAGES DES CAVITES ONT ETE IDENTIFIES A TRAVERS L'ANALYSE D'UNE PART DU PROFIL DU PREMIER HALO DU SPECTRE DE XRD ET D'AUTRE PART DU DE LA PARTIE BASSES FREQUENCES DU SPECTRE RAMAN. LA DIMINUTION DE CES INHOMOGENEITES, EN FONCTIONS DES CONDITIONS DE PREPARATIONS, SE MANIFESTE PAR LA REDUCTION DES ETATS LOCALISES DANS LE GAP. LORSQU'IL EXISTE EGALEMENT UNE HETEROGENEITE CHIMIQUE MISE EN EVIDENCE PAR LA PRESENCE DES BANDES IR A 2090 ET 2000 CM - 1, ATTRIBUEES RESPECTIVEMENT A H LIE DANS LES GROUPEMENTS (SIH 2) N ET SIH, UNE CORRELATION A ETE ETABLIE ENTRE L'ABSORPTION INTEGREE DE LA COMPOSANTE A 2090 CM - 1 ET LES INHOMOGENEITES STRUCTURALES VUES PAR DIFFUSION RAMAN, CE QUI SUGGERE QUE LES GROUPEMENTS (SIH 2) N SONT LOCALISES DANS CES DOMAINE DESORDONNES. L'EXISTENCE DE FORTES CONCENTRATIONS TOTALES D'HYDROGENE (H LIE ET H 2) DANS LES FILMS DE A-SI : H QUI PRESENTENT CEPENDANT DE NOMBREUSES LIAISONS PENDANTES (DB) LAISSE PENSER QU'IL Y A UN EQUILIBRE ENTRE DB ET H 2. UN MODELE A 2 NIVEAUX, QUI TIENT EN TENANT COMPTE DES INHOMOGENEITES STRUCTURALES ET CHIMIQUES, A ETE DEVELOPPE POUR EXPLIQUER AUSSI BIEN LE DEGRE DE PASSIVATION DES DB QUE LA STABILITE DE CES FILMS. DANS LE CAS DES FILMS DE C-SI OBTENUS PAR RECUIT DES FILMS PRESENTANT DES INHOMOGENEITES STRUCTURALES (POUR A-SI) ET CHIMIQUES (POUR A-SI : H), UNE BI-DISPERSION DE LA TAILLE DES GRAINS A ETE IDENTIFIEE PAR XRD ET DIFFUSION RAMAN. CETTE BI-DISPERSION RESULTE D'UN EFFET DE MEMOIRE DES INHOMOGENEITES DE LA PHASE AMORPHE DE DEPART. LA DISTORSION MOYENNE DES ANGLES DE LIAISONS, , DANS CES FILMS DE C-SI, A ETE CARACTERISEE PAR DIFFUSION RAMAN. LE DECALAGE DU PIC CRISTALLIN NE PEUT PAS ETRE INTERPRETE COMME DU A L'EFFET DE LA TAILLE DES GRAINS ESTIMEE PAR XRD. IL S'EXPLIQUE PLUTOT PAR L'EFFET DES CONTRAINTES DANS LES JOINTS DE GRAINS ET/OU A L'INTERIEUR DES GRAINS. UN MODELE DEVELOPPE POUR PRENDRE EN COMPTE DE CET EFFET INDIQUE DES VARIATIONS DE DE L'ORDRE DE 1 A 2\. LE CALCUL DE LA DENSITE D'ETATS DE PHONONS INCOMPLETE G Q M A X LIMITEE AU CENTRE DE LA ZONE DE BRILLOUIN (DE RAYON Q M A X) MONTRE QUE LE MAXIMUM DE G Q M A X SE DEPLACE VERS LES BASSES FREQUENCES QUAND Q M A X AUGMENTE. CE RESULTAT PEUT EXPLIQUER LE DEPLACEMENT DU PIC AMORPHE DES SPECTRES RAMAN DU C-SI, PAR RAPPORT A SA POSITION DANS LES FILMS AMORPHES. LE BORD D'ABSORPTION OPTIQUE DES FILMS DU C-SI EST DECALE VERS LES BASSES ENERGIES PAR RAPPORT AU MONOCRISTAL. CE DEPLACEMENT A ETE INTERPRETE PAR UN EFFET DU DESORDRE QUI SE MANIFESTE PAR LA REDUCTION DE LA COHERENCE DES FONCTIONS D'ONDE ELECTRONIQUES ET QUI SE TRADUIT PAR LE BROUILLAGE DES BANDES DE CONDUCTION.

Download or read book MESURE DE LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES TROUS DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE A PARTIR DE LA PHOTOREPONSE SPECTRALE DE DIODES SCHOTTKY written by MOHAMED.. HADRAMI and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES (ICI LES TROUS), LP, EST UN PARAMETRE ESSENTIEL DES PHOTOPILES. L'EXPERIENCE SPV (SURFACE PHOTOVOLTAGE) DERIVEE DE LA PHOTOREPONSE SPECTRALE, EST UNE TECHNIQUE PERMETTANT DE DETERMINER DIRECTEMENT CE PARAMETRE. CETTE TECHNIQUE A ETE LARGEMENT UTILISEE DANS LE CAS DES SILICIUMS CRISTALLINS. NOTRE TRAVAIL A CONSISTE A ETUDIER L'ADAPTATION DE CETTE TECHNIQUE AU CAS DES SEMICONDUCTEURS A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, NOS MESURES AYANT ETE EFFECTUEES SUR DES DIODES SCHOTTKY. POUR DE TELS MATERIAUX, IL EST NECESSAIRE DE REDUIRE LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE ET, POUR CE FAIRE, ON ECLAIRE LA DIODE PAR UN FLUX CONTINU DE FORTE INTENSITE, SUPERPOSE A UN FAISCEAU DE TEST MONOCHROMATIQUE DE FAIBLE INTENSITE. POUR DISTINGUER LES DEUX FAISCEAUX, ON DOIT DONC UTILISER UNE TECHNIQUE DE MODULATION ET DE DEMODULATION SYNCHRONE. NOUS AVONS COMPLETEMENT AUTOMATISE CETTE EXPERIENCE. CECI NOUS A PERMIS D'ETUDIER EN DETAIL L'INFLUENCE DES PARAMETRES DE MESURE TELS QUE L'INTENSITE DU FLUX CONTINU ET LA FREQUENCE DE MODULATION DU FAISCEAU DE TEST. EN ETUDIANT L'INFLUENCE DE L'INTENSITE DU FLUX CONTINU, NOUS AVONS MONTRE QUE LA MESURE OBTENUE EST UNE VALEUR APPARENTE DE LP, DIMINUANT LORSQUE L'INTENSITE AUGMENTE ET DEVENANT INDEPENDANTE DE CELLE-CI A PARTIR D'UNE CERTAINE INTENSITE (DE L'ORDRE DE 1 SOLEIL, SOIT 100 MW?CM##2 ENVIRON). PAR AILLEURS, NOS RESULTATS EXPERIMENTAUX NOUS ONT AMENES A PRENDRE EN COMPTE L'INFLUENCE DU CONTACT ARRIERE DE LA DIODE QUI PEUT APPORTER UNE CONTRIBUTION PERTURBANT LA MESURE. CECI NOUS A CONDUIT A APPLIQUER UNE METHODE DE MESURE DIFFERENTIELLE, AVEC LA PRESENCE D'UN TROISIEME FLUX CONTINU, AFIN DE S'AFFRANCHIR DE L'INFLUENCE DU CONTACT ARRIERE. ENFIN NOUS AVONS UTILISE CETTE TECHNIQUE POUR ETUDIER L'INFLUENCE DE L'INCORPORATION DE GERMANIUM DANS DES ALLIAGES SILICIUM-GERMANIUM AMORPHES. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT QUE LA LONGUEUR DE DIFFU

Download or read book ETUDE DES CENTRES PROFONDS DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE A SI H PAR DES MESURES D ADMITTANCES DE DIODES SCHOTTKY written by Jean-Paul Kleider and published by . This book was released on 1987 with total page 314 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DETERMINATION DES CARACTERISTIQUES DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE PAR MESURE ET ANALYSE DES ADMITTANCES DE DIODES SCHOTTKY FOURNIES SUR CE MATERIAU: DENSITE D'ETATS EN-DESSOUS ET AU NIVEAU DE FERMI AVEC SECTION DE CAPTURE EFFICACE DES ELECTRONS ET ENERGIE D'ACTIVATION DU MATERIEL

Download or read book Contribution L tude Des tats Localis s Et Du Dopage Du Silicium Amorphe Hydrog n written by Didier Jousse and published by . This book was released on 1986 with total page 280 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE PAR PHOTODEFLECTION THERMIQUE, RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE, ABSORPTION OPTIQUE ET MESURES DE LA PHOTOCONDUCTIVITE ET DE CAPACITE DE DIODE SCHOTTKY. IDENTIFICATION DE DEFAUTS DIAMAGNETIQUES, ASSOCIES A LA PRESENCE DE MICROCAVITES ET DES LIAISONS DISPONIBLES COMME DEFAUTS PRINCIPAUX DANS A-SI:H NON DOPE, LES LIAISONS DISPONIBLES DEVENANT DOMINANTES DANS LE CAS DE DOPAGE PAR B OU AS; MISE EN EVIDENCE D'UN ELARGISSEMENT DE LA QUEUE DE BANDE DE VALENCE POUR DES RAPPORTS DOPANT/SILICIUM SUPERIEURS A 0,1%AT; SIGNATURE DES NIVEAUX DE LA LIAISON DISPONIBLE