Download or read book Oxydation du silicium poreux written by Jean-Jacques Yon and published by . This book was released on 1986 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES STRUCTURES SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) PEUVENT ETRE OBTENUES A PARTIR DE SILICIUM POREUX A CONDITION DE CONTROLER L'OXYDATION THERMIQUE DU MATERIAU. CE MEMOIRE EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'OXYDATION DU SILICIUM POREUX. CE TRAVAIL A PERMIS DE FIXER LES CONDITIONS EXPERIMENTALES CONDUISANT A LA FORMATION REPRODUCTIBLE DE COUCHES DE SILICIUM POREUX HOMOGENES. L'ETUDE DETAILLEE DE L'OXYDATION DE CE MATERIAU A PERMIS DE DEGAGER UN MECANISME PHENOMENOLOGIQUE QUI REND COMPTE DE LA TRANSFORMATION DU SILICIUM POREUX EN OXYDE AUX PROPRIETES IDENTIQUES A CELLES DE LA SILICE CLASSIQUE. LE MECANISME PROCEDE PAR UNE OXYDATION CHIMIQUE COUPLEE A UNE DENSIFICATION, TRES ACTIVEE EN TEMPERATURE, DE LA SILICE. CES RESULTATS ONT ETE APPLIQUES A LA REALISATION DE STRUCTURES SOI

Download or read book Contribution l tude du silicium poreux written by Ahmad Bsiesy and published by . This book was released on 1991 with total page 126 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES MECANISMES DE TRANSFORMATION DU SILICIUM POREUX EN SILICE PAR VOIE ANODIQUE ONT ETE ETUDIES. LES CARACTERISTIQUES ELECTROCHIMIQUES CORRESPONDANTES, ET LA COMPOSITION CHIMIQUE DES COUCHES POREUSES OXYDEES ANODIQUEMENT ONT ETE ANALYSEES. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT QU'EN MODE INTENTIOSTATIQUE ET POUR DES FAIBLES COURANTS D'OXYDATION LES COLONNES DE SILICIUM POREUX SE TROUVENT EN DEPLETION ET L'ECHANGE DES TROUS N'EST DONC POSSIBLE QU'AU FOND DES PORES OU L'OXYDATION AURA PRINCIPALEMENT LIEU. POUR DES COURANTS PLUS FORTS, LES COLONNES DE SILICIUM POREUX SONT DANS UN ETAT DE DEPLETION MOINS PROFOND, VOIRE EN ACCUMULATION, ET L'OXYDATION AURA LIEU A LA FOIS AU FOND DES PORES ET SUR LES FLANCS DE CEUX-CI. UN CERTAIN NOMBRE DE RESULTATS PRELIMINAIRES ONT MONTRE QUE LE SILICIUM POREUX PEUT, DANS CERTAINES CONDITIONS, EMETTRE DE LA LUMIERE VISIBLE: LORSQUE LES DIMENSIONS DES FILAMENTS DE SILICIUM CONSTITUANT LE SILICIUM POREUX DEVIENNENT SUFFISAMMENT FINS, LES EFFETS DE CONFINEMENT QUANTIQUE DEPLACENT LES NIVEAUX ELECTRONIQUES ET FONT APPARAITRE UNE LUMINESCENCE DANS LA REGION CORRESPONDANT AUX LONGUEURS D'ONDE VISIBLES

Download or read book ANALYSE TEMPORELLE DES MECANISMES DE LUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX written by IRINA.. MIHALCESCU and published by . This book was released on 1994 with total page 205 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS ETUDIE CERTAINS ASPECTS DU MECANISME DE LA LUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX. LA PARTICULARITE DE L'APPROCHE A ETE LE SUIVI SIMULTANE DE L'INTENSITE, DES TEMPS DE VIE ET DE LA FORME DU DECLIN DE LA PL EN FONCTION DES PLUSIEURS PARAMETRES TELS QUE: LA TEMPERATURE, LE NIVEAU D'OXYDATION ANODIQUE ET L'INTENSITE D'EXCITATION. NOUS DECRIVONS LA STRUCTURE POREUSE COMME UN ENSEMBLE DE CRISTALLITES DE DIMENSIONS NANOMETRIQUES, INTERCONNECTEES PAR DES PONTS DE SILICIUM OU DE SILICE. LE PREMIER NIVEAU EXCITE DANS CES CRISTALLITES EST LOCALISE, LES PORTEURS SE RETROUVANT CONFINES DANS UN POINT QUANTIQUE. PAR CONTRE, LES NIVEAUX EXCITES SUPERIEURS SONT ETENDUS SUR PLUSIEURS CRISTALLITES, LES PORTEURS ETANT CONFINES DANS UN FIL QUANTIQUE. POUR DES TEMPERATURES PLUS PETITES QUE 250K, NOUS AVONS CONCLU QUE LES PORTEURS SONT LOCALISES ET UNE DESCRIPTION DE LA DYNAMIQUE DE RECOMBINAISON LIMITEE PAR L'EFFET TUNNEL EST VALABLE DANS TOUTE CETTE GAMME DES TEMPERATURES. A PLUS HAUTES TEMPERATURES, LE CHANGEMENT DE LA FORME DU DECLIN ET LA FORTE DECROISSANCE DE L'INTENSITE DE LA PL ONT ETE ASSOCIES A UNE DELOCALISATION PROGRESSIVE DES PORTEURS PAR ACTIVATION THERMIQUE. DANS CE CADRE, L'EVOLUTION CONTRAIRE, ENREGISTREE AU COURS DE L'OXYDATION ANODIQUE DU SILICIUM POREUX, EST ASSIMILEE A UNE LOCALISATION PROGRESSIVE DES PORTEURS PAR L'ACCROISSEMENT DES BARRIERES DE POTENTIEL DU A L'OXYDATION DES PONTS RELIANT LES CRISTALLITES. LE DERNIER VOLET DE CE TRAVAIL COMPORTE UNE ETUDE DE L'EVOLUTION DE L'INTENSITE DE LA PL EN FONCTION DE L'INTENSITE D'EXCITATION. LA SATURATION DE LA PL, DETECTEE DANS UN REGIME DE FORTES INTENSITES D'EXCITATION, A ETE ATTRIBUEE A UNE INTENSIFICATION DE LA RECOMBINAISON AUGER. LA MEME EXPLICATION EST ENSUITE UTILISEE POUR JUSTIFIER LA DIMINUTION DU RENDEMENT DE LUMINESCENCE DANS UN REGIME DE FORTE INJECTION ELECTRIQUE

Download or read book ETUDE DE LA CROISSANCE DE FILMS MINCES OBTENUS PAR OXYDATION ET NITRURATION THERMIQUES DU SILICIUM POREUX written by VALERIE.. MORAZZANI and published by . This book was released on 1996 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE UNE ETUDE EXPERIMENTALE DETAILLEE DE L'OXYDATION ET DE LA NITRURATION THERMIQUE SOUS OXYGENE SEC AINSI QUE DE LA NITRURATION SOUS AMMONIAC A HAUTE TEMPERATURE DE COUCHES DE SILICIUM POREUX, PREALABLEMENT OXYDEES A BASSE TEMPERATURE. CES TRAVAUX ONT ETE REALISES DANS LE BUT TECHNOLOGIQUE D'AMELIORER LES RENDEMENTS DE LUMINESCENCE. D'UN POINT DE VUE FONDAMENTAL, ILS SERVENT AUSSI POUR TESTER LA VALIDITE DES MODELES PROPOSES RELIANT LA POSITION DES SPECTRES DE LUMINESCENCE AVEC LA TAILLE DES CRITALLITES. PAR AILLEURS, LA TRES GRANDE SURFACE INTERNE DEVELOPPEE DANS CES COUCHES A PERMIS D'ETUDIER AVEC UNE GRANDE SENSIBILITE DES COUCHES DE SILICE ET D'OXYNITRURE TRES MINCES, D'EPAISSEUR INFERIEURE A 5 NANOMETRES, ET DE DETERMINER LEUR COMPOSITION, LA NATURE DES LIAISONS CHIMIQUES D'INTERFACE, AINSI QUE LES DEFAUTS D'INTERFACE ET DE VOLUME CONTENUS DANS CES STRUCTURES

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE L ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX DE TYPE P FORTEMENT DOPE written by SOPHIE.. BILLAT and published by . This book was released on 1994 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX DE TYPE P FORTEMENT DOPE QUI ACCOMPAGNE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DE CE MATERIAU. DANS UNE PREMIERE PARTIE BIBLIOGRAPHIQUE, NOUS PRESENTONS LES CONDITIONS ET LES MECANISMES DE FORMATION DU SILICIUM POREUX AINSI QUE LES PROPRIETES PRINCIPALES DU MATERIAU. NOUS ABORDONS ENSUITE LES DIFFERENTS MODELES INVOQUES POUR INTERPRETER L'ORIGINE DE LA PHOTOLUMINESCENCE OBSERVEE DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. NOUS PRESENTONS DANS UNE SECONDE PARTIE L'ETUDE DE L'ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX EN RELATION AVEC LA MORPHOLOGIE DU MATERIAU. UNE ANALYSE CONJOINTE DE L'ELECTRO- ET DE LA PHOTO-LUMINESCENCE, MENEE LORS D'UNE ANODISATION A COURANT CONSTANT, MONTRE UNE VARIATION D'INTENSITE COMMUNE AINSI QU'UN DEPLACEMENT SPECTRAL EN FONCTION DU NIVEAU D'OXYDATION DE LA COUCHE. CES DIFFERENTES CARACTERISTIQUES SONT DISCUTEES ET INTERPRETEES DANS LE CADRE D'UN MODELE SIMPLE REPOSANT SUR LA NOTION DE CONFINEMENT QUANTIQUE DES PORTEURS DANS LES CRISTALLITES DE SILICIUM CONSTITUANT LA STRUCTURE POREUSE. CE MODELE FAIT INTERVENIR SELECTIVITE D'INJECTION DES PORTEURS DANS LES CRISTALLITES ET EFFET DE PASSIVATION DU A LA FORMATION DE L'OXYDE. UNE ETUDE DES PHENOMENES DE LUMINESCENCE LORS D'UNE OXYDATION EFFECTUEE A POTENTIEL CONTROLE A PERMIS DE SEPARER LES DIFFERENTS PARAMETRES QUI DETERMINENT L'EMISSION LUMINEUSE. ELLE MONTRE NOTAMMENT QUE L'ENERGIE DES RADIATIONS EMISES EST RELIEE DE MANIERE LINEAIRE A LA TENSION APPLIQUEE. DANS UNE DERNIERE PARTIE, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AU CARACTERE TRANSITOIRE DU SIGNAL D'ELECTROLUMINESCENCE. NOUS AVONS MONTRE QUE LA CHUTE DE L'INTENSITE LUMINEUSE PEUT ETRE LIEE A UNE DEPASSIVATION DE LA SURFACE DES CRISTALLITES

Download or read book Technologie et propri t s de transport dans les couches paisses de silicium poreux written by Stéphnie Périchon and published by . This book was released on 2001 with total page 175 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le silicium meso-poreux, obtenu par attaque électrochimique du silicium monocristallin, présente une conductivité thermique proche de celle de l’oxyde de silicium. C’est donc un excellent candidat pour assurer l’isolation thermique des micro-capteurs sur silicium tout en garantissant la stabilité mécanique de la micro-structure. Une méthode d’anodisation pulsée, double face du silicium a été mise au point afin d’obtenir des couches de silicium poreux épaisses et homogènes en profondeur permettant même d’anodiser toute l’épaisseur du substrat. Leur caractérisation thermique a été réalisée par spectroscopie micro-Raman afin de déterminer les paramètres d’anodisation (densité de courant, durée) et les traitements d’oxydation post-anodisation conduisant à une conductivité thermique optimale, inférieure à 1 W/m.K. Les résultats expérimentaux corroborent notre modèle théorique du transport thermique dans ce matériau nano-structuré. L’optimisation technologique des couches de silicium poreux localisées à la surface du substrat est obtenue en terme de stabilisation physico-chimique par oxydation à basse température et d’encapsulation par un film diélectrique. La modélisation analytique et la simulation par éléments finis du support thermique du micro-capteur ont conduit à la définition de son architecture. Enfin, deux microsystèmes pour la mesure de la conductivité thermique tissulaire sont conçus et réalisés sur des caissons de silicium poreux oxydés de 100 μm d’épaisseur : une structure mini-invasive en forme d’aiguille et une structure de surface à symétrie cylindrique. Les éléments actifs du micro-capteur sont déposés et lithographiés à la surface du silicium poreux : deux thermistances en polysilicium implanté phosphore et une thermopile polysilicium N+/aluminium à 5 ou 11 jonctions. Les résultats expérimentaux ont montré l’efficacité de l’isolation thermique du silicium poreux oxydé et dégagé les perspectives d’optimisation pour diverses filières de micro-dispositifs thermiques.

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES PARTICULIERES DU SILICIUM POREUX written by ANNIE.. GROSMAN and published by . This book was released on 1995 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES TRAVAUX PRESENTES DANS CE MANUSCRIPT CONCERNENT L'ETUDE DE DEUX PROPRIETES PARTICULIERES DU SILICIUM POREUX: LA PHOTOLUMINESCENCE VISIBLE ET LA RESISTIVITE ELECTRIQUE QUI EST DE PLUSIEURS ORDRES DE GRANDEUR PLUS GRANDE QUE CELLE DU SUBSTRAT A PARTIR DUQUEL LES COUCHES SONT FORMEES (PAR DISSOLUTION ANODIQUE). NOUS AVONS MONTRE, PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE, QUE LA PHOTOLUMINESCENCE VISIBLE DES COUCHES DE SILICIUM POREUX N'EST PAS DUE AUX ESPECES CHIMIQUES ADSORBEES A LA SURFACE DES PORES. DE PLUS, LES ETUDES DE MORPHOLOGIE ET DE STRUCTURE REALISEES PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION ET RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE (RPE) MONTRENT QUE LE CARACTERE MONOCRISTALLIN DU SUBSTRAT EST PARFAITEMENT CONSERVE AVEC UNE LEGERE MOSAICITE POUR LES COUCHES TRES POREUSES. CES RESULTATS REJETENT L'ATTRIBUTION DE LA PHOTOLUMINESCENCE A LA PRESENCE DE SILICIUM AMORPHE (HYDROGENE) ET VONT DANS LE SENS D'UN MODELE DE CONFINEMENT QUANTIQUE DANS DES NANOCRISTALLITES SITUEES A LA PERIPHERIE DES PAROIS DE SILICIUM. IL EST MONTRE, PAR DES MESURES EN MICROANALYSE NUCLEAIRE ET ABSORPTION INFRA-ROUGE, QUE LA FORTE RESISTIVITE DES COUCHES DE SILICIUM POREUX N'EST PAS DUE A L'ABSENCE DE DOPANTS NI A LEUR PASSIVATION PAR L'HYDROGENE. LES ETUDES RPE MONTRENT QUE LES COUCHES POREUSES (P#+ OU N#+) SONT DESERTEES PAR LES PORTEURS LIBRES CE QUI PEUT S'EXPLIQUER, COMPTE-TENU DE LA TRES GRANDE SURFACE SPECIFIQUE, PAR LE PIEGEAGE DE CES PORTEURS LIBRES DANS DES ETATS DE SURFACE. UNE ETUDE PRELIMINAIRE DE L'OXYDATION ANODIQUE DES COUCHES POREUSES MET EN EVIDENCE L'INTERET DE CE MATERIAU POUR L'ETUDE DES DEFAUTS DES OXYDES

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE LA LUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX written by MARIE ANNE.. HORY and published by . This book was released on 1995 with total page 122 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES ETUDES PRESENTEES DANS CE MANUSCRIT PORTENT SUR LA PHOTO- (PL) ET L'ELECTRO-LUMINESCENCE (EL) DE COUCHES DE SILICIUM POREUX OBTENU PAR ATTAQUE ELECTROCHIMIQUE DE SUBSTRAT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN. LA PREMIERE PARTIE PRESENTE LES PRINCIPALES CARACTERISTIQUES DU MATERIAU ET LA DESCRIPTION DE SES PROPRIETES DE LUMINESCENCE ACCOMPAGNEE DES DIFFERENTS MODELES AVANCES POUR EN EXPLIQUER LES MECANISMES, EN S'ATTACHANT TOUT PARTICULIEREMENT A CELUI DU CONFINEMENT QUANTIQUE DES PORTEURS DANS LES CRISTALLITES QUI FORMENT LA COUCHE POREUSE, QUI EST LE PLUS GENERALEMENT RETENU. LA DEUXIEME PARTIE DECRIT LES DIFFERENTS MONTAGES EXPERIMENTAUX PERMETTANT LA FORMATION DES COUCHES POREUSES ET LEURS CARACTERISATIONS. DANS UNE TROISIEME PARTIE, NOUS PRESENTONS LES RESULTATS OBTENUS LORS DE L'ETUDE PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE DE L'INFLUENCE DES ESPECES PRESENTES EN SURFACE DES CRISTALLITES DE SILICIUM SUR LA PL DE LA COUCHE POREUSE. NOUS MONTRONS QUE LA DESORPTION DE L'HYDROGENE PRESENT EN SURFACE APRES FORMATION DU MATERIAU S'ACCOMPAGNE D'UNE DIMINUTION DE L'INTENSITE DE PL. L'ANALYSE DE LA COMPOSITION CHIMIQUE D'UNE COUCHE POREUSE OXYDEE ELECTROCHIMIQUEMENT NOUS PERMET DE METTRE EN EVIDENCE LA CONSERVATION DE LA PASSIVATION PAR L'HYDROGENE AU COURS DE CE TRAITEMENT ET DE CONFIRMER QUE L'AUGMENTATION DU RENDEMENT QUANTIQUE DE L'EMISSION ASSOCIEE A L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE PEUT ETRE ATTRIBUEE A UNE MEILLEURE LOCALISATION DES PORTEURS PHOTOGENERES DANS LES CRISTALLITES. LA QUATRIEME PARTIE EST CONSACREE AUX EFFETS D'UNE POLARISATION ELECTRIQUE SUR LES PHENOMENES DE LUMINESCENCE. CE TRAVAIL A ETE MENE SUR DES COUCHES NANOPOREUSES FORMEES SUR SUBSTRAT DE TYPE N, POLARISEES PAR L'INTERMEDIAIRE D'UN CONTACT ELECTROLYTIQUE. ON OBSERVE UNE EXTINCTION SELECTIVE, PROGRESSIVE (MAIS REVERSIBLE) DE LA PL QUAND LA POLARISATION CATHODIQUE EST AUGMENTEE. PARALLELEMENT, L'EL OBSERVEE EN PRESENCE D'UNE ESPECE OXYDANTE DANS L'ELECTROLYTE SUBIT UN DEPLACEMENT SPECTRAL VERS LE BLEU. L'ETUDE DETAILLEE DES DIFFERENTES CARACTERISTIQUES DE CES DEUX PHENOMENES NOUS PERMET DE MONTRER QU'ILS RESULTENT DE L'INJECTION SELECTIVE DES ELECTRONS DEPUIS LE SUBSTRAT DANS LES CRISTALLITES DE PLUS EN PLUS CONFINEES AU FUR ET A MESURE QUE LA POLARISATION AUGMENTE. ON VERIFIE PAR AILLEURS QUE CE CARACTERE SELECTIF DISPARAIT PROGRESSIVEMENT AU COURS DE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DE LA COUCHE POREUSE. L'EXTINCTION DE LA PL ET DE L'EL SOUS FORTE POLARISATION CATHODIQUE PEUT ETRE ATTRIBUEE A LA RECOMBINAISON NON RADIATIVE DES PORTEURS DE CHARGES PAR UN MECANISME DE TYPE AUGER

Download or read book Utilisation du silicium poreux pour r aliser des caissons diffus s en technologie des composants lectroniques de puissance written by PASCALE.. DEHU and published by . This book was released on 1994 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS UTILISE LA TECHNOLOGIE DU SILICIUM POREUX POUR REALISER DES CAISSONS D'ISOLEMENT DESTINES AUX COMPOSANTS DE PUISSANCE. CETTE REALISATION A NECESSITE LE FRANCHISSEMENT DE TROIS ETAPES. LA PREMIERE EST LA FORMATION DE COUCHES POREUSES PROFONDES OBTENUES PAR ANODISATION ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE. LE PROCEDE QUE NOUS PROPOSONS A DONNE DE TRES BONS RESULTATS: HOMOGENEITE DE LA REPARTITION DES PORES A LA SURFACE ET DANS L'EPAISSEUR DU SUBSTRAT. ON ANODISE UNE TRANCHE DE SILICIUM N-, DANS PRATIQUEMENT TOUTE SON EPAISSEUR (350M) EN UNE QUARANTAINE DE MINUTES. LA DEUXIEME ETAPE EST LA LOCALISATION DES ZONES POREUSES. NOUS AVONS MONTRE LES POSSIBILITES DE MASQUAGE QU'OFFRE LE POLYSILICIUM, QU'IL SOIT ISOLE DU SUBSTRAT PAR UNE COUCHE D'OXYDE OU NON. D'AUTRE PART, NOUS AVONS DETERMINE LA STRUCTURE DU MASQUE QUI CONVIENT LE MIEUX. IL EST COMPOSE D'UNE COUCHE DE POLYSILICIUM DEPOSEE SUR UNE EPAISSEUR D'OXYDE. CE DERNIER DOIT ETRE TOTALEMENT ENCAPSULE PAR LE SILICIUM POLYCRISTALLIN AFIN D'ETRE PROTEGE DE LA DISSOLUTION PAR L'ACIDE. ENFIN, C'EST LA DIFFUSION QUI A FINALEMENT ETE REALISEE DANS LES ZONES POREUSES LOCALISEES. LE PROCEDE QUE NOUS AVONS UTILISE PERMET D'OBTENIR DES PROFONDEURS DE JONCTION VARIABLES. IL SUFFIT D'AJUSTER LA DUREE DE LA REDISTRIBUTION EN FONCTION DE LA PROFONDEUR DESIREE. ON DIFFUSE AINSI DES IMPURETES DOPANTES DANS TOUTE L'EPAISSEUR D'UNE TRANCHE EN UN TEMPS RELATIVEMENT COURT

Download or read book DEPOT CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE DE SILICIUM SUR SUBSTRATS FERREUX CARACTERISATION DU COMPORTEMENT A LA CORROSION ET A L OXYDATION DES REVETEMENTS OBTENUS written by CHRISTOPHE.. KLAM and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA TECHNIQUE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE EST UTILISEE POUR ENRICHIR SUPERFICIELLEMENT EN SI DES SUBSTRATS FERREUX. UNE ETUDE THERMODYNAMIQUE PREALABLE MONTRE QUE, PARMI LES DIVERS COMPOSES CHLORO-HYDROGENES DE SI, LE SILANE SIH4 POSSEDE LE MEILLEUR POUVOIR SILICIURANT (RENDEMENT THEORIQUE MAXIMAL). SELON LA PHASE GAZEUSE UTILISEE (PRESENCE OU NON DE CHLORURE), LES REVETEMENTS OBTENUS SONT DIFFERENTS. L'UTILISATION DU MELANGE AR-SIH4-H2 CONDUIT A LA FORMATION PAR DIFFUSION, D'UNE SOLUTION SOLIDE FE-SI COMPACTE ET ADHERENTE, AVEC 6 POUR CENT EN POIDS MAXIMUM DE SI EN SURFACE. LA PRESENCE DE SICL4 DANS LE MELANGE GAZEUX MODIFIE LE PROCESSUS REACTIONNEL, ET CONDUIT A LA FORMATION ET A LA CROISSANCE DE CRISTAUX DE FE3SI. LE REVETEMENT FORME EST PLUS RICHE EN SI MAIS POREUX. LES CONDITIONS OPERATOIRES SONT OPTIMISEES A PARTIR DE L'ETUDE DES DIVERS PARAMETRES: DEBIT ET COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE, TEMPERATURE ET DUREE DE TRAITEMENT. LES DISPOSITIFS EXPERIMENTAUX SONT DECRITS. DES ESSAIS DE REFUSION SUPERFICIELLE PAR FAISCEAU LASER MONTRENT QU'IL EST POSSIBLE DE REFERMER LA POROSITE OUVERTE DES REVETEMENTS DE FE3SI, POUR DONNER UN ALLIAGE DE SURFACE HOMOGENE, NON POREUX ET NON FISSURE, MAIS DONT LA TENEUR EN SI EST MOINDRE, EN RAISON D'UNE DILUTION PAR FUSION D'UNE PARTIE DU SUBSTRAT. LES REVETEMENTS SONT CARACTERISES EN CORROSION HUMIDE ET/OU EN OXYDATION SECHE. LE COMPORTEMENT EN MILIEU H2SO4 1 M ET 7 M, A TEMPERATURE AMBIANTE, CONFIRME L'INFLUENCE DE LA TENEUR EN SI ET DE LA POROSITE DE LA COUCHE, ET MONTRE LE ROLE DU POST-TRAITEMENT LASER. LE COMPORTEMENT A L'OXYDATION A L'AIR, ENTRE 600 ET 800#OC, EST RELIE A LA NATURE ET LA STRUCTURE DES COUCHES

Download or read book Journal de physique written by and published by . This book was released on 2004 with total page 838 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE L OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ORGANIQUE ET EN MILIEU AQUEUX REALISATION DE COUCHES D OXYDE MINCES ET ULTRA MINCES POUR DES APPLICATIONS EN MOCROELECTRONIQUE written by AOMAR.. HALIMAOUI and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM MONOCRISTALLIN EN MILIEU ORGANIQUE ET EN MILIEU AQUEUX. LES PROPRIETES DES COUCHES D'OXYDE OBTENUES SONT ETUDIEES EN RELATION AVEC LES PARAMETRES PHYSICO-CHIMIQUES DE L'ELECTROLYSE ET EN VUE D'UNE APPLICATION EN MICROELECTRONIQUE. DANS LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL, CONSACREE A L'OXYDATION EN MILIEU ORGANIQUE, LE CHOIX DE L'ACETRONITRILE, QUI EST UN SOLVANT NON OXYGENE, A PERMIS DE DETERMINER SANS AMBIGUITE LA NATURE DE L'AGENT OXYDANT. NOUS AVONS MONTRE QUE LE TRANSPORT IONIC, PENDANT L'ELECTROLYSE, A TRAVERS LA COUCHE D'OXYDE S'EFFECTUE PAR UN MECANISME DE CONDUCTION PAR SAUTS. LES COUCHES D'OXYDE OBTENUES EN MILIEU ORGANIQUE SONT SOUS CERTAINS ASPECTS COMPARABLES A CELLES OBTENUES PAR OXYDATION THERMIQUE. CEPENDANT, IL A ETE MIS EN EVIDENCE UNE FORTE DENSITE DE CHARGES FIXES ATTRIBUEE A LA CONTAMINATION DE L'OXYDE PAR LES PRODUITS D'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SOLVANT. LES 2EME ET 3EME PARTIES SONT CONSACREES A L'OXYDATION DU SILICIUM EN MILIEU AQUEUX. APRES UNE ETUDE DU SYSTEME SILICIUM/SOLUTION, NOUS DISCUTONS, DANS LA 2EME PARTIE, LES MECANISMES MIS EN JEU PENDANT L'OXYDATION DU SILICIUM EN MILIEU AQUEUX. LA 3EME PARTIE EST CONSACREE A L'ELABORATION DE COUCHES D'OXYDE DANS L'EAU ULTRA PURE ET A LEUR CARACTERISATION. DES COUCHES TRES HOMOGENES, DANS LA GAMME 2 A 10 NM PEUVENT ETRE FACILEMENT OBTENUES. LEURS QUALITES SONT TOUT A FAIT CONFORMES A CELLES REQUISES PAR UN DIELECTRIQUE DE GRILLE EN MICROELECTRONIQUE

Download or read book Proc d s thermiques rapides written by Francois Marou and published by . This book was released on 1990 with total page 268 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE MEMOIRE EST D'EXAMINER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LES RECUITS THERMIQUES RAPIDES CONCERNANT LA DIFFUSION DU BORE IMPLANTE DANS LE SILICIUM ET LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE. DANS UNE ETUDE PRELIMINAIRE, IL EST MONTRE QU'UN FOUR DE RECUIT RAPIDE CORRESPOND BIEN AUX MACHINES SUSCEPTIBLES D'ETRE INTEGREES DANS LES SALLES BLANCHES DU FUTUR: AUTOMATIQUES, ROBOTISEES ET ASSURANT UN ENVIRONNEMENT ULTRAPROPRE AUX PLAQUETTES TRAITEES. LES PROBLEMES LIES A LA MESURE DE LA TEMPERATURE ET AU CONTROLE DE SON HOMOGENEITE SONT ENSUITE MIS EN EVIDENCE. DES SOLUTIONS SONT PROPOSEES, COMME L'UTILISATION DE SUSCEPTEURS OU BIEN CELLE D'UN PORTE-SUBSTRAT COMPORTANT DES ECRANS. DEUX APPLICATIONS SONT ALORS ABORDEES: LE RECUIT DE BORE IMPLANTE ET L'OXYDATION RAPIDE DU SILIIUM. LA PREMIERE CONFIRME LA PRESENCE D'UN PHENOMENE DE DIFFUSION ACCELEREE DANS LA PHASE INITIALE DU RECUIT, AYANT POUR ORIGINE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION. CE MECANISME FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE DETAILLEE, PUIS DES TECHNIQUES PERMETTANT DE S'EN AFFRANCHIR SONT SUGGEREES: PRE-AMORPHISATION DU SILICIUM OU IMPLANTATION DE BF2. DANS LA SECONDE, LA CROISSANCE DES PREMIERES COUCHES DE SILICE EST ANALYSEE EN FONCTION DES CINETIQUES D'OXYDATION. L'INFLUENCE DU NETTOYAGE PRE-OXYDATION ET DU RECUIT POST-OXYDATION SUR LA QUALITE DES OXYDES OBTENUS, EST EGALEMENT ETABLIE. ENFIN, L'ETUDE DE LA DIFFUSION DU BORE SOUS OXYDATION RAPIDE PERMET DE VERIFIER QU'ELLE EST ACCELEREE COMME DANS LE CAS D'OXYDATIONS CLASSIQUES, CAR ELLE EST CORRELEE A LA VITESSE DE CROISSANCE DE L'OXYDE

Download or read book Oxydation du silicium par plasma d oxygene written by Christine Martinet and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacre a l'etude de l'oxyde de silicium realise par oxydation plasma a basse temperature dans un reacteur a resonance cyclotronique electronique repartie. Nous nous sommes interesses aux cinetiques de croissance en anodisation plasma (tension appliquee au substrat superieure au potentiel plasma) a courant constant qui decrivent bien un modele de diffusion d'ions o#- assistee champ. Mais, nous avons mis en evidence l'existence d'un premier regime, ou la tension reste constante, qui correspondrait a la formation d'une couche conductrice d'epaisseur 10-15 nm due aux photons u.v. Energetiques du plasma d'oxygene. Nous avons caracterisé physiquement nos oxydes plasmas. La methode d'absorption infrarouge s'est revelee tres adaptee a l'etude des couches minces de silice, en tenant compte des effets geometriques, mis en evidence par calcul et experimentalement, provoquant un deplacement fictif du pic du mode principal optique transverse (to) avec l'epaisseur d'oxyde, tandis que la position du pic du mode optique longitudinal (lo) reste invariante. La position des pics des modes lo et to nous permet de determiner l'angle moyen si-o-si et la densite de la silice. Les oxydes plamas montrent une position de ces deux pics tres deplacee par rapport aux oxydes thermiques laissant presager des oxydes denses. La reflectometrie x s'est revelee tres sensible a la rugosite de surface de l'oxyde tandis qu'il est difficile d'obtenir des valeurs precises pour les autres parametres (rugosite d'interface sio#2/si, densite). Les resultats des mesures sur les oxydes anodiques en absorption infrarouge et en reflectometrie x montrent une inhomogeneite en epaisseur. Enfin, des mesures c(v) montrent une caracteristique convenable bien que ces oxydes soient contamines par les metaux constituant le reacteur.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE AQUEUX written by Abdelhak Belaidi and published by . This book was released on 1999 with total page 149 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DISSOLUTION ANODIQUE DU SILICIUM DE TYPE N DANS DES SOLUTIONS DE HF A ETE ETUDIEE DANS L'OBSCURITE ET SOUS ECLAIREMENT. DANS L'OBSCURITE, UN FAIBLE COURANT ANODIQUE EST OBSERVE POUR DES POTENTIELS VARIANT ENTRE 0,37 ET 4V. LA VALEUR DE CE COURANT CHANGE AVEC LE PH, LA CONCENTRATION DE FLUOR ET LA NATURE DES CATIONS PRESENTS DANS LA SOLUTION. UN MODELE SIMPLE EST PROPOSE POUR EXPLIQUER LA DEPENDANCE DU COURANT ANODIQUE EN FONCTION DE CES PARAMETRES. SOUS FAIBLE INTENSITE LUMINEUSE, LA DISSOLUTION DU SILICIUM DE TYPE N CONDUIT A LA FORMATION DU SILICIUM POREUX. SOUS FORTE INTENSITE LUMINEUSE, LE COMPORTEMENT DU SILICIUM DE TYPE N EST SIMILAIRE A CELUI DU TYPE P. LES MESURES D'IMPEDANCES ET DE SPECTROSCOPIE INFRAROUGE ONT PERMIS D'ETUDIER LA CHIMIE DE SURFACE. L'EFFET DU PH, DE LA CONCENTRATION DE FLUOR ET DE LA NATURE DES CATIONS ONT EGALEMENT FAIT L'OBJET D'UNE ANALYSE DANS CE CAS. LA DISSOLUTION ANODIQUE DU SILICIUM DE TYPE N, EN PRESENCE DU COUPLE REDOX NO +/NO, A ETE DEMONTREE DANS L'OBSCURITE. LA CHIMIE DE SURFACE PENDANT LA FORMATION DU SILICIUM POREUX PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES PROCESSUS INTERFACIAUX. POUR CETTE ETUDE, LES COURBES COURANT-TEMPS ET LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE ONT ETE UTILISEES. ON A CONCLU QUE L'OXYDE EST PRESENT PENDANT LA FORMATION DU SILICIUM POREUX. EN MEME TEMPS, LA CONCENTRATION DES LIAISONS SI-H AUGMENTE A LA SURFACE DU SILICIUM. UN MODELE BASE SUR L'EXISTENCE D'UNE SURFACE ACTIVE ELECTROCHIMIQUEMENT EST PROPOSE. CE MODELE PERMET D'EXPLIQUER LA VARIATION DE LA CONCENTRATION DES LIAISONS SI-H ET SI-O A LA SURFACE. PAR AILLEURS, L'EFFET DE L'HYDROGENE SUR LA SURFACE DU SILICIUM A ETE EXAMINE. DANS L'OBSCURITE, UNE FAIBLE DISSOLUTION DU SILICIUM S'ACCOMPAGNE DE LA FORMATION D'HYDROGENE. L'ETAT DE SURFACE OBTENU DEPEND DE LA DUREE D'IMMERSION DU SILICIUM DANS HF. L'AUGMENTATION DE LA DENSITE DES ETATS DE SURFACE PEUT S'EXPLIQUER PAR LA DIFFUSION DE L'HYDROGENE DANS LE SILICIUM.

Download or read book OXYDATION DU SILICIUM PAR PLASMA D OXYGENE written by CHRISTINE.. MARTINET and published by . This book was released on 1995 with total page 171 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'OXYDE DE SILICIUM REALISE PAR OXYDATION PLASMA A BASSE TEMPERATURE DANS UN REACTEUR A RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX CINETIQUES DE CROISSANCE EN ANODISATION PLASMA (TENSION APPLIQUEE AU SUBSTRAT SUPERIEURE AU POTENTIEL PLASMA) A COURANT CONSTANT QUI DECRIVENT BIEN UN MODELE DE DIFFUSION D'IONS O#- ASSISTEE CHAMP. MAIS, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UN PREMIER REGIME, OU LA TENSION RESTE CONSTANTE, QUI CORRESPONDRAIT A LA FORMATION D'UNE COUCHE CONDUCTRICE D'EPAISSEUR 10-15 NM DUE AUX PHOTONS U.V. ENERGETIQUES DU PLASMA D'OXYGENE. NOUS AVONS CARACTERIS E PHYSIQUEMENT NOS OXYDES PLASMAS. LA METHODE D'ABSORPTION INFRAROUGE S'EST REVELEE TRES ADAPTEE A L'ETUDE DES COUCHES MINCES DE SILICE, EN TENANT COMPTE DES EFFETS GEOMETRIQUES, MIS EN EVIDENCE PAR CALCUL ET EXPERIMENTALEMENT, PROVOQUANT UN DEPLACEMENT FICTIF DU PIC DU MODE PRINCIPAL OPTIQUE TRANSVERSE (TO) AVEC L'EPAISSEUR D'OXYDE, TANDIS QUE LA POSITION DU PIC DU MODE OPTIQUE LONGITUDINAL (LO) RESTE INVARIANTE. LA POSITION DES PICS DES MODES LO ET TO NOUS PERMET DE DETERMINER L'ANGLE MOYEN SI-O-SI ET LA DENSITE DE LA SILICE. LES OXYDES PLAMAS MONTRENT UNE POSITION DE CES DEUX PICS TRES DEPLACEE PAR RAPPORT AUX OXYDES THERMIQUES LAISSANT PRESAGER DES OXYDES DENSES. LA REFLECTOMETRIE X S'EST REVELEE TRES SENSIBLE A LA RUGOSITE DE SURFACE DE L'OXYDE TANDIS QU'IL EST DIFFICILE D'OBTENIR DES VALEURS PRECISES POUR LES AUTRES PARAMETRES (RUGOSITE D'INTERFACE SIO#2/SI, DENSITE). LES RESULTATS DES MESURES SUR LES OXYDES ANODIQUES EN ABSORPTION INFRAROUGE ET EN REFLECTOMETRIE X MONTRENT UNE INHOMOGENEITE EN EPAISSEUR. ENFIN, DES MESURES C(V) MONTRENT UNE CARACTERISTIQUE CONVENABLE BIEN QUE CES OXYDES SOIENT CONTAMINES PAR LES METAUX CONSTITUANT LE REACTEUR

Download or read book Oxydation du silicium written by Georges Charitat and published by . This book was released on 1982 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE SILICIUM, DOPE PAR IMPLANTATION DE BORE EST RECUIT SOUS ATMOSPHERE OXYDANTE DE VAPEUR D'EAU. LES PROFILS DE REDISTRIBUTION, CARACTERISES PAR SONDE IONIQUE METTENT EN EVIDENCE UNE ACCELERATION DE LA DIFFUSION DU BORE POUR LES ZONES OXYDEES PAR RAPPORT AUX ZONES PROTEGEES DE L'OXYDATION. CE PHENOMENE EST RELIE A UNE GURSATURATION EN INTERSTITIELS DE SILICIUM GENERES A L'INTERFACE SI-SIO::(2), DANS LE SILICIUM, LORS DE LA CROISSANCE DE L'OXYDE. UNE ETUDE ORIGINALE DE L'EVOLUTION DES CONTRAINTES DANS LE SILICIUM EN FONCTION DES DIVERS PARAMETRES DE DIFFUSION EST PROPOSEE METTANT EN JEU LA RELAXATION DES CONTRAINTES DANS L'OXYDE PAR FLUX VISQUEUX DE CELUI-CI. CE MODELE PERMET DE DECRIRE PARFAITEMENT LE COMPORTEMENT QUALITATIF DES RESULTATS EXPERIMENTAUX, MAIS LE MANQUE DE DONNEES SUR LA VISCOSITE DE L'OXYDE ET LES CONTRAINTES ENGENDREES DANS LE SIO::(2) NE PERMETTENT PAS UNE VERIFICATION QUANTITATIVE DE NOTRE THEORIE. D'AUTRE PART, LA SEGREGATION DU BORE A L'INTERFACE SI-SIO::(2) EST ETUDIEE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE POUR DES OXYDES STATIQUES. UNE EXPRESSION DU COEFFICIENT DE SEGREGATION, M, EN FONCTION DES PRESSIONS REGNANTES DANS L'OXYDE EST DONNEE. CELLE-CI PERMET DE DECRIRE LES VARIATIONS DE M AVEC LA TEMPERATURE OBSERVEES EXPERIMENTALEMENT