Download or read book Photopiles de haut rendement au silicium polycristallin written by S.. Sivoththaman and published by . This book was released on 1993 with total page 282 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE RENDEMENT DE CONVERSION DE PHOTOPILES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN A ETE PORTE A 16.4%, EN AMELIORANT A LA FOIS LA QUALITE DU MATERIAU DE BASE, CELLE DES INTERFACES AVANT ET ARRIERE ET LE COURANT DE SATURATION DU COMPOSANT A L'OBSCURITE. DIFFERENTES ETAPES DE FABRICATION ONT ETE OPTIMISEES, DE FACON A DEGAGER DEUX GRANDS CHOIX DE PROCEDES CONDUISANT A UN HAUT RENDEMENT: CELUI D'EMETTEURS HOMOGENES SUR UNE BASE PEU DOPEE ET CELUI D'EMETTEURS SELECTIFS SUR UNE BASE TRES DOPEE. LA REPONSE SPECTRALE ET LE COURANT DE SATURATION MESURES DES PHOTOPILES ONT ETE CONFRONTES A UN MODELE TENANT COMPTE DES PARTICULARITES DU COMPOSANT; LE MODELE A ETE VALIDE ET LES PARAMETRES PHYSIQUES DE BASE DETERMINES. LA TENSION DE CIRCUIT OUVERT CULMINE A LA VALEUR RECORD DE 636 MV. LES RENDEMENTS ATTEINTS, SUPERIEURS A 16% POUR UNE SURFACE DE 4 CM#2, FRAYENT LA VOIE DE FUTURES PRODUCTIONS INDUSTRIELLES. UNE VARIANTE UTILISANT DES RECUITS RAPIDES SOUS RAYONNEMENT CONSTITUE UN PROCEDE SIMPLE CONDUISANT EGALEMENT A DES PERFORMANCES PROMETTEUSES
Download or read book PHOTOPILES DE HAUT RENDEMENT EN SILICIUM MULTICRISTALLIN written by QUANG NAM.. LE and published by . This book was released on 1992 with total page 184 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS ETUDIE DEUX TYPES DE PHOTOPILES SOLAIRES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN (MULTICRISTALLIN), SUR LESQUELLES DES PERFECTIONNEMENTS NOTABLES ONT ETE APPORTES POUR ELEVER LEUR RENDEMENT DE CONVERSION: 1) LES PHOTOPILES EPITAXIQUES, DONT LA ZONE ACTIVE EST UNE COUCHE MINCE DEPOSEE SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM METALLURGIQUE: GRACE A L'OPTIMISATION DU CHAMP ARRIERE A L'INTERFACE SUBSTRAT/ZONE ACTIVE ET A UNE TEXTURISATION PRODUISANT UN CERTAIN CONFINEMENT OPTIQUE, ON A PORTE LE RENDEMENT A 12%; 2) LES PHOTOPILES DE HAUT RENDEMENT: PARTANT D'UNE STRUCTURE CONVENTIONNELLE BASE/EMETTEUR/COUCHE ANTIREFLET/CONTACTS METALLIQUES SERIGRAPHIES, ON A AMELIORE: I) LA BASE PAR UN TRAITEMENT DE PIEGEAGE DES IMPURETES, II) LE CONTACT ARRIERE PAR LE DEPOT D'UNE COUCHE SURDOPEE EN BORE, III) L'EMETTEUR, QUI A ETE AMINCI ET PASSIVE PAR OXYDE. LE RENDEMENT EST PORTE 15.6%. LES TRAVAUX D'ORDRE TECHNOLOGIQUE ONT ETE COMPLETES PAR UNE ANALYSE DES PARAMETRES DE RECOMBINAISON DES PORTEURS, TANT EN VOLUME QU'EN SURFACE, QUI A PERMIS D'EXPLIQUER QUANTITATIVEMENT LES RESULTATS OBTENUS
Download or read book laboration et caract risation de rubans de silicium polycristallin d pos s par projection plasma en vue de photopiles solaires written by Mohamed Bachar Kayali and published by . This book was released on 1989 with total page 422 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EN INJECTANT DE LA POUDRE DE SILICIUM DANS UN JET DE PLASMA ARGON-HYDROGENE ET EN PROJETANT LES GOUTTELETTES AINSI FORMEES SUR UN SUPPORT ON A PU FABRIQUER DE FACON REGULIERE, DES RUBANS DE SILICIUM DE SURFACE ATTEIGNANT 25 CM#2, DECOLLABLES DE LEURS SUPPORTS. LE DOPAGE EST CONTROLE PAR ADDITION D'OXYDE DE BORE. L'INTERACTION PLASMA-PARTICULES A ETE MODELISEE. LES EQUATIONS DECRIVANT LES ECHANGES DE CHALEUR ET DE QUANTITE DE MOUVEMENT ONT ETE RESOLUES PAR UNE METHODE NUMERIQUE DE RUNGE-KUTTA. UN BON ACCORD A ETE OBTENU AVEC DES DETERMINATIONS EXPERIMENTALES DE LA VITESSE ET DE LA TEMPERATURE DES PARTICULES EN VOL. LES RUBANS PLAST OBTENUS SONT MICROCRISTALLINS ET POREUX ET ASSEZ SOUVENT FISSURES. ILS CONTIENNENT UNE TENEUR ELEVEE EN IMPURETES DE TRANSITION. LA QUALITE DES RUBANS BRUTS A ETE AMELIOREE PAR RECRISTALLISATION PAR BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE. LES RUBANS RECUITS ONT DES GRAINS DE TAILLE MILLIMETRIQUE ET SONT PARTIELLEMENT PURIFIES. LA QUALITE PHOTOELECTRIQUE DES RUBANS EST CARACTERISEE PAR LA LONGUEUR DE DIFFUSION LN, MESUREE PAR METHODE LBIC. LES VALEURS DE LN SONT DE 17 A 32 MICRONS DANS LES RUBANS BRUTS ET JUSQU'A 70 MICRONS APRES RECUIT. CETTE VALEUR ELEVEE DE LN PERMET EN PRINCIPE DE CONSTRUIRE DES PHOTOPILES SOLAIRES DE BON RENDEMENT A BASE DE NOTRE RUBAN PLAST, MOYENNANT UN DEVELOPPEMENT INDUSTRIEL DU PROCEDE
Download or read book Vers une utilisation des recuits transitoires dans la technologie des photopiles haut rendement base de silicium monocristallin written by Wolfgang Eichhammer and published by . This book was released on 1989 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book ELABORATION DES RUBANS DE SILICIUM POLYCRISTALLIN EPR POUR PHOTOPILES ET REALISATION D UN PROCEDE DE MESURE DES CONTRAINTES RESIDUELLES PAR PHOTOELASTICIMETRIE INFRAROUGE ASSISTEE PAR ORDINATEUR APPLICABLE A CE TYPE DE MATERIAU written by Didier Chambonnet and published by . This book was released on 1986 with total page 281 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: PREPARATION DE RUBANS DE SILICIUM POLYCRISTALLIN PAR LA METHODE EPR. MODELISATION, CONFRONTEE AUX RESULTATS D'ANALYSE SIMS, DES PURIFICATIONS INTERVENANT LORS DU TIRAGE. ANALYSE DE LA GENERATION DES CONTRAINTES RESIDUELLES CREEES LORS DU REFROIDISSEMENT DES RUBANS. MESURES DE TEMPERATURE AU PYROMETRE ET MODELICATION DES ECHANGES DE CHALEUR CONDUISANT A RESOUDRE LES EQUATIONS DE LA THERMOELASTICITE. REALISATION D'UN DISPOSITIF DE MESURE ET DE VISUALISATION DE CES CONTRAINTES PAR PHOTOELASTICIMETRIE INFRAROUGE ASSISTEE PAR ORDINATEUR
Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Download or read book ETUDE STRUCTURALE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN DESTINE A LA FABRICATION DE PHOTOPILES SOLAIRES written by Jean-François Silvain and published by . This book was released on 1984 with total page 118 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES EFFETS DES SOUS-JOINTS PRESENTS DANS LES CELLULES SOLAIRES A SILICIUM POLYCRISTALLIN PAR ETUDE DES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DE MINI-CELLULES CONTENANT CE TYPE DE DEFAUTS ET PAR UNE ETUDE PAR MET ET EBIC POUR CORRELER L'ACTIVITE ELECTRIQUE ET CRISTALLOGRAPHIE DES SOUS -JOINTS
Download or read book Development characterization and modeling of interfaces for high efficiency silicon heterojunction solar cells written by Renaud Varache and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'interface entre le silicium amorphe (a-Si:H) et le silicium cristallin (c-Si) est un constituent clés de cellules solaires à haut rendement reposant sur des procédés à basse température. Trois propriétés de l'interface déterminent le rendement des cellules solaires à hétérojonction de silicium: les décalages de bandes entre a-Si:H et c-Si, les défauts d'interface et la courbure de bande dans c-Si. Ces trois aspects sont traités dans ces travaux de thèse.Dans un premier un temps, un calcul analytique de la courbure de bande dans c-Si est développé. Il repose sur l'approximation d'une densité d'état (DE) constante dans la bande interdite de a-Si:H. L'influence des principaux paramètres de la structure sur la courbure de bande est étudiée : décalage de bande, densité d'état dans a-Si:H, défaut d'interface, etc. La présence d'un effet de confinement quantique est discutée. Grâce à une comparaison entre ces calculs et des mesures de conductance planaire en fonction de la température sur des structures (p)a-Si:H/(n)c-Si et (n)a-Si:H/(p)c-Si, les décalages de bande de valence et de conduction ont pu être estimés à 0.36 eV et 0.15 eV respectivement. En outre, il est montré que le décalage de la bande de valence est indépendant de la température, alors que le décalage de la bande de conduction suit les évolutions des bandes interdites de c-Si et a-Si:H. Ces mesures tendent à prouver que le 'branch point' dans a-Si:H est indépendant du dopage.Ensuite, les calculs analytiques sont approfondis pour prendre en compte différents aspects de la structure complète incorporée dans les cellules : contact avec un oxyde transparent conducteur, présence d'une couche de a-Si:H non-dopée à l'interface. A l'aide de simulations numériques et à la lumière de mesures de conductance planaire conjuguées à des mesures de la qualité de passivation de l'interface, des pistes pour optimiser les cellules à hétérojonction sont commentées. En particulier, il est montré qu'un optimum doit être trouvé entre une bonne passivation et une courbure de bande suffisante. Ceci peut être accompli par un réglage fin des propriétés de la couche tampon (épaisseur, dopage), du contact (travail de sortie élevé) et de l'émetteur (p)a-Si:H (densité de défauts et épaisseur). En particulier, un émetteur avec une DE importante conduit paradoxalement à de meilleures performances.Enfin, un nouveau type d'interface a été développé. La surface de c-Si a été oxydée volontairement dans de l'eau pure dé-ionisée à 80 °C avant le dépôt de (p)a-Si:H afin d'obtenir une structure (p)a-Si:H/SiO2/(n)c-Si. A l'aide d'un modèle de courant par effet tunnel implémenté dans le logiciel de simulation numérique AFORS-HET, l'effet d'une couche à grande bande interdite (comme c'est le cas pour SiO2) sur les performances de cellules est étudié : le facteur de forme et le courant de court-circuit sont extrêmement réduits. En revanche, une couche de SiO2 n'a que peu d'impact sur les propriétés optiques de la structure. Expérimentalement, les échantillons réalisés montrent une qualité de passivation à mi-chemin entre le cas sans couche tampon et le cas avec (i)a-Si:H : ceci est expliqué par la présence d'une charge fixe négative dans l'oxyde. La courbure de bande dans c-Si est moins affectée par la présence d'une couche d'oxyde que d'une couche de (i)a-Si:H. Les cellules solaires réalisées démontrent que le concept a le potentiel d'aboutir à de hauts rendements : sur des structures non-optimisées, une tension de court-circuit supérieure à 650 mV a été démontrée, alors que l'oxyde ne semble pas limiter le transport de charge.
Download or read book CARACTERISATION PHYSICO CHIMIQUE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN POUR PHOTOPILES SOLAIRES written by Abdelhamid Chari and published by . This book was released on 1980 with total page 86 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU MATERIAU TYPE P ENTRE 900 ET 1150**(O)C. PAS DE DIFFUSION INTERGRANULAIRE. MICROSCOPIES ELECTRONIQUES A BALAYAGE
Download or read book ETUDE DE LA CROISSANCE CRISTALLINE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN EN RUBAN DESTINE A LA FABRICATION DES PHOTOPILES written by ALLAOUA.. CHIBANI and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST RELATIF PLUS PARTICULIEREMENT A L'ETUDE CRISTALLOGRAPHIQUE DES RUBANS DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ELABORES PAR LA METHODE EPR (ELECTRON POUDRE RUBAN). LES CONDITIONS DE CROISSANCE DE CES RUBANS CONDUISENT A DES STRUCTURES DE GRAINS ET DE JOINTS DE GRAINS PRESENTANT UN TAUX DE DEFAUTS PLUS OU MOINS ELEVE; LES DEFAUTS INTRAGRANULAIRES SONT CONSTITUES DE DISLOCATIONS ET DE MICROMACLES: LA DENSITE DE DISLOCATIONS VARIE DE 10#+#4 A 10#+#7/CM#2. LES DEFAUTS INTERGRANULAIRES SONT, LE PLUS SOUVENT, DES DISLOCATIONS ET DES DEFAUTS D'EMPILEMENT. L'ETUDE DE TEXTURE FAITE PAR DIFFRACTION X MONTRE QUE LA METHODE DE TIRAGE INDUIT UNE CRISTALLISATION NON ISOTROPE DES LE PREMIER PASSAGE DE LA ZONE FONDUE. SUR LES PRERUBANS, LES ORIENTATIONS (110) ET (331) APPARAISSENT MAJORITAIRES, CE QUI SE CONFIRME APRES LE SECOND PASSAGE DE LA ZONE FONDUE. CETTE ANALYSE COMPLETEE PAR UNE ETUDE ECP SUR LES GRAINS DE PLUS GRANDES DIMENSIONS MONTRE, POUR CES DERNIERS, UNE DOMINANTE D'ORIENTATION (111). L'UTILISATION D'UN GERME INITIAL DE CROISSANCE DE TAILLE (111) FAVORISE LE GROSSISSEMENT DE GRAINS POSSEDANT CETTE ORIENTATION TOUT EN AUGMENTANT LEUR NOMBRE. LES CARACTERISATIONS CRISTALLOGRAPHIQUE ET ELECTRIQUE RESPECTIVEMENT PAR M.E.T. ET EBIC-LBIC MONTRENT QUE LES JOINTS DE GRAINS SONT EN POSITION DE MACLES; LES UNS, AU CENTRE, CONSTITUES PAR DES INTERFACES A INDICES DE COINCIDENCE EXACTS CONDUISENT A UNE DIMINUTION DE 25% DU PHOTOCOURANT A LEUR NIVEAU, LES AUTRES, SUR LE BORD A INDICES CRISTALLOGRAPHIQUES NON DEFINIS, SONT PLUS ACTIFS PROVOQUANT UNE DIMINUTION DE 62% DU PHOTOCOURANT AVEC UNE VITESSE DE RECOMBINAISON A LEUR NIVEAU DE L'ORDRE DE 10#+#4 CM/S. LA LONGUEUR DE DIFFUSION RESTE COMPRISE ENTRE 18 ET 35 M. ENFIN, L'ANALYSE SIMS INDIQUE DES CONCENTRATIONS ELEVEES DE CARBONE ET D'OXYGENE REPARTIES DE 10#1#7 ET 10#1#8/CM#3 EN VOLUME
Download or read book Modelling and Characterisation of Amorphous Silicon crystalline Silicon Hetero junction Solar Cells written by Samah Ibrahim and published by . This book was released on 2010 with total page 16 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This thesis is intended to contribute to the existing body of knowledge concerning the high efficiency a-Si:H/c-Si solar cells, and how to optimise their performances. This is accomplished through the development of a one dimensional numerical simulation tool that helps us to preview the performance a solar cell structure and simulate the results of electrical characterisation. It permits the analysis of the behavior of a many-Iayered hetero-structure under steady state conditions, in the dark as well as under illuminations. We have also added a special module in order to study the dynamic behavior of the structures under harmonic perturbation. This allows us to calculate the capacitance of the studied device. The simulation code has been applied to compare the two characterization techniques for hetero-structures: diffusion capacitance measurements, and photoluminescence measurements. The comparison between the sensibilities of each method to detect interface defects is established by simulating the behavior of solar cell structures having different interface parameters.
Download or read book AMELIORATION DE RENDEMENT DE CONVERSION DANS L INFRAROUGE D UNE PHOTOPILE AU SILICIUM written by LIJUN.. WU LI and published by . This book was released on 1996 with total page 109 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS LE SPECTRE SOLAIRE UTILISABLE DE LONGUEUR D'ONDE COMPRISE ENTRE 250NM ET 3200NM, SEULEMENT UNE FRACTION EST UTILISEE PAR LES PHOTOPILES AU SILICIUM MONOCRISTALLIN D'AUJOURD'HUI. UNE INSERTION DANS L'EMETTEUR DES CELLULES SOLAIRES CLASSIQUES, D'UNE COUCHE ABSORBANT L'IR, AVEC DES INTERFACES ACTIVES AU BORD PEUT PERMETTRE D'ELARGIR LA REPONSE SPECTRALE, AMELIORANT AINSI LES PERFORMANCES DES PHOTOPILES. CE TYPE DES CELLULES SOLAIRES (CELLULES MULTI-INTERFACES) PEUT ETRE REALISE, ENTRE AUTRES, AVEC UNE SUPERPOSITION DES DEUX PHASES DE SILICIUM PAR L'IMPLANTATION DE PHOSPHORE ET UN RECUIT ADEQUAT. DE LA COUCHE ENTERREE AMORPHISEE AVEC LES HETEROINTERFACES RESULTE L'AMELIORATION D'ABSORPTION OPTIQUE DE SILICIUM ET L'AMELIORATION DE LA CONVERSION DANS L'IR DES CELLULES SOLAIRES
Download or read book Acta electronica written by and published by . This book was released on 1977 with total page 434 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Government Reports Annual Index written by and published by . This book was released on 1991 with total page 1192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Solar energy conversion and application written by G. Chassagne and published by . This book was released on 1978 with total page 864 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Space Time Coding for Broadband Wireless Communications written by Georgios B. Giannakis and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2007-02-26 with total page 488 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Eine vielversprechende Technologie zur Maximierung der Bandbreiteneffizienz in der breitbandigen drahtlosen Kommunikation ist die Raum-Zeit-Kodierung. Theorie und Praxis verbindend, ist dieses Buch die erste umfassende Diskussion von Grundlagen und designorientierten Aspekten von Raum-Zeit-Codes. Single-Carrier und Multi-Carrier-Übertragungen für Einzel- und Mehrnutzerkommunikation werden behandelt.
