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Book TRANSITIONS INTERSOUSBANDES PHOTO INDUITES DANS LES HETEROSTRUCTURES SI 1 XGE X SI EPITAXIEES SUR SILICIUM

Download or read book TRANSITIONS INTERSOUSBANDES PHOTO INDUITES DANS LES HETEROSTRUCTURES SI 1 XGE X SI EPITAXIEES SUR SILICIUM written by LAN.. WU and published by . This book was released on 1996 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE S'INTERESSE AUX EFFETS DE CONFINEMENT DANS LES HETEROSTRUCTURES SIGE/SI DE FAIBLE EPAISSEUR EPITAXIEES SUR SI. LES TRANSITIONS ENTRE NIVEAUX CONFINES (TRANSITIONS INTERSOUSBANDES) ONT ETE LARGEMENT ETUDIEES AU COURS DES DIX DERNIERES ANNEES NOTAMMENT POUR LEUR APPLICATION A LA PHOTODETECTION INFRAROUGE OU LA REALISATION DE SOURCES LASER INFRAROUGES. UNE DES PARTICULARITES DES HETEROSTRUCTURES QUANTIQUES SI#1#-#XGE#X EST LIEE A LA DISCONTINUITE DE BANDE INTERDITE ENTRE LES DEUX MATERIAUX QUI SE REPORTE ESSENTIELLEMENT EN BANDE DE VALENCE. EN CONSEQUENCE, LES TRANSITIONS INTERSOUSBANDES QUI SONT OBSERVEES FONT INTERVENIR LES DIFFERENTS ETATS DE TROUS (TROUS LOURDS, TROUS LEGERS, SPIN-ORBITE). EN DEHORS DU CENTRE DE LA ZONE DE BRILLOUIN, IL EXISTE UN COUPLAGE ENTRE LES DIFFERENTES SOUS-BANDES. CE COUPLAGE ENTRAINE LA POSSIBILITE D'OBSERVER DES ABSORPTIONS INTERSOUSBANDES POUR DES POLARISATIONS OPTIQUES PARALLELES AU PLAN DES COUCHES. LA REALISATION DE PHOTODETECTEURS OU DE MODULATEURS INFRAROUGES FONCTIONNANT A INCIDENCE NORMALE EST AINSI POSSIBLE. UNE PRESENTATION GENERALE DES HETEROSTRUCTURES SIGE/SI EST PRESENTEE DANS LE CHAPITRE I. ENSUITE, L'ETUDE EXPERIMENTALE DE L'ABSORPTION INTERSOUSBANDE DES PUITS QUANTIQUES SI#1#-#XGE#X EST PRESENTEE DANS LE CHAPITRE II. LA PLUPART DES MESURES ONT ETE REALISEES PAR UNE METHODE ORIGINALE D'ABSORPTION INFRAROUGE PHOTO-INDUITE. L'ABSORPTION INFRAROUGE PHOTO-INDUITE DANS SIGE/SI SE COMPOSE DE DEUX TYPES DE CONTRIBUTIONS: L'ABSORPTION INTERSOUBANDE ET L'ABSORPTION PAR LES PORTEURS LIBRES. APRES UNE DESCRIPTION DE L'ABSORPTION PAR LES PORTEURS LIBRES, LES PROPRIETES INTERSOUSBANDES SONT ANALYSEES EN FONCTION DE L'EPAISSEUR ET DE LA COMPOSITION DES PUITS, DU DOPAGE ET DE LA TEMPERATURE. A LA FIN, DES COMPARAISONS SONT EFFECTUEES ENTRE L'ABSORPTION PHOTO-INDUITE ET L'ABSORPTION DIRECTE DANS DES PUITS DOPES AINSI QU'ENTRE LES PUITS QUANTIQUES SIGE ET LES PUITS QUANTIQUES GAAS. LE CHAPITRE III PRESENTE LES RESULTATS DE MODULATION INFRAROUGE A INCIDENCE NORMALE. UN ACCENT PARTICULIER EST MIS SUR LES EFFETS D'INTERFERENCE ET DE DISPERSION QUI INFLUENT SUR LES PROPRIETES DE MODULATION INFRAROUGE. LE CHAPITRE IV PRESENTE UNE ETUDE DE LA STABILITE THERMIQUE ET L'INTERDIFFUSION DE PUITS QUANTIQUES ETROITS SI#1#-#XGE#X. LES ECHANTILLONS RECUITS ET NON RECUITS SONT TOUT D'ABORD CARACTERISES PAR DIFFRACTION DE RAYONS X. LE PROCESSUS D'INTERDIFFUSION EST ENSUITE ANALYSE PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE A 5 K ET A 77 K. UN MODELE EST DEVELOPPE AFIN D'ESTIMER LE COEFFICIENT D'INTERDIFFUSION DES PUITS QUANTIQUES. L'EVOLUTION DE L'ABSORPTION INTERSOUSBANDE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE RECUIT EST FINALEMENT PRESENTEE

Book Photo mission de puits quantiques et de super r seaux GaAs GaA1As en tat d affinit lectronique n gative

Download or read book Photo mission de puits quantiques et de super r seaux GaAs GaA1As en tat d affinit lectronique n gative written by Romuald Houdré (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1985 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Physical Properties of Amorphous Materials

Download or read book Physical Properties of Amorphous Materials written by David Adler and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2013-06-29 with total page 448 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The Institute for Amorphous Studies was founded in 1982 as the international center for the investigation of amorphous mate rials. It has since played an important role in promoting the und er standing of disordered matter in general. An Institute lecture series on "Fundamentals of Amorphous Materials and Devices" was held during 1982-83 with distinguished speakers from universities and industry. These events were free and open to the public ,and were attended by many representatives of the scientific community. The lectures themselves were highly successful inasmuch as they provided not only formal instruction but also an opportunity for vigorous and stimulating debate. That last element could not be captured within the pages of a book I but the lectures concentrated on the latest advances in the field I which is why their essential contents are he re reproduced in collective form. Together they constitute an interdisciplinary status report of the field. The speakers brought many different viewpoints and a variety of back ground experiences io bear on the problems involved I but though language and conventions vary I the essential unity of the concerns is very clear I as indeed are the ultimate benefits of the many-sided approach.