Download or read book REALISATION PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR PAR LA METHODE AUX HYDRURES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS INAS XP 1 X INP written by ETIENNE.. GOUMET and published by . This book was released on 1999 with total page 181 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA REALISATION DE STRUCTURES A PUITS QUANTIQUE CONTRAINT INAS XP 1 X/INP PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR PAR LA METHODE AUX HYDRURES. IL DECRIT DANS UN PREMIER TEMPS L'ANALYSE THERMODYNAMIQUE DE LA PHASE VAPEUR DE MANIERE A DETERMINER SA COMPOSITION. L'ETUDE EXPERIMENTALE DEBUTE PAR LA REALISATION DE COUCHES EPAISSES RELAXEES PUIS SE POURSUIT PAR LA REALISATION DE STRUCTURES A PUITS QUANTIQUE. L'ANALYSE, PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE A BASSE TEMPERATURE AINSI QUE PAR SPECTROSCOPIES ELECTRONIQUES (A.E.S. ET E.P.E.S.), DE CES DIFFERENTES COUCHES DEPOSEES A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE UNE VARIATION LOCALE DE LA COMPOSITION EN ARSENIC DE L'ALLIAGE DEPOSE SUIVANT LA DIRECTION DES FLUX DE CROISSANCE. CETTE VARIATION A PU ETRE ATTRIBUEE A UN APPAUVRISSEMENT DE LA PHASE VAPEUR EN ARSENIC, RESULTANT DE LA CONDENSATION. DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES ONT PU NEANMOINS ETRE CARACTERISEES, EN COMPOSITION ET EN EPAISSEUR, PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE. DES STRUCTURES ADAPTEES ONT EN EFFET ETE REALISEES DE MANIERE A S'AFFRANCHIR DU PHENOMENE D'APPAUVRISSEMENT EN ARSENIC. ENFIN CE MEMOIRE PROPOSE UN MODELE CINETIQUE DECRIVANT LA CROISSANCE DU TERNAIRE INAS XP 1 X EN COMPRESSION SUR INP. CE MODELE TIENT COMPTE DES PHENOMENES D'APPAUVRISSEMENT ET DE DIFFUSION A L'INTERIEUR DE LA PHASE VAPEUR, PROPRES A NOS CONDITIONS EXPERIMENTALES.

Download or read book REALISATION PAR LA METHODE AUX HYDRURES ET ETUDE DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS GA XIN 1 XAS INP written by Evelyne Gil and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES PUITS QUANTIQUES INAS/INP ONT ETE ELABORES POUR LA PREMIERE FOIS PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR PAR LA METHODE AUX HYDRURES. L'ORIGINALITE DE LA DEMARCHE RESIDE DANS L'UTILISATION D'UNE TECHNIQUE DE FLUX PULSES D'HYDRURES (PH#3 ET ASH#3) SUR UN FLUX CONTINU DE CHLORURES INCL/HCL. LE CYCLE DE CROISSANCE DES COUCHES INAS COMPORTE DEUX ETAPES: UNE PHASE DE DEPOT SUIVIE PAR UNE PHASE D'ATTAQUE. DES PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS INAS D'EPAISSEUR EGALE A 21 ET 31 MONOCOUCHES ATOMIQUES ONT ETE REALISES. L'ETUDE PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE MONTRE QU'IL Y A UN BON CONFINEMENT DES PORTEURS DANS LES PUITS INAS. UNE TRANSLATION DE L'ENERGIE DE TRANSITION EXCITONIQUE A ETE OBSERVEE APRES RECUITS DE PUITS QUANTIQUES. L'INTERDIFFUSION DES ELEMENTS V MODIFIE LE PROFIL DE COMPOSITION DES PUITS ET LA FORMATION D'UNE COUCHE IN (AS, P) EST ATTENDUE. CETTE MEME TRANSLATION DU PIC EXCITONIQUE A ETE OBSERVEE POUR DES STRUCTURES MULTICOUCHES INAS/INP. ELLE EST ATTRIBUEE A L'INSTABILITE THERMIQUE DES PREMIERS PUITS ELABORES DANS LA SUPERSTRUCTURE. L'ETUDE D'HETEROSTRUCTURES GA#XIN#1#-#XAS/INP AVEC 0.3

Download or read book OPTIMISATION DES CONDITIONS D EPITAXIE POUR LA CROISSANCE DE PUITS QUANTIQUES INAS INP PAR LA METHODE AUX HYDRURES written by HENRI.. BANVILLET and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS POUR LA PREMIERE FOIS REALISE DES PUITS QUANTIQUES INP/INAS/INP PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR PAR LA METHODE AUX HYDRURES. DANS UN PREMIER TEMPS, CONNAISSANT LES CINETIQUES D'HOMOEPITAXIE DE L'INP, NOUS AVONS OPTIMISE LES PROCESSUS DE DEPOT, EN FAISANT INTERVENIR LES PHENOMENES DE DIFFUSION DES ESPECES GAZEUSES EN PRESENCE DANS L'ENCEINTE DE REACTION. UN MODELE DE SIMULATION NUMERIQUE 2D PERMET D'EVALUER PRECISEMENT LES VALEURS DES PRESSIONS PARTIELLES DES ESPECES GAZEUSES INTERAGISSANT PENDANT LA CROISSANCE CRISTALLINE. CETTE ETUDE NOUS A PERMIS DE CONTROLER DES DEPOTS D'INP D'EPAISSEUR 400 A, AFIN DE REALISER LES BARRIERES DE LA STRUCTURE FINALE. NOUS AVONS ENSUITE PROFONDEMENT MODIFIE L'APPAREILLAGE, PAR L'ADJONCTION DE VANNES PNEUMATIQUES ET DE NOUVELLES LIGNES D'AMENEE DES GAZ. CES AMELIORATIONS ONT PERMIS DE PULSER TOUT A TOUR LES HYDRURES ASH#3 ET PH#3, TOUT EN CONSERVANT UN FLUX D'ESPECES CHLOREES INCL, STABILISANT LA SURFACE DU SUBSTRAT. LES TEMPS DE COMMUTATION, DE L'ORDRE DE LA SECONDE, ONT PERMIS LA REALISATION D'INTERFACES ABRUPTES SUR DES PUITS QUANTIQUES INP/INAS/INP, D'EPAISSEUR CONTROLEE DE 21 MONOCOUCHES ATOMIQUES, JUSQU'A L'EPAISSEUR CRITIQUE DE CE SYSTEME, EVALUEE A 5 MONOCOUCHES ATOMIQUES. CES PUITS QUANTIQUES ONT ETE CARACTERISES PAR PHOTOLUMINESCENCE ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE

Download or read book CONTRIBUTION A LA TECHNOLOGIE D EPITAXIE EN PHASE VAPEUR AUX ORGANOMETALLIQUES APPLIQUEE AUX COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES CLASSIQUES ET QUANTIQUES A BASE DE GAINASP written by Abdallah Ougazzaden and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EN UTILISANT LA TECHNIQUE DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR PAR LA METHODE DES ORGANOMETALLIQUES, NOUS AVONS ETUDIE L'UNIFORMITE ET LA REPRODUCTIBILITE DES DOUBLES HETEROSTRUCTURES INGAASP/INP ET LES HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUES INGAAS/INGAASP/INP POUR LES COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES. NOUS AVONS OBTENU UNE EXCELLENTE QUALITE DE MATERIAU, AVEC UNE TRES BELLE MORPHOLOGIE, TRES BONNE UNIFORMITE D'EPAISSEUR, TRES BONNE UNIFORMITE DE COMPOSITION ET DE DOPAGE ET UNE TRES BONNE REPRODUCTIBILITE. CE SYSTEME EST TRES ADAPTE A LA PRODUCTION AVEC UN FAIBLE COUT ET EN GRANDE QUANTITE DE TOUS LES COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS QUI DEMANDENT UN BON CONTROLE D'EPAISSEUR, DE COMPOSITION ET DE DOPAGE