Download or read book tude par photoconductivit de d fauts dans le silicium p et le silicium n dop au lithium irradi s written by Monique Cherki and published by . This book was released on 1970 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book D fauts dans le silicium de type P irradi par protons written by Serge Mottet (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1977 with total page 215 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE LA FORMATION DES DEFAUTS PAR IRRADIATION EN PROTONS DE FAIBLE OU MOYENNE ENERGIE, COMPRISES ENTRE 20 KEV ET 10 MEV, DANS LE SILICIUM DE BASE DES PHOTOPILES. DETERMINATION DE LA NATURE DES DEFAUTS ET DE LEURS CINETIQUES DE FORMATION. ETUDE DES DUREES DE VIE DES PORTEURS DE CHARGES DANS LES PHOTOPILES IRRADIEES ET DE LEUR EVOLUTION DANS DES MATERIAUX PRESENTANT DIFFERENTS CONTENUS EN IMPURETES. DESCRIPTION DES MESURES DE CAPACITE DE JONCTION MISES EN OEUVRE POUR L'IDENTIFICATION DES NIVEAUX D'ENERGIE ASSOCIES AUX DEFAUTS.

Download or read book tude de la formation d agr gats de d fauts ponctuels et d impuret s de lithium dans le silicium cristallin par m thodes Monte Carlo cin tique written by Mickaël Trochet and published by . This book was released on 2017 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse est composée de trois articles scientifiques et est séparée en deux parties : «Théorie, Méthodologie et Algorithmie» et «Simulations, Analyses et Résultats». Elle présente nos travaux sur les méthodes numériques atomistiques ainsi que leur application à des systèmes à base de silicium cristallin. La première partie, composée de trois chapitres, introduit la problématique des processus activés suivis de l'utilisation de la théorie de l'état de transition permettant d'aborder cette thématique. On enchaînera sur les points clés de la méthode de Monte-Carlo cinétique, avec une revue historique des avancées qui ont été faites jusqu'à ce jour. Le second chapitre présente la Technique d'Activation-Relaxation cinétique (ARTc), un algorithme de Monte-Carlo cinétique (KMC) hors réseau avec construction \textit{à la volée} du catalogue des transitions à partir de la Technique d'Activation-Relaxation nouveau (ARTn). ARTn est une méthode de recherche de point de selle sans connaissance a priori de la destination finale. Elle capture entièrement les potentiels effets élastiques pouvant être causés par la présence de défauts ou d'impuretés dans le voisinage proche ou lointain de la région analysée. La première partie se termine par notre premier article, qui traite en détail les récentes additions algorithmiques, de ces cinq dernières années, apportées à ARTc. S'en suit la seconde partie, composée aussi de trois chapitres, dont le quatrième chapitre est une mise en contexte comportant : les propriétés de base du silicium telles que ses phases cristallines; une définition des différents types de défauts ponctuels existant dans les cristaux; une présentation des potentiels interatomiques utilisés; une introduction sur le phénomène du bruit télégraphique; les phases binaires c-LiSi; une discussion sur l'amorphisation rapide de l'anode de c-Si lors de la première lithiation. Le cinquième chapitre explique l'agrégation et détaille les chemins de diffusions des défauts intrinsèques dans le silicium cristallin. La caractérisation d'amas de défauts intrinsèques et les différentes transitions présentées dans le cinquième chapitre ainsi que les travaux de Jay \textit{et al.} ~\cite{Jay2017} ont permis d'identifier une des causes responsables du phénomène de bruit télégraphique (RTS) observé dans les semi-conducteurs fortement endommagés. En effet, le mouvement oscillatoire des états non-diffusifs de certains agrégats de défauts intrinsèques de petites tailles, dont les niveaux d'énergies sont non-dégénérés, peut être associé aux fluctuations en tension ou en courant mesurées dans ces matériaux. Le sixième chapitre caractérise les états d'énergies des différentes configurations de systèmes à faibles concentrations d'impureté de lithium dans le silicium cristallin. Nous montrons à l'aide d'ARTc que les impuretés de lithium interagissent très faiblement entre elles, les agrégats formés étant aussitôt dissociés dus à une contribution non négligeable d'entropie configurationnelle.

Download or read book Contribution l tude des d fauts cr s par irradiation lectronique dans des alliages semiconducteurs silicium germanium de type N et P written by Jean-Jacques Goubet and published by . This book was released on 1998 with total page 623 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le but de cette etude est de caracteriser les defauts crees par irradiation electronique dans des couches epitaxiees d'alliage silicium-germanium de type n et p. Apres une analyse des donnees rapportees dans la litterature concernant les defauts profonds ponctuels et etendus dans le silicium (si), le germanium (ge) et l'alliage silicium-germanium (sige), les techniques de mesure sont presentees avec un examen particulier des effets parasites rencontres qui necessitent une modification des modeles classiques d'interpretation des mesures experimentales. Enfin, nous presentons les resultats obtenus pour des couches relaxees d'alliage si#0#.#7ge#0#.#3 de type n et pour des couches contraintes ou relaxees d'alliages de type p contenant de 2 a 30% de ge. A l'aide des techniques capacite-tension, c(v), et courant-tension, i(v), nous montrons que les degats d'irradiation (accroissement du courant des diodes en inverse et en direct, augmentation de la compensation du materiau) sont d'autant plus importants que le taux de ge est faible. Une determination systematique de la position des niveaux d'energie et de la section apparente de capture des defauts natifs et d'irradiation a l'aide de la spectroscopie de transitoires de capacite (deep level transient spectroscopy) d'une part, et une etude des taux d'introduction, des profils sous la surface des couches d'alliage et de la stabilite thermique des defauts d'irradiation d'autre part, nous a permis de proposer une identification pour chacun des centres observes par comparaison avec les resultats presentes dans la litterature pour les defauts dans si, ge et sige.

Download or read book UNE NOUVELLE GENERATION D ETUDE SPECTROSCOPIQUE A HAUTE RESOLUTION DES DEFAUTS ELECTRONIQUES DANS LE SILICIUM written by Rubaldo and published by . This book was released on 2001 with total page 254 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS NOUS INTERESSONS A L'ETUDE DE DEFAUTS PROFONDS DANS LE CRISTAL DE SILICIUM EN UTILISANT UNE NOUVELLE TECHNIQUE ISOTHERME DE DLTS, APPELEE LAPLACE DLTS (LDLTS). LA LDLTS, BASEE SUR LA METHODE DE REGULARISATION DE TIKHONOV, PERMET D'AMELIORER LA RESOLUTION ENERGETIQUE D'AU MOINS UN ORDRE DE GRANDEUR PAR RAPPORT A LA DLTS CLASSIQUE. TOUT D'ABORD, NOTRE ETUDE EXPERIMENTALE A PORTE SUR LE CENTRE A CREE PAR DES IRRADIATIONS DE PROTONS OU D'ELECTRONS. EN COMBINANT LA LDLTS AVEC L'APPLICATION DE CONTRAINTES UNIAXES DANS LES DIRECTIONS CRISTALLOGRAPHIQUES 100, 110 ET 111, NOUS AVONS CONFIRME SA SYMETRIE ORTHORHOMBIQUE AU SEIN DU CRISTAL DE SILICIUM. NOUS AVONS MONTRE QUE LA VARIATION DU NIVEAU ELECTRONIQUE DU CENTRE A NE POUVAIT PAS ETRE QUANTIFIEE UNIQUEMENT PAR LES DEFORMATIONS LE LONG DE LA LIAISON DISTORDUE SI-SI. DANS SON ETAT DE CHARGE NEUTRE, LE CENTRE A SE REORIENTE SOUS PRESSION DE FACON A REDUIRE LES CONTRAINTES LE LONG DE SON AXE C 2 V ET QUE DURANT CETTE REORIENTATION L'ATOME D'OXYGENE S'ALIGNE LE LONG DE LA DIRECTION 111 POUR LA CONFIGURATION ATOMIQUE AU POINT SELLE. DANS L'ETAT DE CHARGE NEGATIF, UNE BARRIERE DE REORIENTATION SUPERIEURE A CELLE DE L'ETAT NEUTRE A ETE OBTENUE, SUGGERANT UNE REPULSION COULOMBIENNE ENTRE L'ATOME D'OXYGENE ET LA LIAISON DISTORDUE SI-SI. NOUS AVONS POURSUIVI NOTRE ETUDE PAR LDLTS SUR LES DEFAUTS OR ET OR-HYDROGENE, INTRODUITS DANS LE SILICIUM APRES DIFFUSION D'OR ET TRAITEMENT CHIMIQUE. DANS DU SILICIUM DE TYPE N, NOUS AVONS DISSOCIE POUR LA PREMIERE FOIS LES DEFAUTS AU-/0 ET AUH -/ 0 POSSEDANT DES VITESSES D'EMISSION TROP PROCHES POUR ETRE DECELEES PAR LA DLTS CLASSIQUE. POUR DES CONCENTRATIONS EN OR ET HYDROGENE SUPERIEURES, NOUS AVONS MONTRE L'EXISTENCE D'UN DEFAUT SUPPLEMENTAIRE QUE NOUS AVONS ASSOCIE A UN COMPLEXE AUH 2-/0. EN COMBINANT LA LDLTS AVEC DES CONTRAINTES UNIAXES, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LA PROPRIETE DE REORIENTATION INSTANTANEE POUR LES DEFAUTS AU ET AUH DANS DU SILICIUM DE TYPE P ET N.

Download or read book D fauts dans le silicium de type P irradi par protons written by Serge Mottet and published by . This book was released on 1977 with total page 214 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book IMPLANTATION INDUCED DEFECTS IN SILICON AND THEIR INFLUENCE ON PLATINUM DIFFUSION written by Dirk Christoph Schmidt and published by . This book was released on 1998 with total page 208 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES RECHERCHES CONCERNANT LE TRAVAIL PRESENTE DANS CETTE THESE D'UNIVERSITE ONT ETE EFFECTUEES DANS TROIS PAYS DIFFERENTS DE LA COMMUNAUTE EUROPEENNE ; AU LABORATOIRE DE METALLURGIE PHYSIQUE DE L'UNIVERSITE DE POITIERS, AU LABORATOIRE DU IV. PHYSIKALISCHES INSTITUT DE L'UNIVERSITE DE GOTTINGEN (ALLEMAGNE) ET AU LABORATOIRE D'ELECTRONIQUE DE L'ETAT SOLIDE A L'INSTITUT ROYAL DE TECHNOLOGIE DE STOCKHOLM (SUEDE). L'OR ET LE PLATINE SONT DES IMPURETES METALLIQUES COURAMMENT EMPLOYEES DANS L'INDUSTRIE ELECTRONIQUE POUR CONTROLER LA DUREE DE VIE DES PORTEURS MINORITAIRES DANS LES DISPOSITIFS DE PUISSANCE A FAIBLE TEMPS DE COMMUTATION. RECEMMENT, L'IMPLANTATION AUX IONS LEGERS A MONTRE QU'ELLE POUVAIT ETRE UTILISEE COMME METHODE DE SUBSTITUTION A LA DIFFUSION DES IMPURETES EN RAISON DES DIVERS AVANTAGES QU'ELLE PRESENTE COMME PAR EXEMPLE LA REPRODUCTIBILITE, LA POSSIBILITE DE CHANGER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE LA DIODE A LA FIN DES DIFFERENTES ETAPES DE FABRICATION ET LE FAIT QUE LA TEMPERATURE DE LA DIODE EST BEAUCOUP PLUS BASSE DURANT L'IMPLANTATION QUE PENDANT LA DIFFUSION THERMIQUE. LA COMBINAISON IMPLANTATION-DIFFUSION EST EGALEMENT PROPOSEE COMME UNE METHODE ALTERNATIVE CAR ELLE PERMET DE REDUIRE DE FACON NOTABLE LA TEMPERATURE DE DIFFUSION DES IMPURETES ET DE CONTROLER PRECISEMENT LA POSITION ET LA CONCENTRATION DES CENTRES DE RECOMBINAISON. DANS CETTE THESE, L'INFLUENCE DES DEFAUTS, INTRODUITS PAR IMPLANTATION IONIQUE OU IRRADIATION AUX ELECTRONS, SUR LA DIFFUSION DU PLATINE A ETE ETUDIE. LA PRINCIPALE METHODE DE CARACTERISATION UTILISEE EST LA SPECTROSCOPIE TRANSITOIRE DES NIVEAUX PROFONDS OU DLTS (DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY). CETTE METHODE PERMET DE DETERMINER LES PROFILS DE CONCENTRATION DES DEFAUTS AINSI CREES ET DU PLATINE DIFFUSE. ON OBSERVE QUE LES DEFAUTS, PRODUITS PAR L'IRRADIATION AUX ELECTRONS OU PAR IMPLANTATION IONIQUE DE PROTONS OU DE PARTICULES ALPHA, SONT DECORES PAR LE PLATINE. CE RESULTAT PEUT ETRE EXPLIQUE EN INVOQUANT LES MECANISMES DE DIFFUSION DE TYPE KICK-OUT ET DE FRANK-TURNBULL. AU-DESSOUS D'UNE TEMPERATURE DE DIFFUSION DE 600C ON NE DETECTE AUCUN ATOME DE PLATINE DIFFUSE. CEPENDANT DE NOUVEAUX DEFAUTS, LIES A LA PRESENCE D'INTERSTITIELS, SURGISSENT DANS LE SPECTRE DLTS. ENFIN DES IMPLANTATIONS DE SILICIUM ET DES IRRADIATIONS AUX ELECTRONS DANS DES SUBSTRATS A TEMPERATURES ELEVES ONT ETE REALISEES AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LA NATURE DES DEFAUTS CREES PAR IMPLANTATION/IRRADIATION.

Download or read book Contribution a l etude des defauts crees par irradiation electronique dans des alliages semiconducteurs silicium germanium de type N et P written by Jean-Jacques Goubet and published by . This book was released on 1998 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book DEFAUTS INDUITS DANS LE SILICIUM PAR LE GRAVURE PLASMA written by AMRANE.. BELKACEM and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PROBLEMES INHERENTS A LA GRAVURE PLASMA EN GENERAL ET LES PMM EN PARTICULIER, ONT ETE ETUDIES. AU COURS DE CE TRAVAIL, NOUS AVONS MONTRE QUE LE PROFIL DE DOPAGE DES SUBSTRATS SI DE TYPE P, PERTURBE PAR L'INTRODUCTION D'HYDROGENE DURANT LA GRAVURE POUVAIT ETRE RESTAURE PAR UN SIMPLE TRAITEMENT THERMIQUE A 200C. NOUS AVONS EGALEMENT MONTRE PAR DLTS, QUE QUATRE NIVEAUX PROFONDS (DEUX DANS SI-P ET DEUX DANS SI-N) ETAIENT SYSTEMATIQUEMENT GENERES PAR CETTE OPERATION. UNE ANALYSE DETAILLEE DE CES NIVEAUX A MONTRE QUE DEUX D'ENTRE EUX SONT DUS A DES DEFAUTS D'IRRADIATION SIMPLES, ALORS QUE L'ORIGINE DES DEUX AUTRES PEUT ETRE ATTRIBUEE A UN DEFAUT COMPLEXE ASSOCIANT DEFAUT D'IRRADIATION ET CONTAMINATION PAR DES ESPECES SF#X. AFIN DE S'EN AFFRANCHIR, NOUS AVONS OPTIMISE LE PROCEDE DE GRAVURE (DETERMINATION D'UNE GAMME DE POLARISATION ENTRAINANT UNE GRAVURE S'ACCOMPAGNANT DE PEU OU PAS DE DEFAUTS). UN TRAITEMENT THERMIQUE APPROPRIE PERMET EGALEMENT DE REDUIRE SENSIBLEMENT LA CONCENTRATION DES DEFAUTS EVENTUELLEMENT PRESENTS VOIRE LES ELIMINER TOTALEMENT. PAR AILLEURS, UNE FORTE CONTAMINATION METALLIQUE A ETE OBSERVEE. UNE ANALYSE FINE DE CE TYPE DE POLLUTION A MONTRE QU'ELLE ETAIT LIEE A LA STRUCTURE MEME DES REACTEURS UTILISES ET POUVAIT ETRE CONSIDERABLEMENT ELIMINEE SINON REDUITE PAR: I) UNE AMELIORATION DE LA STRUCTURE DU REACTEUR; II) UN TRAITEMENT ADEQUAT DES PAROIS DU REACTEUR. DANS TOUS LES CAS DE FIGURE, NOUS AVONS CLAIREMENT DEMONTRE QU'UN TRAITEMENT RCA EFFECTUE APRES GRAVURE SUPPRIMAIT TOUTE POLLUTION RESIDUELLE (DEFAUTS OU CONTAMINATION METALLIQUE). ENFIN, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QUE LA GRAVURE PERTURBE SENSIBLEMENT LA SURFACE DU MATERIAU. CE PROBLEME A ETE RESOLU PAR L'AMELIORATION DU PROCEDE DE GRAVURE ET PAR L'UTILISATION D'UN NETTOYAGE DE SURFACE ADEQUAT

Download or read book ETUDE DE L ENDOMMAGEMENT INDUIT DANS LE SILICIUM PAR DES IONS LOURDS DE GRANDE ENERGIE written by PATRICK.. MARY and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES ECHANTILLONS DE SILICIUM ONT ETE IRRADIES AVEC DES FAISCEAUX D'IONS KRYPTON (3.7 GEV), XENON (3.5 GEV) ET URANIUM (3.8 GEV). L'ENDOMMAGEMENT A ETE SUIVI PENDANT L'IRRADIATION A L'AIDE DE LA MESURE DE LA RESISTANCE ELECTRIQUE DES ECHANTILLONS. LES MESURES D'EFFET HALL ONT MONTRE QUE L'AUGMENTATION DE LA RESISTANCE EST PRINCIPALEMENT DUE A LA COMPENSATION DU DOPANT. LA METHODE DLTS A PERMIS DE MONTRER QUE LES PRINCIPAUX DEFAUTS INDUITS ETAIENT IDENTIQUES AUX DEFAUTS CREES PAR DES PARTICULES LEGERES (ELECTRONS): V-O, V-V... LES PROFILS DE CONCENTRATION, DETERMINES PAR LA METHODE DDLTS, METTENT BIEN EN EVIDENCE L'INFLUENCE DE LA MIGRATION DES LACUNES SUR LA FORMATION DES COMPLEXES A LA TEMPERATURE AMBIANTE. UNE SIMULATION DES COURBES R-T A D'UNE PART PERMIS DE DETERMINER LES TAUX DE CREATION DE CHAQUE TYPE DE DEFAUT ET D'AUTRE PART DE MONTRER QUE LA LACUNE ISOLEE EST LE PRINCIPAL DEFAUT CREE DANS LE SILICIUM DE TYPE N PAR LES IRRADIATIONS REALISEES A 77 K. CES TAUX DE CREATION, NORMALISES PAR LA SECTION EFFICACE DE DEPLACEMENT, ONT ETE COMPARES AUX TAUX DE CREATION DES COMPLEXES INDUITS PAR IRRADIATION AUX ELECTRONS; IL APPARAIT QUE LA FORTE EXCITATION ELECTRONIQUE DANS L'INTERVALLE 3,7-29 MEV/M, EST INEFFICACE VIS-A-VIS DE LA CREATION DE DEFAUTS DANS LE SILICIUM

Download or read book Contribution l tude des d fauts introduits par irradiation dans le silicium written by Keiji Matsui and published by . This book was released on 1965 with total page 184 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS INDUITS PAR LE RECUIT RAPIDE ISOTHERME DANS LE SILICIUM written by Mohamed Remram and published by . This book was released on 1987 with total page 105 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE, PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAU PROFOND, DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS INTRODUITS PAR LE RECUIT RAPIDE ISOTHERME DANS LE SILICIUM PUR OU IMPLANTE. TROIS NIVEAUX PIEGES ONT ETE OBSERVES DANS SI DOPE PAR LE BORE ET RECUIT ENTRE 850 ET 1050C. L'IMPLANTATION PAR AS**(+) OU PF**(+)::(5) CHANGE LE NIVEAU D'UN DE CES PIEGES. UN PIEGE A ELECTRONS A ETE DETECTE DANS LE CAS D'UNE FORTE DOSE D'IONS AS, POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT DE 1100C

Download or read book Etude dans le silicium de l interaction des impuret s et des d fauts produits par irradiation written by Alain Brelot and published by . This book was released on 1972 with total page 53 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book tude des d fauts li s l oxyg ne dans le silicium Czochralski destin aux cellules solaires photovolta ques Influence des impuret s isovalentes written by Florent Tanay and published by . This book was released on 2013 with total page 228 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail a pour but de comprendre les effets de deux principaux défauts liés à l’oxygène, les complexes bore-oxygène et les donneurs thermiques, sur les propriétés électriques et photovoltaïques du silicium. Plus particulièrement, les interactions des impuretés isovalentes, connues pour modifier la distribution spatiale de l’oxygène, avec ces défauts ont été étudiées. Deux protocoles expérimentaux ont d’abord été développés pour évaluer la dégradation de la durée de vie des porteurs de charge sous éclairement dans le silicium riche en fer. Ensuite, il a été mis en évidence que l’introduction de germanium et d’étain en très grande quantité dans le silicium n’influence pas de façon significative le rendement de conversion des cellules. Cependant, contrairement à ce qui a été récemment avancé dans la littérature, aucune limitation due au co-dopage au germanium ou à l’étain de la dégradation sous éclairement des performances photovoltaïques n’a été observée. Par contre, il a été montré que le carbone entraîne un ralentissement de la dégradation due aux complexes bore-oxygène. Egalement, contrairement à l’étain qui n’influence pas la génération des donneurs thermiques, le germanium conduit à un ralentissement de la formation de ces défauts. Une expression empirique a été proposée pour rendre compte de cet effet, et ce pour une large gamme de teneurs en germanium. Enfin, dans le silicium très dopé et très compensé, la génération des donneurs thermiques est identique au cas du silicium standard. Ceci constitue un résultat marquant puisqu’il permet de valider par l’expérience le fait que la formation des donneurs thermiques est limitée par la teneur en électrons.

Download or read book ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DE DEFAUTS GENERES LORS DE L ELABORATION DE CELLULES SOLAIRES A PARTIR DE SILICIUM POLYCRISTALLIN RAD written by TOUNES.. MOUDDA AZZEM and published by . This book was released on 1985 with total page 159 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DESCRIPTION DU SILICIUM POLYCRISTALLIN UTILISE A L'HEURE ACTUELLE DANS LA FABRICATION DES PHOTOPILES ET EN PARTICULIER DU SILICIUM RAD (RIBBON AGAINST DROP). LA QUALITE DES PHOTOPILES FABRIQUEES A PARTIR DE CES CRISTAUX DEPEND A LA FOIS DES DEFAUTS PRESENTS DANS LE MATERIAU DE BASE ET DES DEFAUTS SUPPLEMENTAIRES CREES LORS DES TRAITEMENTS THERMIQUES ULTERIEURS A LA CROISSANCE. ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DES DEFAUTS CREES DANS LE VOLUME LORS DE L'ETAPE DE BRULAGE DU SUPPORT DANS L'OXYGENE ET DES DEFAUTS INDUITS PAR LE PROCESSUS D'ELABORATION DE LA JONCTION N**(+)/P PAR DIFFUSION DU PHOSPHORE (SOURCE POCL::(3))

Download or read book ETUDE DES DEFAUTS ELECTRIQUES ASSOCIES A L OR ET AU FER DANS LE SILICIUM written by Larbi Selmani and published by . This book was released on 1985 with total page 155 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: INTRODUCTION D'IMPURETES METALLIQUES DANS SI PAR DIFFUSION THERMIQUE. CARACTERISATION PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE. ETUDE DE L'INFLUENCE DE LA CONCENTRATION EN AU SUR LES PROPRIETES DU CENTRE ACCEPTEUR ASSOCIE (EC-0,55 EV). IDENTIFICATION, DANS SI DOPE AU BORE ET AYANT SUBI UNE DIFFUSION DE FER, DE TROIS CENTRES PROFONDS EN ETROITE COLLABORATION AVEC LA VITESSE DU REFROIDISSEMENT

Download or read book Etude des d fauts cristallins dans le silicium par diffusion de la lumi re written by Vanessa Monier and published by . This book was released on 2010 with total page 136 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'étude des précipités d'oxygène et des dislocations dans le silicium représente un enjeu important pour l'amélioration de la qualité des substrats SOI ou silicium. La technique LST (« Laser Scattering Tomography »), particulièrement adaptée à la densité ou la taille relativement faibles des défauts recherchés, est basée sur la diffusion de la lumière infrarouge. Ces travaux présentent les développements nécessaires de cette technique pour la mesure puis l'étude du comportement et de l'évolution des défauts. La taille des précipités d'oxygène individuels, à présent accessible, permet d'étudier leur croissance au cours du temps pour différentes températures et morphologies. L'étude des défauts étendus en fonction de la polarisation de la lumière incidente est ensuite détaillée. Le développement de la théorie de la diffusion de la lumière par les dislocations combinée aux différents développements de la technique LST permet la détermination complète du système de glissement d'une boucle de dislocation non décorée. Enfin, les mesures LST permettent de discriminer les dislocations décorées des non décorées.