Download or read book tudes et d veloppement de transistors bipolaires Si SiGe written by Élodie Canderle and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail de cette thèse s'inscrit dans le contexte du développement de la technologie BiCMOS055 en plateforme 300 mm, première technologie BiCMOS en nœud 55 nm au monde, avec des fréquences caractéristiques fT / fMAX = 320 / 370 GHz. Une première partie présente l'étude de différentes solutions visant à réduire la résistance de base extrinsèque de l'architecture DPSA-SEG afin d'améliorer la fréquence maximale d'oscillation fMAX. Nous montrons alors que changer la nature des matériaux n'apporte pas d'amélioration, mais que l'ajout de différents recuits après réalisation de la base intrinsèque permet d'augmenter significativement les performances du transistor tout en restant compatible avec les transistors MOS. La seconde partie de ce travail s'est attachée à démontrer les potentialités d'un transistor avec un module collecteur totalement implanté, où couche enterrée et tranchées d'isolation profondes ont été retirées. Les résultats obtenus montrent qu'il est possible, en optimisant le dessin des structures, d'obtenir des fT et fMAX atteignant respectivement 96% et 91% des paramètres de la technologie de référence. Enfin la dernière partie présente l'étude de l'impact des interconnexions métalliques sur les paramètres électriques du transistor sous-jacent. Il en ressort que la contrainte mécanique a un impact significatif, mais que les interconnexions influencent peu le comportement thermique du composant.

Download or read book D veloppement et tude de transistors bipolaires h t rojonctions Si SiGe C pour les technologies BiCMOS millim triques written by Boris Geynet and published by . This book was released on 2008 with total page 242 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les transistors bipolaires à hétérojonctions (TBH) Si/SiGe:C disponibles aujourd'hui dans les technologies BiCMOS atteignent des fréquences de coupure fT et fmax supérieures à 200GHz. Cela leur permet d'adresser des applications dans le domaine millimétrique jusqu'à 100GHz telles que les radars anticollision pour l'automobile et les communications optiques et sans fil à haut débit. Cette thèse a pour objet le développement et l'étude de TBH Si/SiGe:C pour les technologies BiCMOS millimétriques. Après un rappel des principes de fonctionnement du transistor bipolaire, nous montrons les méthodes de fabrication, caractérisation et modélisation des dispositifs de dernière génération. Les architectures choisies et les performances obtenues par les principaux acteurs du marché sont détaillées. Nous présentons ensuite des études menées pour le développement de la technologie BiCMOS9MW de STMicroelectronics. Une version faible-coût du TBH rapide ainsi qu'un dispositif haute-tension compatible avec la technologie sont présentés et les résultats à l'état de l'art obtenus sur les deux architectures sont montrés. Nous étudions également l'impact des variations des paramètres technologiques et de la géométrie des dispositifs sur les principales caractéristiques de ces composants. La dernière partie de ce travail de thèse est consacrée au développement de nouvelles solutions technologiques afin d'améliorer encore la fréquence de transition des TBH Si/SiGe:C. Un optimisation du profil vertical du TBH a pu être réalisée grâce au développement d'un nouveau module de collecteur utilisant une épitaxie sélective et la réduction du budget thermique vu par les dispositifs durant leur fabrication. Cette dernière étude a permis d'atteindre une fréquence de transition fT· supérieure à 400GHz à température ambiante, ce qui représente la meilleure performance obtenue à ce jour pour un transistor en technologie silicium.

Download or read book D veloppement et tude de transistors bipolaires h t rojonctions Si SiGe verticaux sur substrats SOI minces written by Grégory Avenier and published by . This book was released on 2006 with total page 179 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les applications radio-fréquences nécessitent le développement de technologies BiCMOS sur SOI. Cette étude a pour objectif l'intégration d'un transistoir bipolaire dans une technolgie 0.13um sur substrat SOI. Le choix de l'architecture s'est porté sur une structure émetteur-base auto-alignée et un collecteur implanté. Les transistoirs fabriqués ont montré un comportement particulier résultant de la faible épaisseur du collecteur, localisé dans la couche supérieure du SOI. Ce fonctionnement atypique a pu être expliqué grâce à une étude de l'avalanche du collecteur. Une série d'optimisation a ainsi été proposée, grâce à la compréhension des mécanismes de désertion dans le collecteur, et un modèle compact a été développé à partir du modèle HiCUM, en adaptant la topologie du collecteur. Finalement, cette étude a donné lieu au développement d'une technologie BiCMOS complète intégrant des transistors MOS complémentaires et les transistors bipolaires issus de cette étude.

Download or read book Nanoelectronics written by and published by Elsevier. This book was released on 2018-10-05 with total page 477 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nanoelectronics: Devices, Circuits and Systems explores current and emerging trends in the field of nanoelectronics, from both a devices-to-circuits and circuits-to-systems perspective. It covers a wide spectrum and detailed discussion on the field of nanoelectronic devices, circuits and systems. This book presents an in-depth analysis and description of electron transport phenomenon at nanoscale dimensions. Both qualitative and analytical approaches are taken to explore the devices, circuit functionalities and their system applications at deep submicron and nanoscale levels. Recent devices, including FinFET, Tunnel FET, and emerging materials, including graphene, and its applications are discussed. In addition, a chapter on advanced VLSI interconnects gives clear insight to the importance of these nano-transmission lines in determining the overall IC performance. The importance of integration of optics with electronics is elucidated in the optoelectronics and photonic integrated circuit sections of this book. This book provides valuable resource materials for scientists and electrical engineers who want to learn more about nanoscale electronic materials and how they are used. Shows how electronic transport works at the nanoscale level Demonstrates how nanotechnology can help engineers create more effective circuits and systems Assesses the most commonly used nanoelectronic devices, explaining which is best for different situations

Download or read book ETUDE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN A DOUBLE HETEROJONCTION SI SIGE SI PAR SIMULATIONS MONTE CARLO written by SYLVIE.. GALDIN RETAILLEAU and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE PORTE SUR LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A DOUBLE HETEROJONCTION SI/SIGE/SI QUI OFFRE LES AVANTAGES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION (TBH), RAPPELES DANS LE PREMIER CHAPITRE, TOUT EN PROFITANT DE LA TECHNOLOGIE SILICIUM, PARFAITEMENT MAITRISEE. POUR COMPENSER L'ABSENCE DE DISCONTINUITE NATURELLE DE LA BANDE DE CONDUCTION AU NIVEAU DE L'HETEROJONCTION SI/SIGE, UNE COUCHE SI-P A ETE INSEREE ENTRE L'EMETTEUR ET LA BASE. NOUS ETUDIONS, EN PREMIER LIEU, L'INJECTION ET LE TRANSPORT DANS LA BASE EN SIMULANT, A L'AIDE D'UN MODELE PARTICULAIRE DE TYPE MONTE-CARLO, L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE POUR DEUX COMPOSITIONS DE LA BASE SIGE DU TRANSISTOR : L'UNE A COMPOSITION DE GERMANIUM CONSTANTE (HETEROJONCTION ABRUPTE), L'AUTRE A COMPOSITION GRADUELLE DE GERMANIUM. NOUS METTONS EN EVIDENCE L'INTERET D'UN TRANSPORT BALISTIQUE POUR AMELIORER LE COMPORTEMENT DYNAMIQUE DU TRANSISTOR. L'AVANTAGE DE LA STRUCTURE A HETEROJONCTION ABRUPTE, DU POINT DE VUE DU TEMPS DE TRANSIT DES ELECTRONS, NOUS A CONDUIT A SIMULER LE TBH REEL ASSOCIE AFIN D'ETUDIER LES PROBLEMES DE GEOMETRIE BIDIMENSIONNELLES ET DE COLLECTION (AUTOPOLARISATION, EFFET KIRK). NOUS AVONS, EN PARTICULIER, EXAMINE LE PHENOMENE DE BARRIERE PARASITE QUI APPARAIT, EN FORTE INJECTION, A L'HETEROJONCTION BASE-COLLECTEUR EN CONCOMITANCE AVEC L'EFFET KIRK. EN DERNIER LIEU, NOUS AVONS MIS AU POINT UNE METHODE DE MESURE DIRECTE DE LA FREQUENCE DE TRANSITION, QUI NE NECESSITE AUCUNE HYPOTHESE DE SCHEMAS EQUIVALENTS, A PARTIR DE SIMULATIONS MONTE-CARLO DYNAMIQUES. LES VARIATIONS DU GAIN EN COURANT EN FONCTION DE LA FREQUENCE SONT OBTENUES EN EFFECTUANT UNE DECOMPOSITION EN SERIE DE FOURIER DES COURANTS BASE ET COLLECTEUR. NOUS AVONS OBTENU UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 70 GHZ

Download or read book Etude et d veloppement d une nouvelle architecture de transistor bipolaire h t rojonction Si written by Alexis Gauthier and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux présentés dans cette thèse portent sur le développement et l'optimisation de transistors bipolaires pour les futures générations de technologies BiCMOS. La technologie de référence est le BiCMOS055 présentant des fT et fMAX de respectivement 320 et 370 GHz. Dans un premier temps, il est montré que l'optimisation du profil vertical comprenant le budget thermique, le profil de la base et du collecteur notamment permet d'atteindre une fT de 400 GHz tout en restant compatible avec les transistors CMOS. Dans un second temps, le développement d'un collecteur implanté est présenté. La co-implantation du carbone avec le phosphore permet d'obtenir des substrats sans défaut, un contrôle de la diffusion précis ainsi que des performances électriques prometteuses. Une fréquence de transition fT record de 450 GHz est notamment atteinte grâce à des règles de dessins optimisées. Un module STI peu profond (SSTI) est développé afin de compenser l'augmentation de la capacité base / collecteur liée à ce type de technologie. Dans un troisième temps, l'intégration sur silicium d'une nouvelle architecture de transistor bipolaire ayant pour but de surmonter les limitations de la DPSA-SEG utilisée en BiCMOS055 est détaillée et les premiers résultats sont discutés. Cette partie démontre toutes les difficultés d'une intégration d'un transistor bipolaire de nouvelle génération dans une plateforme CMOS. La fonctionnalité de l'architecture émetteur / base est démontrée à travers des mesures dc. Pour terminer, la possibilité d'une intégration en 28 nm est évaluée à travers des travaux spécifiques, notamment au niveau des implantations à travers le SOI, et une ouverture sur les éventuelles intégrations 3D est réalisée.

Download or read book D veloppement et caract risation de transistors bipolaires a h t rojonctions Si SiGe pour les circuits radiofr quences written by Sébastien Jouan and published by . This book was released on 2001 with total page 182 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book D veloppement et tude de transistors bipolaires h t rojonctions Si SiGeC de type pnp sur substrats SOI minces written by Julien Duvernay and published by . This book was released on 2008 with total page 232 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Récemment, les transistors bipolaires de type pnp sur silicium ont connu un regain d’intérêt avec le développement des technologies BiCMOS complémentaires. De plus, en utilisant un substrat SOI mince au lieu d’un substrat massif, les caractéristiques des transistors MOS et des composants passifs s’en trouvent améliorées. Le travail effectué durant cette thèse a pour objet la mise au point et l’étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGeC de type pnp sur SOI mince performants, en vue de leur intégration dans une technologie BiCMOS SiGe complémentaire sur SOI mince

Download or read book Transistor bipolaire Si SiGe C en n ud CMOS avanc pour applications sub millim triques written by Thomas Lacave and published by . This book was released on 2011 with total page 228 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) Si/SiGe offerts dans les technologie BiCMOS actuellement en production atteignent des fréquences maximales d’oscillation fMAX proches de 300 GHz. Il est ainsi possible d’adresser des applications dans le domaine millimétrique jusqu’à 100 GHz, telles que les radars anticollision pour automobiles (77 GHz), les communications optiques (100 Gb/s) et sans fil haut débit (60 GHz) avec ces technologies BiCMOS. L’objectif des travaux présentés dans ce manuscrit était d’améliorer les performances en fréquences des TBH Si/SiGe, et plus particulièrement fMAX, afin de préparer la prochaine génération de technologie BiCMOS. Tout d’abord, les principes de fonctionnement du transistor bipolaire sont rappelés et l’architecture du composant étudié est présentée. Les différents paramètres définissant le profil de dopage sont étudiés et leurs influences sur les performances fréquentielles du transistor et notamment sur le compromis entre la fréquence de transition du gain en courant fT et fMAX. sont détaillées. La réduction des dimensions latérales du transistor dont le but est de diminuer les résistances et capacités parasites a fait l’objet d’une étude dont les résultats ont montré les bénéfices, mais également les limitations, quant à l’augmentation de fMAX. Ces études ont permis de démontrer la faisabilité d’intégrer un TBH de fT ~ 300 GHz et fMAX ~ 400 GHz dans un nœud CMOS 55 nm. Enfin, les différentes générations de composant mis au point pendant ces travaux, pour lesquelles des valeurs de fT entre 250 GHz et 320 GHz, et des valeurs de fMAX entre 330 GHz et 420 GHz, sont comparées entre elles ainsi qu’à la technologie BiCMOS9MW (fT = 220 GHz, fMAX = 280 GHz) actuellement en production. Cette comparaison concerne les performances en bruit et en puissance (grand signal) aux fréquences millimétriques. Les bénéfices de nos travaux ont également été démontrés à travers les résultats de circuits réalisés par des partenaires universitaires. Un de ces circuits a notamment été utilisé pour la fabrication d’un démonstrateur d’imagerie active à 160 GHz.

Download or read book ETUDE STATIQUE ET DYNAMIQUE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTIONS TBH SIGE SUR SILICIUM INTEGRES DANS UNE TECHNOLOGIE BIPOLAIRE written by BENEDICTE.. LE TRON and published by . This book was released on 1995 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE LE DEVELOPPEMENT D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION SIGE SUR SILICIUM (TBH), DANS LE CADRE DE LA TECHNOLOGIE BIPOLAIRE AUTO-ALIGNEE, A EMETTEUR POLYSILICIUM GRAVE DEVELOPPEE AU CNET-MEYLAN. L'HETEROJONCTION SIGE-SI PERMET DE REDUIRE LA RESISTANCE DE LA BASE SANS DEGRADER LE GAIN DU TRANSISTOR ET D'OBTENIR DE FAIBLES TEMPS DE TRANSIT. NOUS PRESENTONS LA NOUVELLE STRUCTURE EMETTEUR-BASE ET L'INTEGRATION TECHNOLOGIQUE DE LA BASE MINCE EPITAXIEE SIGE DANS LE PROCEDE DE FABRICATION BIPOLAIRE. PUIS LE FONCTIONNEMENT ET LES PROPRIETES PHYSIQUES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION SONT DECRITES. L'ANALYSE STATIQUE A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE L'EFFET DE LA PERIPHERIE DES TRANSISTORS DANS LES VERSIONS MUREES ET NON MUREES, EN PARTICULIER DU POINT DE VUE DES COURANTS DE FUITE. LA CARACTERISATION DYNAMIQUE DE CES COMPOSANTS A REVELE L'IMPACT DU DOPAGE DU COLLECTEUR (EFFET KIRK PREMATURE) SUR LA FREQUENCE DE TRANSITION DU TRANSISTOR, CECI A PARTIR DE L'EXTRACTION DES PARAMETRES DU CIRCUIT EQUIVALENT. L'ETUDE DES PROPRIETES PHYSIQUES A BASSE TEMPERATURE A PERMIS DE DISSOCIER LA REDUCTION DE LA BANDE INTERDITE DE LA BASE DUE AU GERMANIUM DE CELLE DUE AU FORT DOPAGE. NOUS AVONS EGALEMENT MIS EN EVIDENCE LA PRESENCE DE BARRIERES DE POTENTIEL PARASITES DE PART ET D'AUTRE DE LA BASE, NOTAMMENT DANS LE CAS DES TRANSISTORS DE PETITE GEOMETRIE. AINSI NOUS AVONS PU EXPLIQUER LE FONCTIONNEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE DES TBH REALISES AU CNET MEYLAN.

Download or read book Caract risation de transistors bipolaires h t rojonctions Si SiGe int gr s written by Myriam Assous and published by . This book was released on 1999 with total page 210 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse concerne la caractérisation de transistors 1 bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe (TBH SiGe). Mon rôle a été d'étudier certaines spécificités du comportement électrique du TBH SiGe liées à la présence d'une base épitaxiée, et de mettre ainsi en évidence ce qui apparaissait comme atypique dans le fonctionnement de ce dispositif par rapport au transistor bipolaire silicium actuel. Dans ce contexte, nous avons porté une attention particulière à l'étude du courant de fuite de la jonction base-collecteur et à l'étude de la recombinaison en base neutre. Nous nous sommes attachés à corréler nos mesures électriques à la technologie. Nous avons ainsi contribué a l'amélioration du nettoyage avant l'épitaxie et de la qualité cristalline du matériau SiGe. Nos analyses électriques de la recombinaison en base neutre nous : ont permis de mettre au point une méthode d'extraction de la durée de vie apparente des électrons dans la base neutre. Cette méthode apporte les 1 éléments de base pour formuler une modélisation du courant de recombinaison en base neutre qui peut être intégrée dans un modèle compact de TBH (utilisable pour la simulation de circuits). Enfin, nous avons fourni les grandeurs électriques de TBH SiGe pour évaluer par la simulation de circuits le gain en performances apporté par ce dispositif pour des applications radiofréquences.

Download or read book Strategic Planning Decisions in the High Tech Industry written by Dilek Cetindamar and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2013-02-05 with total page 261 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The scale and complexity of research and practices of open innovation mandate a correspondingly sophisticated form of decision making. Strategic Planning Decisions brings together a number of tools that ease the decision process in technology companies, providing both conceptual frameworks and practical applications. Innovative approaches are presented such as an ontology-based model where all the relevant aspects of a potential technology are interrelated to provide a comprehensive and logically connected data pool for decision makers. Divided into two sections, Strategic Planning Decisions describe both strategic approaches using the decision tools, and tactical approaches. Some of these tools are expanded while some others are embedded in a model that will lay the ground for practical application. These include: bibliometric analysis, ontology, roadmapping, lead user, six sigma, and multi-actor & multi-objective decision making methods Recent research and relevant theory are balanced with up–to–date practical applications and hands–on techniques making Strategic Planning Decisions ideal for engineers who wish to keep up–to–date with current ideas in the field of TM. It also provides workable methods for practising managers from all levels who wish to apply a more rigorous approach in their work and consultants concerned with technology assessment and its management.

Download or read book Le Transistor Bipolaire H t rojonction Si SiGe sous contraintes lectromagn tiques des d gradations lectriques l analyse structurale written by Ali Alaeddine and published by . This book was released on 2011 with total page 213 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse propose une nouvelle méthodologie pour l‟étude de la fiabilité des Transistors Bipolaires à Hétérojonctions (TBHs) en technologie SiGe. L‟originalité de cette étude vient de l‟utilisation d‟une contrainte électromagnétique efficace et ciblée à l‟aide du banc champ proche. Ce type de contrainte a permis de dégrader les performances de ce composant en mettant en évidence certains mécanismes de défaillance. Les caractérisations statiques ont montré la présence des courants de fuite à l‟interface Si/SiO2, non seulement entre la base et l‟émetteur, mais aussi entre la base et le collecteur. Ceci est attribué à un phénomène de piégeage induit par des porteurs chauds qui ont été engendrés pendant la durée du vieillissement. Ce phénomène a été abordé par la modélisation physique en étudiant l‟influence des pièges d‟interfaces sur la dérive des performances électriques du TBH. Afin de visualiser les défaillances qui peuvent être détectées par microscopie, des observations en haute résolution MET (Microscope Electronique à Transmission) et des analyses EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) ont été présentées. Ces analyses microscopiques ont mis en évidence les dégradations des couches de titane autour de l‟émetteur, de la base et du collecteur. Ces dégradations sont attribuées à un phénomène de migration de l‟or (Au) vers le titane (Ti) due à la forte densité de courant induite par vieillissement. Ces réactions Au-Ti provoquent une augmentation de la résistivité des couches conductrices et expliquent une partie de la dégradation significative des performances dynamiques du TBH.

Download or read book Etude des d fauts induits lors de l int gration des transistors bipolaires a h t rojonction Si SiGe dans une technologie BiCMOS avanc e written by Liviu-Laurentiu Militaru and published by . This book was released on 2000 with total page 300 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le transistor bipolaire à hétérojonction Si/Si Ge permet d'étendre le domaine d'utilisation des technologies intégrées sur silicium vers des applications pour les télécommunications rapides. En effet, les progrès technologiques ont permis l'utilisation de l'alliage silicium-germanium (contraint sur silicium) comme base Du transistor bipolaire. L'obtention des filières technologiques stables et bien maitrisées, intégrant l'alliage silicium-germanium, est un élément majeur pour la mise en production de ce type de transistors. La possibilité de développer une filière BiCMos (association dans une même puce des transistors bipolaires et mos) intégrant les transistors bipolaires a hétérojonction Si/SiGe offre des nombreux avantages : performances dynamiques élevées, faible cout, faible consommation, haute densité d'intégration. Notre objectif a été de caractériser électriquement des transistors bipolaires a hétérojonction Si/SiGe dans le but d'identifier les effets parasites qui peuvent pénaliser les performances statiques et dynamiques de ces transistors. Cette étude comporte deux parties principales. Dans un premier temps, les caractéristiques courant-tension statiques nous ont permis d'identifier les processus physiques de conduction aux jonctions Emetteur-base et base-collecteur en fonction de la tempera ture et de la tension de polarisation. Nous avons ainsi observe que ces caractéristiques sont dégradées par la présence de centres profonds. Ensuite, par des mesures de transitoire de capacité et de bruit télégraphique, nous avons caractérisé ces défauts profonds dans le but de déterminer leur localisation spatiale et propriétés physiques (énergie d'activation, section Efficace de capture). Ces études nous ont per1v1is de mettre en évidence l'effet des défauts profonds sur les caractéristiques statiques ou sur les performances de bruit basses fréquences, ainsi que d'indiquer les étapes technologiques qui sont a leur origine.

Download or read book Etude et fabrication de transistors bipolaires h t rojonctions Si SiGe TBH int gr s dans une fili re BiCMOS industrielle 0 5 written by Elisabeth de Berranger-Marinet and published by . This book was released on 1998 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail concerne les Transistors Bipolaires à Hétérojonctions (TBH) Si/SiGe. Nous présentons comment des TBH ont été intégrés dans une filière Bi CM OS du Centre Commun CNET -SGS Thomson. Au préalable, afin de définir l'architecture la mieux adaptée au contexte et de tirer le meilleur parti possible de l'utilisation de SiGe, les différents paramètres (profil de germanium, position du bore par rapport à la zone SiGe...) influençant le fonctionnement des TBH ont été étudiés, en particulier grâce à la mise en place d'un environnement de simulation adapté aux hétéro structures. Les contraintes technologiques et leurs conséquences sur les dispositifs ont été prises en compte. Les premiers résultats ont permis de mettre en évidence un certain nombre de problèmes technologiques que nous avons résolus. La caractérisation électrique a montré une nette amélioration des performances et a précisé les atouts réels de SiGe dans un contexte BiCMOS pourtant initialement jugé peu favorable. Nous avons aussi vérifié que les transistors MOS n'étaient pas perturbés. Ce travail démontre donc la faisabilité de l'intégration des TBH dans une filière BiCMOS et offre des perspectives pour l'évolution des structures.

Download or read book Etude et validation d un mod le de transistor bipolaire d di aux applications hautes fr quences written by Dominique Berger and published by . This book was released on 2004 with total page 256 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le développement de transistors bipolaires dédiés aux applications hautes fréquences a mis en évidence les limites des modèles électriques de ce dispositif. Le transistor étant utilisé dans des conditions de fonctionnement fortement non-linéaires, le modèle employé Lors de la conception du circuit doit pouvoir décrire le comportement physique du transistor sur une large gamme de polarisations. Après avoir défini les besoins des utilisateurs ainsi que les modèles disponibles dans le domaine publique, le choix de l'étude du modèle HICUM a été fait. La physique du transistor bipolaire est rappelée afin de décrire ce modèle. La compréhension des origines physiques du modèle a permis, par la suite, de développer un modèle dit paramétré. Ce modèle paramétré prend en compte les variations géométriques des paramètres physiques du transistor. Cette étude est complétée par la description des étapes d'extraction des paramètres du modèle HICUM ainsi que ceux du modèle paramétré. La mise en place de ces méthodes a permis de valider les deux modèles sur des transistors a hétérojonctions SiGe les plus rapides.

Download or read book Etude de l appariement des transistors bipolaires h t rojonction Si SiGe issus de technologies bicmos written by Stéphane Danaie and published by . This book was released on 2007 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse porte sur l'appariement des transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) Si/SiGe issus de technologies BiCMOS. L'objectif de cette étude est d'identifier les mécanismes physiques qui sont à l'origine des fluctuations aléatoires des paramètres électriques. La comparaison des résultats expérimentaux obtenus sur différentes familles de TBH a permis, dans un premier temps, de dégager les propriétés typiques des fluctuations aléatoires des courants base et collecteur. Dans le régime idéal de fonctionnement, des modèles physiques basés sur les fluctuations du nombre de dopants ont été établis. Dans le régime des faibles courants, la dégradation de l'appariement du courant base a été interprétée grâce à un modèle physique, basé sur les fluctuations du nombre de défauts à la jonction émetteur/base, et consolidée par une caractérisation de l'appariement après un stress de type porteurs chauds. Enfin, à forts courants, les origines de la dégradation de l'appariement des courants base et collecteur due aux résistances d'accès ont été validées expérimentalement.