Download or read book Structure atomique et activit lectrique des d fauts natifs et induits par irradiation dans le carbure de silicium 6H SiC d termin es par annihilation de positions written by Laurent Henry and published by . This book was released on 2001 with total page 243 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le matériau SiC, semiconducteur à large bande interdite, pourrait remplacer le silicium dans le domaine de l'électronique de puissance. Cependant de nombreux défauts sont générés pendant la croissance. De plus, l'implantation ionique constitue le procédé principal de dopage. Les défauts natifs ou induits peuvent jouer un rôle important dans la compensation électrique de ce matériau. Nous avons utilisé l'annihilation de positions pour déterminer la nature des défauts natifs et induits par irradiation avec des protons dans un des polytypes de SiC, le 6H-SiC. Nous avons mesuré le temps de vie du positon et la distribution des quantités de mouvement des paires électron-position (élargissement Doppler de la raie à 511 keV). Ces différentes grandeurs changent avec l'état d'annihilation du positon et sont caractéristiques de la nature des défauts présents (lacunes ou ions). Nous nous sommes intéressés aux défauts de croissance dans des cristaux massifs et des couches épitaxiées 6H-SiC (type n) et aux défauts générés par les irradiations de protons à différentes énergies.

Download or read book Propri t s des d fauts ponctuels natifs et induits par irradiation dans les polytypes 3C et 6H du carbure de silicium d termin es par annihilation de positons et RPE written by Xavier Kerbiriou and published by . This book was released on 2006 with total page 232 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les applications potentielles du carbure de silicium (SiC) en microélectronique ont motivé de nombreuses études sur les défauts ponctuels, qui jouent un rôle important dans la compensation électrique. Ce matériau possède en outre de nombreux atouts pour participer au confinement des matières fissiles dans les réacteurs à caloporteur gazeux du futur (4ème génération). Dans cette thèse, nous avons utilisé la Résonance Paramagnétique Electronique et la Spectroscopie d’Annihilation de Positons pour étudier les propriétés (nature, taille, état de charge, migration et agglomération sous recuit) des défauts ponctuels natifs et induits par irradiation avec différentes particules (H+, e-, ions carbone) dans les polytypes 3C et 6H de SiC. L’étude par annihilation de positons des défauts natifs dans 6H-SiC a permis de mettre en évidence une forte concentration de pièges non lacunaires de type accepteur, qui ne sont pas présents dans les cristaux 3C-SiC. La nature des défauts détectés après irradiation avec des électrons de basse énergie (190keV) dépend du polytype. En effet, si des paires de Frenkel de silicium et des monolacunes de carbone sont détectées dans les cristaux 6H, seules des monolacunes de carbone sont détectées dans les cristaux 3C. Nous proposons que ces différences quant aux populations de défauts ponctuels détectées résultent de valeurs différentes des énergies de seuil de déplacement du silicium dans les deux polytypes (environ 20eV pour 6H et 25eV pour 3C). Par ailleurs, les irradiations avec des protons de 12MeV et des ions carbone de 132MeV créent des monolacunes de silicium ainsi que des bilacunes VSi-VC. Ni la particule (protons ou ions carbone), ni le polytype (3C ou 6H) n’influent sur la nature des défauts générés. Enfin l’étude du recuit de monocristaux 6H-SiC irradiés avec des protons de 12MeV a permis de mettre en évidence plusieurs processus successifs. Le résultat le plus original est l’agglomération des monolacunes de silicium avec les bilacunes VSi-VC qui mène à la formation de trilacunes VSi-VC-VSi.

Download or read book Etude des effets d irradiation dans le polytype cubique du carbure de silicium par les techniques spectroscopiques de photoluminescence et de r sonance paramagn tique lectronique written by Jérémie Lefevre and published by . This book was released on 2015 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail expérimental a consisté en l'étude des défauts ponctuels induits par une irradiation électronique dans la structure cristallographique cubique du carbure de silicium (SiC) au moyen des techniques spectroscopiques de photoluminescence à basse température (LTPL) et de résonance paramagnétique électronique (RPE). Le premier de ces deux outils de mesures a permis d'estimer l'énergie seujl de deplacement dans le sous-réseau silicium puis d'analyser la stabilité thermique des défauts d'irradiation dans le domaine des basses températures (10 - 300K) puis dans la gamme des hautes températures (300 - 1400 K). Par ailleurs, sur la base d'un modèle théorique récent, cette thèse a corroboré la proposition de l'antisite de silicium isolé pour le centre D1 dont la persistance au-delà de la température nominale de fonctionnement des réacteurs nucléaires à fission de génération IV, pour lequel SiC est en partie destiné, se révèle particulièrement problématique. Des mesures entreprises par RPE sous illumination ont enfin permises de détecter un nouveau défaut dans son état métastable de spin S=1, possiblement associé à une configuration d'interstitiel de silicium.