Download or read book Scientific and Technical Aerospace Reports written by and published by . This book was released on 1994 with total page 372 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude des interfaces de soudure directe dans le silicium written by Mourad Benamara and published by . This book was released on 1996 with total page 296 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN DE REPONDRE DE LA FAISABILITE D'UNE FILIERE TECHNOLOGIQUE DE CIRCUITS INTEGRES DE PUISSANCE BASEE SUR LA SOUDURE DIRECTE SUR SILICIUM, DES ETUDES PRELIMINAIRES SONT ENTREPRISES ET MONTRENT CLAIREMENT QUE L'INTERFACE SI/SI N'EST PAS ELECTRIQUEMENT NEUTRE. APRES AVOIR MIS AU POINT UNE PROCEDURE EXPERIMENTALE POUR REALISER DES INTERFACES SI/SI DE FACON REPRODUCTIBLE, NOUS AVONS ETUDIE L'INTERFACE DE SOUDURE D'UN POINT DE VUE PHYSIQUE ET ELECTRIQUE. LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION MONTRE QUE LA STRUCTURE DE CES INTERFACES EST AINSI CONSTITUEE DE DEUX RESEAUX DE DISLOCATIONS QUI PERMETTENT DE RATTRAPER EXACTEMENT LA DESORIENTATION RELATIVE DES DEUX CRISTAUX. LE PREMIER BIDIMENSIONNEL EST CONSTITUE DE DISLOCATIONS DE TYPE PUREMENT VIS ORGANISEES EN RESEAU CARRE ET PERMET DE RATTRAPER LA COMPOSANTE DE TORSION (JUSQU'A 15) ENTRE LES DEUX PLAQUETTES. LE SECOND EST UN RESEAU DE DISLOCATIONS A 60 QUI COMPENSE UNE FAIBLE COMPOSANTE DE FLEXION. LES PROFILS DE DENSITE DE PORTEURS AU NIVEAU DE L'INTERFACE (MESURES PAR SPREADING RESISTANCE) DEMONTRE QUE L'INTERFACE SI/SI EST LE SIEGE DE CHARGES POSITIVES DONT LA DENSITE EST ETROITEMENT LIEE A LA DENSITE DE DEFAUTS PRESENTS A L'INTERFACE. LES ORIGINES PHYSIQUES POSSIBLES DE CES CHARGES SONT DISCUTEES ET SONT LES DISLOCATIONS DE DESORIENTATION, LES PRECIPITES (PP) DE SILICE (ETATS DONNEUR A L'INTERFACE PP/MATRICE SILICIUM) DONT LA DENSITE CROIT AVEC LA DESORIENTATION, ET DES CLUSTERS SIO#X DE TYPE DONNEUR OU DOUBLE-DONNEUR DONT LA CINETIQUE DE FORMATION EST FAVORISEE PAR LA PRESENCE DU CARBONE. PAR AILLEURS, LES MESURES DE COURANT EBIC (ELECTRON BEAM INDUCED CURRENT) DEMONTRENT QUE L'UTILISATION DE PLAQUETTES FZ PERMET DE REDUIRE CONSIDERABLEMENT L'ACTIVITE RECOMBINANTE DE CES INTERFACES. D'UNE FACON GENERALE, CE TRAVAIL DEMONTRE QUE L'OPTIMISATION DES PROPRIETES ELECTRIQUES DE CES INTERFACES REQUIERT L'UTILISATION DE PLAQUETTES FZ ET PASSE PAR LE CONTROLE DE LEUR DESORIENTATION LORS DE L'ASSEMBLAGE

Download or read book INTERFACES SILICIUM SILICIUM OBTENUES PAR SOUDURE DIRECTE written by PASCAL.. LECERF and published by . This book was released on 1999 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA PRESENCE D'UNE INTERFACE DE SOUDURE DIRECTE SUR SILICIUM DANS LA PARTIE ACTIVE D'UN COMPOSANT DE PUISSANCE INTELLIGENTE (GAMME DE HAUTE TENSION, 1000V-1500V, ET FORT COURANT 1A-20A) DEGRADE LES PERFORMANCES DE GAIN EN COURANT ET LA TENUE EN TENSION. CECI CONSTITUE LA PREMIERE EVIDENCE D'ACTIVITE ELECTRIQUE D'UNE TELLE INTERFACE. L'EXISTENCE D'ETATS D'INTERFACE CHARGES DANS LE PLAN DE SOUDURE EST A L'ORIGINE DE LA VARIATION DE PORTEURS DANS LE VOISINAGE DE L'INTERFACE, MESUREE PAR SPREADING RESISTANCE. LE TYPE ET LA NATURE DES DEFAUTS SONT DETERMINEES PAR LA CONTAMINATION RESIDUELLE (ANALYSEE PAR SPECTROSCOPIE DE MASSE DES IONS SECONDAIRES) ET LA STRUCTURE DE L'INTERFACE (EVALUEE PAR REVELATION CHIMIQUE AU WRIGHT ETCH, ET OBSERVATION EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE). PARMI LES PARAMETRES, LA PREPARATION DES SURFACES AVANT SOUDURE EST PRIMORDIALE. DANS LE CADRE DE LA THESE, UNE ETUDE DES SOLUTIONS CHIMIQUES A ETE ENTREPRISE. IL A ETE MONTRE QUE L'UTILISATION D'UNE SEQUENCE DE NETTOYAGE SPFM 500 PPM (SULFURIC ACID HYDROGEN PEROXIDE HYDROGEN FLUORIDE MIXTURE, A 500 PPM D'ACIDE FLUORHYDRIQUE) PERMET DE REALISER DES INTERFACES N/N AU PROFIL DE PORTEURS QUASI PLAT (BARRIERE INFERIEURE A L'ENERGIE D'AGITATION THERMIQUE KT), ET P/P SIMILAIRES A UN TRAITEMENT HYDROPHOBE. LA RECOMBINAISON DES PORTEURS SUR DES NIVEAUX PROFONDS D'INTERFACE SITUEE DANS LA BASE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE, EST SUSCEPTIBLE DE REDUIRE LE GAIN DE CELUI-CI. LA MESURE DE DUREE DE VIE DES PORTEURS MINORITAIRES SUR LA PLAQUETTE SOUDEE (PAR DECROISSANCE DE PHOTOCONDUCTIVITE DETECTEE PAR MICRO-ONDES : -PCD) PERMET DE METTRE EN EVIDENCE CE PHENOMENE. IL RESSORT DE CETTE ETUDE QU'IL EXISTE UNE ACTIVITE DE RECOMBINAISON CONTROLEE PAR LE VOLUME ET/OU L'INTERFACE DE SOUDURE, SELON LA PRESENCE DE DEFAUTS ETENDUS DANS LE VOLUME AVOISINANT.

Download or read book Government Reports Announcements Index written by and published by . This book was released on 1994 with total page 694 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book LA SOUDURE DIRECTE SILICIUM SILICIUM APPLICATIONS AUX CAPTEURS INTEGRES written by LIONEL.. BABADJIAN and published by . This book was released on 1992 with total page 155 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONSISTE A ETUDIER LA SOUDURE DIRECTE SILICIUM/SILICIUM AINSI QUE SES APPLICATIONS DANS LE DOMAINE DES CAPTEURS INTEGRES. APRES UN CHAPITRE DE PRESENTATION DES TECHNOLOGIES EMPLOYEES POUR LA FABRICATION DES CAPTEURS EN SILICIUM, NOUS NOUS INTERESSONS, DANS LE SECOND CHAPITRE, AUX MECANISMES DE LA SOUDURE DIRECTE EN S'APPUYANT SUR LES PROPRIETES DE SURFACE DE CE SEMICONDUCTEUR. NOUS AVONS DEVELOPPE DES MOYENS DE CARACTERISATION OPTIQUES, MECANIQUES ET ELECTRIQUES AFIN D'OBSERVER L'INFLUENCE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES. ENFIN DANS LE TROISIEME CHAPITRE NOUS EXPLOITONS CE MOYEN D'ASSEMBLAGE POUR L'ETUDE ET LA REALISATION DE DEMONSTRATEURS ET NOUS PROPOSONS UNE FILIERE TECHNOLOGIQUE ORIGINALE POUR LA FABRICATION MONOLITHIQUE DES CAPTEURS ET DE L'ELECTRONIQUE

Download or read book Soudure directe silicium sur silicium written by Damien Valente and published by . This book was released on 2011 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ces travaux de thèse accompagnent le développement de nouvelles architectures d'interrupteurs monolithiques bidirectionnels en courant et en tension. L'une des voies technologiques proposées consiste à contrôler les propriétés électriques de l'interface de soudure Si-Si. Nous avons mis en évidence la nature complexe de l'activité électrique de l'interface avec l'existence d'un continuum d'états d'énergie au caractère recombinant. L'intégration d'une telle brique technologique nécessite alors la maîtrise de la passivation/décoration de l'interface par diffusion d'impuretés. La passivation des états d'interfaces par hydrogénation a montré une amélioration des propriétés électriques globales de l'interface de soudure avec une réduction de la dispersion des paramètres électriques. Une contamination contrôlée par diffusion de platine, nous a permis d'obtenir une désactivation, voire une compensation, du phosphore à l'interface, accompagnée d'une disparition des niveaux profonds.

Download or read book Government Reports Annual Index written by and published by . This book was released on 1994 with total page 1220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book LA SOUDURE MOLECULAIRE SILICIUM VERRE written by PATRICK.. FAVARO and published by . This book was released on 2000 with total page 139 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA SOUDURE DIRECTE THERMOELECTRIQUE DU SILICIUM ET DU PYREX EST UN PROCEDE QUI PERMET L'ASSEMBLAGE A DES TEMPERATURES COMPRISES ENTRE 300 ET 500\C DE PIECES POLIES. CE MEMOIRE PRESENTE LES RESULTATS D'UNE ETUDE SYSTEMATIQUE EFFECTUEE POUR DETERMINER LES PRINCIPAUX PARAMETRES INFLUENCANT LA QUALITE DE LA SOUDURE ET PRECISER LES MECANISMES PHYSIQUES SOUS-JACENTS. IL EST DIVISE EN QUATRE CHAPITRES. LE PREMIER TRAITE DU COMPORTEMENT DU PYREX PORTE A HAUTE TEMPERATURE ET SOUMIS A UNE DIFFERENCE DE POTENTIEL CONTINUE. A PARTIR DE MESURES ELECTRIQUES ET D'ANALYSES A LA SONDE IONIQUE, IL EST MONTRE QU'UNE CHARGE ESPACE NEGATIVE SE CREE A LA SURFACE DU VERRE. PAR AILLEURS, UN MODELE ANALYTIQUE DU TEMPS D'ETABLISSEMENT DE LA CHARGE ESPACE EST DEVELOPPE. LE DEUXIEME CHAPITRE CONCERNE LA MISE EN UVRE DE LA SOUDURE A PRESSION AMBIANTE ET SA CARACTERISATION PAR DES METHODES ELECTRIQUES ET MECANIQUES. LES CONDITIONS EXPERIMENTALES PERMETTANT DE SOUDER SONT EVALUEES. L'EXAMEN DES PIECES APRES ASSEMBLAGE REVELE L'EXISTENCE DE DEFORMATIONS DE FAIBLES AMPLITUDES DONT L'ORIGINE EST EXPLIQUEE. LE TROISIEME CHAPITRE ETUDIE L'INTERFACE SILICIUM/PYREX APRES SOUDURE. UNE METHODE DE CARACTERISATION DE LA DENSITE DES LIAISONS CREEES A L'INTERFACE EST ELABOREE, DEVELOPPEE ET VALIDEE. A L'AIDE DE CETTE METHODE, LES CONDITIONS OPERATOIRES OPTIMALES POUR OBTENIR DES SOUDURES ETANCHES, REPRODUCTIBLES ET HOMOGENES SONT PRECISEES. DE PLUS, UN MODELE DES MECANISMES CHIMIQUES A L'ORIGINE DE LA SOUDURE EST ETABLI. ENFIN, LE QUATRIEME CHAPITRE MET EN EVIDENCE EXAMINE ET RESOUT LES PROBLEMES DE FAISABILITE DE LA SOUDURE DANS UN VIDE PRIMAIRE. L'EFFICACITE DE PROCEDURES MISES AU POINT DANS LE CADRE DE CETTE ETUDE A ETE DEMONTREE PAR LA REALISATION DE CAPTEURS DE PRESSION SUR SILICIUM.

Download or read book Fili re technologique de puissance intelligente haute tension isolation di lectrique bas e sur la soudure directe sur silicium written by Véronique Macary and published by . This book was released on 1992 with total page 350 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA FAISABILITE D'UNE FILIERE TECHNOLOGIQUE A ISOLATION DIELECTRIQUE BASEE SUR LA TECHNIQUE DE SOUDURE DIRECTE SUR SILICIUM EST ICI ETUDIEE ET DEMONTREE, POUR LES APPLICATIONS DE PUISSANCE INTELLIGENTE DANS LA GAMME DES HAUTES TENSIONS (1000-1500 V, 1-20 A), OU UNE CONFIGURATION VERTICALE DU COMPOSANT DE PUISSANCE EST NECESSAIRE. L'ISOLATION STATIQUE ET DYNAMIQUE DU CIRCUIT BASSE TENSION, INTEGRE A COTE DE CE COMPOSANT DE PUISSANCE VERTICAL, EST LE POINT CRITIQUE DE CETTE FAMILLE DE CIRCUITS INTEGRES. L'ISOLATION PAR DIELECTRIQUE OFFRE UNE MEILLEURE PROTECTION POUR LE CAISSON BASSE TENSION, CAR ELLE ELIMINE LES COMPOSANTS BIPOLAIRES PARASITES PRESENTS DANS UNE TECHNOLOGIE A ISOLATION PAR JONCTION. L'UTILISATION DE LA SOUDURE DIRECTE SUR SILICIUM PERMET D'OBTENIR A UN COUT MODERE UNE COUCHE D'OXYDE D'ISOLATION ENTERREE. EN OUTRE, NOTRE APPLICATION NECESSITE LA PRESENCE D'UNE ZONE DE SOUDURE SI/SI DANS LA PARTIE ACTIVE DU COMPOSANT DE PUISSANCE VERTICAL. L'INFLUENCE DU NETTOYAGE AVANT SOUDURE SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE L'INTERFACE SI/SI EST MISE EN EVIDENCE, ET LA PRESENCE DE DEFAUTS CRISTALLINS DANS CETTE ZONE EST CONSIDEREE COMME LA PRINCIPALE CAUSE DE POSSIBLES DYSFONCTIONNEMENTS. LES SOLUTIONS APPORTEES AUX PROBLEMES DE COMPATIBILITE DE PROCEDE DE LA SOUDURE SUR SILICIUM AVEC UN PROCEDE STANDARD ONT PERMIS DE VALIDER UNE FILIERE COMPLETE COMPORTANT L'INTEGRATION SIMULTANEE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE VERTICAL AVEC UNE CIRCUITERIE DE CONTROLE BIPOLAIRE. UNE TERMINAISON HAUTE TENSION POUR LE CIRCUIT INTEGRE DE PUISSANCE, D'OPTIMISATION SIMPLE, BASEE SUR LE CONCEPT D'ANNEAUX POLARISES, ET NE NECESSITANT PAS D'ETAPE TECHNOLOGIQUE SUPPLEMENTAIRE, EST ENFIN PROPOSEE POUR COMPLETER LA FILIERE TECHNOLOGIQUE MISE EN PLACE. CETTE STRUCTURE D'ANNEAUX EST ETUDIEE A L'AIDE DE SIMULATIONS ELECTRIQUES BIDIMENSIONNELLES (LOGICIEL BIDIM2) AINSI QUE D'UN MODELE ANALYTIQUE SIMPLIFIE

Download or read book Etudes des interfaces silicium silicium obtenues par soudure directe de plaquettes written by Angéline Laporte and published by . This book was released on 1995 with total page 314 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES LIMITATIONS DE LA FILIERE TECHNOLOGIQUE DES CIRCUITS DE PUISSANCE INTELLIGENTE (DANS LA GAMME DES HAUTES TENSIONS, 1000V-1500V ET FORTS COURANTS, 1A-20A) BASEE SUR LA SOUDURE DIRECTE SUR SILICIUM ONT ETE ETABLIES. L'INTERFACE SI-SI N'EST PAS ELECTRIQUEMENT NEUTRE ET SA PRESENCE DANS LA PARTIE ACTIVE DU COMPOSANT DE PUISSANCE VERTICAL DEGRADE SA TENUE EN TENSION ET SON GAIN EN COURANT. LES VARIATIONS DE LA DENSITE DE PORTEURS AU NIVEAU DE L'INTERFACE (MESUREE PAR SPREADING RESISTANCE DUES A DES CHARGES OU ETATS D'INTERFACE POSITIFS PEUVENT ETRE A L'ORIGINE DE CES DEGRADATIONS. LA DENSITE DE CES CHARGES EST CONTROLEE PAR LA DENSITE DE DEFAUTS PRESENTS A L'INTERFACE (DISLOCATIONS VIS ET A 60 ANALYSEES PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION EN VUE PLANE), PAR LA CONCENTRATION EN CARBONE QUI PEUT FAVORISER LA FORMATION D'AGGREGATS DE SIOX ELECTRIQUEMENT ACTIFS ET SURTOUT PAR LES CONTRAINTES A L'ASSEMBLAGE. LE SIGNE DE CES CHARGES EST DEFINIE PAR LE TYPE NETTOYAGE AVANT L'ASSEMBLAGE. LES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES QUI CONTROLENT LES PROPRIETES ELECTRIQUES DE L'INTERFACE SONT DONC LES CONTRAINTES A L'ASSEMBLAGE, LES DESORIENTATIONS (A L'ASSEMBLAGE ET LA VICINALITE DES PLAQUETTES RESPONSABLES DES DEFAUTS D'INTERFACE), LA CONCENTRATION EN CARBONE. LORSQU'ILS SONT OPTIMISES LA DENSITE D'ETATS AUX INTERFACES P/P PEUT ETRE INFERIEURE A 3.10#1#0CM#-#2

Download or read book Etudes Et Documentation Metallurgiques written by and published by . This book was released on 1956 with total page 292 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Routledge French Technical Dictionary Dictionnaire technique anglais written by Yves Arden and published by Routledge. This book was released on 2006-03-21 with total page 814 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The French-English volume of this highly acclaimed set consists of some 100,000 keywords in both French and English, drawn from the whole range of modern applied science and technical terminology. Covers over 70 subject areas, from engineering and chemistry to packaging, transportation, data processing and much more.

Download or read book The Journal of Physics and Chemistry of Solids written by and published by . This book was released on 1968 with total page 1260 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Routledge Dictionnaire Technique Anglais written by Yves Arden and published by Psychology Press. This book was released on 1994 with total page 814 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The French-English volume of this highly acclaimed set consists of some 100,000 keywords in both French and English, drawn from the whole range of modern applied science and technical terminology. Covers over 70 subject areas, from engineering and chemistry to packaging, transportation, data processing and much more.

Download or read book Acta electronica written by and published by . This book was released on 1977 with total page 434 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Iron and Steel Trades Journal and Colliery Engineer written by and published by . This book was released on 1910 with total page 676 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Dictionar Technic Poliglot written by and published by Ardent Media. This book was released on 1967 with total page 1258 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: