Download or read book PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRIQUES DE COUCHES D OXYDE DE SILICIUM ELABOREES PAR PLASMA BASSE TEMPERATURE D OXYGENE written by DIDIER.. GOGHERO and published by . This book was released on 2001 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE AU DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM ET D'ALLIAGES SILICIUM-GERMANIUM DANS UN REACTEUR HELICON (13,56 MHZ). DES COUCHES DE SIO 2, PROCHES DE LA SILICE THERMIQUE, SONT OBTENUES EN UTILISANT UN TRES FAIBLE POURCENTAGE DE TETRAETHOXYSILANE (TEOS). UNE ANALYSE DU PLASMA A ETE EFFECTUEE PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE ET SONDE DE LANGMUIR POUR ETUDIER LES PERTURBATIONS EVENTUELLES DE LA POLARISATION RADIOFREQUENCE DU SUBSTRAT ET DE LA PRESSION SUR LA DECHARGE. L'ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE UV-VISIBLE, LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION ET L'ANALYSE XPS ONT ETE UTILISES POUR L'ETUDE STRUCTURALE DES COUCHES DE SIO 2. NOUS AVONS DISTINGUE, POUR CETTE ETUDE, LE PROCEDE D'OXYDATION DE CELUI DE DEPOT PLASMA ET NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QU'IL PEUR EXISTER UN LIEN ENTRE CES DEUX PHENOMENES LORS DE LA CROISSANCE DE L'OXYDE SUR UN ALLIAGE SILICIUM-GERMANIUM. NOUS AVONS EGALEMENT OPTIMISE NOS CONDITIONS DE DEPOT EN VUE D'OBTENIR UNE INTERFACE OXYDE/SUBSTRAT DE BONNE QUALITE ELECTRIQUE ET POUR CONSTITUER UNE SOLUTION POSSIBLE AU PROBLEME DE L'OXYDATION DIRECTE DE SIGE. ENFIN, NOUS NOUS ATTACHES A ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE LES RESULTATS D'ANALYSE STRUCTURALE ET ELECTRIQUE.

Download or read book DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM ELABOREES EN PLASMA OXYGENE ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR HELICON written by Christophe Vallée and published by . This book was released on 1999 with total page 247 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES SONT DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM A PARTIR D'UN PLASMA DE MELANGE O#2/ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HELICON FONCTIONNANT A BASSE PRESSION. LORSQUE LE MELANGE EST RICHE EN OXYGENE, LES FILMS OBTENUS SONT INORGANIQUES ET DE TYPE SIO#2. CES COUCHES SONT DURES ET TRANSPARENTES DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. A PARTIR DE MELANGES RICHES EN ORGANOSILICIE, LES FILMS OBTENUS SONT ORGANIQUES, DE TYPE SIO#XC#YH#Z. DES ANALYSES IN SITU SIMULTANEES, DU FILM, PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE, ET DU PLASMA, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE, SONT MISES EN UVRE DURANT LE DEPOT. CECI PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES MECANISMES GOUVERNANT LA CROISSANCE DES FILMS ET D'OBTENIR DES OUTILS DE CONTROLE IN SITU DE LA QUALITE DES COUCHES. AINSI, NOUS AVONS MONTRE L'EXISTENCE D'UNE CORRELATION ENTRE L'EMISSION DE CH* DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION DE CARBONE DANS LES COUCHES. LES PROPRIETES ET LES COMPOSITIONS DES FILMS SONT OBTENUES PAR DES ANALYSES EX SITU TELLES QUE LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION (FTIR), LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS X (XPS), LA REFLECTIVITE SOUS FAISCEAU DE RAYONS X RASANTS, DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE TYPE C(V) POUR CETTE ETUDE NOUS AVONS UTILISE DEUX ORGANOSILICIES : LE TETRAETHOXYSILANE (TEOS) ET L'HEXAMETHYLDISILOXANE (HMDSO). L'ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTS FILMS ORGANIQUES AINSI ELABORES MET EN EVIDENCE UNE TRES FORTE ANALOGIE ENTRE LA STRUCTURE DU FILM ET CELLE DU MONOMERE PRECURSEUR. NOUS AVONS AUSSI MONTRE QUE CERTAINS OXYDES ETAIENT POREUX ET SE MODIFIAIENT AU CONTACT DE L'AIR. EN EFFET, L'UTILISATION DE L'ELLIPSOMETRIE PERMET DE VISUALISER, EN TEMPS REEL, L'INCORPORATION D'EAU DANS CES FILMS. NOUS AVONS AUSSI ETUDIE LA NATURE DES INTERACTIONS ENTRE LES ATOMES D'OXYGENE ET LA SURFACE DU FILM EN COURS D'ELABORATION, AINSI QUE L'EFFET D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE (PAR POLARISATION DU SUBSTRAT), SUR LA QUALITE ET LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES.

Download or read book ETUDE DU PROCEDE DE DEPOT DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM EN PLASMA HELICON O 2 TEOS written by FREDERIC.. NICOLAZO and published by . This book was released on 1997 with total page 247 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE L'ETUDE DU PROCEDE D'ELABORATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE EN PLASMA DE MELANGE OXYGENE/TETRAETHOXYSILANE (TEOS), DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HAUTE DENSITE, BASSE PRESSION DE TYPE HELICON. CE REACTEUR FONCTIONNE EN COUPLAGE INDUCTIF POUR LES PUISSANCES SUPERIEURES A 300 WATTS, AVEC DE FORTES DENSITES ELECTRONIQUES ET DE FAIBLES POTENTIELS. L'ETUDE DES PLASMAS D'OXYGENE PAR SPECTROMETRIE DE MASSE ET SONDE DE LANGMUIR A PERMIS DE DETERMINER L'ION MAJORITAIRE ET LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU PLASMA. IL EST MONTRE QUE L'ACTINOMETRIE PEU ETRE UTILISEE POUR MESURER LA DENSITE D'ATOMES D'OXYGENE. ON OBTIENT DES TAUX DE DISSOCIATION DE LA MOLECULE INFERIEURS A 10%. ON EN DEDUIT UN COEFFICIENT DE RECOMBINAISON DES ATOMES D'OXYGENE SUR LES PAROIS EN ACIER DE L'ORDRE DE 0,1. LA CONNAISSANCE DE LA DENSITE DU PLASMA ET DE LA CONCENTRATION DES ATOMES D'OXYGENE EN FONCTION DE LA PUISSANCE, DE LA PRESSION ET DE LA POSITION DANS LE REACTEUR A PERMIS DE DETERMINER LES FLUX DE PARTICULES ET DE DEFINIR DES CONDITIONS FAVORABLES AU DEPOT. L'INTRODUCTION DU TEOS DANS LES PLASMAS D'OXYGENE PROVOQUE UNE DIMINUTION DE LA DENSITE ET DE LA TEMPERATURE ELECTRONIQUE. LES SPECTRES D'EMISSION OPTIQUE SONT SOIGNEUSEMENT INDEXES. LES VARIATIONS DES INTENSITES D'EMISSIONS DES ESPECES DETECTEES SONT CORRELEES A LA MODIFICATION DE LA COMPOSITION DE LA COUCHE MINCE OBTENUE. LES FILMS DEPOSES SUR SILICIUM SONT CARACTERISES PAR ABSORPTION INFRAROUGE, ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE ET GRAVURE CHIMIQUE LIQUIDE (P-ETCH). LES OXYDES DE SILICIUM OBTENUS DANS LES MELANGES O2/TEOS SONT DE BONNE QUALITE POUR DES TAUX DE TEOS INFERIEURS A 0,1, LORSQUE LA CINETIQUE EST LIMITEE PAR LE FLUX DE PRECURSEUR SUR LA SURFACE. POUR LES TAUX PLUS ELEVES, LA VITESSE DE DEPOT SATURE ET LES ELEMENTS CARBONES SONT OBSERVES DANS LES COUCHES.

Download or read book Oxydation du silicium par plasma d oxygene written by Christine Martinet and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacre a l'etude de l'oxyde de silicium realise par oxydation plasma a basse temperature dans un reacteur a resonance cyclotronique electronique repartie. Nous nous sommes interesses aux cinetiques de croissance en anodisation plasma (tension appliquee au substrat superieure au potentiel plasma) a courant constant qui decrivent bien un modele de diffusion d'ions o#- assistee champ. Mais, nous avons mis en evidence l'existence d'un premier regime, ou la tension reste constante, qui correspondrait a la formation d'une couche conductrice d'epaisseur 10-15 nm due aux photons u.v. Energetiques du plasma d'oxygene. Nous avons caracterisé physiquement nos oxydes plasmas. La methode d'absorption infrarouge s'est revelee tres adaptee a l'etude des couches minces de silice, en tenant compte des effets geometriques, mis en evidence par calcul et experimentalement, provoquant un deplacement fictif du pic du mode principal optique transverse (to) avec l'epaisseur d'oxyde, tandis que la position du pic du mode optique longitudinal (lo) reste invariante. La position des pics des modes lo et to nous permet de determiner l'angle moyen si-o-si et la densite de la silice. Les oxydes plamas montrent une position de ces deux pics tres deplacee par rapport aux oxydes thermiques laissant presager des oxydes denses. La reflectometrie x s'est revelee tres sensible a la rugosite de surface de l'oxyde tandis qu'il est difficile d'obtenir des valeurs precises pour les autres parametres (rugosite d'interface sio#2/si, densite). Les resultats des mesures sur les oxydes anodiques en absorption infrarouge et en reflectometrie x montrent une inhomogeneite en epaisseur. Enfin, des mesures c(v) montrent une caracteristique convenable bien que ces oxydes soient contamines par les metaux constituant le reacteur.

Download or read book OXYDATION DU SILICIUM PAR PLASMA D OXYGENE written by CHRISTINE.. MARTINET and published by . This book was released on 1995 with total page 171 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'OXYDE DE SILICIUM REALISE PAR OXYDATION PLASMA A BASSE TEMPERATURE DANS UN REACTEUR A RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX CINETIQUES DE CROISSANCE EN ANODISATION PLASMA (TENSION APPLIQUEE AU SUBSTRAT SUPERIEURE AU POTENTIEL PLASMA) A COURANT CONSTANT QUI DECRIVENT BIEN UN MODELE DE DIFFUSION D'IONS O#- ASSISTEE CHAMP. MAIS, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UN PREMIER REGIME, OU LA TENSION RESTE CONSTANTE, QUI CORRESPONDRAIT A LA FORMATION D'UNE COUCHE CONDUCTRICE D'EPAISSEUR 10-15 NM DUE AUX PHOTONS U.V. ENERGETIQUES DU PLASMA D'OXYGENE. NOUS AVONS CARACTERIS E PHYSIQUEMENT NOS OXYDES PLASMAS. LA METHODE D'ABSORPTION INFRAROUGE S'EST REVELEE TRES ADAPTEE A L'ETUDE DES COUCHES MINCES DE SILICE, EN TENANT COMPTE DES EFFETS GEOMETRIQUES, MIS EN EVIDENCE PAR CALCUL ET EXPERIMENTALEMENT, PROVOQUANT UN DEPLACEMENT FICTIF DU PIC DU MODE PRINCIPAL OPTIQUE TRANSVERSE (TO) AVEC L'EPAISSEUR D'OXYDE, TANDIS QUE LA POSITION DU PIC DU MODE OPTIQUE LONGITUDINAL (LO) RESTE INVARIANTE. LA POSITION DES PICS DES MODES LO ET TO NOUS PERMET DE DETERMINER L'ANGLE MOYEN SI-O-SI ET LA DENSITE DE LA SILICE. LES OXYDES PLAMAS MONTRENT UNE POSITION DE CES DEUX PICS TRES DEPLACEE PAR RAPPORT AUX OXYDES THERMIQUES LAISSANT PRESAGER DES OXYDES DENSES. LA REFLECTOMETRIE X S'EST REVELEE TRES SENSIBLE A LA RUGOSITE DE SURFACE DE L'OXYDE TANDIS QU'IL EST DIFFICILE D'OBTENIR DES VALEURS PRECISES POUR LES AUTRES PARAMETRES (RUGOSITE D'INTERFACE SIO#2/SI, DENSITE). LES RESULTATS DES MESURES SUR LES OXYDES ANODIQUES EN ABSORPTION INFRAROUGE ET EN REFLECTOMETRIE X MONTRENT UNE INHOMOGENEITE EN EPAISSEUR. ENFIN, DES MESURES C(V) MONTRENT UNE CARACTERISTIQUE CONVENABLE BIEN QUE CES OXYDES SOIENT CONTAMINES PAR LES METAUX CONSTITUANT LE REACTEUR

Download or read book MECANISMES D OXYDATION ET CARACTERISATION DE COUCHES D OXYDE REALISEES A BASSE TEMPERATURE PAR ANODISATION PLASMA DE SILICIUM MONO ET POLY CRISTALLIN GERMANIUM ET ALLIAGES SIGE written by HELENE.. PLANTIER NIEL and published by . This book was released on 1999 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MANUSCRIT S'INSERE DANS LE CADRE DES RECHERCHES MENEES SUR LA REALISATION D'OXYDES, DITS BASSE TEMPERATURE (ENVIRON 100\C), DESTINES AUX COMPOSANTS ELECTRONIQUES. L'OXYDATION PAR PLASMA D'OXYGENE A ETE ETUDIEE SUR DIFFERENTS MATERIAUX : LE SILICIUM MONO-CRISTALLIN ET POLY-CRISTALLIN, LE GERMANIUM ET DES ALLIAGES SIGE. NOUS AVONS TOUT D'ABORD DECRIT ET DISCUTE LES MECANISMES D'OXYDATION THERMIQUES ET PLASMA, ET NOUS AVONS PRESENTE LES CINETIQUES EXPERIMENTALES DE CROISSANCE D'OXYDE. NOUS AVONS ENSUITE COMPARE LES CARACTERISTIQUES DES OXYDES THERMIQUES ET PLASMA, ET MIS EN EVIDENCE DES DIFFERENCES DE STRUCTURE INTERNE. EN PARTICULIER, GRACE AUX EXPERIENCES ET AUX SIMULATIONS DES SPECTRES INFRAROUGES, NOUS AVONS DETERMINE L'ANGLE DES LIAISONS SI-O-SI ET GE-O-GE, LES CONSTANTES DE FORCES CENTRALE ET NON CENTRALE, ET IDENTIFIE LES BANDES D'ABSORPTION ASSOCIEES AUX DIFFERENTS MODES DE VIBRATION DES ATOMES. DE PLUS, LA VARIATION DE LA FREQUENCE DE VIBRATION DES MODES TO ET LO AVEC L'EPAISSEUR, INDIQUE QUE LES OXYDES PLASMA N'ONT PAS UNE STRUCTURE INTER ATOMIQUE HOMOGENE SUR LA TOTALITE DE L'EPAISSEUR. CETTE INHOMOGENEITE EST EGALEMENT OBSERVEE PAR SPECTROMETRIE AUGER. FINALEMENT, LES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES (C(V), I(V)) ONT MONTRE QU'IL ETAIT DIFFICILE DE DISSOCIER L'INFLUENCE DES EFFETS DU PLASMA, DES CONDITIONS DE REALISATION (EN SALLE BLANCHE OU HORS SALLE BLANCHE). TOUTEFOIS, LES CARACTERISTIQUES DE NOS OXYDES PLASMA SONT PROCHES DE CELLES OBTENUES POUR LES OXYDES SIO 2 DEPOSES EN SALLE BLANCHE, CE QUI CONSTITUE UN RESULTAT TRES PROMETTEUR.

Download or read book PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRONIQUES A L INTERFACE SILICIUM SILICE written by ANTONIO.. CORREIA and published by . This book was released on 1993 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OXYDATION THERMIQUE D'UNE SURFACE DE SILICIUM POLIE MECANIQUEMENT PRODUIT DES FAUTES D'EMPILEMENT A L'INTERFACE DONT LES DISLOCATIONS PARTIELLES SONT DECOREES PAR DU SILICIURE DE CUIVRE DANS UN SILICIUM FUSION DE ZONE ET PAR DE L'OXYGENE DANS UN SILICIUM CZOCHRALSKI. L'OXYDATION D'UNE SURFACE POLIE MECANOCHIMIQUEMENT (SUPPRESSION DE LA ZONE ECROUIE) GENERE DES RESEAUX DE DISLOCATIONS QUI PEUVENT SERVIR DE SITES DE NUCLEATION A DES COLONIES DE CUIVRE. ON N'OBSERVE JAMAIS DE CO-PRECIPITATION D'OXYGENE ET DE METAUX. LA MICROSTRUCTURE DE CES DEFAUTS DETERMINE LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE L'INTERFACE SILICIUM-SILICE. A PARTIR DES RESULTATS DE CARACTERISATION STRUCTURALE ET PHYSICO-CHIMIQUE DE L'INTERACTION DEFAUT-IMPURETE D'UNE PART, ET DES RESULTATS ELECTRIQUES (LONGUEUR DE DIFFUSION ET VITESSE DE RECOMBINAISON SUPERFICIELLE DES PORTEURS DE CHARGE MINORITAIRES) D'AUTRE PART, ON ANALYSE LE ROLE DES FAUTES D'EMPILEMENT, DES DISLOCATIONS, DE LA SEGREGATION D'OXYGENE OU DE SILICIURE DE CUIVRE SUR LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE L'INTERFACE SILICIUM/SILICE. ON EVALUE AINSI L'EFFICACITE DE L'OXYDATION THERMIQUE EN TANT QUE PROCEDE D'AMELIORATION DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES COUCHES SUPERFICIELLES DU SILICIUM

Download or read book DEPOT D OXYDES ET DE NITRURES DE SILICIUM PAR DOUBLE PLASMA MICROONDE ET RADIOFREQUENCE written by ROXANA.. ETEMADI and published by . This book was released on 1996 with total page 266 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE VISE A UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES DECHARGES MICROONDE (CREEES PAR ONDES DE SURFACE) ET RADIOFREQUENCE, UTILISEES POUR LES DEPOTS A BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES DIELECTRIQUES. ELLE PERMET DE VALIDER LE CONCEPT DE REACTEUR A DOUBLE PLASMA POUR LES DEPOTS D'OXYDES ET DE NITRURES DE SILICIUM. ELLE COMPORTE DEUX ASPECTS DIFFERENTS FAISANT APPEL A LA PHYSICO-CHIMIE DES PLASMAS ET A LA SCIENCE DES MATERIAUX. UNE PREMIERE PARTIE EST CONSACREE A L'ETUDE DES PLASMAS (MICROONDE ET/OU RADIOFREQUENCE) D'AR, D'O#2, D'AR-O#2 ET D'AR-HE-O#2 A DEUX POSITIONS DIFFERENTES DE LA DECHARGE. L'INTERFEROMETRIE MICROONDE ET LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE (TECHNIQUES D'AUTOABSORPTION ET D'ACTINOMETRIE) SONT UTILISEES POUR DETERMINER RESPECTIVEMENT LA DENSITE ELECTRONIQUE, LA DENSITE DES METASTABLES D'ARGON ET LA DENSITE D'OXYGENES ATOMIQUES. UNE DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE D'UNE PART A L'ETUDE DES CONDITIONS DE DEPOT, D'AUTRE PART A L'ANALYSE DES PROPRIETES OPTIQUES, CHIMIQUES ET STRUCTURELLES DES FILMS DEPOSES. NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE DIFFERENTS PARAMETRES COMME LA TEMPERATURE DE DEPOT, LA PUISSANCE MICROONDE, LES DIFFERENTS DEBITS DE GAZ OU LES DIFFERENTES DILUTIONS, AINSI QUE LES EFFETS DE COUPLAGE DES DEUX PLASMAS. LES COUCHES MINCES DEPOSEES ONT ETE ANALYSEES PAR ELLIPSOMETRIE UV-VISIBLE IN SITU, TRANSMISSION INFRAROUGE, MESURES NUCLEAIRES (ERDA, RBS), EDX ET ABSORPTION DANS L'UV LOINTAIN. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LE ROLE DU BOMBARDEMENT IONIQUE ET LE FAIT QU'IL EST POSSIBLE DE REDUIRE LA QUANTITE D'HYDROGENE (SOUS FORME DE GROUPEMENT O-H) CONTENU DANS LES FILMS EN LES EXPOSANT A UNE ILLUMINATION UV

Download or read book Oxydation basse temp rature assist e par plasma des alliages silicium germanium written by Claude Tételin and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Deux aspects fondamentaux de l'oxydation basse température assistée par plasma d'oxygène des alliages silicium germanium ont été étudies: la nature chimique de l'oxyde et les cinétiques d'oxydations de ces alliages. La nature de l'oxyde forme varie en fonction du temps d'oxydation. Dans un premier temps, l'oxyde forme est du dioxyde de silicium (sio#2) et le germanium s'accumule a l'interface oxyde/substrat. Nous avons montre, que cette accumulation se fait sous la forme d'une couche de germanium pur. Dans un deuxième temps, le germanium s'incorpore au dioxyde de silicium sous forme d'agrégats avant d'être oxydé et de diffuser vers la surface externe de l'oxyde. En oxydation assistée par oxygène atomique, nous avons montre que les alliages sige s'oxydent plus vite qu'un substrat de silicium. Ceci est attribué à la fragilisation des liaisons du substrat due à la présence de germanium. Dans le cas de l'anodisation, les alliages sige ne s'oxydent également plus vite que le silicium. Nous avons montré que le mécanisme limitant la réaction d'anodisation est la relaxation de contrainte entre l'oxyde et le substrat. La qualité électronique des oxydes formes à partir de sige est moins bonne que ceux formes à partir de silicium mais nous pouvons envisager une amélioration de cette qualité grâce a des traitements thermiques appropries.

Download or read book Etude structurale optique et lectrique de couches minces d oxynitrure de silicium d pos es par pulv risation cathodique radiofr quence r active written by Farida Rebib and published by . This book was released on 2006 with total page 195 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude concerne les propriétés structurales, optiques et électriques des couches minces d'oxynitrure de silicium ( SiOxNy) élaborées par pulvérisarion cathodique radiofréquence d'une cible de silicium dans un plasma argon-oxygène-azote. La zone d'instabilité de ce procédé réactif a été précisée par spectroscopie d'émission optique et par le suivi de la pression totale et du potentiel d'autopolarisation. Les conditions adéquates d'élaboration qui ont été définies, ont permis de déposer des films dont la composition varie presque linéairement, entre celles du nitrure et de l'oxyde de silicium. Ces couches sont formées par un mélange de nanophases de type SiO2 et Si3N4 incorporées dans une phase de SiOxNy amorphe. Des liaisons pendantes ont aussi été détectées sur les atomes de silicium. Les dépôts présentent des propriétés optiques (indice de réfraction, gap optique) et des propriétés diélectriques très intéressantes et variables en fonction de leur composition et de leur structure

Download or read book NITRURATION DES COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM PAR ACTIVATION THERMIQUE ET PAR STIMULATION ELECTRONIQUE written by AHMAD.. BENAMAR and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA NITRURATION SUPERFICIELLE DES COUCHES TRES MINCES (130 A) DE SIO#2 EST EFFECTUEE PAR DIFFERENTES TECHNIQUES (BT, HT, RTN). LA NITRURATION A BASSE PRESSION (BT OU HT) PERMET DE SITUER LA REACTION DE NITRURATION A LA SURFACE DE LA SILICE, EMPECHANT AINSI LA DIFFUSION DES ESPECES NITRURANTES. DE MEME, LA RTN EVITE LA MIGRATION DE L'AZOTE DANS LA MASSE DE LA SILICE ET LA REDISTRIBUTION DES DOPANTS. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (SIMS, AES, IRS, RS) A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LA NITRURATION DE LA SURFACE DE LA SILICE ET DE CONTROLER LES PHENOMENES DE MIGRATION D'AZOTE A L'INTERFACE SI-SIO2 ET A REVELE LES DIFFERENTES LIAISONS CHIMIQUES (SI-N,SI-H,O-H,N-H) SUSCEPTIBLE D'ETRE A L'ORIGINE D'UN PIEGEAGE-DEPIEGEAGE DES PORTEURS. L'ANALYSE A PERMIS DE SUIVRE L'EVOLUTION DE VFB DE LA RIGIDITE DIELECTRIQUE ET DES HAUTEURS DE BARRIERE INTERFACIALES EN FONCTION DE LA NITRURATION. DIFFERENTS TYPES DE PIEGES CREES LORS DE LA NITRURATION ONT ETE DETECTES ET CARACTERISES (CONCENTRATION, SECTION EFFICACE, BARYCENTRE). LA QUALITE DE L'INTERFACE (DENSITE D'ETATS) DEPEND DES CONDITIONS ET PARAMETRES DE LA NITRURATION, DE LA QUALITE DE L'OXYDE: SI LE DESORDRE INTERFACIAL EST INITIALEMENT ELEVE, IL EST AUGMENTE APRES NITRURATION, L'AMPLITUDE DE CETTE VARIATION DEPEND DU MODE DE NITRURATION (CONTINU, SEQUENTIEL). EN RTN LA DENSITE N#I#T DIMINUE QUAND LE TEMPS DE NITRURATION AUGMENTE. GLOBALEMENT, LA NITRURATION PERMET D'AVOIR DES ISOLANTS DE BONNES QUALITES ET PEUT ETRE UN PROCEDE DE PASSIVATION EFFICACE. SI LES CONDITIONS DE NITRURATION SONT OPTIMISEES LES ISOLANTS PEUVENT DEVENIR MEILLEURS QUE LES OXYDES

Download or read book CROISSANCE ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM OBTENUES PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES HMDSO TEOS written by CHRISTIAN.. BOURREAU and published by . This book was released on 1992 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE A POUR SUJET L'ELABORATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES (HMDSO ET TEOS). L'ETUDE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES DU REACTEUR DE DEPOT SUR LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES MINCES A MONTRE L'IMPORTANCE DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT. QUEL QUE SOIT LE PRECURSEUR GAZEUX UTILISE, CETTE VITESSE DECROIT SENSIBLEMENT AVEC LA TEMPERATURE. DIFFERENTES TECHNIQUES D'ANALYSE ONT PERMIS DE TESTER LA QUALITE DES FILMS OBTENUS: MESURE DE L'INDICE OPTIQUE ET DE LA VITESSE D'ATTAQUE PAR HF, CARACTERISATION ELECTRIQUE A L'AIDE DE STRUCTURES MOS. L'ANALYSE CHIMIQUE, EFFECTUEE ESSENTIELLEMENT PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE, MONTRE QUE LES FILMS POSSEDANT DES PROPRIETES PHYSIQUES INTERESSANTES ONT UNE STRUCTURE TRES PROCHE DE LA SILICE STCHIOMETRIQUE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX PRECEDENTS ONT PERMIS DE DEGAGER LES CARACTERISTIQUES DU MODE DE CROISSANCE. L'ETUDE DE COUCHES REALISEES, A TITRE COMPARATIF, A PARTIR DU SILANE, A CONDUIT A DES RESULTATS TRES DIFFERENTS. EN UTILISANT LE SILANE, LA FORMATION DU FILM EST PRINCIPALEMENT CONTROLEE PAR DES REACTIONS INITIEES DANS LE PLASMA. POUR LES COMPOSES ORGANOMETALLIQUES, LA CROISSANCE EST CONTROLEE PAR DES REACTIONS SE DEROULANT A LA SURFACE DU SUBSTRAT. DANS CE CAS LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION JOUENT UN ROLE PRIMORDIAL. UN MECANISME REACTIONNEL COMPLET A ETE PROPOSE POUR LES DEPOTS REALISES A PARTIR DE HMDSO. L'ETUDE DES RECOUVREMENTS DE MARCHE A PERMIS D'ETABLIR UNE CORRELATION ETROITE ENTRE LE MODE DE CROISSANCE ET LA CONFORMITE DU DEPOT. LE RECOUVREMENT DE MARCHES PAR LES FILMS REALISES A PARTIR DU SILANE EST CARACTERISTIQUE D'UNE CROISSANCE ISOTROPE, ET DONC DE TRES MAUVAISE QUALITE. UNE AMELIORATION TRES NETTE DE CE RECOUVREMENT, CONTROLE PAR LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION, EST OBSERVEE POUR LES DEPOTS OBTENUS A PARTIR DES COMPOSES ORGANOSILICIES

Download or read book Croissance et nitruration basse pression d oxydes minces de silicium written by Valérie Thirion and published by . This book was released on 1994 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Avec la miniaturisation des technologies MOS, la diminution de l'épaisseur de l'oxyde de grille pose de nouvelles difficultés liées au contrôle de l'épaisseur, à la diffusion des impuretés et des dopants et à l'injection de porteurs chauds. Ce travail est consacré à la croissance et à la nitruration à basse pression d'oxyde de grille mince de silicium ; les mécanismes de ces réactions sont étudiés en relation avec les caractéristiques physico-chimiques et électriques des structures et dispositifs MOS. La croissance des oxydes très minces, qualifiée d'anormalement rapide, est décrite en faisant intervenir l'effet d'un champ électrique dans l'oxyde. Les cinétiques d'oxydation relevées dans le régime initial sont bien décrites par un modèle combinant la participation d'un flux d'espèces oxydantes diffusant sous l'effet du champ électrique et d'un flux soumis uniquement à la diffusion thermique. L'étude de la nitruration montre que l'utilisation de la basse pression de NH3 permet une incorporation spécifique d'azote, essentiellement localisée aux interfaces et très faible dans le volume de l'oxyde. Les faibles densités de charges fixes et l'absence de création d'état d'interface consécutives à ce procédé de nitruration permettent de ne pas dégrader la mobilité des porteurs et la tension de seuil des transistors NMOS et PMOS. Le faible piégeage caracterisé par injection fowler-nordheim est expliqué par les faibles niveaux d'azote et d'hydrogène incorporés dans le volume de SiO2 ; il est amélioré après une étape de réoxydation in-situ à faible pression d'oxygène sec. L'amélioration des propriétés de barrière de diffusion est démontrée sur des structures PMOS à grille P+ dopée en BF2. Un avantage important du procédé de nitruration NH3 basse pression concerne le durcissement de l'interface qui se manifeste par une augmentation de la durée de vie des transistors NMOS. Expérimentalement, ces propriétés électriques sont comparées à celles obtenues selon d'autres procédés de nitruration (plasma et nitruration en N20).

Download or read book Intercalation lectrochimique de l oxyg ne dans des r seaux d oxydes d riv s de la p rovskite written by Alain Demourgues and published by . This book was released on 1992 with total page 474 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL SE PROPOSE DE CORRELER LES PROPRIETES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE SOUVENT TRES REMARQUABLES DES OXYDES DE STRUCTURE DERIVEE DE LA PEROVSKITE A LEURS PROPRIETES STRUCTURALES. D'UN POINT DE VUE EXPERIMENTAL, L'INTERCALATION ELECTROCHIMIQUE D'ESPECES OXYGENEES DANS CES RESEAUX A PERMIS D'OBTENIR DES MATERIAUX DE CATIONS DE VALENCES ELEVEES OU LES PHENOMENES DE TRANSFERT DE CHARGE SONT EXACERBES. L'OBTENTION DE LA PEROVSKITE CUBIQUE SRFEO#3 PAR POLARISATION ANODIQUE DE LA BROWNMILLERITE EN MILIEU KOH, 1M, A L'AIR ET A TEMPERATURE AMBIANTE DEMONTRE QUE LE PHENOMENE SE PRODUIT JUSQU'AU CUR DES GRAINS DE LA CERAMIQUE ET FAIT DONC DE CE PROCEDE UNE VOIE D'ACCES PRIVILEGIEE AUX VALENCES ELEVEES. LA MISE EN EVIDENCE D'UN TRANSFERT ELECTRONIQUE OXYGENE-FER DANS SRFEO#3, NON CONTENT D'ETRE A L'ORIGINE DES PROPRIETES METALLIQUES DE CE MATERIAU, PERMET D'EXPLIQUER LA FORTE MOBILITE DE L'OXYGENE DANS CES RESEAUX. L'INTERCALATION ELECTROCHIMIQUE D'ESPECES OXYGENEES DANS LE RESEAU LA#2NIO#4#+# A PERMIS PAR AILLEURS D'ETENDRE LE DOMAINE DE SURSTCHIOMETRIE ANIONIQUE JUSQU'A =0.25. L'ION INSERE CONSTITUE AVEC SES VOISINS UN ION POLYOXYDE O#3#5# QUI S'ORDONNE SELON DES FILES ET DES PLANS. UN MODELE STRUCTURAL RENDANT COMPTE DE CET ORDRE ET CARACTERISANT DES PHASES DE COMPOSITION DISCRETE EN OXYGENE (=1/4, 1/6, 1/8, ...) EST PROPOSE. DANS LA#8NI#4O#1#7 (=0.25), LA MISE EN EVIDENCE D'UN TRANSFERT ELECTRONIQUE ENTRE LE NICKEL ET L'OXYGENE, A L'ORIGINE DE L'ETABLISSEMENT D'UNE ONDE DE DENSITE DE CHARGES FORTEMENT PIEGEE DANS LE RESEAU, PERMET DE JUSTIFIER LA LOCALISATION ELECTRONIQUE ET DIFFERENCIE LES PHASES AU NICKEL DE LEURS HOMOLOGUES DU CUIVRE QUI SONT SUPRACONDUCTRICES A BASSE TEMPERATURE

Download or read book Etude de la restructuration de couches de silicium desordonne par implantation ionique Effet du recuit thermique sur les proprietes electriques et structurales written by Jumana Boussey and published by . This book was released on 1990 with total page 157 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX MECANISMES DE RESTRUCTURATION DE COUCHES DE SILICIUM FORTEMENT ENDOMMAGEES PAR L'IMPLANTATION A L'ARSENIC. LES ECHANTILLONS CARACTERISES ONT ETE ELABORES A PARTIR D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM 100 DE TYPE P BOMBARDE, A LA TEMPERATURE AMBIANTE, AVEC UN FAISCEAU D'IONS D'ARSENIC ACCELERE A 200 KEV. EN FAISANT VARIER LA DOSE D'IMPLANTATION, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE, A L'AIDE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, LA TRANSITION CRISTAL-AMORPHE LORSQUE LA DOSE D'IMPLANTATION EST SUPERIEURE A LA DOSE CRITIQUE D'AMORPHISATION. LA COMBINAISON DE PLUSIEURS METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUES ET PHYSIQUES NOUS A PERMIS D'ETUDIER L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE POST-IMPLANTATION SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET STRUCTURALES DE CE MATERIAU. LA CORRELATION DES RESULTATS ISSUS DE CES DIFFERENTES METHODES A RENDU POSSIBLE LA MISE EN EVIDENCE D'UN PHENOMENE D'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES APRES RECUIT A BASSE TEMPERATURE INTERVENANT INDEPENDAMMENT DE LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE. L'ANALYSE DETAILLEE DE CE PHENOMENE A DEMONTRE QU'IL SE PRODUIT PAR UN PROCESSUS DE RELAXATION LOCALE CARACTERISEE PAR UNE FAIBLE ENERGIE D'ACTIVATION. L'ETUDE DE L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE SUR LES PROPRIETES STRUCTURALES DES COUCHES DE SILICIUM DESORDONNE A PERMIS DE CONCLURE QUE LA MIGRATION DES DEFAUTS PONCTUELS ET DE LEURS COMPLEXES EST A L'ORIGINE DE LA RELAXATION LOCALE

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES DES COUCHES D OXYNITRURE DE SILICIUM OBTENUES PAR LA NITRURATION THERMIQUE RAPIDE DEGRADATION VIEILLISSEMENT written by ABDELILLAH.. BENBRIK and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA NITRURATION SUPERFICIELLE DES COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM D'EPAISSEUR 45 NM EST REALISEE A HAUTE TEMPERATURE (1060C) PAR LA TECHNIQUE R.T.N (RAPID THERMAL NITRIDATION) PENDANT UNE DUREE VARIANT DE QUELQUES SECONDES A UNE DIZAINE DE MINUTES. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (X.P.S) A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LA NITRURATION DE LA SURFACE DE LA COUCHE D'OXYDE ET DE CONTROLER LES PHENOMENES DE MIGRATION D'AZOTE A L'INTERFACE SI/SIO#2. LE PIC D'AZOTE A L'INTERFACE APPARAIT DES 60 SECONDES, LE COEFFICIENT DE DIFFUSION DIMINUE RAPIDEMENT ET ATTEINT 3,37 10##1#4 CM#2/S A 10 MINUTES. LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES STRUCTURES DE TEST AL/OXYDE NITRURE/SI(N) A 1 MHZ NOUS A PERMIS, D'UNE PART, D'ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE LA CONSTANTE DIELECTRIQUE ET L'INDICE MOYEN DE REFRACTION OPTIQUE, D'AUTRE PART, DE SUIVRE L'EVOLUTION DE LA TENSION DE BANDES PLATES, DE LA CHARGE IMAGE DANS L'ISOLANT, DE LA TENSION DE CLAQUAGE ET DE LA RIGIDITE DIELECTRIQUE DU MATERIAU EN FONCTION DE LA NITRURATION. LA METHODE B.T.S. (BIAS TEMPERATURE STRESS) A REVELE L'EXISTENCE DE CHARGES MOBILES DANS NOS STRUCTURES. L'ENSEMBLE DE CES RESULTATS A PERMIS D'INTERPRETER CORRECTEMENT LA DEGRADATION DES ELEMENTS MIS SOUS CONTRAINTES ELECTRIQUE ET THERMIQUE

Download or read book Elaboration et caract risation de mat riaux nanostructur s base de silicium comme source de lumi re pour la photonique written by Pierre-Olivier Noé and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le silicium est reconnu comme étant un mauvais émetteur de lumière à cause de son gap indirect. Diverses stratégies ont été développées pour améliorer son rendement d'émission, le Si constituant le matériau de choix pour la photonique. Ce manuscrit présente l'élaboration et la caractérisation de matériaux originaux à base de silicium afin de proposer des solutions alternatives pour améliorer les propriétés d'émission de lumière du Si. Ce travail est divisé en 4 parties avec tout d'abord une revue de l'état de l'art de l'émission de lumière dans le Si et les bases sur les mécanismes de recombinaison dans le Si. Une seconde partie se concentre sur l'élaboration et l'étude de dispositifs électroluminescents à base de Si comportant un réseau de dislocations enterrées un niveau d'une jonction PN obtenu par collage moléculaire. L'émission de lumière située vers 1,1 et 1,5 μm (1,1 et 0,8 eV) est attribuée à la recombinaison des porteurs sur les états piège induits par des précipités de bore et d'oxyde dans le voisinage de dislocations (E^phonon_Bore vers 1.1eV et Dp~0.8eV) et des états de défauts localisés à l'intersection du réseau carré de dislocations vis (D1~0.8eV). Une troisième partie traite de l'élaboration et des propriétés optique d'ions Er3 + couplés avec des nanostructures de Si dans des films minces de SRO (Silicon-Rich Oxide) obtenus par co-évaporation de SiO et d'Er. Dans cette matrice, l'efficacité d'excitation indirecte de l'Er à 1,5 μm via les nanostructures est démontrée par la mesure de sections efficaces effectives d'excitation de l'Er entre 2x10-16 cm2 et 5x10-15 cm2 en fonction du flux d'excitation et des paramètres d'élaboration. Le principal résultat est la forte diminution avec la température de recuit de la fraction d'ions Er3+ émetteurs susceptible d'être inversée. Des expériences EXAFS révèlent que ce comportement est en corrélation avec l'évolution de l'ordre chimique local autour des atomes d'Er. Dans une dernière partie est présentée l'élaboration de nanostructures de Si de type nanofils cœur-coquille Si/SiO2. Ces structures cœur-coquille sont obtenues par trois méthodes différentes. Les structures obtenues par dépôt d'oxyde sur la surface de nanofils de silicium CVD catalysées avec de l'Au présentent une émission autour de 500 nm efficace à température ambiante due à la recombinaison des porteurs photo-générés au niveau des états de défauts dans la couche d'oxyde et à l'interface Si/SiO2. L'intensité de PL collectée est de plus d'un ordre de grandeur supérieure à celle mesurée sur des films minces de SiO2 similaires déposés sur des substrats de Si. En outre, la passivation des nanofils de Si CVD par un procédé d'oxydation thermique permet de neutraliser les états de surface qui dominent dans de telles structures. La mesure des vitesses de recombinaison de surface semble indiquer que ces nanofils ainsi passivés présentent des propriétés électroniques de volume similaires à celles du Si standard de microélectronique. Enfin, une nouvelle méthode pour l'élaboration in situ de nanofils cœur-coquille Si/SiO2 basée sur l'évaporation d'une source solide SiO avec l'Au et le Cu comme catalyseurs est détaillée. La croissance des fils catalysés par l'Au se produit dans le mode de croissance VLS (Vapor-Liquid-Solid comme en CVD) donnnat des nanofils présentant un cœur de Si cristallin et une coquille amorphe d'oxyde. En revanche, la croissance des nanofils catalysée par le Cu semble se produire préférentiellement à plus basse température en mode VSS (Vapeur-Solide-Solide) expliquant pourquoi ces NFs présentent une forte densité de défauts cristallins dans la cœur de Si contrairement aux fils catalysés Au.