Download or read book PROPRIETES DES COUCHES MINCES DE SILICIUM POREUX ET D ALUMINE UTILISEES POUR LA MICROELECTRONIQUE ETUDE PAR SPECTROSCOPIES ELECTRONIQUES ELLIPSOMETRIE LASER ET CARACTERISATIONS ELECTRIQUES C V written by Christine Robert-Pierrisnard and published by . This book was released on 1996 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DURANT CES DERNIERES ANNEES, LE DEVELOPPEMENT DES COMPOSES III-V TELS QUE L'ARSENIURE DE GALLIUM OU LE PHOSPHURE D'INDIUM FUT SPECTACULAIRE. CES COMPOSES SONT TRES INTERESSANTS POUR LES APPLICATIONS MICRO-ELECTRONIQUES ET OPTOELECTRONIQUES. OR LES CARACTERISTIQUES DE CES MATERIAUX ET DES COMPOSANTS REALISES SONT TRES SENSIBLES A LEUR ETAT DE SURFACE ET D'INTERFACE. IL EST DEVENU ESSENTIEL DE COMPRENDRE LES MECANISMES DE FORMATIONS DES STRUCTURES POUR MAITRISER AU MIEUX LA TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS REALISES. PLUS RECEMMENT, UN NOUVEAU MATERIAU LE SILICIUM POREUX EST APPARU COMME ETANT TRES PROMETTEUR DANS LE DOMAINE DE L'OPTOELECTRONIQUE. CELUI-CI A FAIT RECEMMENT L'OBJET DE NOMBREUSES RECHERCHES COMPTE TENU DE SES PROPRIETES LUMINESCENTES DONT L'ORIGINE EST ENCORE DISCUTEE. CES PROPRIETES SEMBLENT DEPENDRE BEAUCOUP DES ETATS DE SURFACE ET D'INTERFACE. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION DE LA SURFACE ET DE LA CONCENTRATION EN HYDROGENE D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM POREUX. LA SPECTROSCOPIE DES ELECTRONS RETRODIFFUSES ELASTIQUEMENT (EPES) S'EST AVEREE TRES PERFORMANTE. CETTE METHODE NOUS A PERMIS DE CALCULER LE COEFFICIENT DE REFLEXION ELASTIQUE POUR DIFFERENTES POROSITES. NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE UN CHANGEMENT DE MORPHOLOGIE DES COUCHES POREUSES LORS DE L'AUGMENTATION DE LA POROSITE. LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL ENTRE DANS LE CADRE DES ETUDES CONSACREES A LA REALISATION DE STRUCTURES MIS (METAL/ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR). NOUS NOUS SOMMES ATTACHEES PLUS PARTICULIEREMENT A L'ETUDE DE L'INTERFACE ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR. AFIN DE REALISER DE TELLES STRUCTURES, NOUS AVONS PROCEDE DANS UN PREMIER TEMPS A LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'ALUMINE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM (100). EN EFFET, UNE BONNE REPRODUCTIBILITE ET UN CONTROLE DES PARAMETRES D'ELABORATION DE L'ISOLANT SONT EXIGES POUR ABOUTIR A L'AMELIORATION PROGRESSIVE DE LA QUALITE DES COMPOSANTS REALISES. DANS UN SECOND TEMPS DES DEPOTS D'ALUMINE ONT ETE REALISES SUR DES SUBSTRATS DE PHOSPHURE D'INDIUM (100). EN NOUS APPUYANT SUR DES TRAVAUX ANTERIEURS FAITS AU LABORATOIRE LASMEA SUR LA STABILISATION DES SURFACES D'INP(100) PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, NOUS AVONS EFFECTUE DES ETUDES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DES STRUCTURES DU TYPE HG/AL#2O#3/INP ET HG/AL#2O#3/INSB/INP. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE, L'AMELIORATION SENSIBLE DE LA QUALITE DE L'ISOLANT LORS D'UNE RESTRUCTURATION DE LA SURFACE D'INP PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, UNE REDUCTION DE LA MIGRATION DES ELEMENTS DU SEMI-CONDUCTEUR ETANT OBSERVEE. NOUS AVONS PU CORRELER L'HISTORIQUE DE LA FORMATION DES STRUCTURES A LA MESURE ELECTRIQUE FINALE, CE QUI EST PARTICULIEREMENT IMPORTANT DANS LA COMPREHENSION DES PHENOMENES SE PRODUISANT AUX INTERFACES
Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Download or read book Etude du silicium polymorphe hydrog n en couches minces pour applications photovolta ques written by Ouafa Saadane and published by . This book was released on 2003 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The work presented in this thesis is devoted to the study of the metastability in the hydrogenated polymorphous silicon (pm-Si:H). The pm-Si:H films deposited in a plasma regime close to the powder formation, which promoted the incorporation of nanocrystallites and/or clusters in amorphous matrix of the layers. Previous results have shown the promising potentiality of the pm-Si:H for photovoltaic conversion. The aim of this study is to bring a better comprehension between the structural and optoelectronic properties of pm-Si:H films prepared under different deposition conditions. We used various methods of characterizations, and in particular some electrical techniques of characterizations: measurements of conductivity and photoconductivity (constant photocourant method, modulated photocurrent, steady state photocarrier gratings)), which we coupled with methods of structural characterizations (Fourier transform infrared spectroscopy and hydrogen effusion experiments). We particularly studied the metastability of the pm-Si:H. After a systematic study of a large number of pm-Si:H films, we highlighted the deposition conditions which lead to films with good properties transport (high deposition rate, high and excellent stability of the ambipolar diffusion length of the minority carriers, better efficiency of the solar cells). A link between hydrogen bonding and transport properties is made that shows that to exhibit good transport properties the material has to present a peculiar microstructure revealed by the hydrogen bonding. However, the hydrogen bonding and/or content in this structure has to be adjusted via the deposition conditions to reach an optimum hydrogen incorporation leading to the best layers and the best solar cell devices.
Download or read book OPTICAL ELECTRICAL AND PHOTOELECTRICAL PROPERTIES OF IRON SILICIDE THIN FILMS ON SILICON written by Karim Lefki and published by . This book was released on 1992 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DISILICIURE DE FER DANS SA PHASE BETA EST UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR. NOUS AVONS ETUDIE QUELQUES PROPRIETES OPTIQUES, ELECTRIQUES ET PHOTOELECTRIQUES DE DIVERS ECHANTILLONS, GENERALEMENT EN COUCHES MINCES. LES MESURES ELECTRIQUES EFFECTUES SUR DES ECHANTILLONS DEPOSES SUR SILICIUM MONTRENT QUE CE SILICIURE EST UN SEMICONDUCTEUR DE TYPE P. ELLES METTENT EGALEMENT EN EVIDENCE LA PRESENCE DE DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS DANS LA STRUCTURE METAL/SILICIURE/SILICIUM. LA BANDE INTERDITE DE CE MATERIAU EST OBTENUE PAR MESURE DE REFLEXION-TRANSMISSION D'UN BICOUCHE SILICIURE-SILICIUM. CETTE BANDE INTERDITE EST DIRECTE, DE VALEUR 0.89 EV. LES SPECTROSCOPIES INFRAROUGES ET RAMAN ONT DONNE ACCES AUX VIBRATIONS DU RESEAU. CES RESULTATS ONT PU ETRE CORRELES A LA STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE DE CE MATERIAU. EN COMPARANT PLUSIEURS ECHANTILLONS PREPARES DIFFEREMMENT, UN DECALAGE DES RAIES INFRAROUGES ET RAMAN A EGALEMENT ETE MIS EN EVIDENCE. LE DURCISSEMENT DES MODES DE VIBRATION VA DE PAIR AVEC L'AUGMENTATION DES PARAMETRES DE RESEAU, CE QUI EST INTERPRETE PAR LA PRESENCE DE DEFAUTS DE STCHIOMETRIE DIFFERENTS SUIVANT LES ECHANTILLONS ET CORRELE AVEC LA NATURE DU SUBSTRATS. DES MESURES DE PHOTOEMISSION INTERNE ONT MONTRE L'EXISTENCE DE TRANSITIONS D'ENERGIES INFERIEURES A LA BANDE INTERDITE. LA VARIATION DU SEUIL DE PHOTOEMISSION EN FONCTION DE LA TEMPERATURE NOUS PERMET DE SUIVRE L'EVOLUTION DE LA BANDE INTERDITE DU SEMICONDUCTEUR EN ACCORD AVEC D'AUTRES AUTEURS. LA SYNTHESE DE L'ENSEMBLE DE CES RESULTATS EXPERIMENTAUX PERMET DE PROPOSER UN DIAGRAMME D'ENERGIE DE L'HETEROJONCTION SILICIURE-SILICIUM
Download or read book Etude des proprietes de siliciures semiconducteurs en couches minces written by Lyad Ali and published by . This book was released on 1996 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Etude des prori t s lectroniques de couches ultra minces de silice anodique written by Bécharia Nadji and published by . This book was released on 1990 with total page 148 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES ULTRA-MINCES DE SILICE ONT ETE PREPAREES PAR OXYDATION ANODIQUE DU SILICIUM DANS L'EAU PURE, A TEMPERATURE AMBIANTE. DES CAPACITES MOS METTANT EN JEU DE TELS OXYDES ONT ETE REALISEES EN UTILISANT LES TECHNIQUES CONVENTIONNELLES DE LA MICROELECTRONIQUE. AFIN D'ETUDIER LES PROPRIETES DE CES STRUCTURES ET L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE DE RECUIT, NOUS AVONS UTILISE LES DIFFERENTES TECHNIQUES DE CARACTERISATION TELLES QUE L'ANALYSE DES COURBES C(V) QUASI STATIQUE OU LA METHODE DE LA CONDUCTANCE. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT DE FACON CONVAINCANTE QUE L'OXYDATION ANODIQUE PERMET D'OBTENIR DES OXYDES MINCES AYANT DE BONNES PROPRIETES ELECTRIQUES A PARTIR DE 600#OC. AUX CHAMPS FORTS LA CONDUCTION EST DOMINEE PAR LE MECANISME TUNNEL DE FOWLER-NORDHEIM. LA VALEUR DE LA HAUTEUR DE BARRIERE A L'INTERFACE AL/SIO#2 OBTENUE APRES CORRECTION DE L'EFFET SCHOTTKY EST DE 3,1 EV. L'ETUDE DE LA VITESSE DE DISSOLUTION DE L'OXYDE ANODIQUE DANS HF A MIS EN EVIDENCE LA STRUCTURE POREUSE DES OXYDES ANODIQUES ET L'EFFET DE RESTRUCTURATION ET DENSIFICATION QUI ACCOMPAGNE LA PHASE DE RECUIT
Download or read book ETUDE THERMODYNAMIQUE ET STRUCTURALE DE LA FORMATION DES DEPOTS MINCES ISOLANTS SUR SILICIUM POUR LA MICROELECTRONIQUE APPLICATION AU SYSTEME NH 3 SILICIUM MONOCRISTALLIN written by KHALID.. CHAFIK and published by . This book was released on 1994 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES DEPOTS MINCES ISOLANTS SUR SILICIUM OCCUPENT UNE PLACE ESSENTIELLE DANS LA MISE AU POINT DES STRUCTURES (EN PARTICULIER DES MEMOIRES) UTILISEES EN MICRO-ELECTRONIQUE SUR SILICIUM. DEPUIS LE TOUT DEBUT DE L'ETUDE DES COUCHES MINCES ISOLANTES SUR SILICIUM, PLUSIEURS AUTEURS ONT PORTE LEUR ATTENTION SUR LES REACTIONS CHIMIQUES QUI POUVAIENT SE PRODUIRE PENDANT LA FORMATION DE L'ISOLANT. GENERALEMENT, CES ETUDES ONT UTILISE DES MODELES ASSEZ ELOIGNES DE LA REALITE CHIMIQUE, ET LES PHENOMENES DE CROISSANCE DE CES COUCHES ISOLANTES RESTENT ENCORE MAL EXPLIQUES. NOUS AVONS DONC DECIDE D'ABORDER LA FORMATION DE FILMS MINCES ISOLANTS DU POINT DE VUE DE LA REACTION CHIMIQUE ET NOUS AVONS DEVELOPPE UNE APPROCHE THERMODYNAMIQUE ET STRUCTURALE DU PROBLEME. ETANT DONNE LE GRAND NOMBRE DE REACTIFS CHIMIQUES POUVANT ETRE UTILISES POUR DEPOSER DES COUCHES MINCES ISOLANTES SUR SILICIUM, NOUS AVONS INITIALEMENT LIMITE NOTRE ETUDE A LA FORMATION DE NITRURE(S) DE SILICIUM SUR DU SILICIUM MONOCRISTALLIN (100)-(21) EN UTILISANT L'AMMONIAC NH#3 COMME GAZ NITRURANT. NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE DE SURFACE TENANT COMPTE A LA FOIS DE CONSIDERATIONS CRISTALLOGRAPHIQUES ET DE CALCULS DE THERMODYNAMIQUE CLASSIQUE. LE MODELE MONTRE QUE LA SURFACE DE SILICIUM EST FORTEMENT MODIFIEE, NON SEULEMENT SUR LE PREMIER PLAN, MAIS AUSSI EN PROFONDEUR: DEUX PLANS DE SILICIUM CONTIENNENT DE L'AZOTE. LE MODELE EST EN TRES BON ACCORD AVEC CE QUI A ETE OBSERVE EXPERIMENTALEMENT DANS LA LITTERATURE. IL MONTRE AUSSI QUE LA CROISSANCE DU NITRURE NE PEUT PAS ETRE HOMOGENE ET QU'AINSI, LE MODELE DE PRIGOGINE NE PEUT PAS S'APPLIQUER. NOUS AVONS REPRIS ET AMELIORER LE MODELE EN UTILISANT DES PROGRAMMES DE CALCULS D'EVENTUALITE DE REACTIONS CHIMIQUES PAR MINIMISATION DE L'ENTHALPIE LIBRE. CES CALCULS CONFIRMENT LES RESULTATS INITIAUX. ILS APPORTENT DES PRECISIONS QUANT AUX ESPECES FORMEES A HAUTES TEMPERATURES. LA VALIDITE DES MODELES ALLIANT ETUDES STRUCTURALES ET THERMODYNAMIQUES CLASSIQUES EST DISCUTEE
Download or read book Fabrication et caract risation de nanocristaux de silicium encapsul s dans des matrices silici es amorphes written by Jérémy Barbé and published by . This book was released on 2013 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: En raison de leurs propriétés nouvelles, les matériaux composites à base de nanocristaux de silicium (nc-Si) contenus dans des matrices siliciées amorphes suscitent un intérêt grandissant pour les nombreuses applications envisagées dans les domaines de l'électronique et du photovoltaïque. La fabrication de ces nanostructures est parfaitement compatible avec les technologies existantes. Toutefois, afin d'être intégrés avec succès dans ces dispositifs, les nc-Si et leur environnement doivent avoir des propriétés maitrisées. Dans ce contexte, le travail de thèse a consisté en l'élaboration et la caractérisation de couches de carbure et nitrure de silicium contenant des nc-Si. Ces deux matrices ont retenu notre attention en raison de leur gap intermédiaire entre la silice et le silicium qui permettrait d'obtenir des propriétés améliorées pour les composants électriques. Deux techniques de fabrication ont été étudiées : la nucléation/croissance de nc-Si sur des couches minces a-SiCx par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD), et le dépôt par CVD assisté par plasma pulsé (PPECVD) d'alliages a-SiNx riches en Si, suivi d'un recuit à haute température. Lors de l'interprétation des résultats, une attention particulière a été portée aux effets de surface/interface et au rôle de la matrice sur les propriétés mesurées. Après avoir étudié et maitrisé les conditions de dépôt d'alliages a-SiCx:H par PECVD, nous montrons que la nucléation/croissance de nc-Si sur une surface a-Si0,8C0,2 par LPCVD est favorisée en raison de la concentration en Si élevée de la matrice. Des densités surfaciques de nc-Si supérieures à 1012 cm-2 ont ainsi été atteintes, même pour des temps de dépôt courts ou des débits de silane faibles. Ces premiers résultats indiquent la faisabilité de ce type de structure. Une étude approfondie sur le couple nc-Si/nitrure de silicium a ensuite été menée. Les propriétés structurales, optiques et électriques de couches de nitrure contenant des nc-Si ont été caractérisées à partir d'un large éventail de techniques. Après avoir estimé la taille des nc-Si par spectroscopie Raman, la déconvolution des spectres XPS nous a permis d'expliquer les processus de formation des nc-Si lors du recuit et de proposer un modèle pour décrire la structure des interfaces nc-Si/a-Si3N4. Les propriétés optiques des nc-Si ont ensuite été déterminées par ellipsométrie spectroscopique et spectrophotométrie UV-Vis. L'élargissement du gap, le lissage des constantes diélectriques et l'augmentation du coefficient d'absorption aux faibles énergies avec la diminution de la taille des particules suggèrent un effet de confinement quantique au sein des nc-Si. Des mesures de photoluminescence résolue en temps nous ont permis de conclure que l'utilisation d'une matrice de nitrure est peu appropriée à l'étude de l'émission optique des nc-Si en raison des nombreux défauts radiatifs et non radiatifs présents dans la matrice et aux interfaces. Enfin, les mécanismes de transport des porteurs de charge à travers la couche nanocomposite ont été étudiés à partir de mesures courant-tension. En raison de son caractère percolé, la couche se comporte de façon analogue à une couche de Si polycristallin avec une faible concentration de liaisons pendantes du Si. Un effet de photoconduction attribué aux nc-Si est observé, ce qui offre des perspectives de travail intéressantes.
Download or read book PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRIQUES DE COUCHES D OXYDE DE SILICIUM ELABOREES PAR PLASMA BASSE TEMPERATURE D OXYGENE written by DIDIER.. GOGHERO and published by . This book was released on 2001 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE AU DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM ET D'ALLIAGES SILICIUM-GERMANIUM DANS UN REACTEUR HELICON (13,56 MHZ). DES COUCHES DE SIO 2, PROCHES DE LA SILICE THERMIQUE, SONT OBTENUES EN UTILISANT UN TRES FAIBLE POURCENTAGE DE TETRAETHOXYSILANE (TEOS). UNE ANALYSE DU PLASMA A ETE EFFECTUEE PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE ET SONDE DE LANGMUIR POUR ETUDIER LES PERTURBATIONS EVENTUELLES DE LA POLARISATION RADIOFREQUENCE DU SUBSTRAT ET DE LA PRESSION SUR LA DECHARGE. L'ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE UV-VISIBLE, LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION ET L'ANALYSE XPS ONT ETE UTILISES POUR L'ETUDE STRUCTURALE DES COUCHES DE SIO 2. NOUS AVONS DISTINGUE, POUR CETTE ETUDE, LE PROCEDE D'OXYDATION DE CELUI DE DEPOT PLASMA ET NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QU'IL PEUR EXISTER UN LIEN ENTRE CES DEUX PHENOMENES LORS DE LA CROISSANCE DE L'OXYDE SUR UN ALLIAGE SILICIUM-GERMANIUM. NOUS AVONS EGALEMENT OPTIMISE NOS CONDITIONS DE DEPOT EN VUE D'OBTENIR UNE INTERFACE OXYDE/SUBSTRAT DE BONNE QUALITE ELECTRIQUE ET POUR CONSTITUER UNE SOLUTION POSSIBLE AU PROBLEME DE L'OXYDATION DIRECTE DE SIGE. ENFIN, NOUS NOUS ATTACHES A ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE LES RESULTATS D'ANALYSE STRUCTURALE ET ELECTRIQUE.
Download or read book PROPRIETES ELECTRONIQUES ET PHYSICOCHIMIQUES DE COUCHES MINCES DE SILICIUM DEPOSEES A HAUTE TEMPERATURE written by ETIENNE.. BUSTARRET and published by . This book was released on 1982 with total page 246 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU SYSTEME HYDROGENE-SILICIUM SUIVANT LES CONDITIONS DE PREPARATION PAR CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, PHOTOCONDUCTIVITE, DIFFUSION RAMAN, RPE, TRANSMISSION DANS L'IR. ANALYSE DE LA TRANSITION AMORPHE-MICROCRISTAL, CONDITIONS DE PREPARATION DE COUCHES MICROCRISTALLINES POUR UNE OBTENTION A BASSE TEMPERATURE
Download or read book Etude de la restructuration de couches de silicium desordonne par implantation ionique Effet du recuit thermique sur les proprietes electriques et structurales written by Jumana Boussey and published by . This book was released on 1990 with total page 157 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX MECANISMES DE RESTRUCTURATION DE COUCHES DE SILICIUM FORTEMENT ENDOMMAGEES PAR L'IMPLANTATION A L'ARSENIC. LES ECHANTILLONS CARACTERISES ONT ETE ELABORES A PARTIR D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM 100 DE TYPE P BOMBARDE, A LA TEMPERATURE AMBIANTE, AVEC UN FAISCEAU D'IONS D'ARSENIC ACCELERE A 200 KEV. EN FAISANT VARIER LA DOSE D'IMPLANTATION, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE, A L'AIDE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, LA TRANSITION CRISTAL-AMORPHE LORSQUE LA DOSE D'IMPLANTATION EST SUPERIEURE A LA DOSE CRITIQUE D'AMORPHISATION. LA COMBINAISON DE PLUSIEURS METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUES ET PHYSIQUES NOUS A PERMIS D'ETUDIER L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE POST-IMPLANTATION SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET STRUCTURALES DE CE MATERIAU. LA CORRELATION DES RESULTATS ISSUS DE CES DIFFERENTES METHODES A RENDU POSSIBLE LA MISE EN EVIDENCE D'UN PHENOMENE D'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES APRES RECUIT A BASSE TEMPERATURE INTERVENANT INDEPENDAMMENT DE LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE. L'ANALYSE DETAILLEE DE CE PHENOMENE A DEMONTRE QU'IL SE PRODUIT PAR UN PROCESSUS DE RELAXATION LOCALE CARACTERISEE PAR UNE FAIBLE ENERGIE D'ACTIVATION. L'ETUDE DE L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE SUR LES PROPRIETES STRUCTURALES DES COUCHES DE SILICIUM DESORDONNE A PERMIS DE CONCLURE QUE LA MIGRATION DES DEFAUTS PONCTUELS ET DE LEURS COMPLEXES EST A L'ORIGINE DE LA RELAXATION LOCALE
Download or read book Etude des propri t s optiques de nanoparticules de silicium et de leur interface avec une matrice de silice par ellipsom trie et spectroscopie de d flexion photothermique written by Ingrid Stenger and published by . This book was released on 2006 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le but de ce travail est d’étudier les propriétés optiques et morphostructurales de nanoparticules de silicium (np-Si) dans des couches minces de silice, obtenues par recuit thermique de silices sous-stœchiométriques (SiOx 1
Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE LA LUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX written by MARIE ANNE.. HORY and published by . This book was released on 1995 with total page 122 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES ETUDES PRESENTEES DANS CE MANUSCRIT PORTENT SUR LA PHOTO- (PL) ET L'ELECTRO-LUMINESCENCE (EL) DE COUCHES DE SILICIUM POREUX OBTENU PAR ATTAQUE ELECTROCHIMIQUE DE SUBSTRAT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN. LA PREMIERE PARTIE PRESENTE LES PRINCIPALES CARACTERISTIQUES DU MATERIAU ET LA DESCRIPTION DE SES PROPRIETES DE LUMINESCENCE ACCOMPAGNEE DES DIFFERENTS MODELES AVANCES POUR EN EXPLIQUER LES MECANISMES, EN S'ATTACHANT TOUT PARTICULIEREMENT A CELUI DU CONFINEMENT QUANTIQUE DES PORTEURS DANS LES CRISTALLITES QUI FORMENT LA COUCHE POREUSE, QUI EST LE PLUS GENERALEMENT RETENU. LA DEUXIEME PARTIE DECRIT LES DIFFERENTS MONTAGES EXPERIMENTAUX PERMETTANT LA FORMATION DES COUCHES POREUSES ET LEURS CARACTERISATIONS. DANS UNE TROISIEME PARTIE, NOUS PRESENTONS LES RESULTATS OBTENUS LORS DE L'ETUDE PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE DE L'INFLUENCE DES ESPECES PRESENTES EN SURFACE DES CRISTALLITES DE SILICIUM SUR LA PL DE LA COUCHE POREUSE. NOUS MONTRONS QUE LA DESORPTION DE L'HYDROGENE PRESENT EN SURFACE APRES FORMATION DU MATERIAU S'ACCOMPAGNE D'UNE DIMINUTION DE L'INTENSITE DE PL. L'ANALYSE DE LA COMPOSITION CHIMIQUE D'UNE COUCHE POREUSE OXYDEE ELECTROCHIMIQUEMENT NOUS PERMET DE METTRE EN EVIDENCE LA CONSERVATION DE LA PASSIVATION PAR L'HYDROGENE AU COURS DE CE TRAITEMENT ET DE CONFIRMER QUE L'AUGMENTATION DU RENDEMENT QUANTIQUE DE L'EMISSION ASSOCIEE A L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE PEUT ETRE ATTRIBUEE A UNE MEILLEURE LOCALISATION DES PORTEURS PHOTOGENERES DANS LES CRISTALLITES. LA QUATRIEME PARTIE EST CONSACREE AUX EFFETS D'UNE POLARISATION ELECTRIQUE SUR LES PHENOMENES DE LUMINESCENCE. CE TRAVAIL A ETE MENE SUR DES COUCHES NANOPOREUSES FORMEES SUR SUBSTRAT DE TYPE N, POLARISEES PAR L'INTERMEDIAIRE D'UN CONTACT ELECTROLYTIQUE. ON OBSERVE UNE EXTINCTION SELECTIVE, PROGRESSIVE (MAIS REVERSIBLE) DE LA PL QUAND LA POLARISATION CATHODIQUE EST AUGMENTEE. PARALLELEMENT, L'EL OBSERVEE EN PRESENCE D'UNE ESPECE OXYDANTE DANS L'ELECTROLYTE SUBIT UN DEPLACEMENT SPECTRAL VERS LE BLEU. L'ETUDE DETAILLEE DES DIFFERENTES CARACTERISTIQUES DE CES DEUX PHENOMENES NOUS PERMET DE MONTRER QU'ILS RESULTENT DE L'INJECTION SELECTIVE DES ELECTRONS DEPUIS LE SUBSTRAT DANS LES CRISTALLITES DE PLUS EN PLUS CONFINEES AU FUR ET A MESURE QUE LA POLARISATION AUGMENTE. ON VERIFIE PAR AILLEURS QUE CE CARACTERE SELECTIF DISPARAIT PROGRESSIVEMENT AU COURS DE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DE LA COUCHE POREUSE. L'EXTINCTION DE LA PL ET DE L'EL SOUS FORTE POLARISATION CATHODIQUE PEUT ETRE ATTRIBUEE A LA RECOMBINAISON NON RADIATIVE DES PORTEURS DE CHARGES PAR UN MECANISME DE TYPE AUGER
Download or read book Etude par ellipsom trie spectroscopique des effets de taille sur les propri t s optiques de couches composites matrice di lectrique et du silicium nanostructur written by Al-Saleh Keita and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les films minces à matrice diélectrique contenant des nanocristaux de Si peuvent avoir diverses applications potentielles telles qu'en nanoélectrique pour la conception de dispositifs à mémoire ou en optoélectronique dans la mise en oeuvre de cellules photovoltaïques à haut rendement ou l'élaboration d'un laser à base de silicium. Dans un premier temps, nous avons employé l'ellipsométrie spectroscopique pour décrire les propriétés optiques des films de nitrure de silicium enrichi en silicium (SRSN), essentiellement élaborés par dépôt chimique en phase vapeur puis soumis à un recuit thermique rapide (RTA). Nous avons montré qu'il est possible de prédire à l'aide d'un critère purement optique la détection, au microscope électronique en transmission, des nanoparticules de Si (NP-Si) dans les couches SRSN. Le recuit de type RTA conduit à la formation de fortes densités de nanoparticules de Si dans les couches composites SRSN. Les propriétés optiques des NP-Si ont été calculées par trois méthodes différentes : inversion numérique longueur d'onde par longueur d'onde (sans aucun paramètre d'ajustement), et modèles de dispersion de Forouhi-Bloomer et Tauc-Lorentz (avec 5 paramètres d'ajustement). L'évolution des paramètres de cette dernière formule révèle la présence de silicium amorphe confiné dans nos couches. Nous avons également mis en évidence le rôle déterminant du rapport des flux de gaz précurseurs RQ (=QNH3/QSiH4) ainsi que de la température de recuit Tr sur les propriétés optiques des films SRSN mais aussi des NP-Si qu'ils contiennent. En effet une légère augmentation de RQ induit une variation significative du spectre de la fonction diélectrique des NP-Si...
Download or read book Caracterisation de l interface Silicium amorphe Nitrure de silicium et etude de structures Metal a SiN H a Si H pour l application en capteurs d images written by Marie-Christine Habrard and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book ETUDE DES CHANGEMENTS DE PROPRIETES DE COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE SOUS L EFFET D UNE IRRADIATION PAR UN LASER DECLENCHE written by JEAN-FRANCOIS.. PERAY and published by . This book was released on 1980 with total page 119 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE LA CRISTALLISATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE DEPOSEES SUR DE LA SILICE AMORPHE. ABSORPTION OPTIQUE DE CES POLYCRISTAUX DE FAIBLES DIMENSIONS ET COMPARAISON AVEC LE MATERIAU AMORPHE. CONDUCTIVITE ELECTRIQUE. EFFET DU SUPPORT SUR LA COUCHE DEPOSEE. ETUDE DE LA CRISTALLISATION PAR RPE ET DIFFUSION RAMAN. EFFETS SUR LA CRISTALLISATION DE LASERS DECLENCHES OU EN CONTINU. LES MATERIAUX OBTENUS SONT ADAPTES A LA CONVERSION PHOTOVOLTAIQUE DE L'ENERGIE SOLAIRE DANS UNE CONFIGURATION DE DIODE SCHOTTKY
Download or read book ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES DE SURFACES DU SILICIUM ET D INTERFACES ARGENT SILICIUM PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE DE REFLECTIVITE DIFFERENTIELLE written by RAKIA.. ALAMEH and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA CROISSANCE DE L'ARGENT SUR LA SURFACE SI(111)-77 A BASSE ET A HAUTE TEMPERATURES ET SUR LA SURFACE SI(100)-21 D'UNE PART, L'ADSORPTION DE L'OXYGENE SUR LA SURFACE SI(111)-77 D'AUTRE PART, ONT ETE ETUDIEES PAR UNE TECHNIQUE OPTIQUE ORIGINALE, LA SPECTROSCOPIE OPTIQUE DE REFLECTIVITE DIFFERENTIELLE, ASSOCIEE A D'AUTRES TECHNIQUES CLASSIQUES DE SURFACE (D.E.L., AUGER). CETTE TECHNIQUE PERMET L'ETUDE DES ETATS ELECTRONIQUES DE SURFACE ET D'INTERFACE DANS LA BANDE INTERDITE DU SEMICONDUCTEUR; ELLE EST DONC PARTICULIEREMENT ADAPTEE A L'OBSERVATION DES ELECTRONS S APPORTES PAR LE METAL ET PERMET DE DETERMINER LE CARACTERE METALLIQUE OU SEMI-CONDUCTEUR DE L'INTERFACE; ENFIN, ELLE DONNE DES INFORMATIONS PRECISES SUR LA MORPHOLOGIE DES DEPOTS D'ARGENT AINSI QUE SUR LE MODE DE CROISSANCE, PAR SA POSSIBILITE D'EXCITER DES RESONANCES ELECTROMAGNETIQUES DE TYPE PLASMON DANS LES COUCHES MINCES D'ARGENT. EN PARTICULIER, UNE ABSORPTION OPTIQUE A 2,3 EV A ETE OBSERVEE POUR LES TROIS INTERFACES AG/SI(111)-77, AG/SI(100)-21 ET 3-AG/SI(111). ELLE EST DUE AUX TRANSITIONS ENTRE DE NOUVEAUX ETATS ELECTRONIQUES D'INTERFACE, CORRESPONDANT AUX LIAISONS COVALENTES METTANT EN JEU LES ORBITALES DE 5 S DE L'ARGENT ET 3 P DES LIAISONS PENDANTES DU SILICIUM. CETTE ABSORPTION OPTIQUE EST, EN QUELQUE SORTE, LA SIGNATURE DE CETTE LIAISON COVALENTE. ENFIN, LE CARACTERE SEMICONDUCTEUR DE CES TROIS INTERFACES A ETE MIS EN EVIDENCE POUR LES FAIBLES RECOUVREMENTS, ET EST SUIVI PAR L'APPARITION DU CARACTERE METALLIQUE DES DEUX INTERFACES AG/SI(111)-77 ET AG/SI(100)-21 POUR LES RECOUVREMENTS PLUS ELEVES
