Download or read book tude de la gravure du tungst ne du silicium du carbure de silicium et d une r sine en fonction de la temp rature du substrat dans un magn toplasma onde de surface written by Fouad Bounasri and published by . This book was released on 1998 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Gravure profonde du silicium par le proc d cryog nique written by Thomas Tillocher and published by . This book was released on 2006 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: En microélectronique de puissance, l'intégration des composants peut être optimisée en reportant une partie des fonctions en face arrière du substrat de silicium. Ces dernières sont interconnectées par des vias qui peuvent être réalisés par gravure plasma. L'objectif de ce travail de thèse a consisté à graver, par le procédé cryogénique, des trous de 20 μm traversant de part en part le substrat de silicium sur une épaisseur de 400 μm. Nous avons optimisé les paramètres procédé, tels que les débits de gaz, la puissance source et la tension d'autopolarisation, en nous appuyant sur des diagnostics plasma. Ces expériences ont permis également d'étudier les mécanismes réactionnels dans le plasma de gravure ainsi que l'interaction de ce dernier avec la surface en silicium. Nous avons mis en évidence, par spectrométrie de masse, l'existence d'un seuil d'oxydation en fonction du pourcentage d'oxygène sur des substrats de silicium non masqués. Il est caractéristique d'un régime de passivation et se manifeste par une forte diminution de la vitesse de gravure. Ce résultat permet d'interpréter les mécanismes de gravure de profils anisotropes. Nous avons, par ailleurs, caractérisé le procédé de gravure des trous en fonction de certains paramètres, notamment la température du substrat. Nous avons pu montrer que le point de procédé y était très sensible. Un porte-substrat homogène en température est donc requis requis pour s'affranchir des non-uniformités de gravure. L'uniformité en température a pu être mise en évidence par une nouvelle technique reposant sur les zones d'apparition du silicium noir (microstructures colonnaires). Malgré ses performances attrayantes (vitesse de gravure moyenne de 7 μm.min-1), le procédé souffre d'un manque de robustesse et est à l'origine d'une gravure sous masque et d'un bombage latéral des parois importants. Nous avons mis au point deux nouveaux procédés, qui ont fait l'objet d'un dépôt de brevet. Ils permettent de réduire les défauts de gravure et de rendre le procédé plus robuste en température.

Download or read book Simulation multi chelle de la gravure profonde du silicium par proc d Bosch written by Amand Pateau and published by . This book was released on 2014 with total page 186 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude porte sur le développement d’une approche multi-échelle pour la simulation de la gravure profonde du silicium par procédé Bosch. Ce travail a été effectué dans le cadre d’un contrat CIFRE entre l’Institut des Matériaux Jean Rouxel et STMicroelectronics Tours. Cette approche multi-échelle est composée de trois modules permettant d’étudier l’évolution spatio-temporelle du profil gravé. Le premier module comporte le modèle cinétique de la décharge plasma. Il permet le calcul des densités et flux d’espèces prises en compte dans le schéma réactionnel. Ce modèle a été appliqué séparément aux mélanges SF6/O2/Ar et C4F8. Le deuxième module basé sur la technique Monte-Carlo permet le calcul des fonctions de distribution angulaires et énergétiques des ions traversant la gaine. Les différents flux d’espèces chimiquement actives et les fonctions de distribution calculés par ces deux modules sont ensuite injectés, comme paramètres d’entrée, dans le module de gravure. Ce dernier est basé sur une approche Monte-Carlo cellulaire qui permet de décrire l’évolution spatio-temporelle des profils gravés, leur composition chimique à la surface ainsi que la vitesse de gravure. Une telle approche est bien adaptée à la prédiction des profils de gravure profonde du silicium sous un procédé Bosch en fonction des paramètres " machine ". L’influence des paramètres " machine " sur le comportement cinétique du plasma, la dynamique de la gaine et l’évolution des profils a été étudiée. Les comparaisons des résultats issus du modèle cinétique et ceux de l’expérience montrent un accord satisfaisant. D’autre part, les profils simulés sont prometteurs avant la calibration du modèle de gravure.

Download or read book Gravure profonde cryog nique du silicium dans un r acteur ICP utilisant une chimie SF6 O2 written by Mohamed Boufnichel and published by . This book was released on 2002 with total page 260 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse concerne d'une part, l'étude des mécanismes de gravure et de passivation ayant lieu lors de la gravure du silicium (massif et SOI) par un plasma SF6/O2 et d'autre part, la mise au point d'un procédé de gravure profonde optimisé sur un réacteur industriel ICP. L'objectif est de graver des tranchées à fort facteur d'aspect (ouverture: 2 à 4 æm et profondeur ? 60 æm) en un temps compétitif (vitesse de gravure ? 5æm/min) en vue de réaliser des caissons d'isolation par tranchée sur silicium et sur SOI. La technique de gravure choisie est la cryogénie. Très peu utilisée pour l'instant comparé au procédé bosch mais qui semble néanmoins prometteuse pour l'avenir. La première phase de ce travail a consisté à caractériser le plasma électriquement et chimiquement par sonde de Langmuir et Spectroscopie d'Emission Optique. Les évolutions des caractéristiques du plasma en fonction des paramètres de procédé ont été corrélées à celles des profils de gravure. Il a ainsi été possible d'expliquer le comportement de certains mécanismes impliqués dans la gravure du silicium et de les maîtriser afin d'atteindre l'objectif fixé par le cahier des charges. La seconde phase de l'étude concerne la mise au point d'un procédé de gravure optimisé sur substrat silicium et transposable ensuite sur des substrats SOI. Pour cela, il a fallu étudier et trouver la cause de certains effets négatifs comme le bowing et le notching. Finalement, la cryogénie s'avère avantageuse en tous points (pour ces objectifs précis de tranchée) par rapport au procédé à température ambiante et le remplissage des profils par LPCVD se fait sans difficultés. Néanmoins, un très bon contrôle de la température du substrat s'avère indispensable pour garantir une bonne uniformité des profils de gravure. Ce point (facteur limitant) qui concerne le porte-substrat est en cours d'étude par l'équipementier : une fois maîtrisée, la cryogénie deviendra un atout majeur en gravure sèche.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU COMPORTEMENT MECANIQUE A HAUTE TEMPERATURE DU NITRURE ET DU CARBURE DE SILICIUM written by Michel Boussuge and published by . This book was released on 1985 with total page 224 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ON PROPOSE UNE APPROCHE DE L'ESSAI DE DOUBLE TORSION DANS DES CONDITIONS NON PLUS LINEAIRES-ELASTIQUES MAIS VISCOPLASTIQUES, AFIN D'EVALUER L'ENDOMMAGEMENT A HAUTE TEMPERATURE DES CERAMIQUES THERMOMECANIQUES DE SI::(3)N::(4) ET SIC FRITTEES