Download or read book Photopiles de haut rendement en silicium multicristallin written by Quang Nam le and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Photopiles de haut rendement au silicium polycristallin written by S.. Sivoththaman and published by . This book was released on 1993 with total page 282 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE RENDEMENT DE CONVERSION DE PHOTOPILES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN A ETE PORTE A 16.4%, EN AMELIORANT A LA FOIS LA QUALITE DU MATERIAU DE BASE, CELLE DES INTERFACES AVANT ET ARRIERE ET LE COURANT DE SATURATION DU COMPOSANT A L'OBSCURITE. DIFFERENTES ETAPES DE FABRICATION ONT ETE OPTIMISEES, DE FACON A DEGAGER DEUX GRANDS CHOIX DE PROCEDES CONDUISANT A UN HAUT RENDEMENT: CELUI D'EMETTEURS HOMOGENES SUR UNE BASE PEU DOPEE ET CELUI D'EMETTEURS SELECTIFS SUR UNE BASE TRES DOPEE. LA REPONSE SPECTRALE ET LE COURANT DE SATURATION MESURES DES PHOTOPILES ONT ETE CONFRONTES A UN MODELE TENANT COMPTE DES PARTICULARITES DU COMPOSANT; LE MODELE A ETE VALIDE ET LES PARAMETRES PHYSIQUES DE BASE DETERMINES. LA TENSION DE CIRCUIT OUVERT CULMINE A LA VALEUR RECORD DE 636 MV. LES RENDEMENTS ATTEINTS, SUPERIEURS A 16% POUR UNE SURFACE DE 4 CM#2, FRAYENT LA VOIE DE FUTURES PRODUCTIONS INDUSTRIELLES. UNE VARIANTE UTILISANT DES RECUITS RAPIDES SOUS RAYONNEMENT CONSTITUE UN PROCEDE SIMPLE CONDUISANT EGALEMENT A DES PERFORMANCES PROMETTEUSES
Download or read book Development characterization and modeling of interfaces for high efficiency silicon heterojunction solar cells written by Renaud Varache and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'interface entre le silicium amorphe (a-Si:H) et le silicium cristallin (c-Si) est un constituent clés de cellules solaires à haut rendement reposant sur des procédés à basse température. Trois propriétés de l'interface déterminent le rendement des cellules solaires à hétérojonction de silicium: les décalages de bandes entre a-Si:H et c-Si, les défauts d'interface et la courbure de bande dans c-Si. Ces trois aspects sont traités dans ces travaux de thèse.Dans un premier un temps, un calcul analytique de la courbure de bande dans c-Si est développé. Il repose sur l'approximation d'une densité d'état (DE) constante dans la bande interdite de a-Si:H. L'influence des principaux paramètres de la structure sur la courbure de bande est étudiée : décalage de bande, densité d'état dans a-Si:H, défaut d'interface, etc. La présence d'un effet de confinement quantique est discutée. Grâce à une comparaison entre ces calculs et des mesures de conductance planaire en fonction de la température sur des structures (p)a-Si:H/(n)c-Si et (n)a-Si:H/(p)c-Si, les décalages de bande de valence et de conduction ont pu être estimés à 0.36 eV et 0.15 eV respectivement. En outre, il est montré que le décalage de la bande de valence est indépendant de la température, alors que le décalage de la bande de conduction suit les évolutions des bandes interdites de c-Si et a-Si:H. Ces mesures tendent à prouver que le 'branch point' dans a-Si:H est indépendant du dopage.Ensuite, les calculs analytiques sont approfondis pour prendre en compte différents aspects de la structure complète incorporée dans les cellules : contact avec un oxyde transparent conducteur, présence d'une couche de a-Si:H non-dopée à l'interface. A l'aide de simulations numériques et à la lumière de mesures de conductance planaire conjuguées à des mesures de la qualité de passivation de l'interface, des pistes pour optimiser les cellules à hétérojonction sont commentées. En particulier, il est montré qu'un optimum doit être trouvé entre une bonne passivation et une courbure de bande suffisante. Ceci peut être accompli par un réglage fin des propriétés de la couche tampon (épaisseur, dopage), du contact (travail de sortie élevé) et de l'émetteur (p)a-Si:H (densité de défauts et épaisseur). En particulier, un émetteur avec une DE importante conduit paradoxalement à de meilleures performances.Enfin, un nouveau type d'interface a été développé. La surface de c-Si a été oxydée volontairement dans de l'eau pure dé-ionisée à 80 °C avant le dépôt de (p)a-Si:H afin d'obtenir une structure (p)a-Si:H/SiO2/(n)c-Si. A l'aide d'un modèle de courant par effet tunnel implémenté dans le logiciel de simulation numérique AFORS-HET, l'effet d'une couche à grande bande interdite (comme c'est le cas pour SiO2) sur les performances de cellules est étudié : le facteur de forme et le courant de court-circuit sont extrêmement réduits. En revanche, une couche de SiO2 n'a que peu d'impact sur les propriétés optiques de la structure. Expérimentalement, les échantillons réalisés montrent une qualité de passivation à mi-chemin entre le cas sans couche tampon et le cas avec (i)a-Si:H : ceci est expliqué par la présence d'une charge fixe négative dans l'oxyde. La courbure de bande dans c-Si est moins affectée par la présence d'une couche d'oxyde que d'une couche de (i)a-Si:H. Les cellules solaires réalisées démontrent que le concept a le potentiel d'aboutir à de hauts rendements : sur des structures non-optimisées, une tension de court-circuit supérieure à 650 mV a été démontrée, alors que l'oxyde ne semble pas limiter le transport de charge.
Download or read book Physics Briefs written by and published by . This book was released on 1993 with total page 1116 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Semiconductor Device Physics and Design written by Umesh Mishra and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2007-11-28 with total page 583 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Semiconductor Device Physics and Design teaches readers how to approach device design from the point of view of someone who wants to improve devices and can see the opportunity and challenges. It begins with coverage of basic physics concepts, including the physics behind polar heterostructures and strained heterostructures. The book then details the important devices ranging from p-n diodes to bipolar and field effect devices. By relating device design to device performance and then relating device needs to system use the student can see how device design works in the real world.
