Download or read book REALISATION PAR EPITAXIE SOUS VIDE AVEC IMPLANTATION D IONS DOPANTS DE COUCHES DE SILICIUM A PROFIL DE DOPAGE CONTROLE written by Regina Pinto de Carvalho and published by . This book was released on 1986 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CONSTRUCTION D'UNE INSTALLATION D'EPITAXIE SOUS VIDE ET ETUDE DE LA QUALITE CRISTALLOGRAPHIQUE, PHYSICO-CHIMIQUE ET ELECTRIQUE DES COUCHES A DOPAGE UNIFORME DE BORE OBTENU PAR TRANSFERT DU DOPANT DE LA SOURCE DE SICILIUM EVAPOREE. CONSTRUCTION D'UNE SOURCE D'IONS AS SU TYPE "REFLEX ELECTROSTATIQUE A CATHODE CHAUDE" ET DOPAGE PAR IMPLANTATION EN COURS DE CROISSANCE

Download or read book laboration et caract risation de couches de silicium gradient de dopage hyperabrupt obtenues par pitaxie sous ultravide avec implantation d ions dopants written by Joëlle Gutierrez and published by . This book was released on 1989 with total page 246 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES SILICIUM, DU FAIT DES FAIBLES TEMPERATURES ET VITESSES DE CROISSANCE MISES EN UVRE, PERMET LA REALISATION DE STRUCTURES A HAUTE RESOLUTION DE DOPAGE. MALHEUREUSEMENT, LE DOPAGE N EST UNE DES DIFFICULTES DE CETTE TECHNIQUE. EN EFFET, LES DOPANTS N COURAMMENT UTILISES (AS, SB) ONT DES RAYONS ATOMIQUES TRES SUPERIEURS A CELUI DU SI ET S'ILS ARRIVENT SUR LA COUCHE EN CONSTRUCTION AVEC UNE ENERGIE THERMIQUE, ILS SEGREGENT EN SURFACE. IL EN RESULTE DES GRADIENTS DE DOPAGE ELEVES. UNE METHODE POUR EVITER CES DIFFICULTES EST D'UTILISER DES DOPANTS SUPRATHERMIQUES, C'EST-A-DIRE IMPLANTER LES DOPANTS EN COURS DE CROISSANCE: METHODE EJM21. NOUS AVONS ELABORE AINSI, EN UTILISANT UNE INSTALLATION D'EPITAXIE SOUS ULTRAVIDE MUNIE D'UNE SOURCE D'IONS MINIATURE ARSENIC TYPE REFLEX ELECTROSTATIQUE, DES COUCHES SOIT NON DOPEES, SOIT DOPEES PAR IMPLANTATION UNIFORMEMENT OU EN CRENEAU (PAS: 100-1000A). NOUS LES AVONS CARACTERISEES PAR MEB (MORPHOLOGIE), RHEED (CRISTALLOGRAPHIE), SIMS (CONTAMINATION, PROBABILITE D'INCORPORATION DES DOPANTS, RAIDEUR DES PROFILS DE DOPAGE), EFFET HALL (ACTIVITE ELECTRIQUE, MOBILITE). NOUS AVONS PRECISE LES CONDITIONS D'OBTENTION D'UNE BONNE MORPHOLOGIE. LES COUCHES ELABOREES A PLUS DE 700#OC AVEC DES VITESSES DE CROISSANCE DE 0,5 A 6 A/S SONT PARFAITEMENT MONOCRISTALLINES: LES DEFAUTS CREES PAR IMPLANTATION SONT OU ASSEZ PEU NOMBREUX OU ASSEZ BIEN RECUITS POUR NE PAS APPARAITRE PAR DIFFRACTION ELECTRONIQUE, TOUT L'ARSENIR IMPLANTE EST INCORPORE A 1000 COMME A 500 EV ET ELECTRIQUEMENT ACTIF, LA RAIDEUR DES PROFILS DE DOPAGE EST AU DELA RESOLUTION EN PROFONDEUR SIMS, LA SIMULATION LAISSE ATTENDRE DES GRADIENTS DE 10-20 A PAR DECADE, LES MOBILITES TROUVEES DANS LES COUCHES DOPEES UNIFORMEMENT OU EN CRENEAUX SONT EGALES A CELLES DU MATERIAU MASSIF.

Download or read book Delta dopage de couches de silicium labor es par pitaxie par jet mol culaire avec implantation d ions sb de faible nergie written by Elisabeth Dufour-Gergam and published by . This book was released on 1992 with total page 464 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le but de cette étude est d'évaluer les potentialités de l'épitaxie par jet moléculaire avec implantation d'ions dopants (ejm21) pour l'élaboration de couches de silicium à dopage planaire (ou -dopage) et de réaliser avec ces couches un transistor à effet de champ à canal enterré (-mesfet). La première partie de l'étude a permis de montrer que l'ejm21 présente, par rapport à la méthode concurrente qu'est epitaxie en phase solide (spe), les avantages suivants: 1) processus isotherme, 2) pas de micro précipité au niveau des plans de dopage, tous les ions implantés sont donc incorporés et électriquement actifs, 3) contrôle du dopage par mesure de la dose implantée. La finesse du plan de dopage a été mesurée par sims et c(v). L'extrapolation des données sims à une énergie nulle des ions primaires aboutit à une largeur à mi-hauteur de 50a. les mesures c(v) annoncent des valeurs de 20 a 40a. par ailleurs, un gain en mobilité des porteurs dans le canal a été mise en évidence. Il pourrait être du à un double effet de séparation porteurs-impuretés et de guidage des porteurs par le champ transverse. La deuxième partie de l'étude a permis la réalisation de -mesfet à grille w en technologie autoalignée. Les étapes critiques de cette technologie ont été optimisées, notamment le recuit d'implantation des caissons source et drain. La formation de siliciure de tungstène a pu être évitée grâce à un traitement plasma oxygène avant le dépôt de w (barrière de diffusion). Les premiers résultats ont permis d'obtenir des transconductances de 20 ms/mm pour des grilles de 1,8 m. Quelques propositions sont faites pour une amélioration de la filière technologique

Download or read book Elaboration et caracterisation de couches de silicium a gradient de dopage hyperabrupt obtenues par epitaxie sous ultravide avec implantation d ions dopants written by Joëlle Gutierrez and published by . This book was released on 1989 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book tude r alisation et caract risation de dopages par implantation ionique pour une application aux cellules solaires en silicium written by Adeline Lanterne and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a pour but d'étudier le dopage par implantation ionique pour la réalisation des différentes zones dopées des cellules solaires en silicium cristallin (émetteur, champ arrière...). L'avantage de l'implantation ionique, par rapport à la diffusion gazeuse, est de pouvoir contrôler le profil des dopants implantés ainsi que de simplifier les procédés de fabrication des cellules. Deux techniques d'implantation ionique ont été utilisées dans ces travaux, l'implantation classique par faisceau d'ions et l'implantation par immersion plasma. Des dopages au phosphore, au bore et à l'arsenic ont été réalisés par cette technique d'implantation avec une activation par recuit thermique. L'importance de la température de recuit, des doses d'implantation et des couches de passivation sur la qualité électrique des jonctions formées a été mise en évidence. Des jonctions à faible courant de saturation ont pu être obtenues pour les différentes sources dopantes. Ces dopages par implantation ont ensuite été appliqués à la réalisation de cellules solaires en silicium sur substrat de type p (avec un émetteur dopé au phosphore) et sur substrat de type n (avec un émetteur dopé au bore et un champ arrière dopé au phosphore). L'utilisation de l'implantation ionique a permis d'atteindre un rendement de 19,1 % sur les cellules de type p soit un gain de 0,6 %abs par rapport au dopage par diffusion gazeuse, ainsi qu'un rendement de 20,2 % sur les cellules de type n.

Download or read book Etude du dopage par implantation ionique d aluminium dans le carbure de silicium pour la r alisation de composants de puissance written by Mihai Bogdan Lazar and published by . This book was released on 2002 with total page 219 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Afin de doper localement le carbure de silicium l’implantation ionique est la seule méthode utilisable à cause des faibles coefficients de diffusion thermique des impuretés dopantes. L’étude s’est portée sur la réalisation de couches de type p par implantation ionique d’aluminium en ayant comme objectif la réalisation de composants de puissance bipolaires. Suite aux analyses physico-chimiques (SIMS, RBS/C, XPS, AFM) et électriques (mesures quatre pointes directement sur les couches SiC ou effectuées sur des structures-test VdP et TLM) des couches implantées dans différentes conditions (température, dose), une configuration de recuit post-implantation a été mise au point. On préserve la dose de dopants implantés avec une faible redistribution (voire aucune) après le recuit, dépendante des paramètres d’implantation. L’analyse de la recristallisation montre une bonne récupération de l’état cristallin (équivalent à ceux des échantillons vierges) dans le cas où l’implantation ionique ne crée pas de couche amorphe, en s’effectuant soit à température élevée (300°C) soit à la température ambiante en restant en-dessous du seuil d’amorphisation. On élimine les couches amorphes par le recuit post-implantation, l’endommagement résiduel étant d’autant plus important que la couche amorphe initiale est profonde. L’activation électrique des dopants (leur mise en sites substitutionnels) augmente avec le temps et la température de recuit, une activation complète nécessite des températures de recuit proches de 1800°C avec une durée de 30 min. Cette étude a été validée par la réalisation de composants de puissance en SiC. Plusieurs lots de plaquettes avec des diodes bipolaires protégées par JTE ont été réalisés par implantation ionique d’Al pour l’émetteur et sa protection JTE. L’homogénéité et la reproductibilité des caractéristiques directes confirment la qualité de l’implantation ionique et surtout du recuit post-implantation. Un meilleur comportement sous polarisations directe et inverse est trouvé pour les diodes réalisées par implantation à 300°C, ce qui confirme une meilleure activation électrique des dopants implantés à température élevée, ainsi qu’une meilleure qualité cristalline des couches. Les diodes réalisées à température ambiante montrent cependant des caractéristiques assez proches de celles implantées à 300°C. Des densités de courant aussi élevées que 200 A.cm-2 ont été obtenues pour une polarisation directe de 5V. La tenue en tension augmente avec la longueur des JTE ce qui montre le rôle bénéfique de cette protection. Le comportement électrique des diodes dépend de la taille de l’émetteur. La qualité des substrats SiC reste ainsi à améliorer. Des tenues en tension supérieures à 2 kV ont été obtenues.

Download or read book Etude de la croissance et du dopage simultan basse temp rature de couches minces de silicium pitaxi en plasma multipolaire micro onde written by Emmanuel Voisin (auteur en métallurgie).) and published by . This book was released on 1990 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de these est une etude de la croissance epitaxiee du silicium sur silicium et du dopage, a basse temperature (600c-800c) par plasma multipolaire microonde. Apres une presentation du dispositif experimental et des caracteristiques essentielles du plasma genere par une source rcer (resonance cyclotronique electronique repartie), il aborde tout d'abord le nettoyage in situ d'une surface de silicium par plasma d'hydrogene ou d'argon puis le depot epitaxie de silicium intrinseque a tres basse temperature par plasma de silane. Ensuite est presentee une etude du dopage, type n par le phosphore ou l'arsenic et type p par le bore. Elle aborde le niveau d'incorporation, l'activite electrique et la distribution spatiale des atomes dopants (le profil de dopage) dans une couche epitaxiee, en fonction des parametres experimentaux essentiels: fraction du gaz dopant dans le silane, energie des ions, temperature du substrat, puissance microonde injectee. Enfin la mise en uvre de nombreuses techniques de caracterisation atteste la bonne qualite tant sur le plan structural (nature et densite des defauts residuels) qu'electrique (mobilite des porteurs, defauts dans le gap) des couches de silicium deposees par pmm. L'avenir du depot par pmm en microelectronique s'avere donc tres prometteur

Download or read book Etude de la croissance et du dopage simultan basse temp rature de couches minces de silicium pitaxi en plasma multipolaire micro onde written by Emmanuel Voisin and published by . This book was released on 1990 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL DE THESE EST UNE ETUDE DE LA CROISSANCE EPITAXIEE DU SILICIUM SUR SILICIUM ET DU DOPAGE, A BASSE TEMPERATURE (600C-800C) PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE. APRES UNE PRESENTATION DU DISPOSITIF EXPERIMENTAL ET DES CARACTERISTIQUES ESSENTIELLES DU PLASMA GENERE PAR UNE SOURCE RCER (RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE), IL ABORDE TOUT D'ABORD LE NETTOYAGE IN SITU D'UNE SURFACE DE SILICIUM PAR PLASMA D'HYDROGENE OU D'ARGON PUIS LE DEPOT EPITAXIE DE SILICIUM INTRINSEQUE A TRES BASSE TEMPERATURE PAR PLASMA DE SILANE. ENSUITE EST PRESENTEE UNE ETUDE DU DOPAGE, TYPE N PAR LE PHOSPHORE OU L'ARSENIC ET TYPE P PAR LE BORE. ELLE ABORDE LE NIVEAU D'INCORPORATION, L'ACTIVITE ELECTRIQUE ET LA DISTRIBUTION SPATIALE DES ATOMES DOPANTS (LE PROFIL DE DOPAGE) DANS UNE COUCHE EPITAXIEE, EN FONCTION DES PARAMETRES EXPERIMENTAUX ESSENTIELS: FRACTION DU GAZ DOPANT DANS LE SILANE, ENERGIE DES IONS, TEMPERATURE DU SUBSTRAT, PUISSANCE MICROONDE INJECTEE. ENFIN LA MISE EN UVRE DE NOMBREUSES TECHNIQUES DE CARACTERISATION ATTESTE LA BONNE QUALITE TANT SUR LE PLAN STRUCTURAL (NATURE ET DENSITE DES DEFAUTS RESIDUELS) QU'ELECTRIQUE (MOBILITE DES PORTEURS, DEFAUTS DANS LE GAP) DES COUCHES DE SILICIUM DEPOSEES PAR PMM. L'AVENIR DU DEPOT PAR PMM EN MICROELECTRONIQUE S'AVERE DONC TRES PROMETTEUR

Download or read book DOPAGE DU SILICIUM PAR UNE NOUVELLE METHODE D IMPLANTATION IONIQUE AVEC RECUIT PAR LASER PULSE written by Jean-Claude Müller and published by . This book was released on 1983 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU PROCEDE DE DOPAGE PAR INCRUSTATION IONIQUE. INTERACTION DES IONS ATOMIQUES ET MOLECULAIRES AVEC LE SILICIUM. INTERACTION LASER DE PUISSANCE-MATIERE. ETUDE EXPERIMENTALE DES COUCHES INCRUSTEES AYANT SUBI UN RECUIT LASER PULSE. APPLICATION DE CETTE TECHNIQUE A LA PREPARATION DE CELLULES SOLAIRES A SILICIUM MONOCRISTALLIN ET POLYCRISTALLIN. COMPARAISON DE LEURS PERFORMANCES A CELLULES DE CELLULES PREPAREES PAR DES VOIES PLUS CONVENTIONNELLES

Download or read book Dopage du carbure de silicium par implantation ionique written by Jocelyn Gimbert and published by . This book was released on 1999 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE PORTE SUR LE DOPAGE DU CARBURE DE SILICIUM SIC-6H ET SIC-4H PAR IMPLANTATION IONIQUE, A LA FOIS DES POINTS DE VUE PHYSICO-CHIMIQUE ET ELECTRIQUE. L'OBTENTION DE DOPAGES CONTROLES DE TYPE N ET P EST NECESSAIRE POUR LA REALISATION DE DISPOSITIFS DE HAUTE PUISSANCE ET/OU DE HAUTES FREQUENCES, TELS QUE LES MESFETS OU LES DIODES SCHOTTKY. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS PRESENTONS LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET PHYSIQUES PARTICULIERES DU CARBURE DE SILICIUM ET NOUS METTONS EN EVIDENCE L'INTERET DE DEVELOPPER UNE TECHNOLOGIE SUR CE MATERIAU. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, NOUS PRESENTONS LES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES DE L'IMPLANTATION, ET EN PARTICULIER CELLE DES DOPANTS CLASSIQUES QUE SONT L'AZOTE, POUR LE DOPAGE DE TYPE N, ET L'ALUMINIUM ET LE BORE, POUR LE DOPAGE DE TYPE P. LES RESULTATS OBTENUS AVEC CES DOPANTS SONT DECRITS ET ANALYSES. NOUS EN DEDUISONS LES CONDITIONS EXPERIMENTALES PERMETTANT UNE BONNE QUALITE CRISTALLINE ET UN ETAT DE SURFACE ACCEPTABLE POUR LA REALISATION DE DISPOSITIFS. NOUS DETAILLONS EGALEMENT, DANS UNE TROISIEME PARTIE, LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS LES DEUX POLYTYPES SIC-4H ET SIC-6H. NOUS ABORDONS LE PROBLEME DE GEL DES PORTEURS ET CELUI DES DIFFERENTS MODES DE DIFFUSION DES PORTEURS. LES MESURES ELECTRIQUES SONT FAITES ESSENTIELLEMENT PAR EFFET HALL SUR MOTIF DE VAN DER PAUW ET PAR MESURE DE RESISTIVITE AVEC LA METHODE DES 4 POINTES. CELLES-CI NOUS PERMETTENT D'EN DEDUIRE LES PARAMETRES ESSENTIELS D'UNE COUCHE CONDUCTRICE DOPEE : LE TYPE DU MATERIAU, LA CONCENTRATION DE PORTEURS LIBRES, LA RESISTIVITE ET LA MOBILITE. LES RESULTATS DES EXPERIENCES REALISEES SONT COMMENTES ET COMPARES A L'ANALYSE THEORIQUE. L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES TECHNOLOGIQUES SUR LA CONDUCTION ELECTRIQUE EST ETUDIEE AFIN D'ENVISAGER LA FABRICATION DE DISPOSITIFS IMPLANTES SUR CARBURE DE SILICIUM.

Download or read book Epitaxie s lective confin e d InP sur substrat Si et dopage silicium de couches InP par la m thode aux hydrures written by Olivier Parillaud and published by . This book was released on 1996 with total page 212 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES STRUCTURES INP/SI ONT ETE REALISEES PAR UNE TECHNIQUE ORIGINAL DITE DE CROISSANCE LATERALE. ELLE EST BASEE SUR L'EPITAXIE SELECTIVE ET LE CONFINEMENT DES COUCHES. LA CROISSANCE DU PHOSPHURE D'INDIUM SE FAIT A PARTIR DE GERMES GAAS/SI ET RESTE CONFINEE ENTRE LE SUBSTRAT SI ET UN MASQUE DE DIELECTRIQUE. CETTE TECHNIQUE DE RAFFINAGE CRISTALLIN PERMET DE REDUIRE CONSIDERABLEMENT LE NOMBRE DE DEFAUTS PRESENTS DANS LES COUCHES DE MATERIAUX III-V EPITAXIEES SUR SILICIUM. L'INP AINSI OBTENU CONTIENT UNE DENSITE DE DISLOCATIONS INFERIEURE A 5.10#5 CM#-#2, MESUREE PAR REVELATION CHIMIQUE DES DEFAUTS ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION. LA CONTRAINTE RESIDUELLE PRESENTE DANS L'INP A ETE EVALUEE A PARTIR D'EXPERIENCES COMPLEMENTAIRES DE DIFFRACTION X ET DE SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE. LA MISE EN EVIDENCE D'UNE FAIBLE TENSION RESIDUELLE EST EXPLIQUEE PAR LA PRESENCE D'UNE FINE COUCHE D'OXYDE A L'INTERFACE INP/SI ET PAR LA GEOMETRIE PARTICULIERE DES ECHANTILLONS. LE DOPAGE SILICIUM DU PHOSPHURE D'INDIUM A ETE ETUDIE. LE DOPANT EST INTRODUIT AU SEIN DE LA PHASE VAPEUR, PENDANT LA CROISSANCE, A PARTIR DE SILANE. DES CARACTERISATIONS D'EFFET HALL, DE POLARON ET DE SIMS ONT ETE EFFECTUEES. L'INCORPORATION DU SILICIUM A ETE ETUDIEE EN FONCTION DES PARAMETRES DE PRESSION PARTIELLE DE SIH#4, DE PRESSION PARTIELLE DE PH#3, ET DE TEMPERATURE. UN MODELE DE CINETIQUE D'INCORPORATION EST PROPOSE. IL PERMET DE CONCLURE A L'INCORPORATION DIRECTE DU SILICIUM ET D'ESTIMER UNE VALEUR D'ENERGIE D'ACTIVATION DE SIH#4 DE 10,6 KCAL/MOL. EN ACCORD AVEC CELLES PUBLIEES POUR L'INCORPORATION DE SI A PARTIR DE SIH#4

Download or read book R alisation de jonctions pn dans le SiC 6H par implantation ionique d aluminium written by Laurent Ottaviani and published by . This book was released on 1999 with total page 237 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'implantation ionique est la seule technique de dopage local maîtrisable avec le carbure de silicium, la diffusion thermique nécessitant des températures trop élevées pour une industrialisation du procédé. Les principaux atomes dopants utilisés sont l'aluminium et le bore pour le type p, et l'azote pour le type n. Un problème important lié à cette technique réside dans l'activation électrique de l'espèce implantée. La création de l'émetteur de la diode bipolaire p+ nn+ étudiée exige cinq implantations successives d'aluminium, dont les énergies sont échelonnées entre 25 et 300 keV, afin d'obtenir un profil rectangulaire à concentration constante sur une distance précise ( 4.1019 cm•3 sur 0,5 μn). Ce dopage volumique est un dopage visé, c'est-à-dire qu'il est donné dans le cas où l'ionisation est complète. Or, les doses et énergies d'implantation utilisées conduisent à l'endommagement du cristal, et même à son amorphisation sur une certaine profondeur. il est donc nécessaire de pratiquer un recuit du matériau après l'implantation, d'une part pour recristalliser les zones endommagées, et d'autre part pour que les ions implantés diffusent localement sur des sites substitutionnels afin d'être électriquement actifs. Une étude complète visant à l'optimisation de la jonction électrique a été menée. Les paramètres spécifiquement liés à l'implantation ionique, tels que la valeur des angles d'implantations, la température et l'ordre énergétique, ont permis de contrôler la forme du profil de la jonction ainsi que l'endommagement du matériau. L'influence du recuit sur la stoechiométrie de surface, la cristallinité et l'activation électrique a également été dégagée, afin de choisir la meilleure configuration du four à induction, conduisant à un taux de mise en substitution des dopants proche de l'unité. Enfin, l'ensemble du procédé a été validé par la conception et la caractérisation de diodes bipolaires et Schottky.

Download or read book Elaboration par pitaxie par jets mol culaires de dopage planaire silicium dans des couches de GaAs et GaAlAs written by Bertrand Splingart and published by . This book was released on 1993 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'étude que nous présentons a pour objet la caractérisation du dopage planaire silicium dans les matériaux gaas et gaalas épitaxies par jets moléculaires pour la réalisation de transistors à effet de champ microondes. La réalisation du dopage planaire consiste à interrompre la croissance du matériau pendant le dépôt des éléments dopants. L'étude a permis de vérifier le confinement des impuretés silicium dans la couche. Dans ces conditions la caractérisation électrique en densité d'électrons et en mobilité a été effectuée. Des conditions de croissance ont été définies pour la réalisation de transistors à effet de champ (mesfet) et a hétérojonction (hemt). Les résultats obtenus ont montré l'intérêt du dopage planaire dans le cas de transistors à hétérojonction en prenant particulièrement en compte d'une part, les effets liés aux centres dx dans l'algaas et d'autre part, l'épaisseur de l'espaceur entre l'interface gaas/gaalas et le plan de dopage. Cette étude a montré dans certains cas la supériorité du plan de dopage par rapport au pulsé dopage dans une structure hemt. Ces résultats ont contribué à l'amélioration des conditions de réalisation des structures afin d'augmenter les performances des composants

Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

Download or read book Organic Solid State Lasers written by Sébastien Forget and published by Springer. This book was released on 2013-07-03 with total page 179 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Organic lasers are broadly tunable coherent sources, potentially compact, convenient and manufactured at low-costs. Appeared in the mid 60’s as solid-state alternatives for liquid dye lasers, they recently gained a new dimension after the demonstration of organic semiconductor lasers in the 90's. More recently, new perspectives appeared at the nanoscale, with organic polariton and surface plasmon lasers. After a brief reminder to laser physics, a first chapter exposes what makes organic solid-state organic lasers specific. The laser architectures used in organic lasers are then reviewed, with a state-of-the-art review of the performances of devices with regard to output power, threshold, lifetime, beam quality etc. A survey of the recent trends in the field is given, highlighting the latest developments with a special focus on the challenges remaining for achieving direct electrical pumping of organic semiconductor lasers. A last chapter covers the applications of organic solid-state lasers.

Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.

Download or read book Laser 50 Years Of Discoveries written by Fabien Bretenaker and published by World Scientific. This book was released on 2014-10-27 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This unique book provides an overview of the principle and applications of lasers enriched with numerous illustrations.Being over fifty years old, lasers continue to amaze us. Their performance characteristics are constantly reaching new limits, and the scope of their applications continues to expand. Yet, it took years of effort by teams of physicists to transform the fundamental notions of Einstein into the first experimental beam of laser light. And history is still going on as fundamental research is now triggered by its remarkable properties.This book addresses every aspects of laser light, from its fundamental principles to its industrial applications, at a level particularly suited for high school teachers, students, and anybody curious about science and technology.