Download or read book STRUCTURE ATOMIQUE DES JOINTS DE GRAINS DANS LE SILICIUM ET LE GERMANIUM PAR LA METHODE DU MINIMUM D ENERGIE written by MOHAMMED.. CHEIKH and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES RESULTATS DE CALCUL DES CONSTANTES ELASTIQUES A PARTIR DU MODELE DE KOHYAMA NOUS ONT AMENE A LE GENERALISER EN SUPPOSANT UNE REHYBRIDATION DES ORBITALES. CELA ALOURDIT LE MODELE QUI, MALGRE TOUT, NE DONNE PAS DE RESULTATS MEILLEURS QUE LE POTENTIEL DE KEATING. L'APPLICATION DU POTENTIEL DE KEATING, DE KOHYAMA ET CELUI DE KOHYAMA GENERALISE AU CALCUL DE LA STRUCTURE ATOMIQUE DE QUELQUES JOINTS DE FLEXION D'AXE 011 AINSI QUE DE LEUR ENERGIE NOUS A PERMIS DE VERIFIER QUE LE POTENTIEL DE KEATING ETAIT BIEN ADAPTE A NOS BESOINS DANS LE CAS OU LA DETERMINATION DE LA STRUCTURE ATOMIQUE EST DEVENUE PRIORITAIRE. LA DETERMINATION DU VECTEUR DE TRANSLATION DANS LA MACLE (211), EN UTILISANT LE POTENTIEL DE KEATING, A CONFIRME LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET THEORIQUES DEJA PROPOSES. L'AJUSTEMENT DES CONSTANTES, DANS LE POTENTIEL DE KEATING, SUR LE SPECTRE DES PHONONS DONNE UNE VALEUR FAIBLE DE L'ENERGIE. POUR INTERPRETER LES OBSERVATIONS DES FRANGES ALPHA DUES AU JOINT DE TORSION (115), NOUS AVONS PROPOSE CINQ RECONSTRUCTIONS POSSIBLES POUR CE JOINT. L'UNE D'ENTRE ELLES EST EN ACCORD AVEC L'EXPERIENCE. CETTE STRUCTURE EST NON SYMETRIQUE, D'ENERGIE RELATIVEMENT FAIBLE, ET ELLE EST CARACTERISEE PAR UN VECTEUR DE TRANSLATION DE NORME 0,06 NM

Download or read book ETUDE DE LA STABILITE THERMIQUE DE LA STRUCTURE ATOMIQUE DES JOINTS DE GRAINS DANS LE SILICIUM PAR LA DYNAMIQUE MOLECULAIRE written by NDRIANAINA.. RALANTOSON and published by . This book was released on 1994 with total page 137 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE DE LA STABILITE THERMIQUE DES STRUCTURES ATOMIQUES DES JOINTS DE GRAINS DANS LE SILICIUM NECESSITE LE CALCUL DE LEUR ENERGIE LIBRE. NOUS AVONS UTILISE, D'UNE PART, LA DYNAMIQUE MOLECULAIRE ET LA METHODE DE NOSE POUR CALCULER LES VALEURS MOYENNES ET POUR SIMULER UN THERMOSTAT ET, D'AUTRE PART, LE POTENTIEL DE STILLINGER ET WEBER POUR DECRIRE LES INTERACTIONS INTERATOMIQUES. LES DIFFERENTS TERMES STATIQUE, HARMONIQUE ET ANHARMONIQUES DE L'ENERGIE SONT CALCULES A L'AIDE DE METHODES ADAPTEES. LA METHODE D'INTEGRATION INDIRECTE LE LONG D'UN CHEMIN A DEFORMATION CONSTANTE PERMET EN PARTICULIER DE CALCULER LA CONTRIBUTION DES TERMES ANHARMONIQUES. UNE DEUXIEME METHODE D'INTEGRATION DIRECTE DONNE IMMEDIATEMENT LA DIFFERENCE D'ENERGIE LIBRE DE DEUX ETATS EN IMPOSANT DES CONTRAINTES SUR LES DEPLACEMENTS ATOMIQUES. LES METHODES ET LES PROGRAMMES INFORMATIQUES ONT ETE MIS AU POINT ET TESTES AVEC SUCCES SUR LE SILICIUM MONOCRISTALLIN. LES RESULTATS DE CALCUL PAR LA METHODE D'INTEGRATION INDIRECTE MONTRE QUE LA STRUCTURE A DE LA MACLE D'INDICE DE COINCIDENCE 11 EST PLUS STABLE QUE LA STRUCTURE B QUELLE QUE SOIT LA TEMPERATURE. LA METHODE DIRECTE DONNE EXACTEMENT LA MEME DIFFERENCE D'ENERGIE LIBRE QUE CELLE CALCULEE PAR LA METHODE INDIRECTE. UN AVANTAGE DE CETTE METHODE DIRECTE EST DE FOURNIR LA BARRIERE D'ENERGIE LIBRE A FRANCHIR POUR PASSER DE LA STRUCTURE A A LA STRUCTURE B. A HAUTE TEMPERATURE, DES SAUTS ATOMIQUES CORRELES SONT OBSERVES ENTRE A ET B MAIS LE PASSAGE EVENTUEL D'UNE STRUCTURE A L'AUTRE EST TROP PEU PROBABLE POUR ETRE OBSERVE EN DYNAMIQUE MOLECULAIRE PARCE QUE SON ECHELLE DE TEMPS EST TROP PETITE PAR RAPPORT A NOTRE ECHELLE DE TEMPS MACROSCOPIQUE ET QUE LA BARRIERE D'ENERGIE A FRANCHIR EST TROP IMPORTANTE

Download or read book ETUDE NUMERIQUE DE LA STRUCTURE ATOMIQUE ET ELECTRONIQUE DE QUELQUES JOINTS DE GRAINS DU SILICIUM written by MARC.. TORRENT and published by . This book was released on 1996 with total page 242 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE THEORIQUE DES DEFAUTS ETENDUS DANS LES MATERIAUX COVALENTS. L'ETUDE CONCERNE PARTICULIEREMENT LES JOINTS DE GRAINS DE FLEXION DU SILICIUM, CHOISI COMME MATERIAU MODELE. LE MODELE DE CALCUL FAIT APPEL A L'APPROXIMATION DES LIAISONS FORTES AUTOCOHERENTES. IL EST UTILISE DANS LE CADRE DE DEUX TECHNIQUES DE CALCULS : LA TECHNIQUE DE LA MATRICE DENSITE DONT LA CHARGE EST LINEAIRE AVEC LE NOMBRE D'ATOMES, LA TECHNIQUE DE DIAGONALISATION DU HAMILTONIEN DEVELOPPEE DANS LE RESEAU RECIPROQUE. DES PARAMETRES DU MODELE POUR UN CALCUL D'ENERGIE TOTALE ONT ETE AJUSTES DE MANIERE A REPRODUIRE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DU SILICIUM ET A ASSURER LA TRANSFERABILITE DE SES PROPRIETES CRISTALLINES ET MECANIQUES. UN NOUVEAU TYPE DE CONDITIONS AUX LIMITES EST PROPOSE ET VALIDE. L'USAGE DE CES CONDITIONS, ANTI-PERIODIQUES OU A LA MOBIUS, SPECIALEMENT ADAPTEES AUX JOINTS DE GRAINS, N'IMPLIQUE AUCUNE APPROXIMATION SUPPLEMENTAIRE ET PERMET D'ECONOMISER UN FACTEUR DEUX DANS LES CALCULS. AINSI ADAPTE, LE MODELE EST UTILISE POUR L'ETUDE DU JOINT SIGMA 25 001 (710). LES CALCULS MONTRENT LA POSSIBILITE POUR CE JOINT D'ADOPTER, POUR UN FAIBLE SURCOUT ENERGETIQUE, PLUSIEURS VARIANTS SUPERPOSES LE LONG DE SON AXE AVEC DES FAUTES DE RECOSTRUCTION STRUCTURELLES LOCALES GENERATRICES D'ETATS ELECTRONIQUES DANS LA BANDE INTERDITE. CECI CONFIRME LES OBSERVATIONS EXPERIMENTALES. UNE ETUDE ANALOGUE EST MENEE POUR LE JOINT SIGMA 13 001 (510). AFIN DE COMPARER L'ACITIVITE ELECTRIQUE STRUCTURALE DES JOINTS PRECITES A CELLE INDUITE PAR DES IMPURETES, DES PARAMETRES D'ENERGIE TOTALE POUR LA LIAISON SILICIUM-NICKEL SONT AJUSTES ET UTILISES DANS QUELQUES CALCULS PRELIMINAIRES. ENFIN, UNE ETUDE ENERGETIQUE DES DEUX VARIANTS DU JOINT SIGMA 11 011 (2-33) EST EFFECTUEE. LE RESULTAT EST CONTRAIRE A CELUI OBTENU JUSQU'ICI A L'AIDE DE DIVERS POTENTIELS PHENOMENOLOGIQUES.

Download or read book ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DES JOINTS DE GRAINS DANS LE SILICIUM written by CHRISTIANE.. DIANTEILL and published by . This book was released on 1983 with total page 157 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: APRES AVOIR DEVELOPPE, DANS UN PREMIER CHAPITRE, LES PHENOMENES PHYSIQUES REAGISSANT LA CREATION DE PAIRES ELECTRON-TROU DANS SI PAR UN FAISCEAU D'ELECTRONS, PRESENTATION, DANS LE SECOND CHAPITRE, DES DIFFERENTS ASPECTS DES JOINTS DE GRAINS DANS SI POLYCRISTALLIN: LEUR ACTIVITE ELECTRIQUE ET LEUR STRUCTURE CRISTALLINE. LE TROISIEME CHAPITRE EST CONSACRE AU PRINCIPE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE EN MODE DE COURANT INDUITE (EBIC), APRES AVOIR DECRIT LES CARACTERISTIQUES DE JONCTIONS 8N ON SCHOTTKY NECESSAIRES A CETTE TECHNIQUE. LE QUATRIEME CHAPITRE PRESENTE LES MATERIAUX ETUDIES AINSI QUE LES METHODES DE PREPARATION DES ECHANTILLONS POUR LA METHODE EBIC ET LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION. LE DERNIER CHAPITRE EXPOSE LES RESULTATS DE CORRELATION ENTRE L'ACTIVITE ELECTRIQUE ET LA STRUCTURE CRISTALLINE DE JOINTS DE GRAINS PARTICULIERS. ETUDE DU ROLE DES IMPURETES PAR DES RECUITS

Download or read book CARACTERISATION STRUCTURALE ET ELECTRIQUE DES JOINTS DE GRAINS DANS LES CELLULES SOLAIRES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN written by Abdouraman Bary and published by . This book was released on 1984 with total page 172 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CARACTERISATION, PAR MICROSCOPE ELECTRONIQUE A BALAYAGE ET PAR LA TECHNIQUE DU COURANT INDUIT PAR FAISCEAU ET ELECTRON, DE L'ACTIVITE ELECTRIQUE DES JOINTS DE GRAINS. ETUDE PAR MICROSCOPE ELECTRONIQUE DE TRANSMISSION, DE LEUR STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE. MISE EN EVIDENCE D'UNE CORRELATION ETROITE ENTRE L'ACTIVITE ELECTRONIQUE DES JOINTS DE GRAINS ET LEUR STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE ET LA SEGREGATION D'IMPURETES

Download or read book CONDUCTANCE ET PHOTOCONDUCTANCE DES JOINTS DE GRAINS DANS LE SILICIUM written by Gilles Poullain and published by . This book was released on 1985 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EFFET DES TRAITEMENTS DE RECUIT ET DE DIFFUSION D'IMPURETES, INTERPRETATION DES RESULTATS. L'HYPOTHESE D'UNE COMPENSATION DU DOPANT AU VOISINAGE DU JOINT PERMET L'ACCORD THEORIE-EXPERIENCE DANS LE CAS D'UNE CONDUCTANCE DECRITE PAR PROCESSUS DE DIFFUSION

Download or read book ENERGIE LIBRE DE JOINTS DE GRAINS DE FLEXION D AXE 011 DANS LE SILICIUM written by BENOIT.. LEBOUVIER and published by . This book was released on 1996 with total page 210 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS CALCULE LES DEUX COMPOSANTES DE L'ENERGIE LIBRE DES JOINTS DE GRAINS DE FLEXION DE SILICIUM : L'ENERGIE POTENTIELLE A OK ET LE TERME ENTROPIQUE. POUR LE PREMIER TERME, NOUS AVONS UTILISE LE POTENTIEL DE VANDERBILT. EN EFFET, LA COMPARAISON AVEC LES AUTRES POTENTIELS EMPIRIQUES MONTRE QU'IL EST APTE A DECRIRE LES DEFORMATIONS PRESENTES DANS UN BICRISTAL. IL CONDUIT A DES RESULTATS DIFFERENTS DE CEUX OBTENUS AVEC LES AUTRES POTENTIELS EMPIRIQUES EN CE QUI CONCERNE LA STABILITE RELATIVE DES DIFFERENTS MODELES D'UN MEME JOINT. CES RESULTATS SONT EN ACCORD AVEC CEUX OBTENUS EN APPLIQUANT LA METHODE DE RECURSION A DEUX MODELES DE LIAISONS FORTES. LE TERME ENTROPIQUE EST CALCULE EN APPLIQUANT LA METHODE DE RECURSION AU SPECTRE DE PHONONS DU BICRISTAL DANS L'APPROXIMATION HARMONIQUE. LES RESULTATS OBTENUS SUR LES DIFFERENTS JOINTS DE GRAINS DE FLEXION MONTRENT QUE LA STABILITE RELATIVE DES DIFFERENTS MODELES D'UN MEME JOINT N'EST PAS MODIFIE PAR LA TEMPERATURE. ILS MONTRENT QUE LES MODELES LES PLUS STABLES A OK ONT L'ENTROPIE LA PLUS GRANDE ET DONC LEUR STABILITE SE TROUVE RENFORCEE PAR L'AUGMENTATION DE TEMPERATURE.

Download or read book Etudes par microscopie electronique des joints de grains dans le silicium correlation entre activite electrique et structure cristalline written by Christiane Dianteill and published by . This book was released on 1983 with total page 298 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Mod lisation de la microstructure des grains dans le silicium multicristallin pour le photovolta que written by Amal Nadri and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail est d'approfondir et de mieux comprendre les mécanismes responsables de la formation et de la croissance de la structure des grains dans le silicium multicristallin pour des applications photovoltaïques. Lors de la solidification du silicium multicristallin, la sélection des grains, le contrôle de la distribution de leur taille et leur direction de croissance sont des paramètres importants pour obtenir un matériau de bonne qualité et homogène. Ces paramètres influencent directement le rendement de conversion des cellules photovoltaïques, au travers de la capture et de la recombinaison des porteurs de charges et des interactions avec les impuretés. La structure de grains dans le silicium photovoltaïque évolue au cours de la solidification : des grains vont disparaître, d'autres vont apparaître, d'autres vont grossir pour donner au final une structure composée de gros grains, de petits grains dénommés 'grits', de joints de grains, et de macles. Il est donc important de comprendre les relations entre les différents paramètres du procédé industriel et leur influence sur les phénomènes physico-chimiques qui se produisent lors de la croissance afin de pouvoir influer sur la structure de grains dans le silicium, et de prévoir ses propriétés. Dans une première étape, nous avons établi un modèle de développement des grains basé sur le type de croissance (facettée, rugueuse ou mixte), la cinétique de ces divers types de croissances, le phénomène de maclage et la sélection des grains, dont nous montrons qu'ils sont, avec la germination initiale, à l'origine de la taille et de la structure des grains. Ensuite, nous proposons une approche de modélisation numérique de l'évolution de la structure des grains au cours de la solidification. Cette méthode se base sur l'analyse dynamique bidimensionnelle du joint de grains au niveau de la ligne triple grain-grain-liquide (rugueuse, facettée) tout en prenant en compte les phénomènes produits à l'échelle macroscopique (le champ de température local) et microscopique (la cinétique des grains). Le modèle résulte du couplage thermique et des mécanismes cinétiques de croissance. Nous avons donc développé un modèle numérique de croissance des grains en 2 dimensions et nous l'avons introduit dans le code 2D-MiMSiS qui se déroule en 2 étapes : Premièrement, le calcul en régime transitoire de la solidification macroscopique d'un lingot de silicium nous permet d'obtenir le champ thermique dans le lingot et la position précise de l'interface solide-liquide à différents instants ainsi que sa vitesse, son orientation (sa forme) et les gradients de température dans le liquide et le solide. Deuxièmement, la modélisation de la croissance est basée sur la description géométrique des joints de grains qui dépend de la cinétique des grains qui les bordent. Elle suit des critères dépendants de la morphologie (rugueuse ou facettée) de l'interface. Elle s'appuie sur le réseau d'isothermes du calcul thermique sans l'influencer dans un premier temps. Un des objectifs de ce modèle est de faire varier différents paramètres du procédé et d'en mesurer l'impact sur la structure cristalline finale. Des résultats de calculs 2D sont présentés et discutés par rapport à l'expérience.

Download or read book ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DES JOINTS DE GRAINS DANS LES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENUES PAR LA METHODE RAD written by RAIMOND.. SHARKO and published by . This book was released on 1983 with total page 186 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE S'INSCRIT DANS LE CADRE DE RECHERCHES VISANT A L'AMELIORATION DES PROPRIETES ELECTRIQUES DE PHOTOPILES REALISEES A PARTIR DE MATERIAU POLYCRISTALLIN (RAD) DONT LES JOINTS DE GRAINS CONSTITUENT LES DEFAUTS PROBABLEMENT LES PLUS NEFASTES. LES AUTEURS ONT CONFRONTE L'ASPECT STRUCTURAL DES JOINTS, AINSI QUE LEUR ENVIRONNEMENT AVEC L'ASPECT ELECTRIQUE A L'AIDE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE ET L'ANALYSE EBIC

Download or read book H t ro pitaxie lat rale de germanium sur silicium oxyd written by Vincenzo Davide Cammilleri and published by . This book was released on 2010 with total page 208 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Des structures du type « germanium sur isolant » sont intéressantes pour le développement de la microélectronique vers le transistor à effet de champ « ultime ». L’objet de cette thèse porte sur l’épitaxie latérale de Ge à partir du germe de Si de taille nanométrique sur l’intégration de couche de Ge sur silice sur substrat de silicium standard.La croissance est réalisée par la technique UHV-CVD (dépôt chimique en phase vapeur ultra-vide). Une étude préliminaire sur silicium oxydé chimiquement a montré que des cristaux monocristallins facettés de Ge se développent latéralement en formant un angle de 125° avec la couche de silice. Pour permettre la croissance latérale sur silice thermique parfaitement contrôlée en épaisseur et en position, nous avons développé un procédé basé sur le procédé LOCOS (LOCalized Oxidation of Silicon) de façon à obtenir des ouvertures de quelques dizaines de nanomètres de large entourant un couche de silice. Le développement latéral des cristaux de Ge dépend fortement de l’orientation des germes de nucléation. Des analyses par microscopie électronique en transmission en haute résolution et par diffraction de rayons X montrent que les cristaux de Ge sont monocristallins et totalement relaxés. L’interface entre le silice et le Ge ne comporte pas de défaut. La coalescence de cristaux de Ge formés à partir de germes différents n’engendre pas la formation de joint de grain. Les dislocations observées sont essentiellement localisées à la zone de germination. Il est possible d’aplanir la surface par polissage mécano-chimique, ce qui ouvre des perspectives d’intégration hétérogène du matériau dans la filière Si.

Download or read book ELABORATION CARACTERISATION ET MODELISATION D HETEROSTRUCTURES SILICIUM GERMANIUM CARBONE SUR SILICIUM APPLICATIONS INDUSTRIELLES DES COMPOSES A BASE DE SI GE OU C FILIERE IV IV written by CYRIL.. GUEDJ and published by . This book was released on 1997 with total page 283 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EXPLORATOIRE PORTE SUR L'ELABORATION, LA CARACTERISATION, LA MODELISATION THEORIQUE ET LE POTENTIEL INDUSTRIEL DES COMPOSES A BASE DE SILICIUM, GERMANIUM, CARBONE. LES METHODES POSSIBLES D'ELABORATION SONT PRESENTEES. LES ECHANTILLONS ETUDIES ONT ETE REALISES PAR RTCVD, UHVCVD, PLIE, SPEM ET MBE ET CARACTERISES PAR DE NOMBREUSES TECHNIQUES COMPLEMENTAIRES. UN POTENTIEL INTERATOMIQUE EST ADAPTE AUX RESULTATS EXPERIMENTAUX, AFIN DE CORRELER L'ORDRE NANOSCOPIQUE AUX PROPRIETES LIEES A LA MICROSTRUCTURE. CET OUTIL, QUI PERMET DE CALCULER LES PARAMETRES THERMODYNAMIQUES A PARTIR D'UNE REPARTITION ATOMIQUE, EST NOTAMMENT APPLIQUE A L'INTERPRETATION CONJOINTE DES MESURES RAMAN, FTIR, HRTEM ET DE DIFFRACTION X. LA MICROSTRUCTURE DEPEND DE LA METHODE D'ELABORATION, ET UN PHENOMENE D'AUTOORGANISATION DE C PAR RTCVD EST DEMONTRE, PAR UN FAISCEAU CONVERGENT DE CARACTERISATIONS ETAYEES PAR DES SIMULATIONS A L'ECHELLE ATOMIQUE. LES PARTICULARITES LIEES A L'EPITAXIE LASER (PLIE) SONT DETAILLEES. UNE NOUVELLE METHODE DE DEPOT (SPEM) PERMET D'OBTENIR POUR LA PREMIERE FOIS UNE COUCHE CONTRAINTE CONTENANT 70% DE GE ET 1.6 % DE C. AU NIVEAU DES PROPRIETES THERMIQUES, LA MESURE DE DILATATION DE COUCHES MINCES SI#1#-#X#-#YGE#XC#Y CONSTITUE UNE NOUVELLE METHODE DE DOSAGE DE GE ET C. UNE DETERMINATION ORIGINALE DU POUVOIR THERMOELECTRIQUE PAR MICROSCOPIE PHOTOTHERMIQUE EST SUGGEREE. POUR DES RECUITS A PLUS HAUTE TEMPERATURE, LE CARBONE PRECIPITE SOUS FORME DE CARBURE DE SILICIUM INCOHERENT, ET L'HYPOTHESE D'UN MILIEU DEVENU LACUNAIRE S'ACCORDE LE MIEUX AVEC LES RESULTATS EXPERIMENTAUX. L'INTERDIFFUSION THERMIQUE DE GE EST ETUDIEE QUANTITATIVEMENT PAR DIFFRACTION X DANS LE CAS DE MULTIPUITS QUANTIQUES. L'ETUDE CONTROVERSEE DE LA STRUCTURE DE BANDE DES COMPOSES SI#1#-#X#-#YGE#XC#Y EST PRESENTEE. LES MESURES ELLIPSOMETRIQUES INDIQUENT QUE LE CARBONE INDUIT UN DECALAGE DE +65 MEV/%C DE E#1, ALORS QUE E#2 RESTE QUASIMENT CONSTANT. CE RESULTAT EST ANALYSE DANS LE CADRE DE LA THEORIE DES POTENTIELS DE DEFORMATION. CETTE ETUDE PHYSIQUE ECLAIRE L'ANALYSE DES APPLICATIONS INDUSTRIELLES DE LA FILIERE IV-IV, SOUS L'ANGLE DES BREVETS ET DES DISPOSITIFS, NOTAMMENT EN MICRO ET OPTO-ELECTRONIQUE. LA COMPARAISON AVEC LA FILIERE III-V PARACHEVE CE MEMOIRE.

Download or read book Etude des caract ristiques des centres recombinants des joints de grains dans du silicium polycristallin written by Marcel Pasquinelli and published by . This book was released on 1988 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DETERMINATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES CENTRES DE RECOMBINAISONS ASSOCIES AUX JOINTS DE GRAINS DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN. LA VITESSE DE RECOMBINAISON INTERFACIALE LOCALE, LA HAUTEUR DE BARRIERE LOCALE DES JOINTS DE GRAINS AINSI QUE LA DENSITE, LA SECTION EFFICACE DE CAPTURE ET L'ENERGIE D'ACTIVATION DES CENTRES DE RECOMBINAISON ONT ETE DETERMINEES PAR PHOTOCONDUCTIVITE ET SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAU PROFOND. L'IMPORTANCE DE L'HISTOIRE DU MATERIAU A ETE MISE EN EVIDENCE

Download or read book Calculs de structure lectronique et dynamique des porteurs dans les nanostructures de silicium written by Evelyne Lampin and published by . This book was released on 1997 with total page 334 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'etude theorique de cristallites de silicium de taille nanometrique est realisee dans le but d'expliquer certaines proprietes du silicium poreux. Pour cela, la structure electronique de ces cristallites est calculee par une technique de liaisons fortes. Les etats propres de l'hamiltonien a un electron sont alors utilises comme base pour determiner le spectre excitonique. La comparaison de l'energie de recombinaison d'un exciton et l'energie d'absorption dans le silicium poreux permet de conclure que la luminescence dans le rouge de ce materiau peut provenir du confinement quantique des porteurs. Cette luminescence est plus efficace que dans le silicium massif ou la bande interdite indirecte rend impossible la transition radiative sans l'aide des phonons. Le calcul de temps de recombinaison radiative montre que la transition est d'autant plus permise que la taille des cristallites est petite. La dependance en temperature du temps de recombinaison radiative d'un exciton est egalement etudiee et le modele d'un spectre excitonique a deux niveaux propose pour expliquer le comportement mesure est discute. Le calcul du temps caracteristique de la recombinaison non-radiative de trois porteurs par effet auger montre l'importance de ce processus tres rapide. L'etude d'un autre processus intervenant dans le temps de vie de la luminescence, la transition d'un porteur vers la cristallite voisine, par effet tunnel assiste par phonons a travers un pont en silicium, est egalement realisee. Ces derniers calculs sont utilises pour etudier le transport par sauts entre les cristallites. Une methode de calcul empruntee aux etudes menees sur le transport par impuretes montre que l'hypothese envisagee est compatible avec des mesures de la conductivite du silicium poreux. L'importance de la notion de percolation pour le transport comme pour les proprietes optiques est deduite de cette etude.

Download or read book CROISSANCE ET STRUCTURE DE COUCHES MINCES NANOCRISTALLINES DE SILICIUM ET DE GERMANIUM DEPOSEES A L AIDE DE DECHARGES LUMINESCENTES written by Christian Godet and published by . This book was released on 1987 with total page 373 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CARACTERISATION DE COUCHES MINCES SI ET GE NANOCRISTALLINES (MICROCRISTALLINES) DEPOSEES A L'AIDE DE DECHARGES LUMINESCENTES DANS LES MELANGES (SIH::(4), H::(2)) ET (GEH::(4), H::(2)). LE CHOIX DE H::(2) COMME GAZ PORTEUR ET LE CONTROLE DE LA POLARISATION DES SUPPORTS PERMETTENT D'ETUDIER DEUX TYPES D'INTERACTION A L'INTERFACE PLASMA SOLIDE: LA GRAVURE PREFERENTIELLE DE LA PHASE AMORPHE RESIDUELLE PAR L'HYDROGENE ATOMIQUE ET LE BOMBARDEMENT DE LA SURFACE PAR LES IONS POSITIFS. ETUDE DE L'HISTOIRE (GERMINATION ET CROISSANCE) LES FILMS PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE IN-SITU ET CONCLUSIONS QUI PEUVENT EN ETRE TIREES

Download or read book Etude de l interface siliciure d erbium sur silicium par microscopie en champ proche effet tunnel sous ultravide written by Sylvain Pelletier and published by . This book was released on 1999 with total page 112 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nous avons étudié par STM la croissance de composés d'erbium sur les surfaces Si(111) 7x7, Si(111)-B-√3x√3 R30° et Ge(111) c(2x8). L'interface Er/Si(111) 7x7 présente 2 structures stables : le siliciure 2D ErSi2 1x1 et le siliciure 3D ErSi1,7 √3x√3 R30°. En dessous d'une densité critique d'atomes d'erbium nécessaireà la formation du siliciure 2D, plusieurs reconstructions métastables comme la 5x2 et la 2√3x2√3 R30° apparaissent. Afin d'étudier l'influence de la récativité de surface sur la croissance du siliciure d'erbium, des substrats de silicium dopé bore √3x√3 R30° ont été utilisés. La réactivité de surface peut ainsi être contrôlée par l'intermédiaire de la quantité de bore présent à proximité de la surface. Dans le cas où la concentration en bore n'est pas maximale, on observe des reconstructions comparables à celles observées sur la surface 7x7. Par contre, lorsque la quantité de bore est maximale, aucune structure métastable n'est observée. Des expériences de spectroscopie ISS et de photoémission UV ont permis d'écarter la présence de bore dans les différents siliciures et de démontrer que le siliciure 2D obse3vé en STM présente une surface métallique et une cristallographie semblable à celle observée sur 7x7. Les images en résolution atomique de la surface des îlots ont montré une reconstruction 1x1 contrainte. Les liaisons Si-B étant plus courtes que les liaisons Si-Si, le bore induit des contraintes locales à l'interface. Nous avons aussi étudié l'interface Er/Ge(111) c(2x8) car le silicium et le germanium possèdent une structure cristallographique identique avec des paramètres de maille voisins. Nous avons observé que l'erbium réagit avec la surface et forme un germaniure 2D reconstruit 1x1 et un germaniure 3D reconstruit √3x√3 R30°. Les similitudes entre les systèmes Er/Ge(111) et Er/Si(111) suggèrent que les structures cristallographiques des composés ErGex sont proches de celles des siliciures 2D ErSi2 et 3D ErSi1,7.

Download or read book Modern Sensors Handbook written by Pavel Ripka and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2013-03-01 with total page 382 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Modern sensors working on new principles and/or using new materials and technologies are more precise, faster, smaller, use less power and are cheaper. Given these advantages, it is vitally important for system developers, system integrators and decision makers to be familiar with the principles and properties of the new sensor types in order to make a qualified decision about which sensor type to use in which system and what behavior may be expected. This type of information is very difficult to acquire from existing sources, a situation this book aims to address by providing detailed coverage on this topic. In keeping with its practical theme, the discussion concentrates on sensor types used or having potential to be used in industrial applications.