Download or read book PHOTOEMISSION DE PUITS QUANTIQUES ET DE SUPERRESEAUX GAAS GAALAS EN ETAT D AFFINITE ELECTRONIQUE NEGATIVE written by ROMUALD.. HOUDRE and published by . This book was released on 1985 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS UN PREMIER TEMPS, ON ETUDIE LA LUMINESCENCE , EN LUMIERE POLARISEE CICULAIREMENT, DANS DES PUITS QUANTIQUES GA::(1-X)AL::(X)AS/GAAS/GA::(1-X)AL::(X)AS. ON A OBSERVE DES POLARISATIONS DE LUMINESCENCE SUPERIEURES AU CAS DE GAAS MASSIF. CET EFFET EST DU A LA LEVEE DE DEGENERESCENCE DES BANDES DE VALENCE DE TROUS LOURDS ET DE TROUS LEGERS EN K=O. DANS UN DEUXIEME TEMPS, ON ETUDIE LA PHOTOEMISSION, PAR MISE EN ETAT D'AFFINITE ELECTRONIQUE NEGATIVE (AEN), DE PUITS QUANTIQUES ET DE SUPERRESEAUX. ON PRESENTE LA PREMIERE EVIDENCE EXPERIMENTALE DU TRANSPORT D'ELECTRONS PAR EFFET TUNNEL A PARTIR D'ETATS QUANTIQUES DANS UN SUPERRESEAU OU UN PUITS QUANTIQUE VERS UNE SURFACE EN AEN. PUIS ON DEVELOPPE UN MODELE POUR ANALYSER LES DONNEES EXPERIMENTALES ET ON MONTRE QUE L'INTENSITE DE L'EFFET OBSERVE EST EN ACCORD AVEC LES PREDICTIONS THEORIQUES. ON EXPOSE ENFIN DES RESULTATS PRELIMINAIRES D'ANALYSE EN ENERGIE DES ELECTRONS PHOTOEMIS A PARTIR D'UN SUPERRESEAU. CETTE EXPERIENCE ORIGINALE PERMET LA MISE EN EVIDENCE DE LA QUANTIFICATION EN SOUS-BANDES DANS LA BANDE DE CONDUCTION D'UN SUPERRESEAU ET LA MESURE DIRECTE DE L'ENERGIE DE CONFINEMENT DE LA 1ERE SOUS BANDE DE CONDUCTION

Download or read book Photo mission de puits quantiques et de superr seaux GaAs Ga1As en tat d affinit lectronique n gative written by R. Houdré and published by . This book was released on 1985 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Photo mission de puits quantiques et de super r seaux GaAs GaA1As en tat d affinit lectronique n gative written by Romuald Houdré (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1985 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Photoemission de puits quantiques et de superreseaux GaAs GaA1As en etat d affinite electronique negative written by Romuald Houdré and published by . This book was released on 1985 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Scientific and Technical Aerospace Reports written by and published by . This book was released on 1987 with total page 920 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book PHOTOEMISSION D ELECTRONS POLARISES A PARTIR DE SUPER RESEAUX SEMI CONDUCTEURS EN AFFINITE ELECTRONIQUE NEGATIVE written by HEINRICH.. GENTNER and published by . This book was released on 1993 with total page 128 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS PRESENTONS UNE ETUDE EXPERIMENTALE DU PROCESSUS DE PHOTOEMISSION A FAIBLE ENERGIE D'EXCITATION DANS UN SUPER-RESEAU SEMI-CONDUCTEUR ACTIVE EN AFFINITE ELECTRONIQUE NEGATIVE. LES ENERGIES DES DIFFERENTES TRANSITIONS OPTIQUES DEPUIS LES MINIBANDES DE VALENCE VERS LES MINI-BANDES DE CONDUCTION SONT DETERMINEES EXPERIMENTALEMENT A PARTIR DES COURBES DE RENDEMENT DE PHOTOEMISSION. ELLES S'ACCORDENT AVEC LES VALEURS QUE NOUS CALCULONS DANS UN MODELE DE FONCTIONS ENVELOPPES. A PARTIR DE L'ANALYSE DES COURBES DE DISTRIBUTION EN ENERGIE NOUS OBTENONS DEUX TYPES D'INFORMATIONS. D'UNE PART NOUS OBSERVONS DES CONTRIBUTIONS CARACTERISTIQUES DU PROCESSUS DE PHOTOEXCITATION, QUI NOUS PERMETTENT DE DETERMINER LA DISPERSION DES PREMIERES MINIBANDES DE VALENCE DU SUPER-RESEAU DANS LE PLAN PERPENDICULAIRE A L'AXE DE QUANTIFICATION. AU-DELA DU VOISINAGE IMMEDIAT DU CENTRE DE LA PREMIERE ZONE DE BRILLOUIN, LA DISPERSION DE CES MINIBANDES DEVIENT SIMILAIRE A CELLE DES PREMIERES BANDES DE VALENCE DANS LE GAAS MASSIF. D'AUTRE PART, NOUS OBSERVONS DES STRUCTURES CORRESPONDANT A L'EMISSION D'ELECTRONS DEPUIS LES PREMIERS NIVEAUX QUANTIQUES DU SUPER-RESEAU DANS LA VALLEE CENTRALE ET DANS LES VALLEES LATERALES DE LA BANDE DE CONDUCTION. IL APPARAIT DANS CES RESULTATS EXPERIMENTAUX QUE LA DYNAMIQUE DU PROCESSUS DE PHOTOEMISSION FAVORISE L'ACCUMULATION DANS LES NIVEAUX DES VALLEES LATERALES PLUTOT QUE DANS LES MINIBANDES SUPERIEURES DE LA VALLEE CENTRALE. PAR AILLEURS, DU A LA LEVEE DE LA DEGENERESCENCE DES BANDES DE TROUS LOURDS ET DE TROUS LEGERS AUX MAXIMUM DE LA BANDE DE VALENCE, UNE POPULATION D'ELECTRONS COMPLETEMENT POLARISES PEUT ETRE THEORIQUEMENT PHOTOCREEE PAR POMPAGE OPTIQUE. LES POLARISATIONS DE LUMINESCENCE DE 70% QUE NOUS AVONS OBTENUES MONTRENT QUE CE TYPE DE STRUCTURE PEUT ALORS ETRE UTILISE COMME SOURCE D'ELECTRONS DE FORTE POLARISATION

Download or read book ETUDE DES TRANSITIONS OPTIQUES DANS DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER RESEAUX GAAS ALAS EN PROPAGATION GUIDEE written by VASSILIKI.. VOLIOTIS and published by . This book was released on 1994 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS DE COURTE PERIODE, PAR DES EXPERIENCES DE TRANSMISSION EN PROPAGATION GUIDEE, A BASSE TEMPERATURE. LA CARACTERISATION COMPLETE ET LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU GUIDE SONT ESSENTIELLES POUR L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ISOLES OU SUPER-RESEAUX IMMERGES DANS LES STRUCTURES GUIDANTES. DANS CETTE CONFIGURATION EXPERIMENTALE, NOUS DETERMINONS LES COEFFICIENTS D'ABSORPTION DANS LES DEUX DIRECTIONS DE POLARISATION, PARALLELE ET PERPENDICULAIRE AU PLAN DES COUCHES ET NOUS EN DEDUISONS LES ENERGIES DE LIAISON ET LES FORCES D'OSCILLATEUR DES EXCITONS LOURDS ET LEGERS DES PUITS QUANTIQUES ETUDIES. NOUS AVONS EGALEMENT MESURE LE FAIBLE COEFFICIENT D'ABSORPTION DES TRANSITIONS OPTIQUES ENTRE ELECTRONS CONFINES DANS DES VALLEES X D'ALAS ET DES TROUS SITUES SUR DES ETATS GAMMA DE GAAS, DANS DES SUPER-RESEAUX (GAAS) N (ALAS) M DE TYPE-II. LA COMPARAISON DES RESULTATS EXPERIMENTAUX A UN CALCUL THEORIQUE DU COEFFICIENT D'ADSORPTION DANS UN SUPER-RESEAU DE TYPE-II A PERMIS DE DEDUIRE UNE VALEUR DU PARAMETRE DE COUPLAGE ENTRE ETATS ELECTRONIQUES GAMMA DE GAAS ET X D'ALAS, RESPONSABLE DE LA FORCE D'OSCILLATEUR FINIE DES TRANSITIONS OPTIQUES