Download or read book Mod lisation de la diffusion acc l r e et transitoire du bore implant basse nergie dans les dispositifs submicroniques silicium written by Ambre Dusch and published by . This book was released on 2002 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire est une contribution à l'étude des jonctions ultra minces p+n par implantation de bore sous forme B+ et BF2+ dans du silicium cristallin ou préamorphisé, suivie d'un recuit thermique rapide. Le premier chapitre traite des aspects technologiques et physiques des jonctions p+n. Nous nous sommes intéressés au phénomène de canalisation du bore et au choix de l'élaboration de ces jonctions. Le chapitre II présente les lois et mécanismes de diffusion des dopants, ainsi qu'un historique. La diffusion accélérée et transitoire est expliquée, ainsi que les défauts impliqués. Le chapitre III représente le cœur de notre travail : La première partie justifie le choix de l'outil PROMIS. La deuxième développe les phénomènes incorporés au modèle général à travers la modélisation de M. Uematsu. Enfin, en dernière partie, la diffusion du bore dans le cas d'une implantation de BF2+ est modélisée par la prise en compte de complexes impliquant le fluor et le bore en position interstitielle.

Download or read book ETUDE DU BORE IMPLANTE A FAIBLE ENERGIE DANS LE SYSTEME SIO 2 SI MONO EFFET D UN RECUIT THERMIQUE RTA SUR LA DIFFUSION DE L IMPLANT ET LE SPECTRE DE DEFAUTS PONCTUELS written by LANOUAR.. KAABI and published by . This book was released on 1994 with total page 165 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA TENDANCE PERMANENTE VERS LA MINIATURISATION DES DISPOSITIFS DE L'ELECTRONIQUE EST A L'ORIGINE DE NOUVEAUX PHENOMENES PHYSIQUES LIES PRINCIPALEMENT A L'EFFET DE GEOMETRIE. EN PARTICULIER, L'APPARITION DU PHENOMENE DE PERCAGE PUNCH THROUGH, RESULTANT DE LA REDUCTION DES CANAUX DES TRANSISTORS MOS, EXIGE LA MISE AU POINT DE JONCTIONS A LA FOIS PEU PROFONDES ET FORTEMENT DOPEES. UNE DISTRIBUTION SUPERFICIELLE INITIALE DU DOPANT IMPLANTE DONNE NAISSANCE A DES JONCTIONS PEU PROFONDES A LA SUITE DES DIFFERENTS TRAITEMENTS THERMIQUES. AFIN D'EVITER CERTAINS PHENOMENES QUI ONT TENDANCE A S'OPPOSER A LA REALISATION DES JONCTIONS ASSEZ ETROITES, NOUS NOUS SOMMES PARTICULIEREMENT INTERESSES A L'IMPLANTATION DU BORE A TRAVERS UNE COUCHE PROTECTRICE EN OXYDE. CETTE TECHNIQUE PERMET EN L'OCCURRENCE DE MINIMISER LES EFFETS INDESIRABLES DU PHENOMENE DE LA CANALISATION. LA CINETIQUE DE LA DIFFUSION DU BORE IMPLANTE A ETE ETUDIEE SOUS L'EFFET D'UN RECUIT RAPIDE ISOTHERME SELON LE BUDGET THERMIQUE APPLIQUE. AU COURS DES TRAITEMENTS THERMIQUES, LE CARACTERE TRANSITOIRE DU PHENOMENE DE DIFFUSION DE L'IMPLANT EST D'AUTANT PLUS PRONONCE QUE L'EPAISSEUR DE LA COUCHE PROTECTRICE EST PLUS PETITE QUE LE PARCOURS MOYEN PROJETE. DE CE FAIT, LE LONG DE CETTE ETUDE NOUS NOUS SOMMES INTERESSES ESSENTIELLEMENT A: 1) L'INFLUENCE DE LA COUCHE PROTECTRICE ET DE SON EPAISSEUR; 2) L'EFFET D'UN RECUIT RAPIDE ISOTHERME SUR LA REDISTRIBUTION SPATIALE DU BORE; 3) LA NATURE ET L'EVOLUTION EN TERME DE CONCENTRATION APPARENTE AU COURS DU RECUIT DES PRINCIPAUX DEFAUTS ELECTRONIQUEMENT ACTIFS

Download or read book DIFFUSION ACCELEREE ET TRANSITOIRE DU BORE DANS LE SILICIUM written by MOURAD.. OMRI and published by . This book was released on 1999 with total page 182 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REALISATION DES JONCTIONS P#+N DE PROFONDEURS INFERIEURES A 100 NM, COMPATIBLES AVEC L'ARCHITECTURE 0,18 M DES COMPOSANTS CMOS, NECESSITE UNE IMPLANTATION DE DOPANT, LE BORE, A DES ENERGIES DE QUELQUES KEV DANS UN SUBSTRAT PREALABLEMENT AMORPHISE, SUIVIE D'UNE ETAPE DE RECUIT THERMIQUE RAPIDE. PENDANT CE PROCEDE, DE NOMBREUX EFFETS TYPIQUES DE SITUATIONS HORS-EQUILIBRE APPARAISSENT TELS LA FORMATION DE DEFAUTS DITS END-OF-RANGE (EOR) ET LA DIFFUSION ACCELEREE ET TRANSITOIRE DU DOPANT, QUI DOIT ETRE COMPRISE AFIN DE SIMULER CORRECTEMENT L'EVOLUTION, AU COURS DES RECUITS, D'ACTIVATION DES PROFILS DE DOPANTS. OR, CES DEUX EFFETS SONT LES RESULTATS D'UNE MEME CAUSE, L'EVOLUTION AU COURS DU RECUIT D'UNE SURSATURATION DE DEFAUTS PONCTUELS : LES ATOMES DE SILICIUM INTERSTITIELS. LA SIMULATION DE LA DIFFUSION ANORMALE DU DOPANT NECESSITE DONC LA CONNAISSANCE DE L'EVOLUTION SPATIO-TEMPORELLE DE CETTE SURSATURATION. CETTE EVOLUTION DEPEND DU TYPE DE DEFAUTS QUI SE FORMENT A L'INTERFACE AMORPHE/CRISTAL ET DE L'EFFICACITE DE LA SURFACE DE LA PLAQUETTE A PIEGER LES INTERSTITIELS. DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS CONSACRE UNE PREMIERE PARTIE A EVALUER L'EFFICACITE DE PIEGEAGE DE LA SURFACE AU COURS D'UN RECUIT SOUS ATMOSPHERE NEUTRE (ARGON) ET REDUCTRICE (AZOTE), ET, CE, EN ETUDIANT L'EVOLUTION DES BOUCLES DE DISLOCATIONS QUI PRESENTE UN COMPORTEMENT DIFFERENT SELON L'ATMOSPHERE DU RECUIT. UNE ETUDE QUANTITATIVE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION MONTRE QUE, APRES RECUIT SOUS AZOTE, LE NOMBRE D'ATOMES PRIS DANS LES BOUCLES DEPEND DE LA DISTANCE BOUCLES/SURFACE. LES CINETIQUES DE DISSOLUTION DE CES DEFAUTS ONT ETE ETUDIEES ET MODELISEES EN DECRIVANT MATHEMATIQUEMENT UN PROCESSUS DE CROISSANCE DE TYPE OSTWALD RIPENING NON-CONSERVATIF. NOUS AVONS PU MONTRER QUE LA SURFACE EST UN PIEGE PARFAIT LORS D'UN RECUIT SOUS AZOTE. CEPENDANT, LORS D'UN RECUIT SOUS ARGON, L'EFFICACITE DE RECOMBINAISON EST LARGEMENT REDUITE. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, NOUS AVONS ETUDIE LE TYPE ET LA STABILITE DES DEFAUTS EOR POUR DES FAIBLES BILANS THERMIQUES. IL RESSORT DE CETTE ETUDE QU'IL EXISTE PLUSIEURS TYPES DE DEFAUTS QUI EVOLUENT EN PRESENCE D'UNE SURSATURATION PLUS FORTE QUE LEURS SURSATURATIONS D'EQUILIBRE. ENFIN, DANS UNE DERNIERE PARTIE, NOUS PROPOSONS LE PRINCIPE D'UN NOUVEAU MODELE CAPABLE DE SIMULER LA DIFFUSION ANORMALE DU BORE DANS LE SILICIUM PREAMORPHISE.

Download or read book Contribution la mod lisation de la diffusion des dopants en fortes concentrations dans le silicium written by Eric Vandenbossche and published by . This book was released on 1994 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les phenomenes de diffusion des dopants dans le silicium ont une importance grandissante dans les technologies actuelles et futures. En effet, les budgets thermiques diminuent avec les dimensions des dispositifs, et des phenomenes de diffusion transitoire apparaissent lors de la fabrication de jonctions ultra-courtes p#+/n et n#+/p. Ce memoire traite essentiellement des mecanismes de diffusion, bases sur les reactions entre dopants et defauts ponctuels, lesquels sont les interstitiels (atomes de silicium en site interstitiel) et les lacunes (site substitutionnel vacant). La sursaturation des defauts ponctuels, generee au cours des etapes technologiques (bombardements ioniques, oxydations, nitrurations), gouverne la diffusion transitoire des dopants. Un modele general de diffusion des dopants, incluant l'ensemble des mecanismes entre dopants et defauts ponctuels en non-equilibre, constitue la base de cette etude. Ce modele est presente en detail pour l'arsenic, le phosphore et le bore. Trois applications sur la diffusion du bore et du phosphore sont presentees montrant clairement la contribution des defauts ponctuels a la diffusion transitoire de ces dopants observee experimentalement. L'originalite de ce manuscrit consiste en l'etude des phenomenes de diffusion en fortes concentrations, plus precisement appliquee au bore et dans des conditions de preamorphisation. En effet, le bore presente des phenomenes de diffusion anormaux beaucoup plus marques par rapport aux autres dopants. Trois axes d'etudes constituent le traitement presente dans ce memoire: a) modelisation des conditions initiales pour la simulation en terme de concentrations des defauts ponctuels et activation du profil de dopage implante, b) modelisation des effets des boucles de dislocations generees par les etapes d'amorphisation, ces dislocations jouent le role de puit pour les interstitiels, et c) modelisation de la precipitation du bore, par le phenomene de nucleation derive pour la premiere fois dans un modele general de diffusion.