Download or read book REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN written by ABDALLAH.. SAKRI and published by . This book was released on 1989 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN D'IDENTIFIER L'ORIGINE DU COURANT DE FUITE QUI SE MANIFESTE A L'ETAT BLOQUANT DANS LES STRUCTURES MOS EN COUCHES MINCES (TFT) REALISEES DANS DU SILICIUM POLYCRISTALLIN, DEUX SERIES DE STRUCTURES N+NN+ ONT ETE FABRIQUEES AVEC CE MATERIAU. LES COUCHES DEPOSEES EN PHASE VAPEUR A BASSE PRESSION (LPCVD) ONT ETE DIVERSEMENT DOPEES PAR IMPLANTATION IONIQUE. L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS ET DE CELLES DE SIMPLES COUCHES-TEMOINS AYANT SUBI LES MEMES TRAITEMENTS THERMIQUES QUE CEUX-CI, A PERMIS DE MONTRER LE ROLE JOUE DANS LA TRANSMISSION DU COURANT DE FUITE PAR LA ZONE FORTEMENT PERTURBEE A PARTIR DE LAQUELLE CROISSENT LES GRAINS COLUMNAIRES, QUI FORMENT LA COUCHE ACTIVE DES TRANSISTORS. CES RESULTATS MONTRENT QUE LE COURANT DE FUITE: RESTE INDEPENDANT DE LA POLARISATION DE LA GRILLE TANT QUE LE NIVEAU DE CELLE-CI RESTE FAIBLE, DEPEND EN REVANCHE DU DOPAGE ET DES CONDITIONS DE DEPOT, NE DEPEND PAS DE FACON SIGNIFICATIVE DE L'EPAISSEUR (90 A 300 NM) DU FILM SIPOLY

Download or read book Microstructures en silicium polycristallin d pos sur verre Application la r alisation et la caract risation de transistors en couche mince grille suspendue written by Hicham El-Din Mahfouz Kotb and published by . This book was released on 2004 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacré à la réalisation, par micro-usinage de surface sur substrat de verre, de transistors en couches minces à grille suspendue (TFTs à air-gap). L'ensemble grille suspendue - couche active est réalisé en couches minces de polysilicium. La première partie de ce travail traite l'optimisation du procédé de fabrication des micro-ponts en polysilicium. La clé de voûte du procédé est un recuit de cristallisation du silicium structurel vers 570 ʿC - 600 ʿC, associé à l'utilisation de germanium comme couche sacrificielle. Dans la deuxième partie, des transistors à air-gap ont été réalisés en utilisant une couche sacrificielle de 500 nm d'épaisseur. Après libération, les transistors ont présenté de bonnes performances avec une pente sous le seuil et une tension de seuil de l'ordre de 0,7 V/dec et 6 V respectivement. L'effet de l'ambiance sur les caractéristiques de ces transistors à air-gap, a été étudié en troisième partie. Enfin, un modèle est proposé afin d'expliquer le comportement électrique du transistor sous l'effet de différentes ambiances.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN written by FRANCIS.. PETINOT and published by . This book was released on 1998 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONTRIBUE A LA COMPREHENSION DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES (TFT) EN SILICIUM POLYCRISTALLIN EN VUE DE LEUR INTEGRATION DANS UNE MATRICE ACTIVE D'ECRAN LCD. DEUX POINTS SONT PARTICULIEREMENT ETUDIES : L'HYDROGENATION DES TFTS ET LES MECANISMES DE DEGRADATION DE CE COMPOSANT. APRES AVOIR EXPOSE LE CONTEXTE INDUSTRIEL DE L'ETUDE, LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION ET LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DU TFT EN SILICIUM POLYCRISTALLIN SONT PRESENTEES. L'INFLUENCE DE LA DENSITE D'ETATS DE VOLUME DANS LA COUCHE ACTIVE POLYCRISTALLINE SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR Y EST ETUDIEE. ON DEVELOPPE ENSUITE L'ETAPE DE POST-HYDROGENATION DU TRANSISTOR POLYCRISTALLIN. APRES UNE OPTIMISATION DE CETTE ETAPE PAR PLASMA (RADIOFREQUENCE OU MICROONDE) ET DES RAPPELS SUR L'INTERACTION DE L'HYDROGENE AVEC LES DEFAUTS DANS LE SILICIUM, LE MECANISME DE DIFFUSION DE L'HYDROGENE DANS LA STRUCTURE DU TRANSISTOR POLYCRISTALLIN EST DEVELOPPE EN CORRELANT DES ANALYSES SIMS ET DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES SUR DES TRANSISTORS DE GEOMETRIES ET DE NATURES DIFFERENTES. L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TFTS EN SILICIUM POLYCRISTALLIN EN REGIME SATURE, EST INTRODUITE PAR UNE ANALOGIE COMPORTEMENTALE AVEC LE TRANSISTOR MONOCRISTALLIN. APRES AVOIR PRESENTE DEUX MODELES RELATIFS A LA DEGRADATION DANS LE TRANSISTOR MONOCRISTALLIN ET A L'EFFET KINK DANS LES STRUCTURES MOS SUR ISOLANT, L'INFLUENCE DE DIFFERENTS PARAMETRES DU TRANSISTOR (HYDROGENATION, LONGUEUR DE GRILLE, TYPE DU TRANSISTOR, PRESENCE DE LDD ET CRISTALLINITE DE LA COUCHE ACTIVE) SUR SA STABILITE ELECTRIQUE Y EST DEVELOPPEE. LES CONDITIONS DE POLARISATION DES TFTS POUR OBTENIR UN FONCTIONNEMENT STABLE SONT PRESENTEES POUR LES DIFFERENTS TYPES DE TFT.

Download or read book REALISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN PAR DES PROCEDES BASSE TEMPERATURE 600 C SANS ETAPE D HYDROGENATION written by KARINE.. MOURGUES and published by . This book was released on 1999 with total page 43 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'AMELIORATION D'UN PROCEDE TECHNOLOGIQUE DE FABRICATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES (TCM) DE SILICIUM POLYCRISTALLIN A BASSE TEMPERATURE ( 600 \C). LE BUT VISE EST D'OBTENIR DES TRANSISTORS PRESENTANT DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES COMPATIBLES AVEC DES APPLICATIONS EN VISUALISATION SANS AVOIR RECOURS A UNE ETAPE D'HYDROGENATION. UNE PREMIERE PARTIE TRAITE DE LA REALISATION DE TCM CRISTALLISES EN PHASE SOLIDE. CES TRANSISTORS SONT OBTENUS A PARTIR DE DEUX COUCHES DE SILICIUM, L'UNE NON DOPEE SERVANT DE COUCHE ACTIVE, L'AUTRE DOPEE POUR LES ZONES DE SOURCE ET DE DRAIN. UNE ETUDE A MONTRE QU'UNE AUGMENTATION DE LA PRESSION DE DEPOT DU SILICIUM DE 10 A 90 PA, ACCOMPAGNEE D'UN PLASMA D'OXYGENE POUR L'ETAPE DE PREPARATION DE LA SURFACE DE LA COUCHE ACTIVE, ONT CONDUIT A UN ACCROISSEMENT DE LA MOBILITE D'EFFET DE CHAMP DE 33 A 63 CM 2/V.S, A UNE DIMINUTION DE LA PENTE SOUS LE SEUIL DE 1,13 A 0,96 V/DEC ET DE LA TENSION DE SEUIL DE 5 A 2 V. UNE MODIFICATION DE LA STRUCTURE DU TRANSISTOR A ETE REALISEE EN DEPOSANT LES COUCHES DE SILICIUM LORS D'UN SEUL DEPOT PERMETTANT D'ELIMINER L'INTERFACE ENTRE LA COUCHE ACTIVE ET LES ZONES DE SOURCE ET DE DRAIN. CETTE MODIFICATION A PERMIS D'OBTENIR DES TRANSISTORS PRESENTANT DE TRES BONNES PERFORMANCES : S = 0,6 V/DEC, V T H = 1,2 V ET F E 100 CM 2/V.S. UNE ETUDE DE VIEILLISSEMENT A ETE MENEE SUR CES TRANSISTORS. UNE SECONDE PARTIE TRAITE DE LA CRISTALLISATION EN PHASE LIQUIDE PAR UN RECUIT LASER DE LA COUCHE ACTIVE DES TRANSISTORS. NOUS UTILISONS UN LASER DE GRANDE SURFACE DONT L'IMPACT COUVRE 5 5 CM 2. LA DENSITE D'ENERGIE VARIE DE 350 A 550 MJ/CM 2 ET LE NOMBRE D'IMPACTS DE 1 A 10. CETTE PREMIERE ETUDE A MIS EN EVIDENCE QU'UNE DENSITE D'ENERGIE DE 550 MJ/CM 2 ET 10 IMPACTS, DONNENT LES MEILLEURS RESULTATS, A SAVOIR, UNE MOBILITE DE 140 CM 2/V.S, UNE PENTE SOUS LE SEUIL DE 0,35 V/DEC ET UNE TENSION DE SEUIL DE 3V. LA PRESENCE D'UNE COUCHE ANTIREFLET DE SIO 2 SUR LE FILM A CRISTALLISER A PERMIS D'AUGMENTER L'EFFICACITE DU LASER.

Download or read book TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE IN SITU written by Laurent Pichon and published by . This book was released on 1993 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ONT ETE REALISES EN TECHNOLOGIE BASSE TEMPERATURE (600C) AVEC DEUX TYPES D'ISOLANTS DE GRILLE: UN OXYDE THERMIQUE SUIVI D'UN DEPOT LPCVD DE NITRURE (SI#3N#4) (LOTS A ET B#1), OU UN DEPOT APCVD DE SIO#2 (LOTS B#2 ET C). LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES TRANSISTORS DU PREMIER LOT (LOT A) MET EN EVIDENCE L'IMPORTANCE DE L'ETAT DE SURFACE DE LA COUCHE ACTIVE APRES GRAVURE PLASMA SUR LA QUALITE DES CONTACTS SOURCE ET DRAIN AINSI QU'UN EFFET DE PIEGEAGE DES PORTEURS CHAUDS A L'INTERFACE SIO#2/SI#3N#4. COMPTE TENU DE CES OBSERVATIONS NOUS AVONS REALISE UN DEUXIEME LOT DE TRANSISTORS AVEC LES DEUX TYPES D'ISOLANTS DE GRILLE. L'ISOLATION BICOUCHE DE LA GRILLE (-OXYDE+NITRURE-LOT B#1) CONDUIT A DE MEILLEURES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS GRACE A UNE DENSITE D'ETATS D'INTERFACES MOINS ELEVEE. TOUTEFOIS, L'ISOLATION ELECTRIQUE EST MOINS BONNE QUE CELLE OBTENUE PAR UN DEPOT APCVD DE SIO#2 (LOT B#2). APRES HYDROGENATION, LES TRANSISTORS DU LOT B#2 PRESENTENT DE MEILLEURES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES QUE CEUX DU LOT B#1 MAIS LE COURANT A L'ETAT BLOQUANT RESTE ENCORE ELEVE. UNE REDUCTION DE CE COURANT EST OBTENUE GRACE A UN FAIBLE DOPAGE DU DRAIN SUR DES TRANSISTORS DONT L'ISOLANT DE GRILLE EST DU SIO#2 APCVD (LOT C). NOUS ANALYSONS LES EFFETS DE LA TEMPERATURE ET DES POLARISATIONS DU DRAIN ET DE LA GRILLE SUR LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DES TRANSISTORS HYDROGENES DES LOTS B#2 ET C. D'UNE PART, NOUS MONTRONS QUE LE MECANISME DE CONDUCTION A L'ETAT PASSANT OBEIT AU MODELE DE PIEGEAGE DES PORTEURS ET D'AUTRE PART QUE LE COURANT A L'ETAT BLOQUANT EST DU A DIFFERENTS PROCESSUS D'EMISSION DE PORTEURS A PARTIR DES JOINTS DE GRAINS: EMISSION THERMIQUE PURE FAVORISEE OU NON PAR L'EFFET POOLE-FRENKEL, EMISSION THERMOELECTRONIQUE ASSISTEE PAR CHAMP, EMISSION PAR EFFET TUNNEL PUR. NOUS METTONS AINSI EN EVIDENCE QU'UN FAIBLE DOPAGE DU DRAIN CONDUIT A UNE REDUCTION DE L'EMISSION THERMIQUE PURE

Download or read book CARACTERISATION DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by FRANCOIS.. ROY and published by . This book was released on 1986 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ANALYSE DE L'EVOLUTION EN FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. CETTE ETUDE, BASEE SUR L'EVOLUTION DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE, A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE: LA CREATION DE LIAISONS BRISEES DANS LA ZONE ACTIVE DU TRANSISTOR ET CORRESPONDANT A LA DISTRIBUTION DES NIVEAUX LOCALISES T3 DANS LA BANDE INTERDITE DU A-SI:H; L'AUGMENTATION DES ETATS DE SURFACE A L'INTERFACE SIO2/A-SI:H; L'AUGMENTATION DE LA TEMPERATURE CARACTERISTIQUE DE LA DISTRIBUTION EXPONENTIELLE D'ETATS DE QUEUE DE BANDE. LE CHOIX DE LA PROCEDURE EXPERIMENTALE A PERMIS DE MONTRER QUE LE PROCESSUS: EST NON ACTIVE THERMIQUEMENT, INDUIT PAR LES PORTEURS LIBRES ACCUMULES DANS LE CANAL SOUS EFFET DE CHAMP ET QUE LA CINETIQUE DE CE MECANISME SUIT UNE LOI EN "TEMPS **(1/3"). PAR AILLEURS, L'ETUDE D'UN TRANSISTOR AMBIPOLAIRE MONTRE QUE LA DEGRADATION SOUS CONTRAINTE ELECTRIQUE EST UNE COMPOSANTE DE L'EFFET STAEBLER-WRONSKI. L'ACCUMULATION D'ELECTRONS LIBRES OU DE TROUS LIBRES CONDUIT, INDEPENDAMENT, A L'AUGMENTATION DES LIAISONS BRISEES

Download or read book FABRICATION ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM GERMANIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD APPLICATION AUX TRANSISTORS FILMS MINCES written by DENIS.. GUILLET and published by . This book was released on 2000 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A LA FABRICATION DE COUCHES DE SILICIUM-GERMANIUM NON DOPE DEPOSEES PAR LPCVD (LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION). L'OBJECTIF FINAL EST DE SAVOIR SI DE TELLES COUCHES PEUVENT SERVIR DANS LE MONDE DE LA MICROELECTRONIQUE (C'EST-A-DIRE S'INTEGRER DANS DES DISPOSITIFS ELECTRONIQUES EN TANT QUE COUCHES ACTIVES) DANS LE BUT PAR EXEMPLE DE DIMINUER LE BUDGET THERMIQUE. UNE PREMIERE PARTIE EST DONC CONSACREE A LA FABRICATION DES COUCHES EN UTILISANT COMME GAZ DU SILANE ET DU GERMANE DILUE DANS L'HYDROGENE. NOUS AVONS ALORS ETUDIE L'INFLUENCE SUR LES VITESSES DE CROISSANCE AINSI QUE SUR LEUR ENERGIE D'ACTIVATION DES FLUX DE GAZ, DE LA PRESSION TOTALE DANS LE FOUR DE DEPOT, DE LA TEMPERATURE ET DE L'INCORPORATION DE GERMANIUM DANS LES COUCHES. IL S'AVERE QUE LA PRESENCE DE GERMANIUM MODIFIE LES CINETIQUES DE DEPOT ET IL S'ENSUIT, DANS NOTRE GAMME D'ETUDE, QUE LA VITESSE EST MULTIPLIEE PAR UN FACTEUR ALLANT JUSQU'A 5 PAR RAPPORT A DES DEPOTS DE SILICIUM. DANS UNE SECONDE PARTIE, NOUS NOUS INTERESSONS AUX CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE CES COUCHES. LA CRISTALLISATION DES COUCHES DEPOSEES AMORPHES EST D'ABORD ETUDIEE. ENSUITE, L'ETUDE ELECTRIQUE NOUS MONTRE QUE, SELON LES CONDITIONS DE REALISATION DES FILMS, DES RESISTIVITES SUR UNE GAMME DE QUELQUES 10 .CM A 10 5 .CM SONT OBTENUES. ON A CONCLU A LA PRESENCE D'UNE DISTRIBUTION D'ETATS ACCEPTEURS DANS LA BANDE INTERDITE. CETTE DISTRIBUTION, CERTAINEMENT DUE AU GERMANIUM, PROVOQUE UNE DISPERSION SUR LES CARACTERISTIQUES DES FILMS DEPOSES AMORPHES PUIS RECUITES. L'ULTIME PARTIE CONSISTE A FABRIQUER DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES AVEC DU SILICIUM-GERMANIUM COMME COUCHE ACTIVE. IL S'AVERE QUE LES RESULTATS RESTENT INSUFFISANTS PAR RAPPORT A CEUX QUE L'ON

Download or read book Fabrication et caract risation de couches minces de silicium germanium polycristallin d pos es par L P C V D written by Denis Guillet and published by . This book was released on 2000 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Caract risation mod lisation conception pour des applications analogiques grande surface dans la technologie transistors en couches minces en silicium polycristallin TFT Poly Si written by Cédric Rechatin and published by . This book was released on 2007 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’objectif de ce travail est d’étudier le potentiel de la technologie des transistors en couches minces à base de silicium polycristallin (TFT Poly-Si) pour la conception de circuits analogiques. Le gain en mobilité par rapport à la technologie amorphe (TFT a-Si), permet l’intégration directement sur la dalle en verre de nouvelles fonctionnalités pour obtenir des systèmes à fortes valeurs ajoutées. Les travaux ont porté sur la caractérisation et la modélisation des transistors en vue d’une conception analogique. Un accent particulier a été mis sur la modélisation de l’erreur d’appariement dans cette technologie. Puis nous avons présenté une nouvelle architecture pour une application de capteur d’empreintes capacitif. Elle est basée sur un traitement parallèle des données et est parfaitement adaptée aux contraintes de la technologie. Elle permet notamment de simplifier le pixel et de compenser la tension de décalage aléatoire de l’amplificateur de charges.

Download or read book MODELISATION DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES SUR SILICIUM POLYCRISTALLIN A PETITS GRAINS NON DOPE EN MODE D ACCUMULATION written by ABDELKADER.. AMROUCHE and published by . This book was released on 1990 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE PROPOS DE CETTE THESE EST LA MODELISATION BIDIMENSIONNELLE DU FILM SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPE ET SON APPLICATION AU TRANSISTOR EN COUCHES MINCES. LES ASPECTS CONCERNANT LES PROPRIETES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES AINSI QUE LES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS CE TYPE DE MATERIAU ONT ETE TRAITES. CE MEMOIRE EST DIVISE EN TROIS PARTIES: DANS LA PREMIERE, UNE ETUDE DU FILM SILICIUM POLYCRISTALLIN EST PRESENTEE AVEC LES DIFFERENTS PARAMETRES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES INTERVENANT DANS LA CARACTERISATION DE CE MATERIAU. SONT AUSSI PRESENTES ET DISCUTES, LES DIFFERENTS MECANISMES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET LEURS APPLICATIONS DANS QUELQUES MODELES DE CONDUCTION TRES CONNUS. LA DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE A UNE RECHERCHE UNIDIMENSIONNELLE DE LA CARACTERISTIQUE DE CONDUCTIVITE, QUI NOUS A PERMIS D'APPROCHER L'IDENTIFICATION DU SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPE, EN QUANTIFIANT LE DOPAGE RESIDUEL ET LA DENSITE DE LIAISONS PENDANTES. UNE CORRECTION DE CES DEUX GRANDEURS A ETE REALISEE PAR LE DEVELOPPEMENT D'UN MODELE BIDIMENSIONNEL, PLUS REPRESENTATIF DES COUCHES ETUDIEES. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS PRESENTONS LE MODELE DE CONDUCTION APPLIQUE AU TRANSISTOR. ENFIN NOUS DEVELOPPONS LA METHODE DE RESOLUTION UTILISEE DANS LE MODELE NUMERIQUE. NOUS AVONS RESERVE LA DERNIERE PARTIE DE CE MEMOIRE AUX DIFFERENTS RESULTATS ISSUS DES MESURES EXPERIMENTALES ET DE LA SIMULATION UNIDIMENSIONNELLE ET BIDIMENSIONNELLE. L'INTERPRETATION DE CES RESULTATS AINSI QUE L'ACCORD MESURES/SIMULATION Y SONT PRESENTES

Download or read book ANALYSE ET CARACTERISATION D INTERFACES SILICIUM POLYCRISTALLIN DIOXYDE DE SILICIUM POUR DES APPLICATIONS A DES CAPACITES ET DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES written by ANNE-CLAIRE.. SALAUN MICHEL and published by . This book was released on 1996 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE AUX DISPOSITIFS DE TYPE MOS REALISES EN TECHNOLOGIE BASSE TEMPERATURE (00C) ET TECHNOLOGIE MOYENNE TEMPERATURE (50C) ET METTANT EN JEU DES COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN. DES CAPACITES MOPS (METAL-OXYDE-POLYSILICIUM-SILICIUM) SONT REALISEES ET CARACTERISEES ELECTRIQUEMENT PAR C(V). UN MODELE SPECIFIQUE REPOSANT SUR LE CALCUL DE LA CAPACITE, A PARTIR DE LA RESOLUTION BIDIMENSIONNELLE DE L'EQUATION DE POISSON A ETE MIS AU POINT, EN PRENANT EN COMPTE LA STRUCTURE POLYCRISTALLINE IDEALISEE. A PARTIR DE CE MODELE, IL EST POSSIBLE DE DISTINGUER LES DISTRIBUTIONS DE PIEGES A L'INTERFACE ET AUX JOINTS DE GRAINS. DIFFERENTES PRESSIONS DE DEPOT ET TECHNIQUES DE CRISTALLISATION DE LA COUCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ONT PU ETRE COMPAREES GRACE A CET OUTIL. ON MONTRE AINSI QUE LES COUCHES DE SILICIUM DEPOSEES A 550C ET 90 PA ET CRISTALLISEES DIRECTEMENT PENDANT L'OXYDATION A 950C PERMETTENT D'OBTENIR LA MOINS GRANDE DENSITE DE PIEGES AUX JOINTS DE GRAINS (1X10#1#8 CM#-#3.EV#-#1 AU MILIEU DE LA BANDE INTERDITE) AINSI QU'UNE INTERFACE SI-POLY/OXYDE DE MEILLEURE QUALITE (D#I#T=1X10#1#2 CM#-#2.EV#-#1 AU MILIEU DE LA BANDE INTERDITE). LES CONCLUSIONS PRECEDENTES SONT CONFIRMEES PAR LES PERFORMANCES DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES (TFT). DE PLUS, LE BON FONCTIONNEMENT DE CES TRANSISTORS JUSQU'A 300C PERMET D'ENVISAGER L'INTEGRATION DE CES TRANSISTORS EN SILICIUM POLYCRISTALLIN DANS LES CIRCUITS DE PETITE PUISSANCE INTELLIGENTE DE TYPE SMART-POWER

Download or read book tude lectrique de la qualit et de la fiabilit des transistors en couches minces tft sur silicium polycristallin written by Filippos Farmakis and published by . This book was released on 2000 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT DE LA TECHNOLOGIE DES ECRANS PLATS IMPLIQUE UNE UTILISATION EXTENSIVE DES TRANSISTORS EN COUCHE MINCE (TFT) SUR SILICIUM POLYCRISTALLIN. CELA ENTRAINE UNE ACTIVITE SCIENTIFIQUE IMPORTANTE, AFIN DE DETERMINER LES PARAMETRES OPTIMAUX POUR LA FABRICATION DES TFT LES PLUS PERFORMANTS ET LES MIEUX ADAPTES. CETTE THESE S'INSCRIT DANS CE CONTEXTE. LE PREMIER OBJECTIF DE CETTE THESE EST DE COMPRENDRE LE FONCTIONNEMENT STATIQUE (CARACTERISTIQUES DE TRANSFERT AU REGIME LINEAIRE) DE CES TRANSISTORS ET AINSI DE DISCUTER LA QUALITE DE CES STRUCTURES SUIVANT LES DIFFERENTS PARAMETRES TECHNOLOGIQUES QUI ONT ETE UTILISES PENDANT LEUR FABRICATION. LES TFT OBTENUS A L'AIDE DU RECUIT LASER SONT LARGEMENT ETUDIES ET DE NOMBREUSES CONSTATATIONS ET CONCLUSIONS SONT PRESENTEES. DE PLUS, NOUS PROPOSONS UN MODELE STATIQUE EN REGIME LINEAIRE POUR LES TRANSISTORS EN SILICIUM POLYCRISTALLIN A GRANDS GRAINS AFIN DE CARACTERISER CES DISPOSITIFS. LE DEUXIEME OBJECTIF EST D'ETUDIER LA FIABILITE DES TFT. CECI A ETE FAIT A L'AIDE DE L'ANALYSE DU BRUIT ELECTRIQUE ET DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS. LE BRUIT ELECTRIQUE BASSES FREQUENCES SERT COMME OUTIL DE CARACTERISATION DE LA QUALITE AINSI QUE DE LA FIABILITE DES DISPOSITIFS. NOUS MONTRONS EGALEMENT QUE LE VIEILLISSEMENT DES DISPOSITIFS A SES ORIGINES AUX DEFAUTS DE L'INTERFACE SI-POLY/SIO 2 ET A LA DEGRADATION DES JOINTS DE GRAINS.

Download or read book Etude physico chimique et electrique des contacts ito silicium polycristallin pour la realisation de transistors en couches minces written by Naima Elassali and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ELABORATION ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD POUR APPLICATION PHOTOVOLTIQUE written by YAHYA.. LAGHLA and published by . This book was released on 1998 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: COMME L'UTILISATIONS DE L'ENERGIE SOLAIRE EST NOUVELLE PAR RAPPORT AUX ENERGIES TRADITIONNELLES (SURTOUT LES COMBUSTIBLES FOSSILES), SA RECHERCHE ET SON DEVELOPPEMENT SONT GUIDES A LA FOIS PAR LES POSSIBILITES PHYSIQUES ET PAR LES ASPECTS ECONOMIQUES, POLITIQUES ET SOCIAUX. LE DEVELOPPEMENT EST UNE RENCONTRE D'UN PRODUIT ET D'UN MARCHE. NOTRE TRAVAIL EST AINSI SEPARE EN 3 PARTIES : UNE PARTIE DITE DE RECHERCHE HORIZONTALE CONCERNANT L'ETUDE PHYSIQUE DU MATERIAU TELLES LES CARACTERISTIQUES OPTIQUES, DONT NOUS AVONS ETUDIE LES PRINCIPALES METHODES DE DETERMINATION DES CONSTANTES OPTIQUES. DANS CETTE PARTIE, NOUS AVONS DETAILLE LES DEUX METHODES D'OBTENTION DE L'EPAISSEUR, DE L'INDICE DE REFRACTION ET DU COEFFICIENT D'ABSORPTION EN FONCTION DES LONGUEURS D'ONDES A PARTIR DU SPECTRE DE TRANSMISSION SEUL METHODE DE FRANGE D'INTERFERENCE ; OU A PARTIR DE LA COMBINAISON DES SPECTRES DE TRANSMISSION ET DE REFLEXION METHODE DITE OCS. APRES LA COMPARAISON DES AVANTAGES ET DES INCONVENIENTS DES DEUX METHODES, NOUS AVONS ABOUTI A UNE NOUVELLE METHODE QUI CONSISTE A COMBINER LES DEUX METHODES EN MEME TEMPS AFIN D'AUGMENTER LA PRECISION SUR LES CONSTANTES OPTIQUES. LA DEUXIEME PARTIE EST DEDIEE A L'APPLICATION DE LA METHODE DITE DE MINIMISATION, AFIN DE CALCULER LES PROPRIETES OPTIQUES DES COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR DECOMPOSITION EN PHASE VAPEUR A BASSE PRESSION (LPCVD), DE DISILANE, DEPOSEE DANS UN NOUVEAU TYPE DE REACTEUR, APPELE REACTEUR PUIS COMPAREES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENU PAR RECUIT DE CE PREMIER ET AU SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSE DIRECTEMENT PAR DECOMPOSITION DU SILANE PAR LPCVD. CES ETUDES OPTIQUES DE CES DIFFERENTS MATERIAUX NOUS ONT CONDUIT A OPTER POUR LA FILIERE GAZEUSE SILANE ET AU CONDITION DE DEPOT DE CE MATERIAU (T = 660 C, P = 0,3TORR), POUR LA REALISATION DES DIODES PHOTOVOLTAIQUE, ET D'OPTIMISER LES EPAISSEURS CONVENABLE POUR QUE 90% DE LA LUMIERE INCIDENTE SOIT ABSORBEE. DANS UNE DEUXIEME ETAPE DE NOTRE RECHERCHE NOUS AVONS ETUDIE LA CINETIQUE DE DEPOT, LES PROPRIETES OPTIQUES, ELECTRIQUES, ET STRUCTURALES DES DIFFERENTES COUCHES CONTRIBUANT A LA FABRICATION DES DIODES PHOTOVOLTAIQUE, A SAVOIR LES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPES, DOPEE BORE OU PHOSPHORE. AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LES QUALITES DE CES COUCHES, NOUS AVONS ESSAYE DE FAIRE UN LIEN ENTRE LES DIFFERENTES VARIATIONS DES PARAMETRES OPTIQUES ET ELECTRIQUES OBSERVES ET LEUR VARIATION DE STRUCTURE EN FONCTION DE LEURS EPAISSEURS. POUR COMPLETER CES ETUDES, EN DERNIER PARTIE, NOUS SOMMES PASSE A LA PHASE DITE VERTICALE CONSISTANT A LA REALISATION TECHNOLOGIQUE DE CES DIODES AVEC UN MINIMUM D'ETAPES TECHNOLOGIQUES. NOUS AVONS PU OBTENIR DES DIODES A BASE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN AVEC UN COURANT DE FUITE MINIMAL ET UNE TRES BONNE TENUE AU COURANT INVERSE JUSQU'A 100V SANS OBSERVER LE CLAQUAGE DE LA JONCTION.

Download or read book REALISATION ET CARACTERISATION D UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A EMETTEUR EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by ABDELMAJID.. EL GHARIB and published by . This book was released on 1989 with total page 190 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE TRAVAIL EST LA REALISATION ET LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES NPN A EMETTEUR ENTIEREMENT CONSTITUE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DOPE AU PHOSPHORE. MISE AU POINT D'UN PROCEDE DE FABRICATION. LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES PREMIERS TRANSISTORS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE: L'EFFET TRANSISTOR, UN GAIN EN COURANT DE 150 AYANT ETE ATTEINT; LA NECESSITE DE DIMINUER LA RESISTIVITE DE LA COUCHE DE A-SI:H DOPE. OBTENTION D'UNE BONNE REPRODUCTIBILITE ET D'UNE MEILLEURE CONDUCTIVITE EN JOUANT SUR LES PARAMETRES DE DEPOT. UN MODELE SIMPLE DE CONDUCTION A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LES PARAMETRES PHYSIQUES IMPORTANTS QUI PEUVENT AMELIORER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS. DE NOUVEAUX TRANSISTORS ONT ETE FABRIQUES EN TENANT COMPTE DE CES RESULTATS. L'ANALYSE DE LEUR COMPORTEMENT ELECTRIQUE MONTRE QUE LA RESISTIVITE DE LA COUCHE DE A-SI:H JOUE UN ROLE PREPONDERANT. UNE ETUDE EN FONCTION DU DOPAGE DE LA BASE A MONTRE QUE LES GAINS OBTENUS ETAIENT SYSTEMATIQUEMENT SUPERIEURS A LEUR CONTREPARTIE A EMETTEUR EN SILICIUM MONOCRISTALLIN

Download or read book MODELISATION DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN PETITS GRAINS EN REGIMES PASSANT ET BLOQUANT written by MALIKA.. KANDOUCI and published by . This book was released on 1993 with total page 126 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CE TRAVAIL EST LA MISE EN PLACE D'UN MODELE NUMERIQUE DE SIMULATION DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN, EN REGIMES PASSANT ET BLOQUANT. LE CHAPITRE 1 EST CONSACRE A LA PRESENTATION TECHNOLOGIQUE DE LA STRUCTURE DU TRANSISTOR D'ETUDE, AINSI QUE SES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES. DANS LE CHAPITRE 2, LE MODELE PHYSIQUE EST ETABLI. IL DECRIT LES MECANISMES DE CONDUCTION SUSCEPTIBLES D'INTERVENIR DANS LE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR. IL EST FAIT DISTINCTION, DANS LE FILM POLYCRISTALLIN, ENTRE LES MECANISMES INTERVENANT A L'INTERIEUR DES GRAINS, A LA SURFACE DES GRAINS ET AUX JOINTS DE GRAINS. LE MECANISME DE CONDUCTION PAR EFFET TUNNEL, AUX JOINTS DE GRAINS, EST RETENU. LES EFFETS INDUITS PAR LES CONTACTS SOURCE ET DRAIN SONT CONSIDERES. LE MODELE TIENT COMPTE DES MECANISMES DE SATURATION DES VITESSES DE PORTEURS ET DES MECANISMES DE GENERATION PAR IONISATION PAR IMPACT LIES AUX FORTS CHAMPS. IL EST DEMONTRE QUE LE PHENOMENE DE CLAQUAGE, RENCONTRE DANS LE SILICIUM MONOCRISTALLIN, EST ANNIHILE PAR LES MECANISMES DE RECOMBINAISON, SUR LES LIAISONS PENDANTES. DANS LE CHAPITRE 3, L'UTILISATION DE L'OUTIL DE SIMULATION PERMET DE VERIFIER LES HYPOTHESES DU MODELE PHYSIQUE. LA COMPARAISON DES SIMULATIONS AVEC DES MESURES EXPERIMENTALES MONTRE LA VALIDITE DU MODELE ET LA NECESSITE D'Y ADJOINDRE LES MECANISMES DE CONDUCTION PAR EFFET TUNNEL INTERBANDES, A LA SURFACE DU DRAIN. LE CHAPITRE 4 MONTRE QUE LE MODELE NUMERIQUE PEUT ETRE UTILISE POUR PREDIRE LE COMPORTEMENT DE NOUVELLES STRUCTURES

Download or read book Qualification de diff rents mat riaux silicium en vue de la r alisation sur le m me substrat de transistors d di s diff rentes applications written by Amar Saboundji and published by . This book was released on 2004 with total page 129 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Durant cette thèse, nous nous sommes intéressés à la fabrication de transistors en couches minces de silicium amorphe, microcristallin ou cristallisé par laser. La première phase du travail concerne l'étude de la cristallisation de la couche active des transistors par un laser continu Nd : Yag. Les couches cristallisées avec une énergie E = 3.64 W, ont des grains de taille maximale. Les transistors de type N présentent des mobilités d'environ 630 cm2/V.s. Cependant, ces transistors présentent une grande dispersion de la mobilité de l'ordre de 15% et surtout une variation aléatoire, inacceptable, du courant inverse d'un transistor à son voisin. L'énergie de 3.12 W semble être le meilleur compromis possible entre une bonne mobilité et une homogénéité acceptable, de l'ordre de 5%. Elle aboutit à une mobilité de 390 cm2/V.s. La taille des grains issus de cette cristallisation, induit des performances différentes des transistors selon leur orientation par rapport au balayage du laser. Les transistors parallèles présentent une mobilité moyenne de 390 cm2/V.s alors que les transistors perpendiculaire voient la mobilité chuter à 240 cm2/V.s.Dans la seconde partie de ce travail nous somme intéressés à la faisabilité de transistors stables fabriqués à basse température. Les transistors réalisés avec des couches de silicium amorphe déposé par filament chaud donnent des résultats intéressants particulièrement une grande mobilité d'effet de champ ((= 1.3 cm2/V·s). Ils sont par contre aussi instables que les habituels transistors au silicium amorphe. Par contre les transistors fabriqués à partir de silicium microcristallin présentent une très bonne stabilité. De très grandes mobilités d'électrons (40 cm2/V·s) sont obtenues avec des transistors réalisés à partir de couches micrcristallines déposées aussi bien par filament chaud que par PECVD. Ces résultats confirment la possibilité d'utiliser le silicium microcristallin comme alternative au silicium amorphe dans les écrans plats La valeur de la mobilité de trous obtenue 1.15 cm2/V·s, jamais atteinte auparavant avec ce type de matériau, est quant à elle suffisante pour envisager la réalisation de circuits CMOS.