Download or read book Propri t s optiques de puits quantiques GaInAsN GaAs written by Tarik Bouragba and published by . This book was released on 2006 with total page 232 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur une étude expérimentale et théorique des propriétés optiques de puits quantiques contraints GaInAsN/GaAs élaborés par épitaxie sous jets moléculaires. Les transitions interbandes du puit GaInAsN sont étudiés par photoluminescence et absorption optique traitée thermiquement. Les énergies correspodantes sont calculées grâce à un modèle k.p. à 10 bandes traitant simultanément la contrainte et le couplage entre états électroniques de l'azote et de la bande de conduction de GaInAs. Le décalage des bandes de conduction contraint GaInAsN/GaAs et de la masse effective des porteurs sont déterminés. La force d'oscillateur et l'élargissement inhomogène des excitons ainsi que le coefficient d'absorption des puits sont extraits des spectres. Un recuit provoque un décalage vers le bleu des énergies de transition, qui résulte de l'interdiffusion In/Ga et du réarrangement local autour de l'azote.Cette réorganisation atomique conduit à une diminution du couplage de l'azote avec la bande de conduction

Download or read book Conception laboration et caract risation de structures puits quantiques GaInAsN GaAs pour composants opto lectroniques mettant 1 3 microm tre written by Hélène Carrère and published by . This book was released on 2002 with total page 155 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux reportés dans ce mémoire concernent la croissance par épitaxie par jets moléculaires assistée par plasma et la caractérisation électronique et structurale de couches massives et à puits quantiques à base de (Ga,In)(As,N) en vue d'applications laser pour les télécommunications optiques. Dans un premier chapitre, nous présentons le contexte de ce travail de thèse ainsi que l'histoire récente du matériau (Ga,In)(As,N) et ses potentialités pour l'émission à 1,3 micromètre. Le deuxième chapitre est consacré à l'étude de la cellule plasma radio fréquence utilisée comme source d'azote. Nous nous intéressons à l'influence des conditions d'utilisation de la cellule sur l'incorporation d'azote dans le matériau et à la nature des espèces (atomiques ou moléculaires) qui participent à l'incorporation. Nous y présentons également les conditions expérimentales d'analyse SIMS qui nous ont permis de déterminer de manière quantitative les concentrations d'azote dans le matériau. Le troisième chapitre traite de l'optimisation de la croissance de (Ga,In)(As,N). Nous y étudions l'influence de la température, de la vitesse et du rapport de flux atomique V/III durant la croissance sur l'incorporation d'azote d'une part, et sur la qualité optique des puits quantiques GaInAsN/GaAs d'autre part. Nous traitons également de l'incorporation d'impuretés induite par l'utilisation du plasma d'azote, ainsi que de l'influence négative des espèces ionisées. Enfin, le quatrième chapitre est consacré à la modélisation et la caractérisation des propriétés physiques du matériau. Nous présentons tout d'abord un modèle, développé dans l'approximation de l'anticroisement de bandes, permettant de modéliser les spectres de gain des lasers à puits quantiques GaInAsN/GaAs. Nous développons ensuite les résultats de caractérisations de structures à puits quantiques GaInAsN et de couches épaisses GaAsN obtenues par spectroscopie de photoluminescence et spectroscopie Raman résonnante.

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES MULTIPLES GAAS GAALAS DANS LE DOMAINE DE L INFRAROUGE MOYEN LIEES AUX TRANSITIONS INTRABANDE written by Nathalie Herschkorn and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: REALISATION DE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. MODELISATION DE L'ABSORPTION INTRABANDE RESONNANTE EN PRENANT EN COMPTE LA DISPERSION DES DIFFERENTES SOUS-BANDES, LES EFFETS A N CORPS ET LE DOPAGE DES MATERIAUX. OPTIMISATION D'UN MODULATEUR D'AMPLITUDE A LA LONGUEUR D'ONDE 10,6 M COMMANDE ELECTRIQUEMENT GRACE A L'EFFET STRARK QUANTIQUE. ETUDE DES HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS PAR DIFFRACTION RX ET PHOTOLUMINESCENCE. REALISATION D'UNE STRUCTURE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE DESTINEE A MODULER EN AMPLITUDE UN FAISCEAU DE LONGUEUR D'ONDE 10,6 M