Download or read book tude de la diffusion de l hydrog ne dans le silicium written by Abdelhamid Chari and published by . This book was released on 1988 with total page 184 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail concerne le comportement physico-chimique de l’hydrogène dans le silicium.Dans une première partie, nous avons décrit par des techniques de mesure électrique l’interaction entre l’hydrogène et les dopants. Nous avons observé que l'hydrogène désactivait une proportion importante des accepteurs peu profonds dans le silicium.L'étude du comportement en diffusion de l’hydrogène dans le silicium montre que le processus de diffusion dépend fortement du type de conductivité et surtout du taux de dopape.Les mesures d'absorption infrarouge ont montré que l’hydrogène formé de complexe (Si H---B) neutre dans lequel la liaison de l’hydrogène se fait principalement avec le bore.La deuxième partie de ce travail concerne l'activité électrique du joint de flexion symétrique Σ=25 du silicium. Brut de croissance, ce joint est inactif. Il devient actif à la suite de traitements thermiques adéquats. Cette activité électrique a été corrélée à la présence de cuivre ségrégé ou précipité dans le joint.La passivation par l’hydrogène de cette activité électrique est sélective.

Download or read book Contribution a l tude du silicium amorphe vapore en ultra vide et post hydrog ne written by Jean-Christophe Flachet and published by . This book was released on 1983 with total page 96 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Présentation des propriétés générales du silicium amorphe et du silicium amorphe hydrogène. Description des techniques de fabrication de couches minces de silicium amorphe hydrogène et des méthodes d'études expérimentales utilisées. Résultats expérimentaux obtenus sur la diffusion de l'hydrogène et sur la caractérisation du matériau

Download or read book Contribution l tude des effets li s au transport de l hydrog ne dans les couches minces et les dispositifs base de silicium amorphe et microcristallin written by Nans Pham and published by . This book was released on 2009 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans cette thèse nous nous sommes intéressés à certains aspects liés au transport de l'hydrogène dans le silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et microcristallin (μc-Si:H). Après avoir amélioré le dispositif expérimental dédié à la mesure de l'hydrogène effusant de a-Si:H sous éclairement, nous avons mis en évidence que, avant d'effuser, lh'ydrogène diffuse dans le matériau sous forme moléculaire, car la recombinaison a lieu au sein du matériau. De plus, bien que la quantité d'hydrogène effuséee hors de l'échantillon soit très faible, les mesures d'ellipsométrie et d'exodiffusion thermique montrent que l'éclairement modifie considérablement la distribution de l'hydrogène dans le matériau. Dans une deuxième partie nous avons observé par ellipsométrie spectroscopique la cinétique de cristallisation par transport chimique de couches de a-Si:H dopé et intrinsèque. Nous avons auinsi confirmé le caractère particulier de a-Si:H de type p, par rapport aux types i et n, du fait du bore qui ralentit la gravure et favorise la diffusion de l'hydrogène nécessaire au recuit chimique. Nous avons conçu un modèle de diffusion limitée par les pièges afin d'interpréter la sortie de l'hydrogène de l'échantillon dès que la cristallisation commence. Dans une troisième partie, nous avons étudié les phénomènes de pelage se produisant dans les couches de μc-Si:H utilisées dans la fabrication de transistors à effet de champ. Ces effets sont attribués d'une part à l'accumulation de l'hydrogène à l'interface avec le substrat et d'autre part aux contraintes mécaniques présentes aux interfaces. Nous avons mis en évidence qu'un plasma H2 prolongé sur le substrat prévenait le pelage

Download or read book Etude in situ par ellipsom trie et spectrom trie de masse du transport de l hydrog ne dans a Si H written by Fatiha Kail and published by . This book was released on 2005 with total page 294 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse porte sur l'étude par ellipsométrie et spectroscopie de masse du transport de l'hydrogène dans le silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H). L'objectif est de mettre en lumière le rôle de l'hydrogène dans la cristallisation du a-Si:H et dans sa dégradation sous éclairement, ce qui présente un intérêt primordial pour l'optimisation des dispositifs photovoltaïques. La première partie est consacrée au rôle de l'hydrogène dans l'effet Staebler-Wronski. Nos résultats montrent que l'hydrogène sort de la couche sous illumination et que la diffusion de l'hydrogène sous éclairement est un effet à longue portée. La sortie de l'hydrogène s'accompagne de modifications qui dépendent de la structure du matériau : i) relaxation et densification du a-Si:H, ii) accumulation de l'hydrogène à la surface des cristallites dans le cas d'un matériau nanostructuré (pm-Si:H). Dans la seconde partie, nous avons exposé des couches a-Si:H à un plasma d'hydrogène. Dans le cas d'un réacteur avec des parois propres, ceci conduit à la diffusion de l'hydrogène dans la couche et à sa gravure. Dans le cas de parois couvertes de a-Si:H, nous avons observé, en plus de la diffusion de l'hydrogène dans le aSi:H, le dépôt d'une couche de μc-Si:H par transport chimique, et la cristallisation du a-Si:H de départ sur une épaisseur de 10 nm. Qui plus est, la cristallisation est accompagnée d'une sortie de l'hydrogène du matériau, malgré son exposition au plasma d'hydrogène. La sortie de l'hydrogène peut s'expliquer par la dérive de l'hydrogène sous l'effet du champ électrique généré à l'interface entre la couche microcristalline et le a-Si:H de départ.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES CONFIGURATIONS DE L HYDROGENE DANS LE SILICIUM AMORPHE ET MICRO CRISTALLIN DEPOSE PAR PULVERISATION CATHODIQUE written by LAURENT.. LUSSON and published by . This book was released on 1997 with total page 137 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST DE MONTRER QUE LES DIFFERENTES CONFIGURATIONS ET LA STABILITE THERMIQUE DE L'HYDROGENE (DEUTERIUM) DANS LE SILICIUM AMORPHE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE RF DEPENDENT DES CONDITIONS DE DEPOT DE LA COUCHE ET INFLUENT SUR LA MICROCTRUCTURE DU SILICIUM MICRO-CRISTALLIN QUI EN RESULTE PAR RECUIT THERMIQUE. LES MATERIAUX AMORPHES SONT DEPOSES A PARTIR D'ARGON PUR OU D'ARGON + HYDROGENE (DEUTERIUM), AVEC UNE CATHODE SIMPLE OU UNE CATHODE MAGNETRON, EN FAISANT VARIER LA TEMPERATURE DE SUBSTRAT ET LA PUISSANCE DU PLASMA. LES ANALYSES PAR SIMS, FTIR ET EXODIFFUSION MONTRENT QUE LA CATHODE SIMPLE CONDUIT A DES COUCHES AMORPHES HYDROGENEES QUI PRESENTENT DES ZONES PEU DENSES RICHES EN DEUTERIUM PEU STABLE THERMIQUEMENT, ET DES REGIONS PLUS DENSES, OU L'HYDROGENE EST PLUS STABLE. CECI EST CONFIRME PAR L'ETUDE PAR DIFFRACTION X DE LA RELAXATION DU MATERIAU. UNE TEMPERATURE DE SUBSTRAT PLUS ELEVEE AUGMENTE LES TAUX DE LIAISONS SIMPLES SI-H ISOLEES ET DE LIAISONS THERMIQUEMENT STABLES. ON NE PEUT PAS IDENTIFIER STRICTEMENT LA LIAISON SIMPLE SI-H AVEC LA LIAISON STABLE ET LE DIHYDRIDE SI-H 2 AVEC LA LIAISON LA MOINS STABLE. LA CATHODE MAGNETRON PERMET UNE DISTRIBUTION PLUS HOMOGENE DE L'HYDROGENE DANS LA COUCHE, ACCROIT LE TAUX DE LIAISONS SIMPLES ET L'AUGMENTATION DE LA PUISSANCE DU PLASMA AMPLIFIE CE PHENOMENE. L'ETUDE PAR MET ET DIFFRACTION X DE LA MICROSTRUCTURE DES COUCHES CRISTALLISEES MONTRE QUE LA PRESENCE D'HYDROGENE DANS LA COUCHE AMORPHE CONDUIT A UNE PLUS PETITE TAILLE DE GRAIN QUE POUR LES COUCHES DEPOSEES SANS HYDROGENE. L'IMPORTANCE DES MICRO-CAVITES PRESENTES DANS LES COUCHES CRISTALLISEES EST REDUITE LORSQUE L'HYDROGENE EST DISTRIBUE DE FACON HOMOGENE DANS LE SILICIUM AMORPHE DONT ELLES SONT ISSUES. FINALEMENT, DANS LES COUCHES CRISTALLISEES ET POST-HYDROGENEES, NOUS METTONS EN EVIDENCE LA DIFFUSION DE L'HYDROGENE AUX JOINTS DE GRAINS AINSI QUE SON PIEGEAGE DANS LES MICRO-CAVITES ET SUR LES DEFAUTS INTRA- ET INTER- GRANULAIRES.

Download or read book LOCALISATION ET STABILITE DE L HYDROGENE DANS LE SYSTEME MULTICOUCHE SILICIUM SILICIUM HYDROGENE written by SAOUD.. HOUSSAINI and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DU COMPORTEMENT DE L'HYDROGENE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE PREPARE PAR EVAPORATION, SOUS UN FLUX D'HYDROGENE ATOMIQUE, ET SUR UN SUBSTRAT MAINTENU A BASSE TEMPERATURE. LA STRUCTURE DES LIAISONS DES ATOMES D'HYDROGENE EST ETUDIEE PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE. L'APPROFONDISSEMENT DE L'ETUDE A NECESSITE L'ELABORATION DE MULTICOUCHES DE SILICIUM AVEC UNE COMPOSITION MODULEE EN HYDROGENE. LA DIFFRACTION DES RAYONS X PAR CES SYSTEMES MET EN EVIDENCE LA DIMINUTION DE LA DENSITE ATOMIQUE DU SILICIUM DANS LES COUCHES HYDROGENEES. LA DIFFRACTION DES NEUTRONS PERMET DE LOCALISER L'HYDROGENE ET D'ETUDIER SA DIFFUSION SUR DES DISTANCES COURTES DE L'ORDRE DE QUELQUES ANGSTROMS. LA DIFFUSION SUR DES DISTANCES PLUS IMPORTANTES EST ETUDIEE PAR DES EXPERIENCES D'EXODIFFUSION. FINALEMENT, UNE ETUDE DE L'ALLIAGE MAGNETIQUE AMORPHE TERBIUM-FER HYDROGENE MONTRE LA POSSIBILITE D'ELARGIR LE DOMAINE D'APPLICATION DE CETTE METHODE D'HYDROGENATION A D'AUTRES MATERIAUX AMORPHES

Download or read book INFLUENCE DE LA TENEUR EN SILICIUM SUR LA SOLUBILITE ET LA DIFFUSION DE L HYDROGENE DEUTERIUM DANS LES ALLIAGES PD 1 0 0 XSI X AMORPHES written by AMAR.. BEN TAYEB and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'HYDROGENE (OU LE DEUTERIUM) A ETE UTILISE COMME SONDE AFIN D'OBSERVER LA STRUCTURE ATOMIQUE DES ALLIAGES PD-SI AMORPHES. DANS CE BUT, LA SOLUBILITE DU GAZ AINSI QUE SA DIFFUSION ONT ETE EXAMINEES POUR DES CONCENTRATIONS DE SILICIUM VARIANT ENTRE 14 ET 22 AT%. UN ALLIAGE CRISTALLIN DE STRUCTURE C.F.C. CONTENANT 4 AT% SI (PD#9#6SI#4) A ETE AUSSI ETUDIE. AUPARAVANT, LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES ALLIAGES NON HYDROGENES A ETE EXPLOREE PAR DES MESURES DE RESISTIVITE ELECTRIQUE A BASSES TEMPERATURES ET PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS X (X.P.S.). LE CHARGEMENT DES ECHANTILLONS A ETE EFFECTUE SOUS PRESSION DE GAZ (JUSQU'A 15 MPA) ET POUR DES TEMPERATURES COMPRISES ENTRE 20 ET 200C POUR LES ALLIAGES AMORPHES ET 200 A 500C POUR L'ALLIAGE CRISTALLIN PD#9#6SI#4. DEUX TECHNIQUES ONT ETE UTILISEES POUR SUIVRE L'ABSORPTION (OU LA DESORPTION): THERMOGRAVIMETRIE ET MESURES DE LA RESISTIVITE ELECTRIQUE. LA SOLUBILITE A L'EQUILIBRE, L'ENTHALPIE DE DISSOLUTION, LA DEVIATION PAR RAPPORT A LA LOI DE SIEVERTS, LE COEFFICIENT DE DIFFUSION ET L'ENERGIE D'ACTIVATION CORRESPONDANTE ONT ETE DETERMINEES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE, DE LA CONCENTRATION D'HYDROGENE ET PARTICULIEREMENT DE LA TENEUR EN SILICIUM. TOUS LES RESULTATS TENDENT A MONTRER LA GRANDE INFLUENCE, PRINCIPALEMENT DE LA DISTRIBUTION DES SITES MAIS AUSSI DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES ALLIAGES

Download or read book tude et r alisation de couches de diffusion de gaz en silicium poreux appliqu es la fabrication de micropiles hydrog ne written by Sébastien Desplobain and published by . This book was released on 2009 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de cette thèse a consisté à étudier des procédés de fabrication de couches de diffusion de gaz (GDL) en silicium poreux appliqués à l'intégration de micropiles à combustible de type PEMFC sur plaquette de silicium. Deux types de couches ont été étudiés : sur surface plane (2D) et sur surface texturée (3D). Les couches de diffusion de gaz ont été réalisées par l'anodisation de silicium de type N fortement résistif. Une localisation des motifs poreux a été obtenue par ouverture d'un masque en polysilicium sur oxyde thermique de silicium. Seules les GDL 2D entièrement macroporeuses assuraient un débit d'hydrogène compatible avec les objectifs de fabrication d'une micropile prototype. Le prototype a permis de valider la compabilité de la couche de diffusion de gaz avec les étapes d'empilement des couches actives constitutive de la micropile. Son fonctionnement nous a permis d'atteindre une densité de puissance de 250 mW/cm2.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE AQUEUX written by Abdelhak Belaidi and published by . This book was released on 1999 with total page 149 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DISSOLUTION ANODIQUE DU SILICIUM DE TYPE N DANS DES SOLUTIONS DE HF A ETE ETUDIEE DANS L'OBSCURITE ET SOUS ECLAIREMENT. DANS L'OBSCURITE, UN FAIBLE COURANT ANODIQUE EST OBSERVE POUR DES POTENTIELS VARIANT ENTRE 0,37 ET 4V. LA VALEUR DE CE COURANT CHANGE AVEC LE PH, LA CONCENTRATION DE FLUOR ET LA NATURE DES CATIONS PRESENTS DANS LA SOLUTION. UN MODELE SIMPLE EST PROPOSE POUR EXPLIQUER LA DEPENDANCE DU COURANT ANODIQUE EN FONCTION DE CES PARAMETRES. SOUS FAIBLE INTENSITE LUMINEUSE, LA DISSOLUTION DU SILICIUM DE TYPE N CONDUIT A LA FORMATION DU SILICIUM POREUX. SOUS FORTE INTENSITE LUMINEUSE, LE COMPORTEMENT DU SILICIUM DE TYPE N EST SIMILAIRE A CELUI DU TYPE P. LES MESURES D'IMPEDANCES ET DE SPECTROSCOPIE INFRAROUGE ONT PERMIS D'ETUDIER LA CHIMIE DE SURFACE. L'EFFET DU PH, DE LA CONCENTRATION DE FLUOR ET DE LA NATURE DES CATIONS ONT EGALEMENT FAIT L'OBJET D'UNE ANALYSE DANS CE CAS. LA DISSOLUTION ANODIQUE DU SILICIUM DE TYPE N, EN PRESENCE DU COUPLE REDOX NO +/NO, A ETE DEMONTREE DANS L'OBSCURITE. LA CHIMIE DE SURFACE PENDANT LA FORMATION DU SILICIUM POREUX PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES PROCESSUS INTERFACIAUX. POUR CETTE ETUDE, LES COURBES COURANT-TEMPS ET LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE ONT ETE UTILISEES. ON A CONCLU QUE L'OXYDE EST PRESENT PENDANT LA FORMATION DU SILICIUM POREUX. EN MEME TEMPS, LA CONCENTRATION DES LIAISONS SI-H AUGMENTE A LA SURFACE DU SILICIUM. UN MODELE BASE SUR L'EXISTENCE D'UNE SURFACE ACTIVE ELECTROCHIMIQUEMENT EST PROPOSE. CE MODELE PERMET D'EXPLIQUER LA VARIATION DE LA CONCENTRATION DES LIAISONS SI-H ET SI-O A LA SURFACE. PAR AILLEURS, L'EFFET DE L'HYDROGENE SUR LA SURFACE DU SILICIUM A ETE EXAMINE. DANS L'OBSCURITE, UNE FAIBLE DISSOLUTION DU SILICIUM S'ACCOMPAGNE DE LA FORMATION D'HYDROGENE. L'ETAT DE SURFACE OBTENU DEPEND DE LA DUREE D'IMMERSION DU SILICIUM DANS HF. L'AUGMENTATION DE LA DENSITE DES ETATS DE SURFACE PEUT S'EXPLIQUER PAR LA DIFFUSION DE L'HYDROGENE DANS LE SILICIUM.

Download or read book ETUDE DE LA MODIFICATION DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DANS LES COMPOSES AU SILICIUM ET DE LA LIAISON HYDROGENE PAR DIFFUSION COMPTON written by CHRISTOPHE.. BELLIN and published by . This book was released on 1994 with total page 130 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DIFFUSION COMPTON CONSTITUE UN OUTIL DE CHOIX POUR L'ETUDE DES DENSITES ELECTRONIQUES DANS L'ESPACE DES IMPULSIONS. L'UTILISATION DE CETTE METHODE A PERMIS D'AXER NOS TRAVAUX AUTOUR DE DEUX THEMES MAJEURS: - LES COMPOSES DU SILICIUM, AVEC LE SILICIUM, LE SILICIUM AMORPHE, ET ENFIN, LE DISILICIURE DE COBALT ; - LA LIAISON HYDROGENE DANS KHCO#3, ET DANS LE SILICIUM AMORPHE. CE MEMOIRE A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE, UNE FOIS DE PLUS, L'INTERET DES MESURES DE DIFFUSION COMPTON COMME TEST DE FONCTIONS D'ONDE. DE PLUS, IL A ETE DEMONTRE POUR LA PREMIERE FOIS, PAR COMPARAISON, A QUEL POINT LA DIFFUSION COMPTON ET L'ANNIHILATION DE POSITONS SONT DEUX METHODES D'INVESTIGATION COMPLEMENTAIRES DANS LA CONNAISSANCE DES DENSITES ELECTRONIQUES

Download or read book Etude de la longueur de diffusion des trous et des tats corr l s dans le silicium amorphe hydrog n partir de techniques de photor ponse spectrale sur des diodes Schottky et PIN written by Jamal Dine Sib and published by . This book was released on 1993 with total page 163 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude de la localisation et de la stabilit de l hydrog ne dans le silicium amorphe et le silicium poreux written by Nasreddine Hadj Zoubir and published by . This book was released on 1995 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire est consacré à l'étude des liaisons Si-H dans le silicium amorphe hydrogéné et le silicium poreux à l'aide de la spectrométrie de désorption thermique (TDS) et de la spectrométrie d'absorption infrarouge. Le silicium amorphe est préparé par évaporation réactive en présence d'un plasma ECR d'hydrogène. Pour des températures de substrat Ts inferieures à 120°C, les couches amorphes sont poreuses et incorporent une quantité importante d'oxygène. La structure de ces couches devient plus dense à mesure que la température de substrat augmente: pour Ts égal à 360°C, la contamination par l'oxygène est éliminée et l'hydrogène est lié aux atomes de Si dans les seuls groupesSiH. Un phénomène de densification apparaît également dans des couches préparées en présence d'ions deutérium accélérés par une DDP de 235V. Le silicium poreux est préparé par trempage chimique dans une solution de type NaNO2/HF. L'analyse TDS de ce matériau montre que la désorption de SiH3 et SiF3, avant celle de H2, permet d'expliquer pourquoi la photoluminescence se dégrade aux faibles températures de recuit. Une étude du vieillissement à l'air de ces couches montre une augmentation de l'intensité du signal de photoluminescence en raison d'une meilleure passivation des liaisons pendantes en surface par O2 et H2O.

Download or read book D fauts li s l implantation d hydrog ne dans le silicium monocristallin written by MARIE-FRANCE.. BEAUFORT RICHARD and published by . This book was released on 1990 with total page 120 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES DEFAUTS INDUITS PAR IMPLANTATION D'HYDROGENE SUR DE GRANDES PROFONDEURS DANS DES ECHANTILLONS DE SILICIUM MONOCRISTALLIN. TROIS TYPES D'ECHANTILLONS ONT ETE ANALYSES. LE PREMIER ET LE SECOND AYANT RESPECTIVEMENT COMME PLAN DE SURFACE (111) ET (001), PRESENTENT UNE COUCHE IMPLANTEE SITUEE ENTRE 20 M ET 50 M DE LA SURFACE. LE TROISIEME, DE PLAN DE SURFACE (111) EST IMPLANTE DEPUIS LA SURFACE JUSQU'A 50 M. CES DIFFERENTS ECHANTILLONS ONT ETE ETUDIES A LA SUITE DE RECUITS THERMIQUES DANS UNE GAMME DE TEMPERATURE ALLANT DE L'AMBIANTE JUSQU'A 1100#OC. PAR DIFFUSION DIFFUSE DES RX, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LA PRESENCE D'AMAS DE DEFAUTS PONCTUELS (BOUCLES D'INTERSTITIELS 15 ATOMES) DONT LA TAILLE RESTE CONSTANTE JUSQU'A 400#OC DANS LA REGION 0-20 M DES ECHANTILLONS 1 ET 3, MONTRANT AINSI QUE L'HYDROGENE NE PERTURBE PAS LA CINETIQUE DE MIGRATION DES DEFAUTS PONCTUELS. L'ETUDE EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE COUPES PERPENDICULAIRES A LA SURFACE MET EN EVIDENCE DEUX NOUVEAUX TYPES DE DEFAUTS (A ET B) LIES A L'HYDROGENE, REPARTIS DE MANIERE DIFFERENTE SELON L'ECHANTILLON (1, 2 OU 3) POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT SUPERIEURES OU EGALES A 300#OC. UNE ETUDE APPROFONDIE DE LA STRUCTURE DE CES DEFAUTS NOUS A CONDUIT A MODELISER LEUR FORMATION ET LEUR CROISSANCE DE MANIERE A RENDRE COMPTE DE LEUR MORPHOLOGIE PARTICULIERE

Download or read book D veloppement et mise au point d un proc d innovant de diffusion des dopants N et P pour la fabrication de cellules photovolta ques silicium written by Barbara Bazer-Bachi and published by . This book was released on 2010 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse propose un nouveau procédé de fabrication, compatible avec de faibles épaisseurs de substrat. En effet, à mesure que l’épaisseur diminue, la métallisation aluminium sur la face arrière engendre la courbure des cellules, limitant la fabrication des panneaux. L’usage d’un dopage au bore pour remplacer l’aluminium permet d’éviter la courbure. Il implique l’ajout d’une étape de diffusion, considéré comme coûteux. Le travail de cette thèse consiste donc en la diffusion des dopants N et P en une seule étape, par co-diffusion. La formation de l’émetteur, par dopage N, a été effectuée par diffusion dans un four à basse pression (Lydop). La réduction des recombinaisons dans l’émetteur, dues aux précipités SiP, est étudiée. La variation des paramètres de diffusion permet de constater leur influence sur la qualité passivante de l’émetteur. De plus, une étude du recuit du nitrure de silicium hydrogéné montre que l’hydrogène permet la passivation de l’émetteur. Le dopage P a été obtenu par la diffusion à partir d’un oxyde dopé au bore déposé par PECVD. La compréhension des mécanismes de diffusion à partir de l’oxyde dopé souligne l’importance de l’adaptation des débits de gaz précurseurs afin d’obtenir un dopage maximal, à une température modérée (850°C). Une fois les deux techniques maîtrisées, des cellules solaires ont été réalisées au laboratoire et chez Photowatt. L’amélioration de la qualité de l’émetteur permet d’obtenir un gain en rendement de la cellule. La co-diffusion du bore et du phosphore, est également appliquée. Elle permet de réaliser des structures avec des contacts arrière localisés et de constater sa faisabilité sur une cellule industrielle

Download or read book Contribution a l etude des configurations de l hydrogene dans le silicium amorphe et micro cristallin depose par pulverisation cathodique written by Laurent Lusson and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book tude de la diffusion de l hydrog ne dans des alliages Pd1 xCux par des m thodes Monte Carlo et des simulations ab initio written by Jérémie Gobeil and published by . This book was released on 2015 with total page 86 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etudes Et Documentation Metallurgiques written by and published by . This book was released on 1956 with total page 292 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: