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Book Contribution l tude th orique des vibrations de d fauts dans le silicium

Download or read book Contribution l tude th orique des vibrations de d fauts dans le silicium written by Pierre Pfeuty and published by . This book was released on 1968 with total page 75 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book tudes sur les d fauts tendus dans le silicium

Download or read book tudes sur les d fauts tendus dans le silicium written by Bernard Leroy (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1983 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Contribution l tude des d fauts introduits par irradiation dans le silicium

Download or read book Contribution l tude des d fauts introduits par irradiation dans le silicium written by Keiji Matsui and published by . This book was released on 1965 with total page 184 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Etude de d fauts de structure apparaissant dans le silicium apr s recuit et li s la pr sence d oxyg ne

Download or read book Etude de d fauts de structure apparaissant dans le silicium apr s recuit et li s la pr sence d oxyg ne written by Colonel Chomard (manager des Forbans).) and published by . This book was released on 1976 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book ETUDE DES DEFAUTS ELECTRIQUES ASSOCIES A L OR ET AU FER DANS LE SILICIUM

Download or read book ETUDE DES DEFAUTS ELECTRIQUES ASSOCIES A L OR ET AU FER DANS LE SILICIUM written by Larbi Selmani and published by . This book was released on 1985 with total page 155 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: INTRODUCTION D'IMPURETES METALLIQUES DANS SI PAR DIFFUSION THERMIQUE. CARACTERISATION PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE. ETUDE DE L'INFLUENCE DE LA CONCENTRATION EN AU SUR LES PROPRIETES DU CENTRE ACCEPTEUR ASSOCIE (EC-0,55 EV). IDENTIFICATION, DANS SI DOPE AU BORE ET AYANT SUBI UNE DIFFUSION DE FER, DE TROIS CENTRES PROFONDS EN ETROITE COLLABORATION AVEC LA VITESSE DU REFROIDISSEMENT

Book tude de d fauts de structure cr s par la diffusion du phosphore dans le silicium

Download or read book tude de d fauts de structure cr s par la diffusion du phosphore dans le silicium written by Patrick Mortini and published by . This book was released on 1973 with total page 186 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book ETUDE DES DEFAUTS ELECTRONIQUEMENT ACTIFS DANS LE SILICIUM RECUIT PAR FAISCEAUX D ELECTRONS PULSES

Download or read book ETUDE DES DEFAUTS ELECTRONIQUEMENT ACTIFS DANS LE SILICIUM RECUIT PAR FAISCEAUX D ELECTRONS PULSES written by Mohammed-Salah Doghmane and published by . This book was released on 1984 with total page 204 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES DEFAUTS ELECTRONIQUEMENT ACTIFS DANS SI PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAUX PROFONDS. EFFET DE LA FLUENCE ET DE L'ENERGIE DES ELECTRONS. ETUDE DU RECUIT SOUS ATMOSPHERE D'HYDROGENE. L'EFFET DE L'IMPLANTATION D'HYDROGENE SUR LES NIVEAUX D'IMPURETES EST ETUDIE

Book Jonctions ultra minces dans le silicium

Download or read book Jonctions ultra minces dans le silicium written by Larbi Laanab and published by . This book was released on 1993 with total page 272 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A L'ETUDE DE JONCTIONS ULTRA-MINCES DANS LE SILICIUM ELABOREES PAR IMPLANTATION IONIQUE ET RECUIT THERMIQUE RAPIDE. NOUS AVONS MONTRE QU'UNE ETAPE DE PREAMORPHISATION PERMET D'ELIMINER L'EFFET DE CANALISATION, DE REDUIRE LA DIFFUSION ANORMALE ET D'ELIMINER LES DEFAUTS DU CENTRE DE LA JONCTION. NEANMOINS LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE, NECESSAIRE A L'ACTIVATION DU BORE, ABOUTIT A LA FORMATION D'UNE BANDE DE DEFAUTS EOR AU-DESSOUS DE L'ANCIENNE INTERFACE C/A. CES DEFAUTS DEGRADENT LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE LA JONCTION ET AUGMENTENT SON COURANT DE FUITE. DANS UNE PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL NOUS AVONS ETUDIE EXPERIMENTALEMENT ET PAR SIMULATION (MODELE CDED) L'AMORPHISATION DU SILICIUM PAR BOMBARDEMENT D'IONS ISOELECTRONIQUES (SI#+, GE#+, SN#+). CETTE ETUDE A ABOUTI A UNE MISE EN FORME ANALYTIQUE DE LA VARIATION DE L'EPAISSEUR DE LA COUCHE AMORPHE EN FONCTION DES PARAMETRES D'IMPLANTATION (DOSE ET ENERGIE). CES RESULTATS PEUVENT ETRE EXPLOITES DANS UN SIMULATEUR DE PROCEDE. NOUS AVONS ENSUITE MONTRE, EN UTILISANT DES TECHNIQUES DE MET, QUE LES DEFAUTS EOR SONT BOUCLES DE DISLOCATION DE NATURES INTERSTITIELLES, LOGEANT DANS DES PLANS (111) ET AYANT DES VECTEURS DE BURGERS DE TYPE A/3111 OU A/2110. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE LES PRINCIPAUX MODELES, ISSUS DE LA LITTERATURE, QUI DECRIVENT LA FORMATION DE CES DEFAUTS. APRES AVOIR TESTE LA VALIDITE DE CHAQUE MODELE NOUS AVONS MONTRE QUE SEUL LE MODELE DIT D'EXCES D'INTERSTITIELS PERMET D'EXPLIQUER LA VARIATION DE LA DENSITE D'EOR EN FONCTION DES CONDITIONS D'IMPLANTATION. NOUS AVONS ENFIN ETUDIE LA VARIATION DE L'EXTENSION DE LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE EN FONCTION DE LA RAIDEUR DU PROFIL DE BORE. NOUS MONTRONS AINSI QU'IL EST POSSIBLE DE CHOISIR DES CONDITIONS DE PREAMORPHISATION QUI PERMETTENT LA FORMATION DE DEFAUTS D'EOR HORS DE LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE

Book ETUDE PAR FROTTEMENT INTERIEUR HAUTE TEMPERATURE DES DEFAUTS STRUCTURAUX DANS LE SILICIUM MONOCRISTALLIN

Download or read book ETUDE PAR FROTTEMENT INTERIEUR HAUTE TEMPERATURE DES DEFAUTS STRUCTURAUX DANS LE SILICIUM MONOCRISTALLIN written by Pascal Gadaud and published by . This book was released on 1987 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES EXPERIENCES DE FROTTEMENT INTERNE HAUTE TEMPERATURE EN BASSE FREQUENCE ONT ETE REALISEES SUR LE SILICIUM NONOCRISTALLIN DEFORME. PLUSIEURS EFFETS DE RELAXATION ONT ETE RELIES A DIFFERENTS COMPORTEMENTS DES DISLOCATIONS EN CORRELATION AVEC LES PARAMETRES STRUCTURAUX. L'INTERPRETATION DE CES RELAXATIONS A PERMIS DE PRECISER LES ENERGIES DES MECANISMES ELEMENTAIRES DE GLISSEMENT ET LE ROLE DU DOPANT, PROPRES A LA STRUCTURE COVALENTE

Book CONTRIBUTION A L ETUDE DE DEFAUTS DANS DES COUCHES EPITAXIALES DE SILICIUM

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE DEFAUTS DANS DES COUCHES EPITAXIALES DE SILICIUM written by REMI.. FERTALA and published by . This book was released on 1982 with total page 142 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: APRES UN RAPPEL DE DONNEES SUR SI ET LES PRINCIPAUX DEFAUTS QU'IL PEUT CONTENIR, IL EST MONTRE QUE LA FORMATION DE DEFAUTS DANS LA COUCHE EPITAXIQUE LORS D'UN RECUIT EST LIEE A L'EXISTENCE DE POLLUTIONS DES ECHANTILLONS PAR DES ATOMES METALLIQUES EN FAIBLE CONCENTRATION. LES DEFAUTS REVELES PAR ATTAQUE CHIMIQUE SONT DES DEFAUTS PONCTUELS ET DES DEFAUTS PLANS. ETUDE DETAILLEE DE CES DEFAUTS PLANS PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION ET DU MECANISME D'ACTION DES TRAITEMENTS GETTER

Book IMPLANTATION INDUCED DEFECTS IN SILICON AND THEIR INFLUENCE ON PLATINUM DIFFUSION

Download or read book IMPLANTATION INDUCED DEFECTS IN SILICON AND THEIR INFLUENCE ON PLATINUM DIFFUSION written by Dirk Christoph Schmidt and published by . This book was released on 1998 with total page 208 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES RECHERCHES CONCERNANT LE TRAVAIL PRESENTE DANS CETTE THESE D'UNIVERSITE ONT ETE EFFECTUEES DANS TROIS PAYS DIFFERENTS DE LA COMMUNAUTE EUROPEENNE ; AU LABORATOIRE DE METALLURGIE PHYSIQUE DE L'UNIVERSITE DE POITIERS, AU LABORATOIRE DU IV. PHYSIKALISCHES INSTITUT DE L'UNIVERSITE DE GOTTINGEN (ALLEMAGNE) ET AU LABORATOIRE D'ELECTRONIQUE DE L'ETAT SOLIDE A L'INSTITUT ROYAL DE TECHNOLOGIE DE STOCKHOLM (SUEDE). L'OR ET LE PLATINE SONT DES IMPURETES METALLIQUES COURAMMENT EMPLOYEES DANS L'INDUSTRIE ELECTRONIQUE POUR CONTROLER LA DUREE DE VIE DES PORTEURS MINORITAIRES DANS LES DISPOSITIFS DE PUISSANCE A FAIBLE TEMPS DE COMMUTATION. RECEMMENT, L'IMPLANTATION AUX IONS LEGERS A MONTRE QU'ELLE POUVAIT ETRE UTILISEE COMME METHODE DE SUBSTITUTION A LA DIFFUSION DES IMPURETES EN RAISON DES DIVERS AVANTAGES QU'ELLE PRESENTE COMME PAR EXEMPLE LA REPRODUCTIBILITE, LA POSSIBILITE DE CHANGER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE LA DIODE A LA FIN DES DIFFERENTES ETAPES DE FABRICATION ET LE FAIT QUE LA TEMPERATURE DE LA DIODE EST BEAUCOUP PLUS BASSE DURANT L'IMPLANTATION QUE PENDANT LA DIFFUSION THERMIQUE. LA COMBINAISON IMPLANTATION-DIFFUSION EST EGALEMENT PROPOSEE COMME UNE METHODE ALTERNATIVE CAR ELLE PERMET DE REDUIRE DE FACON NOTABLE LA TEMPERATURE DE DIFFUSION DES IMPURETES ET DE CONTROLER PRECISEMENT LA POSITION ET LA CONCENTRATION DES CENTRES DE RECOMBINAISON. DANS CETTE THESE, L'INFLUENCE DES DEFAUTS, INTRODUITS PAR IMPLANTATION IONIQUE OU IRRADIATION AUX ELECTRONS, SUR LA DIFFUSION DU PLATINE A ETE ETUDIE. LA PRINCIPALE METHODE DE CARACTERISATION UTILISEE EST LA SPECTROSCOPIE TRANSITOIRE DES NIVEAUX PROFONDS OU DLTS (DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY). CETTE METHODE PERMET DE DETERMINER LES PROFILS DE CONCENTRATION DES DEFAUTS AINSI CREES ET DU PLATINE DIFFUSE. ON OBSERVE QUE LES DEFAUTS, PRODUITS PAR L'IRRADIATION AUX ELECTRONS OU PAR IMPLANTATION IONIQUE DE PROTONS OU DE PARTICULES ALPHA, SONT DECORES PAR LE PLATINE. CE RESULTAT PEUT ETRE EXPLIQUE EN INVOQUANT LES MECANISMES DE DIFFUSION DE TYPE KICK-OUT ET DE FRANK-TURNBULL. AU-DESSOUS D'UNE TEMPERATURE DE DIFFUSION DE 600C ON NE DETECTE AUCUN ATOME DE PLATINE DIFFUSE. CEPENDANT DE NOUVEAUX DEFAUTS, LIES A LA PRESENCE D'INTERSTITIELS, SURGISSENT DANS LE SPECTRE DLTS. ENFIN DES IMPLANTATIONS DE SILICIUM ET DES IRRADIATIONS AUX ELECTRONS DANS DES SUBSTRATS A TEMPERATURES ELEVES ONT ETE REALISEES AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LA NATURE DES DEFAUTS CREES PAR IMPLANTATION/IRRADIATION.

Book tude Sur la Cin tique Des D fauts Structuraux Dans Le Silicium Amorphe

Download or read book tude Sur la Cin tique Des D fauts Structuraux Dans Le Silicium Amorphe written by Jean-François Joly and published by . This book was released on 2013 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: